JP6467688B2 - 素子チップの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体層を具備する基板をレーザ光によってスクライブする工程を含む素子チップの製造方法に関する。
複数の集積回路を含む半導体ウエハをダイシングする方法として、集積回路を覆う保護層を半導体ウエハの上方に形成し、保護層にギャップをパターニングしてマスクを形成し、ギャップを介して半導体ウエハをエッチングする方法が提案されている。また、保護層のパターニングは、マルチステップレーザスクライビングにより行い、レーザにはガウシアンビームパスまたはトップハットビームパスを用いることが提案されている(特許文献1)。
近年、集積回路等の回路層および保護層を有する配線層と、半導体層とを備える基板をダイシングして素子チップを製造する方法として、ストリートと称される配線層の分割領域に溝状の開口(ギャップ)をレーザ光により形成し、開口から露出する半導体層にプラズマを照射して半導体層をエッチングする方法が開発されつつある。分割領域の配線層をスクライブするとき、特許文献1が提案するようなガウシアンビームまたはトップハットビームを用いると、レーザ光の熱影響によって半導体層の表面に形成される損傷部位に、保護層を構成する樹脂が巻き込まれることがある。この場合、損傷部位に巻き込まれた樹脂がプラズマ照射のマスクになって、プラズマエッチングが不均一になる。また、ガウシアンビームまたはトップハットビームを用いると、ビーム周縁部のエネルギー密度が不十分になり易いため、開口両側の配線層の側面のテーパ角が小さくなって、側面の垂直性が不十分になることがある。
本発明の一側面は、第1主面および第2主面を備える半導体層と、前記半導体層の前記第1主面側に形成された配線層と、を備える基板であって、複数の素子領域と、前記素子領域を画定する分割領域と、を備える基板を準備する工程と、前記分割領域における前記配線層に、前記第1主面側からレーザ光を照射して、前記分割領域に前記半導体層が露出する開口を形成するスクライブ工程と、前記スクライブ工程の後、前記基板を前記開口に沿ってダイシングして、前記素子領域を備える複数の素子チップに分割するダイシング工程と、を備え、前記配線層が、回路層と、前記回路層の表面を保護する樹脂層と、を備え、前記レーザスクライブ工程では、第1のレーザ光で前記樹脂層がスクライブされた後、第2のレーザ光で前記回路層がスクライブされ、前記第1レーザ光の前記分割領域の幅方向におけるビームプロファイルが、中心強度よりも端部強度が大きいM字分布を有し、前記第2レーザ光の前記分割領域の幅方向におけるビームプロファイルが、ガウシアン分布またはトップハット分布を有する、素子チップの製造方法に関する。
本発明によれば、スクライブ工程によって配線層に形成される開口において、樹脂の残留を抑制するとともに、開口両側の配線層の側面の垂直性を向上させることができる。
本発明の実施形態に係る素子チップの製造方法は、第1主面および第2主面を備える半導体層と、半導体層の第1主面側に形成された配線層と、を備える基板を準備する工程を具備する。基板は、複数の素子領域と、素子領域を画定する分割領域(ストリート)とを備える。配線層は、回路層と、回路層の表面を保護する樹脂層とを備える。通常、回路層は金属材料を含み、樹脂層は樹脂材料を含む。分割領域は、基板の第1主面側に、所定パターンでライン状に設けられる。
半導体層は、例えばシリコン(Si)、ガリウム砒素(GaAs)、窒化ガリウム(GaN)、炭化ケイ素(SiC)等により構成されている。
配線層は、回路層と、その表面を保護する樹脂層とを備える。回路層は、例えば、low−k(低誘電率)材料、銅(Cu)配線層、金属材料、絶縁膜(二酸化ケイ素、窒化ケイ素等)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)等を含む。樹脂層は、例えば、ポリイミド等の熱硬化性樹脂、フェノール樹脂等のフォトレジスト、アクリル樹脂等の水溶性レジスト等を含む。
素子チップの製造方法は、分割領域における配線層に、第1主面側から第1レーザ光を1回以上照射した後、さらに第2レーザ光を照射して、分割領域に半導体層が露出する開口(ギャップ)を形成するスクライブ工程を具備する。開口は、通常、ライン状の分割領域に沿って、溝状に形成される。基板を有効活用する観点から、溝状の開口幅は狭いほど好ましい。開口両側の配線層の側面の垂直性が向上するほど開口幅を狭くすることが容易となる。
スクライブ工程において、第1レーザ光は主に樹脂層をスクライブする。このとき、第1レーザ光の少なくとも分割領域の幅方向におけるビームプロファイル(以下、幅方向プロファイル)は、中心強度よりも端部強度が大きいM字分布を有する。幅方向プロファイルは、分割領域の幅方向に沿ったビーム断面におけるビーム強度分布である。分割領域の幅方向は、溝状に形成される開口(ギャップ)の幅の方向と同義であり、ストリートの長さ方向に直行する方向である。
