JP6400944B2 - 容量検出回路、タッチ検出回路及びそれを備える半導体集積回路 - Google Patents
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Description
先ず、本願において開示される代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
本願において開示される代表的な実施の形態は、積分容量(Cs1)を備え、センサ容量(Cxy)に接続可能な容量検出回路(10)であって、以下のように構成される。
項1において、前記センサ容量の充放電と前記充放電に対応して前記積分容量へ加算される電荷の極性を反転させる動作を所定回数繰り返す毎に、前記積分容量を短絡して初期化する。
項2において、スイッチトキャパシタで構成されるIIR(Infinite Impulse Response)フィルタ(14)をさらに備え、前記センサ容量の充放電と前記充放電に対応して前記積分容量へ加算される電荷の極性を反転させる動作を所定回数繰り返す毎に、前記積分容量が蓄積する電荷を前記IIRフィルタに供給し、前記積分容量を短絡して初期化する。
項1から項3のうちのいずれか1項に記載される容量検出回路を複数個(10_1〜10_n)備え、前記複数個の容量検出回路のそれぞれが、タッチパネル(1)上に配置された複数のセンサ容量に接続可能とされる、タッチ検出回路(3)を構成する。
項4に記載されるタッチ検出回路(3)は、単一半導体基板上に形成される、半導体集積回路(101,102)である。
項5において、前記半導体集積回路(101,102)は、前記タッチパネルと重ね合せて構成される表示パネル(2)に接続されて前記表示パネルを駆動し制御可能な表示駆動回路(4)を、さらに前記半導体基板上に備える。
本願において開示される代表的な実施の形態は、センサ容量(Cxy)に接続可能な容量検出回路(10)であって、以下のように構成される。
項7において、前記容量検出回路は、前記第1演算増幅器の出力にサンプルホールド回路を介して接続されるIIRフィルタ(14)を、さらに備える。
項7または項8に記載される容量検出回路を複数個(10_1〜10_n)備え、前記複数個の容量検出回路のそれぞれが、タッチパネル(1)上に配置された複数のセンサ容量に接続可能とされる、タッチ検出回路(3)を構成する。
項8において、前記半導体集積回路(101,102)は、前記タッチパネルと重ね合せて構成される表示パネル(2)に接続されて前記表示パネルを駆動し制御可能な表示駆動回路(4)を、さらに前記半導体基板上に備える。
項10において、前記半導体集積回路(101,102)は、前記タッチパネルと重ね合せて構成される表示パネル(2)に接続されて前記表示パネルを駆動し制御可能な表示駆動回路(4)を、さらに前記半導体基板上に備える。
実施の形態について更に詳述する。
図1には本発明が適用される表示及び入力装置100の全体的な構成が例示される。同図に示される表示及び入力装置100は本発明に係る電子機器の一例であり、例えばPDA(Personal Digital Assistant)や携帯電話機などの携帯端末の一部を構成し、タッチパネル(TP)1、表示パネル(DP)2、タッチパネルコントローラ(TPC)3、表示パネルコントローラ(DPC)4、サブプロセッサ(SMPU)5、及びホストプロセッサ(HMPU)6を備える。タッチパネルコントローラ3及び表示パネルコントローラ4、更に必要に応じてサブプロセッサ5を含めて、1個の半導体チップ上に形成し、又は例えばマルチチップモジュールとして1個のパッケージに搭載して、単一の半導体装置(IC)101または102として実現することができる。半導体装置(IC)101または102は、特に制限されないが、例えば公知のCMOSFET(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)LSI(Large Scale Integrated circuit)の製造技術を用いて、シリコンなどの単一半導体基板上に形成される。タッチパネルコントローラ3及び表示パネルコントローラ4を1チップのIC101として実装することにより、表示パネル2とタッチパネル1が積層され一体として構成された、例えばインセルタイプの表示・タッチパネルに接続されるときに、表示駆動とタッチセンス制御を互いに連携させることが容易になる。また、さらにサブプロセッサ(SMPU)5が同一チップ102に集積されることにより、表示駆動とタッチセンス制御を互いに連携させることがさらに容易になり、外付けされるホストプロセッサ(HMPU)6の負担を軽減することができる。
