JP6416447B1 - 半導体素子の駆動方法および駆動装置、ならびに、電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施の形態に従う駆動装置の機能を説明するためのブロック図である。
実施の形態2では、駆動信号Sdrの低下期間210が複数に細分化される例について説明する。
図8は、実施の形態2の変形例に従う駆動装置による半導体素子のターンオン時の動作例を説明する波形図である。図8においても、図6および図7と同様に、低下期間210は、ミラー期間200に対する実際の比率よりも長く表記されている。
実施の形態3では、実施の形態1ならびに実施の形態2およびその変形例に従う半導体素子の駆動装置を適用した電力変換装置の構成例について説明する。
Claims (10)
- 駆動制御信号に従って半導体素子をオンオフするための半導体素子の駆動方法であって、
前記駆動制御信号に従って前記半導体素子のゲートを駆動するときに、ゲート電圧のミラー期間開始後の第1の時点において、駆動開始時点から前記第1の時点までの第1の期間と比較して駆動能力を低下させるステップと、
前記ミラー期間の終了に応じた第2の時点において、前記ミラー期間内の前記第1の時点以降の第2の期間と比較して前記駆動能力を上昇するステップとを備え、
前記第1の時点および前記第2の時点の間の時間幅は、前記ゲートの駆動開始時点から前記半導体素子の主電極間の導通または遮断が完了するまでの時間が、前記第1の時点における前記駆動能力を維持して前記半導体素子を駆動したときと同等となる範囲内に定められる、半導体素子の駆動方法。 - 前記第1の期間と前記第2の期間以降の期間との間で前記駆動能力は同等であり、
前記半導体素子をターンオンする場合において、前記第2の期間の少なくとも一部において前記ゲート電圧は低下する、請求項1記載の半導体素子の駆動方法。 - 前記第1の期間と前記第2の時点から次回の駆動開始までの期間との各々において、前記ゲートは第1の電圧と接続され、
今回の前記駆動開始の前と前記第2の期間との各々において、前記ゲートは第2の電圧と接続される、請求項1又は2に記載の半導体素子の駆動方法。 - 半導体素子をオンオフするための半導体素子の駆動装置であって、
前記半導体素子のオンオフを制御する駆動制御信号に従って前記半導体素子のゲートを駆動するための駆動回路と、
前記駆動回路による駆動能力を調整するための調整部とを備え、
前記調整部は、前記駆動回路が前記駆動制御信号に従って前記ゲートを駆動するときに、ゲート電圧のミラー期間開始後の第1の時点において、駆動開始時点から前記第1の時点までの第1の期間と比較して前記ゲートの駆動能力を低下させるとともに、前記ミラー期間の終了に応じた第2の時点において、前記ミラー期間内の前記第1の時点以降の第2の期間と比較して前記駆動能力を上昇し、
前記第1の時点および前記第2の時点の間の時間幅は、前記ゲートの駆動開始時点から前記半導体素子の主電極間の導通または遮断が完了するまでの時間が、前記第1の時点における前記駆動能力を維持して前記半導体素子を駆動したときと同等となる範囲内に定められる、半導体素子の駆動装置。 - 前記調整部は、前記第2の期間を時分割して前記第1の期間と比較して駆動能力を低下させる低下期間を複数個設けるとともに、前記第2の時点以降では、前記低下期間と比較して前記駆動能力を上昇させる、請求項4記載の半導体素子の駆動装置。
- 前記駆動制御信号は、前記半導体素子をオンする期間において第1のレベルに設定される一方で、前記半導体素子をオフする期間において第2のレベルに設定され、
前記調整部は、前記駆動制御信号に従って、前記第1および第2のレベルを有する駆動信号を生成し、
前記駆動回路は、前記駆動信号が前記第1のレベルであるときに前記ゲートを第1の電圧端と電気的に接続する一方で、前記駆動信号が前記第2のレベルであるときに、前記第1の電圧端よりも低い電圧を供給する第2の電圧端と前記ゲートとを電気的に接続し、
前記調整部は、前記半導体素子をターンオンする場合において、前記第1の期間において前記駆動信号を前記第1のレベルに設定する一方で、前記第2の期間の少なくとも一部において前記駆動信号を前記第2のレベルに設定し、かつ、前記第2の時点以降では前記駆動信号を前記第1のレベルに設定する、請求項4記載の半導体素子の駆動装置。 - 前記調整部は、前記半導体素子をターンオンする場合において、前記第1の期間および前記第2の時点以降の期間において前記駆動信号を前記第1のレベルに設定する一方で、前記第2の期間内で前記駆動信号を前記第2のレベルに維持する、請求項6記載の半導体素子の駆動装置。
- 前記調整部は、前記半導体素子をターンオンする場合において、前記第1の期間および前記第2の時点以降の期間において前記駆動信号を前記第1のレベルに設定する一方で、前記第2の期間を時分割して、前記駆動信号を前記第2のレベルに設定する低下期間を複数個設けるとともに、前記第2の期間中の前記低下期間を除く期間では前記駆動信号を第1のレベルに設定する、請求項6記載の半導体素子の駆動装置。
- 前記複数個設けられた前記低下期間は、前記第1または第2の時点に近くに位置するものほど時間長が短くなるように、それぞれの時間長が設定される、請求項5又は8に記載の半導体素子の駆動装置。
- 少なくとも1個の前記半導体素子を含んで構成されて、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路とを備え、
前記主変換回路は、前記半導体素子の各々に対応して配置された、請求項4〜9のいずれか1項に記載の駆動装置をさらに含み、
前記駆動装置は、前記制御回路からの前記制御信号に従って各前記半導体素子のオンオフを制御する、電力変換装置。
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