JP6470061B2 - p型ZnO系半導体構造の製造方法、及び、ZnO系半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
(a)Agを含むn型ZnO系半導体構造を準備する工程と、
(b)Agを断続的に照射しながら前記n型ZnO系半導体構造をアニールし、Agがドープされたp型ZnO系半導体構造を形成する工程と
を有するp型ZnO系半導体構造の製造方法
が提供される。
基板上方に、n型ZnO系半導体構造を形成する工程と、
前記n型ZnO系半導体構造上方に、p型ZnO系半導体構造を形成する工程と
を有し、
前記p型ZnO系半導体構造を形成する工程は、
(a)Agを含むn型ZnO系半導体構造を準備する工程と、
(b)Agを断続的に照射しながら前記n型ZnO系半導体構造をアニールし、Agがドープされたp型ZnO系半導体構造を形成する工程と
を含むZnO系半導体素子の製造方法
が提供される。
51 ZnO基板、 52 ZnOバッファ層、 53 アンドープZnO層、 54 交互積層構造、 54a GaドープZnO結晶層、
54b AgO層、 71 真空チャンバ、 72 Znソースガン、
73 Oソースガン、 74 Mgソースガン、 75 Agソースガン、
76 Gaソースガン、 77 ステージ、 78 基板、 79 膜厚計、
80 RHEED用ガン、 81 スクリーン。
Claims (10)
- (a)Agを含むn型ZnO系半導体構造を準備する工程と、
(b)Agを断続的に照射しながら前記n型ZnO系半導体構造をアニールし、Agがドープされたp型ZnO系半導体構造を形成する工程と
を有するp型ZnO系半導体構造の製造方法。 - 前記n型ZnO半導体構造が、B、Ga、Al、及びInからなる群より選択される少なくとも1つの3B族元素をドープしたZnO系半導体層とAgO層との交互積層で形成された請求項1に記載のp型ZnO系半導体構造の製造方法。
- 前記交互積層が、C面ZnO基板上方に形成されている請求項2に記載のp型ZnO系半導体構造の製造方法。
- 前記工程(b)が、10−2Pa未満の排気雰囲気下で、発生させたAgビームを断続的に照射しながら、前記n型ZnO系半導体構造にアニールを行う請求項1〜3のいずれか1項に記載のp型ZnO系半導体構造の製造方法。
- 前記工程(b)のアニールが、750℃〜950℃の温度領域内で行われる請求項4に記載のp型ZnO系半導体構造の製造方法。
- 前記工程(b)が、酸素ラジカルが存在する状況で行われる請求項1〜5のいずれか1項に記載のp型ZnO系半導体構造の製造方法。
- 前記工程(a)において、前記Agを含むn型ZnO系半導体構造をMBE装置内でMBEによって形成し、
前記工程(b)において、前記MBE装置内で前記n型ZnO系半導体構造をアニールする請求項1〜6のいずれか1項に記載のp型ZnO系半導体構造の製造方法。 - 基板上方に、n型ZnO系半導体構造を形成する工程と、
前記n型ZnO系半導体構造上方に、p型ZnO系半導体構造を形成する工程と
を有し、
前記p型ZnO系半導体構造を形成する工程は、
(a)Agを含むn型ZnO系半導体構造を準備する工程と、
(b)Agを断続的に照射しながら前記n型ZnO系半導体構造をアニールし、Agがドープされたp型ZnO系半導体構造を形成する工程と
を含むZnO系半導体素子の製造方法。 - 前記工程(a)において、B、Ga、Al、及びInからなる群より選択される少なくとも1つの3B族元素をドープしたZnO系半導体層とAgO層との交互積層を形成し、前記n型ZnO系半導体構造とする請求項8に記載のZnO系半導体素子の製造方法。
- 前記工程(a)において、前記Agを含むn型ZnO系半導体構造をMBE装置内でMBEにより形成し、
前記工程(b)において、前記MBE装置内で前記n型ZnO系半導体構造をアニールする請求項8または9に記載のZnO系半導体素子の製造方法。
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