従来のように、ガウシアン分布またはトップハット分布を有するレーザ光を用いる場合、ビーム端部では、樹脂層をアブレーションするための十分なエネルギー密度が得られ難い。そのため、樹脂が液化して表面張力により丸くなり、開口(加工)底部の端部に樹脂玉となって付着しやすい。この状態で回路層のレーザスクライブが行われると、半導体層の表面には、樹脂玉の再凝固物を巻き込んだ損傷部位が形成される。樹脂玉の再凝固物は、プラズマ照射の際にマスクとして作用するため、プラズマエッチングが不均一になる。一方、本実施形態のように、ビーム端部が十分なエネルギー密度を有するM字分布の第1レーザ光を樹脂層に照射することにより、開口底部の端部にも十分なエネルギー密度が得られる。よって、当該部分の樹脂がアブレーションされて、樹脂玉の生成が抑制される。なお、樹脂玉は、ブレードなどにより、機械的に半導体層をダイシングする場合には問題にならない。
さらに、樹脂層のスクライブにM字分布の第1レーザ光を用いることにより、開口の側面の垂直性が高くなる。半導体層のエッチングがプラズマ照射により行われる場合、開口両側の配線層の側面の垂直性が不十分であると、形成される素子チップの側壁が乱れ、素子チップの抗折強度が低下しやすい。一方、配線層の側面の垂直性を向上させ、開口の品質を向上させることで、プラズマによりエッチングされる半導体層の側壁が乱れにくくなり、抗折強度に優れた高品質な素子チップを得ることができる。また、配線層の側面の垂直性が高いほど、溝状の開口幅を狭く(小さく)することができるため、基板のロスが少なくなる。
図1に、M字分布の幅方向プロファイルの一例の概念図を示す。横軸は、分割領域の幅方向での位置を示し、縦軸は、第1レーザ光の強度(エネルギー密度)を示している。幅方向プロファイルにおける中心強度とは、分割領域の幅方向の中心位置における強度Ecである。幅方向プロファイルにおける端部強度とは、中心位置を挟むように幅方向プロファイルの両側に形成される一対の極大ピークP1およびP2の強度Etである。
第1レーザ光の中心強度Ecは、樹脂層をアブレーションするために必要な第1閾値より大きく、かつ回路層をアブレーションするために必要な第2閾値より小さいことが好ましい。この場合、端部強度Etもまた、第1閾値より大きい。よって、樹脂層の全体がアブレーションされ易くなるため、樹脂玉の生成がさらに抑制される。また、端部強度Etは、回路層をアブレーションするために必要な第2閾値より小さいことが好ましい。これにより、樹脂層の下層にある回路層がスクライブされることが抑制される。回路層が樹脂層とともにスクライブされると、半導体層の表面に形成される損傷部位には、樹脂の再凝固物が巻き込まれ易くなる。
M字分布のプロファイルを有する第1レーザ光は、ガウシアン分布を有するレーザ光をビーム整形することにより生成させることができる。ビーム整形により生成したM字分布の端部強度は、ガウシアン分布のビーム周縁部の強度よりも高くなる。これにより、開口両側の配線層の側面の垂直性を向上させることができる。一方、M字分布の中心強度は、例えば、整形前のガウシアン分布の中心強度の半分以下、更には三分の1以下にまで低減することが可能である。そのため、第1レーザ光による回路層のスクライブを、抑制することが容易である。
ビーム整形には、例えば、トップハット分布を得るための一般的な光学系を修正して利用することができる。例えば、回折光学素子(Diffractive Optical Element:DOE)や非球面ビームシェイパーに設計値よりも大きなビーム径を有するガウシアン分布のビームを入射させることにより、M字分布の幅方向プロファイルを有するビームに整形することができる。DOEや非球面ビームシェイパーは、加工精度を維持する観点から、集光レンズの直前に配置することが好ましい。なお、シリンドリカルレンズや非球面レンズを用いて、ビーム形状を幅方向にはM字分布に、加工方向にはトップハット形状(フラットトップ形状)にするなど、様々な形状に変換してもよい。
図1に示されるようなM字分布において、両端に形成される2つの極大ピークP1およびP2の強度は、実質的に同じであることが好ましい。なお、2つの極大ピークP1およびP2の強度に強度差がある場合、強度差は両者の強度の平均値の10%以内であることが好ましい。M字分布の特徴を顕在化させる観点から、端部強度Etは中心強度Ecの105%以上、更には110%以上とすることが好ましい。
