JP6529798B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
2 スピンチャック(基板保持手段)
3 傾斜ステージ部(基板保持手段、傾斜機構)
4 レーザー照射部(レーザー照射手段)
8 制御部
51 液体容器(液体保持手段)
52 撮像部(撮像手段)
53 気体ノズル(気流生成手段)
82 液体供給部(液流生成手段)
86 気体供給部(気流生成手段)
511 (液体容器51の)側壁面(透明窓)
821,822 配管(液流生成手段)
L,L1,L2 レーザービーム光
Lq 液体
W 基板
Wf (基板Wの)表面、デバイス形成面
Wb (基板Wの)裏面
Wp (基板Wの)周縁部
Claims (13)
- 液面の上部が開放された状態で液体を保持する液体保持手段と、
略円板状の基板をその主面が水平面から傾いた状態で保持して、前記基板の周縁部のうち鉛直方向における最下部を含む一部を前記液面から前記液体中に浸漬させる基板保持手段と、
前記基板の周縁部のうち前記液体中に浸漬された液浸部位に前記液体を介してレーザー光を入射させて前記周縁部を処理するレーザー照射手段と、
前記液体保持手段に保持される前記液体を移動させて液流を生成する液流生成手段とを備え、
前記レーザー光による前記処理中に、
前記基板保持手段は、前記主面の中心を通り前記主面に垂直な回転軸周りに前記基板を回転させることで前記液体中において前記基板の前記周縁部を移動させるとともに、
前記液流生成手段は、前記基板の前記周縁部が前記液体中において移動する方向と逆方向の前記液流を生成する基板処理装置。 - 前記基板保持手段は、前記主面の中心を通り前記主面に垂直な回転軸周りに前記基板を回転させる請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段は、前記主面が水平面に対してなす傾き角が0度より大きく90度以下となるように前記基板を保持する請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段は、一方主面がデバイス形成面となった前記基板を、前記デバイス形成面が水平方向よりも上向きとなるように保持する請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記液体保持手段は前記レーザー光に対し透明な透明窓を有し、前記レーザー照射手段は、前記透明窓および前記液体を介して前記レーザー光を前記基板に入射させる請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記レーザー照射手段は、前記透明窓に対し垂直にレーザー光を入射させる請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記基板の中心から前記液浸部位に向かう気流を生成する気流生成手段を備える請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段は、前記基板の前記周縁部を除く中央部を吸着保持する請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記基板への前記レーザー光の入射位置を撮像する撮像手段を備える請求項1ないし8のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段は、前記主面が水平な水平姿勢と前記主面が水平面から傾いた傾斜姿勢との間で、前記基板の姿勢を変化させる傾斜機構を有する請求項1ないし9のいずれかに記載の基板処理装置。
- 液体を、液面の上部が開放された状態で保持する工程と、
略円板状の基板をその主面が水平面から傾いた状態で保持して、前記基板の周縁部のうち鉛直方向における最下部を含む一部を前記液面から前記液体中に浸漬させる工程と、
前記基板の周縁部のうち前記液体中に浸漬された液浸部位に前記液体を介してレーザー光を入射させて前記周縁部を処理する工程とを備え、
前記液体を所定の方向に流通させるとともに前記液体中において前記基板の前記周縁部を移動させながら前記レーザー光を前記基板に入射させ、
前記液体の流通方向が、前記基板の前記周縁部が前記液体中において移動する方向と逆方向である基板処理方法。 - 一方主面がデバイス形成面となった前記基板が、前記デバイス形成面が水平方向よりも上向きとなるように保持される請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記基板の中心から前記液浸部位に向かう気流を生成しながら前記レーザー光を前記基板に入射させる請求項11または12に記載の基板処理方法。
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