JP6355537B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 316
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 189
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 67
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
2 スピンチャック(回転手段)
3 カバー部材(液体保持部材)
4 レーザー照射部(レーザー照射手段)
21 スピンベース(保持機構)
83 液供給部(液体供給手段)
L1 レーザー光(第1のレーザー光)
L2 レーザー光(第2のレーザー光)
S101〜S102 配置工程
S103 回転工程
S104 液体供給工程
S105 レーザー照射工程
Claims (17)
- 基板をその主面に垂直な回転軸周りに回転させる回転手段と、
回転する前記基板の周縁部に対して液体を供給する液体供給手段と、
前記周縁部の少なくとも一部に対して近接配置され、前記周縁部との間隙空間に前記液体を一時的に保持して前記間隙空間を液密状態とする液体保持部材と、
前記周縁部のうち前記液体により覆われた部位に前記液体を介してレーザー光を入射させて、当該部位に形成された膜を除去するレーザー照射手段と
を備える基板処理装置。 - 前記液体保持部材が前記レーザー光に対し透明であり、前記レーザー照射手段は、前記液体保持部材および前記液体を介して前記レーザー光を前記基板に入射させる請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記周縁部のうち、前記基板の回転に伴う前記周縁部の移動方向において前記液体保持部材よりも下流側で前記液体に覆われる部位に、前記レーザー照射手段が前記レーザー光を入射させる請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記液体供給手段は、前記液体保持部材に設けられ前記間隙空間に臨んで開口する吐出口から、前記液体を前記間隙空間に供給する請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記液体供給手段は、前記基板の回転に伴う前記周縁部の移動方向において前記液体保持部材よりも上流側の前記周縁部に前記液体を供給する請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記回転手段は、鉛直方向の前記回転軸周りに前記基板を回転させ、
前記液体供給手段は、前記基板の下側主面に前記液体を供給する請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記レーザー照射手段は、前記基板の一方主面の周縁部に入射する第1のレーザー光と、前記第1のレーザー光とは異なる方向から前記一方主面と反対側の他方主面の周縁部に入射する第2のレーザー光とを出射する請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記回転手段は、前記基板の少なくとも1つの主面のうち周縁部を除く中央部を吸着保持して回転する保持機構を有する請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記レーザー光は、フェムト秒レーザー光である請求項1ないし8のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記液体は、純水またはイソプロピルアルコール、もしくは純水とイソプロピルアルコールとの混合液体である請求項1ないし9のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板の周縁部に形成された膜を除去する基板処理方法において、
前記周縁部の少なくとも一部に近接させて液体保持部材を配置する配置工程と、
前記基板をその主面に垂直な回転軸周りに回転させる回転工程と、
回転する前記基板の周縁部と前記液体保持部材との間隙空間に液体を供給して前記間隙空間を液密状態とする液体供給工程と、
前記周縁部のうち前記液体により覆われた部位に前記液体を介してレーザー光を入射させて、当該部位に形成された膜を除去する照射工程と
を備える基板処理方法。 - 前記液体保持部材が前記レーザー光に対し透明であり、前記液体保持部材および前記液体を介して前記レーザー光を前記基板に入射させる請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記周縁部のうち、前記基板の回転に伴う前記周縁部の移動方向において前記液体保持部材よりも下流側で前記液体に覆われる部位に、前記レーザー光を入射させる請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記液体保持部材に設けられ前記間隙空間に臨んで開口する吐出口から、前記液体を前記間隙空間に供給する請求項11ないし13のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記基板の回転に伴う前記周縁部の移動方向において前記液体保持部材よりも上流側の前記周縁部に前記液体を供給する請求項11ないし13のいずれかに記載の基板処理方法。
- 鉛直方向の前記回転軸周りに前記基板を回転させ、前記基板の下側主面に前記液体を供給する請求項11ないし13のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記基板の一方主面の周縁部に入射する第1のレーザー光と、前記第1のレーザー光とは異なる方向から前記一方主面と反対側の他方主面の周縁部に入射する第2のレーザー光とを前記基板に入射させる請求項11ないし16のいずれかに記載の基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014243799A JP6355537B2 (ja) | 2014-12-02 | 2014-12-02 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014243799A JP6355537B2 (ja) | 2014-12-02 | 2014-12-02 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016107272A JP2016107272A (ja) | 2016-06-20 |
JP6355537B2 true JP6355537B2 (ja) | 2018-07-11 |
Family
ID=56122867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014243799A Active JP6355537B2 (ja) | 2014-12-02 | 2014-12-02 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6355537B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7038824B2 (ja) * | 2018-07-09 | 2022-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR20200075531A (ko) | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102666133B1 (ko) | 2019-01-14 | 2024-05-17 | 삼성전자주식회사 | 초임계 건조 장치 및 그를 이용한 기판 건조방법 |
KR102310466B1 (ko) * | 2019-06-27 | 2021-10-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP7469073B2 (ja) * | 2020-02-28 | 2024-04-16 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
TW202342179A (zh) * | 2022-01-24 | 2023-11-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 塗佈膜形成裝置、塗佈膜形成方法及記憶媒體 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3381885B2 (ja) * | 1994-09-13 | 2003-03-04 | 理化学研究所 | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP4426403B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | レーザー処理装置 |
JP2007144494A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | レーザー処理装置及びレーザー処理方法 |
JP4872802B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2012-02-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 液相レーザーアブレーション装置及びそれを用いた液相レーザーアブレーション方法 |
JP2009212132A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Nikon Corp | 基板、基板の処理方法及び処理装置、基板の処理システム、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP5478145B2 (ja) * | 2009-08-18 | 2014-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | ポリマー除去装置およびポリマー除去方法 |
JP2013021263A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 膜剥離装置および膜剥離方法 |
JP5955601B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2016-07-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2014
- 2014-12-02 JP JP2014243799A patent/JP6355537B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016107272A (ja) | 2016-06-20 |
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