一方、第2レーザ光は主に回路層をスクライブする。このとき、第2レーザ光の少なくとも幅方向プロファイルは、ガウシアン分布またはトップハット分布を有する。ガウシアン分布とは正規分布である。トップハット分布は、分割領域の幅方向全体にわたって強度が同程度であり、端部(強度が急激に低くなり始めるショルダー部分)の強度は、中心強度と大きく変わらず、例えば中心強度の90〜98%である。このような第2レーザ光は、中心強度を大きくし易い。そのため、高いパワーを必要とする回路層を、効率よくスクライブすることができる。第2レーザ光の中心強度は、回路層をアブレーションするために必要な第2閾値より大きいことが好ましい。
図2Aから図2Dに、M字分布の幅方向プロファイルを有するレーザ光により配線層に溝状の開口を形成するプロセスを示す。一方、図3Aから図3Cに、ガウシアン分布の幅方向プロファイルを有するレーザ光により、配線層(回路層12および樹脂層13)に溝状の開口Roを形成するプロセスを示す。図2Aおよび図3Aは、基板10の準備工程を示す。図2Bは、第1レーザ光によるスクライブによって、樹脂層13に開口Roが形成された基板10を示す。図2Cは、第2レーザ光によるスクライブによって、回路層12に開口Roが形成された基板10を示す。図3Bは、レーザ光によるスクライブ工程によって開口Roが形成された基板10を示す。図2Dおよび図3Cは、プラズマエッチングによって半導体層11の分割領域Ryが除去されることにより生成した素子チップ10xを示す。プラズマエッチングは、ハンドリング性の観点から、基板10を支持部材で支持した状態で行われることが好ましい。
基板10は、第1主面11Aおよび第2主面11Bを有する半導体層11と、半導体層11の第1主面11A側に形成された回路層12と、回路層12を保護する樹脂層13とを具備する。基板10には、複数の素子領域Rxと、素子領域Rxを画定する分割領域Ryが設けられている。
図3Bに示すように、ガウシアン分布を有するレーザ光Lgを用いたスクライビングでは、ビーム端部において十分なエネルギー密度が得られないことがあり、開口Ro両側の配線層の側面のテーパ角θが小さくなるとともに、樹脂層13の一部が液化して樹脂玉Sが生成し、開口Roの底部の端部に付着する。樹脂玉Sは、プラズマエッチングを利用するダイシング工程において、プラズマと半導体層11との反応を阻害するため、生成する素子チップ10xの側壁に凹凸が形成され、素子チップ10xの外観不良や抗折強度の低下を招きやすい。図3Cに、半導体層11の側壁の凸面を実線で、凹面を破線で示す。
一方、図2Bに示すように、ビーム端部が十分なエネルギー密度を有するM字分布の第1レーザ光Lmを用いると、開口Ro両側の樹脂層13の側面のテーパ角αが大きくなり(θ<α)、開口Roの側面の垂直性が高くなる。そのため、続く回路層12のスクライブにガウシアン分布またはトップハット分布を有する第2レーザ光を用いた場合であっても、結果的に、溝状の開口幅を狭く(小さく)することができる(図2C)。また、これにより、樹脂玉Sを生成させることなく、スクライブ工程を行うことができる。
第1レーザ光および第2レーザ光のスポット形状は、特に限定されない。スポット形状とは、レーザ光の光軸に対して垂直な断面形状である。スポット形状は、円形でもよく、楕円形でもよく、多角形でもよい。第1レーザ光のスポット形状と第2レーザ光のスポット形状は同じでもよいし、異なっていてもよい。例えば、矩形のスポット形状を備える第1レーザ光で樹脂層13をスクライブした後、円形のスポット形状を備える第2レーザ光で回路層12をスクライブしてもよい。
なかでも、第1レーザ光の好ましいスポット形状として、分割領域Ryの幅方向を短径とする楕円もしくはそのような楕円に近似する形状を挙げることができる。楕円の短径は、分割領域Ryの幅方向と平行であることが好ましいが、楕円の短径と分割領域Ryの幅方向とが微小な角度(例えば20°以下)で交わってもよい。楕円に近似する形状とは、例えば、鶏卵形、角丸長方形(長円形)などのオーバル(oval)形状が挙げられるが、特に限定されない。
別の第1レーザ光の好ましいスポット形状としては、分割領域Ryの幅方向の辺を有する矩形もしくはそのような矩形に近似する形状を挙げることができる。幅方向の辺は、分割領域Ryの幅方向と平行であることが好ましいが、微小な角度(例えば20°以下)で交わってもよい。また、矩形は、分割領域Ryの幅方向と90°の角度で交差する辺を有することが好ましいが、例えば70〜110°の角度で交差する辺を有してもよい。矩形に近似する形状とは、例えば、矩形の角部を丸めた形状、矩形の少なくとも1つの辺を緩やかな曲線にした形状などが挙げられるが、特に限定されない。
図4に、レーザ光のスポット形状のバラエティを例示的に示す。(a)のビームスポット40Aは円形スポット、(b)のビームスポット40Bは楕円形スポット、(c)、(d)のビームスポット40Cおよび40Dは矩形スポットの例示である。各ビームスポットの周縁部には、ビームプロファイルにおいて強度の極大ピークを示す領域41a〜41d(以下、強度ピーク領域)が存在する。
第1レーザ光の分割領域Ryの幅方向と交差する方向(以下、縦方向)におけるビームプロファイル(以下、縦方向プロファイル)は、幅方向プロファイルのようにM字分布でもよいが、ガウシアン分布またはトップハット分布であってもよい。図4(A)〜(C)は、縦方向プロファイルがM字分布を有する場合の例示であり、図4(D)は、縦方向プロファイルが、ガウシアン分布またはトップハット分布である場合の例示である。縦方向とは、概ねレーザパルスの進行方向を意味し、分割領域Ryの幅方向と70〜110°(好ましくは90°)で交差する方向である。
第1レーザ光の縦方向プロファイルがM字分布である場合、レーザパルスの進行方向に沿って溝の深さにむらが生じることがある。また、分割領域Ryの幅方向の端部に分配可能なエネルギー量が減少するため、エネルギーのロスが相対的に多くなる傾向がある。一方、第1レーザ光の縦方向プロファイルが、ガウシアン分布またはトップハット分布であれば、エネルギーが樹脂層13のアブレーションに効率的に使用され、溝の深さにむらが生じにくくなる。
図5Aに、円形スポットのレーザ光を分割領域Ryに沿って照射するスクライブの様子を示す。また、図5Bに、楕円形スポットのレーザ光を分割領域Ryに沿って照射するスクライブ工程の様子を示す。図5Aと図5Bとの対比から明らかなように、円形スポットの場合、素子領域Rxの側壁の凹凸をできるだけ小さくするためには、分割領域の幅方向を短径とする楕円形スポットよりもレーザ光の照射間隔(ΔR)を短くする必要がある。すなわち、加工速度を向上させて、素子チップ10xの製造タクトを短くするには、円形スポットよりも、分割領域Ryの幅方向を短径とする楕円形スポットを採用することが望ましい。また、ビームスポットの幅方向プロファイルおよび縦方向プロファイルがいずれもM字分布を有する場合、スポット形状を楕円形にすることで、強度ピーク領域によってスクライビングされる分割領域Ryの面積割合を円形の場合よりも少なくすることができる。よって、エネルギーのロスが軽減され、溝の深さにむらも生じにくくなる。
図6Aには、矩形スポットのレーザ光を分割領域Ryに沿って照射するスクライブの様子を示す。図6Aのビームスポットでは、幅方向プロファイルおよび縦方向プロファイルがいずれもM字分布を有する。スポット形状が矩形の場合、素子領域Rxの側壁に凹凸が形成されにくいことが理解できる。スポット形状を矩形(好ましくは縦方向に長い長方形)とすることにより、スポット形状が楕円形の場合よりも、レーザ光の照射間隔ΔRを更に短くすることが可能である。楕円形スポットのレーザ光の場合、スポット同士が重複する割合(オーバーラップ率)を75%以下にすることは困難である。これに対し、矩形スポットの場合、オーバーラップ率を50%以下、更には20%以下にまで低減することが容易となる。
一方、図6Bには、幅方向プロファイルがM字分布を有し、縦方向プロファイルがガウシアン分布またはトップハット分布を有する矩形スポットのレーザ光を分割領域Ryに沿って照射するスクライブの様子を示す。図6Bのビームスポットは、強度ピーク領域41dによってスクライビングされる領域が、分割領域Ryの中でも素子領域Rxとの境界近傍に集中している。このように、強度ピーク領域41dを制限することにより、エネルギーのロスが更に軽減され、溝の深さにむらも更に生じにくくなる。
スクライブ工程では、第1レーザ光および第2レーザ光を、分割領域にそれぞれ1回だけ照射してもよいが、複数回照射してもよい。複数回に分けて各レーザ光を照射することで、レーザによる熱の周囲への影響を低減できる。よって、開口Ro両側の配線層の側面や開口Roの底部の半導体層11の熱による損傷を生じにくくなる。ただし、レーザ光の照射回数とは、分割領域Ryに走査させるレーザ光の走査回数のことであり、パルス数を意味するものではない。
スクライブ工程の後のダイシング工程は、基板10にプラズマ(第1プラズマ)を照射することにより行うことができる。半導体層11の素子領域Rxは、樹脂層13によりマスクされているため、開口から露出する半導体層11の分割領域Ryがプラズマによりエッチングされる。これにより、基板10は、素子領域Rxを備える複数の素子チップ10xに分割される。
スクライブ工程の後、ダイシング工程を行う前に、開口Roを第2プラズマによりクリーニングする工程を行ってもよい。第2プラズマは、通常、ダイシングを行うときに発生させる第1プラズマとは異なる条件で発生させる。このようなクリーニング工程は、例えば、レーザによるスクライブ工程に起因する残渣を更に低減する目的で行われる。これにより、更に高品質のプラズマダイシングを行うことが可能になる。クリーニング工程は、幅方向プロファイルがM字分布を有するレーザ光(例えば、第1レーザ光)を照射することにより行ってもよい。
次に、レーザスクライビングを行うための装置について説明する。
レーザスクライビングに使用するレーザ光は、例えば、図7に示すような光学系を用いて得ることができる。図7の光学系は、レーザ発振器301と、ズームエキスパンダ302と、断面が半円形のシリンドリカルレンズ303と、ベンドミラー304と、DOE305と、集光レンズ306とを備える。レーザ発振器301から出力された全方向においてガウシアン分布を有するレーザ光Lは、コリメート機能を有するズームエキスパンダ302に入射する。ズームエキスパンダ302は、レーザ光Lのビーム径を、シリンドリカルレンズ303を透過したレーザ光が入射するDOE305に対応した適正値に調整する。ズームエキスパンダ302から出射した円形のビームスポットを有するレーザ光Lは、シリンドリカルレンズ303を通過することで楕円形に変換され、ベンドミラー304に入射する。DOE305は、レーザ光のスポット形状を矩形に変換するとともに、レーザ光Lの所定方向におけるプロファイルをM字分布に変換する機能を有する。変換後のレーザ光は、集光レンズ306に入射し、その後、基板10に照射される。集光レンズ306から出射されるレーザ光のスポット径は、分割領域Ryの幅方向において、例えば35μm以下(好ましくは20μm以下)に集約され、被加工物である基板10に照射される。
レーザスクライビングに使用するレーザ光は、例えば、図7に示すような光学系を用いて得ることができる。図7の光学系は、レーザ発振器301と、ズームエキスパンダ302と、断面が半円形のシリンドリカルレンズ303と、ベンドミラー304と、DOE305と、集光レンズ306とを備える。レーザ発振器301から出力された全方向においてガウシアン分布を有するレーザ光Lは、コリメート機能を有するズームエキスパンダ302に入射する。ズームエキスパンダ302は、レーザ光Lのビーム径を、シリンドリカルレンズ303を透過したレーザ光が入射するDOE305に対応した適正値に調整する。ズームエキスパンダ302から出射した円形のビームスポットを有するレーザ光Lは、シリンドリカルレンズ303を通過することで楕円形に変換され、ベンドミラー304に入射する。DOE305は、レーザ光のスポット形状を矩形に変換するとともに、レーザ光Lの所定方向におけるプロファイルをM字分布に変換する機能を有する。変換後のレーザ光は、集光レンズ306に入射し、その後、基板10に照射される。集光レンズ306から出射されるレーザ光のスポット径は、分割領域Ryの幅方向において、例えば35μm以下(好ましくは20μm以下)に集約され、被加工物である基板10に照射される。
DOE305には、レーザ光のスポット形状を任意形状に変換する機能を持たせることができる。また、DOE305には、入射されるレーザ光Lのビーム径Aが所定値Dに等しければ、ガウシアン分布をトップハット分布に変換し、ビーム径Aが所定値Dより小さければガウシアン分布のままで出力し、ビーム径Aが所定値Dより大きければ、M字分布に変換する機能を持たせることができる。シリンドリカルレンズ303によって楕円形に変換されたビームの短径が所定値Dより大きく、かつ、長径が所定値D以下であれば、短径方向では、ビームプロファイルがM字分布になり、長径方向では、ビームプロファイルがガウシアン分布またはトップハット分布になる。
図7に示される装置の集光レンズ306を透過したレーザ光Lは、図7中にイメージで示すように、例えば、幅方向プロファイルが図1に示されるようなM字分布を示し、かつ縦方向プロファイルが図3Bに示すようなガウシアン分布を示す。この場合、矩形に整形されたビームスポットのビームプロファイルは、図6Bに示すようなエネルギー分布を示す。
図8に示す光学系は、図7の光学系からシリンドリカルレンズ303を除いた構成を有する。図8の光学系では、DOE305に入射されるレーザ光Lのビームスポットは円形のままであり、その直径Aが所定値Dより大きければ、全方向においてM字分布を有するレーザ光が出力される。この場合、DOE305でビームスポットが矩形に整形されたレーザ光の幅方向プロファイルおよび縦方向プロファイルは、図8中にイメージで示すように、いずれも図1に示すようなM字分布になる。
レーザ光Lのビームプロファイルは、光学系におけるDOE305の有無によっても変更され得る。例えば、DOE305の設置可能な光学系において、まず、DOE305を設置した状態で作動させて、少なくとも幅方向プロファイルがM字分布であるレーザ光Lを基板10に照射した後、続いて、光学系からDOE305を取り外した状態で作動させることにより、少なくとも幅方向プロファイルがガウシアン分布またはトップハット分布であるレーザ光Lを、基板10に照射することができる。
レーザ光Lのスポット形状も、光学系におけるDOE305の有無によって変更され得る。例えば、例えば、DOE305の設置可能な光学系において、まず、DOE305を設置した状態で作動させて、矩形のスポット形状を備えるレーザ光Lを基板10に照射した後、続いて、光学系からDOE305を取り外した状態で作動させることにより、円形または楕円形のスポット形状を備えるレーザ光Lを、基板10に照射することができる。
レーザ発振器301は、パルスレーザ光を発振するパルスレーザ発振器であり、レーザ光Lをパルス波形で発振する機構は特に限定されない。例えば、ビーム出力をメカニカルシャッターでオン(ON)/オフ(OFF)する方式、レーザ光Lの励起源をパルス制御する方式、ビーム出力をスイッチングする方式等が挙げられる。レーザ発振器301のレーザ発振機構も特に限定されず、レーザ発振の媒体として半導体を用いる半導体レーザ、媒体として炭酸ガス(CO2)等の気体を用いる気体レーザ、YAG等を用いる固体レーザ、ファイバレーザ等が挙げられる。さらに、固体レーザには、波長変換をしたグリーンレーザや紫外線レーザも含まれる。
基板10に照射されるレーザ光Lのパルス幅は特に限定されないが、熱影響が小さくなる点で、500ナノ秒以下であることが好ましく、200ナノ秒以下であることがより好ましい。レーザ光Lの波長も特に限定されないが、基板10によるレーザ光Lの吸収が高くなる点で、紫外線域(波長200〜400nm)や比較的短波長の可視域(波長400〜550nm)であることが好ましい。レーザ光Lの発振周波数も特に限定されないが、例えば、1〜200kHzであり、高周波になるほど高速加工が可能となる。
次に、図9を参照しながら、ダイシング工程に使用されるプラズマ処理装置について説明する。ただし、プラズマ処理装置はこれに限定されるものではない。
プラズマダイシング工程は、ハンドリング性の観点から、図10に示すように、基板10を支持部材22で支持した状態で行われることが好ましい。このとき、基板10の半導体層11の第2主面11B側を、支持部材22に当接させる。支持部材22の材質は特に限定されない。なかでも、基板10が支持部材22で支持された状態でダイシングされることを考慮すると、素子チップ10xがピックアップし易いように、支持部材22は、柔軟性のある樹脂フィルムであることが好ましい。このとき、ハンドリング性の観点から、支持部材22はフレーム21に固定される。以下、フレーム21と、フレーム21に固定された支持部材22とを併せて、搬送キャリア20と称する。図10は、搬送キャリア20と支持部材22に支持された基板10とを示す上面図(a)およびY−Y線での断面図(b)である。支持部材22は、例えば、粘着剤を有する面(粘着面22a)と粘着剤を有しない面(非粘着面22b)とを備えている。フレーム21には、位置決めのためのノッチ21aやコーナーカット21bが設けられていてもよい。
プラズマダイシング工程は、ハンドリング性の観点から、図10に示すように、基板10を支持部材22で支持した状態で行われることが好ましい。このとき、基板10の半導体層11の第2主面11B側を、支持部材22に当接させる。支持部材22の材質は特に限定されない。なかでも、基板10が支持部材22で支持された状態でダイシングされることを考慮すると、素子チップ10xがピックアップし易いように、支持部材22は、柔軟性のある樹脂フィルムであることが好ましい。このとき、ハンドリング性の観点から、支持部材22はフレーム21に固定される。以下、フレーム21と、フレーム21に固定された支持部材22とを併せて、搬送キャリア20と称する。図10は、搬送キャリア20と支持部材22に支持された基板10とを示す上面図(a)およびY−Y線での断面図(b)である。支持部材22は、例えば、粘着剤を有する面(粘着面22a)と粘着剤を有しない面(非粘着面22b)とを備えている。フレーム21には、位置決めのためのノッチ21aやコーナーカット21bが設けられていてもよい。
プラズマ処理装置200は、真空チャンバ203を備え、その内側の処理空間にステージ211を備えている。真空チャンバ203には、ガス導入口203aおよび排気口203bが設けられている。ガス導入口203aには、プロセスガス源212およびアッシングガス源213が、それぞれ接続されている。排気口203bには、真空チャンバ203内のガスを排気して減圧する真空ポンプを含む減圧機構214が接続されている。
ステージ211には、搬送キャリア20に保持された基板10が載置される。ステージ211の外周には昇降機構223Aにより昇降駆動される複数の支持部222が配置されており、真空チャンバ203内に搬入された搬送キャリア20が支持部222に受け渡され、ステージ211上に搭載される。
ステージ211の上方には、少なくとも搬送キャリア20のフレーム21を覆うとともに基板10を露出させる窓部224Wを有するカバー224が配置されている。カバー224は複数の昇降ロッド221と連結しており、昇降機構223Bにより昇降駆動される。真空チャンバ203の上部は誘電体部材208により閉鎖され、誘電体部材208の上方に上部電極としてアンテナ209が配置されている。アンテナ209は、第1高周波電源210Aと接続されている。
ステージ211は、上方から順に配置された電極層215、金属層216および基台217を具備し、これらは外周部218で取り囲まれ、外周部218の上面には保護用の外周リング229が配置されている。電極層215の内部には、静電吸着用の電極部(ESC電極)219と、第2高周波電源210Bに接続された高周波電極部220とが配置されている。ESC電極219は直流電源226と接続されている。高周波電極部220に高周波電力を印加することで、エッチング工程を、バイアス電圧を印加しながら行うことができる。金属層216内には、ステージ211を冷却するための冷媒流路227が形成され、冷媒循環装置225により冷媒が循環される。
制御装置228は、第1高周波電源210A、第2高周波電源210B、プロセスガス源212、アッシングガス源213、減圧機構214、冷媒循環装置225、昇降機構223A、昇降機構223Bおよび静電吸着機構を含むプラズマ処理装置200の動作を制御する。
プラズマは、基板10の半導体層11がエッチングされるような条件で発生させる。上記エッチング条件は、半導体層11の材質に応じて適宜選択することができる。半導体層11がSiの場合、半導体層11の分割領域Ryのエッチングには、いわゆるボッシュプロセスを用いることができる。ボッシュプロセスにおいては、膜堆積ステップと、膜エッチングステップと、Siエッチングステップとを順次繰り返すことにより、各溝を深さ方向に掘り進む。
膜堆積ステップは、例えば、原料ガスとしてC4F8を150〜250sccmで供給しながら、真空チャンバ203内の圧力を15〜25Paに調整し、第1高周波電源210Aからアンテナ209への投入電力を1500〜2500Wとして、第2高周波電源210Bから高周波電極部220への投入電力を0Wとして、5〜15秒間、処理する条件で行われる。
膜エッチングステップは、例えば、原料ガスとしてSF6を200〜400sccmで供給しながら、真空チャンバ203内の圧力を5〜15Paに調整し、第1高周波電源210Aからアンテナ209への投入電力を1500〜2500Wとして、第2高周波電源210Bから高周波電極部220への投入電力を100〜300Wとして、2〜10秒間、処理する条件で行われる。
Siエッチングステップは、例えば、原料ガスとしてSF6を200〜400sccmで供給しながら、真空チャンバ203内の圧力を5〜15Paに調整し、第1高周波電源210Aからアンテナ209への投入電力を1500〜2500Wとして、第2高周波電源210Bから高周波電極部220への投入電力を50〜200Wとして、10〜20秒間、処理する条件で行われる。
上記のような条件で、膜堆積ステップ、膜エッチングステップおよびSiエッチングステップを繰り返すことにより、分割領域Ryは、10μm/分程度の速度で深さ方向に垂直にエッチングされ得る。プラズマの発生においては、複数種類の原料ガスを併用してもよい。この場合、複数種類の原料ガスを時間差で真空チャンバ203内に導入してもよいし、複数種類の原料ガスを混合して、真空チャンバ203内に導入してもよい。
このようにして、基板10は、支持部材22により支持された状態で、素子領域Rxを備える複数の素子チップ10xに分割される。プラズマダイシング工程の終了後、支持部材22に支持された複数の素子チップ10xは、ピックアップ工程に送られる。ピックアップ工程では、複数の素子チップ10xは、それぞれ支持部材22から剥離される。
プラズマダイシング工程の後、素子チップ10xに残存する樹脂膜を、アッシングや洗浄により除去してもよい。
本発明の素子チップの製造方法によれば、品質の高いプラズマダイシングを行うことができるため、種々の基板から素子チップを製造する方法として有用である。
10:基板
10x:素子チップ
11:半導体層
11A:第1主面
11B:第2主面
12:回路層
13:樹脂層
20:搬送キャリア
21:フレーム
21a:ノッチ
21b:コーナーカット
22:支持部材
22a:粘着面
22b:非粘着面
40A〜40D:ビームスポット
41a〜41d:強度ピーク領域
200:プラズマ処理装置
203:真空チャンバ
203a:ガス導入口
203b:排気口
208:誘電体部材
209:アンテナ
210A:第1高周波電源
210B:第2高周波電源
211:ステージ
212:プロセスガス源
213:アッシングガス源
214:減圧機構
215:電極層
216:金属層
217:基台
218:外周部
219:ESC電極
220:高周波電極部
221:昇降ロッド
222:支持部
223A、223B:昇降機構
224:カバー
224W:窓部
225:冷媒循環装置
226:直流電源
227:冷媒流路
228:制御装置
229:外周リング
301:レーザ発振器
302:ズームエキスパンダ
303:シリンドリカルレンズ
304:ベンドミラー
305:DOE
306:集光レンズ
Rx:素子領域
Ry:分割領域
Ro:開口
S:樹脂玉
10x:素子チップ
11:半導体層
11A:第1主面
11B:第2主面
12:回路層
13:樹脂層
20:搬送キャリア
21:フレーム
21a:ノッチ
21b:コーナーカット
22:支持部材
22a:粘着面
22b:非粘着面
40A〜40D:ビームスポット
41a〜41d:強度ピーク領域
200:プラズマ処理装置
203:真空チャンバ
203a:ガス導入口
203b:排気口
208:誘電体部材
209:アンテナ
210A:第1高周波電源
210B:第2高周波電源
211:ステージ
212:プロセスガス源
213:アッシングガス源
214:減圧機構
215:電極層
216:金属層
217:基台
218:外周部
219:ESC電極
220:高周波電極部
221:昇降ロッド
222:支持部
223A、223B:昇降機構
224:カバー
224W:窓部
225:冷媒循環装置
226:直流電源
227:冷媒流路
228:制御装置
229:外周リング
301:レーザ発振器
302:ズームエキスパンダ
303:シリンドリカルレンズ
304:ベンドミラー
305:DOE
306:集光レンズ
Rx:素子領域
Ry:分割領域
Ro:開口
S:樹脂玉
Claims (8)
- 第1主面および第2主面を備える半導体層と、前記半導体層の前記第1主面側に形成された配線層と、を備える基板であって、複数の素子領域と、前記素子領域を画定する分割領域と、を備える基板を準備する工程と、
前記分割領域における前記配線層に、前記第1主面側からレーザ光を照射して、前記分割領域に前記半導体層が露出する開口を形成するスクライブ工程と、
前記スクライブ工程の後、前記基板を前記開口に沿ってダイシングして、前記素子領域を備える複数の素子チップに分割するダイシング工程と、を備え、
前記配線層が、回路層と、前記回路層の表面を保護する樹脂層と、を備え、
前記レーザスクライブ工程では、第1のレーザ光で前記樹脂層がスクライブされた後、第2のレーザ光で前記回路層がスクライブされ、
前記第1レーザ光の前記分割領域の幅方向におけるビームプロファイルが、中心強度よりも端部強度が大きいM字分布を有し、
前記第2レーザ光の前記分割領域の幅方向におけるビームプロファイルが、ガウシアン分布またはトップハット分布を有する、素子チップの製造方法。 - 前記ダイシング工程で、前記開口から露出する前記半導体層を第1プラズマによりエッチングする、請求項1に記載の素子チップの製造方法。
- 前記第1レーザ光の前記中心強度が、前記樹脂層をアブレーションするために必要な第1閾値より大きく、かつ前記回路層をアブレーションするために必要な第2閾値より小さく、
前記第2レーザ光の前記中心強度が、前記回路層をアブレーションするために必要な第2閾値より大きい、請求項1または2に記載の素子チップの製造方法。 - 前記第1レーザ光のスポット形状が、前記分割領域の幅方向を短径とする楕円もしくは楕円に近似する形状である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の素子チップの製造方法。
- 前記第1レーザ光のスポット形状が、前記分割領域の幅方向の辺を有する矩形もしくは矩形に近似する形状である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の素子チップの製造方法。
- 前記第1レーザ光の前記分割領域の幅方向と交差する方向におけるビームプロファイルが、ガウシアン分布またはトップハット分布である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の素子チップの製造方法。
- 前記スクライブ工程において、前記第1レーザ光および前記第2レーザ光の少なくとも一方が、前記分割領域に複数回照射される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の素子チップの製造方法。
- 前記スクライブ工程の後、前記開口を第2プラズマによりクリーニングする工程を更に備え、
前記クリーニング工程の後、前記ダイシング工程が行われる、請求項1〜7のいずれか一項に記載の素子チップの製造方法。
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