図10は、実施形態2のタッチ検出回路(容量検出回路)の構成を例示する回路図である。容量検出回路10は、図8に示される両エッジ型積分回路12と同一構成でFIRフィルタとして機能する両エッジ型FIRフィルタ13に加えて、IIRフィルタ14と積分回路15とをさらに備える。両エッジ型FIRフィルタ13の出力VOUT1は次段のIIRフィルタ14と、スイッチS41とサンプルホールド容量Csh1から成るサンプルホールド回路を介して接続され、IIRフィルタ14の出力VOUT2は次段の積分回路15と、スイッチS43とサンプルホールド容量Csh2から成るサンプルホールド回路を介して接続されている。積分回路15の出力VOUT3は、図8に示されるのと同様に、サンプルホールド回路302に入力され、セレクタ(SLCT)303を介して、AD変換回路304に入力される。
2 表示パネル(DP)
3 タッチパネルコントローラ(TPC)
4 表示パネルコントローラ(DPC)
5 サブプロセッサ(SMPU)
6 ホストプロセッサ(HMPU)
10 検出回路
11、15 積分回路
12 両エッジ型積分回路
13 両エッジ型FIRフィルタ
14 IIRフィルタ
20 充電回路
Y1〜Ym 駆動電極(Y電極)
X1〜Xn 検出電極(X電極)
G1〜G640 ゲート電極
D1〜D1440 ドレイン電極
100 表示及び入力装置(電子機器)
101,102 半導体装置(IC、マルチチップモジュール)
300 駆動回路(YDRV)
301 タッチ検出回路(SENS)
302 サンプルホールド回路(SH)
303 セレクタ(SLCT)
304 アナログ/ディジタル変換回路(ADC)
305 RAM
306 バスインタフェース回路(BIF)
308 シーケンス制御回路(SQENC)
320 制御レジスタ(CREG)
Csig1〜Csig7 制御信号
CLK クロック
Vsync 垂直同期信号
Hsync 水平同期信号
VHSP X電極の初期化電圧(プリチャージ電圧)
Cxy センサ容量
AMP1〜AMP6 演算増幅器(オペアンプ)
Cs1、Cs2a,Cs2b,Cs3 積分容量
Csh,Csh1,Csh2 サンプルホールド容量
S1〜S7,S12,S13,S41〜S44,CFA1,CFA2,CFB1,CFB2,CF1,CF2 スイッチ
Claims (10)
- 演算増幅器と、
前記演算増幅器の第1入力端子と出力端子の間に接続される積分容量と、
前記演算増幅器の第2入力端子に初期電位を供給可能に構成された電位供給手段と、
センサ容量に接続可能であり、且つ、前記第1入力端子に接続可能な端子と、
前記端子に前記初期電位よりも高い第1電位を供給可能に構成された充電回路
とを備え、
前記センサ容量を充放電するために入出力する電荷を前記積分容量に累積的に加算可能であり、
充放電に伴う前記電荷の移動方向に応じて、前記積分容量へ加算される電荷の極性を反転させる、
容量検出回路。 - 請求項1において、前記センサ容量の充放電と前記充放電に対応して前記積分容量へ加算される電荷の極性を反転させる動作を所定回数繰り返す毎に、前記積分容量を短絡して初期化する、
容量検出回路。 - 請求項2において、スイッチトキャパシタで構成されるIIR(Infinite Impulse Response)フィルタをさらに備え、
前記センサ容量の充放電と前記充放電に対応して前記積分容量へ加算される電荷の極性を反転させる動作を所定回数繰り返す毎に、前記積分容量が蓄積する電荷を前記IIRフィルタに供給し、前記積分容量を短絡して初期化する、
容量検出回路。 - 請求項1において、前記電位供給手段が、前記第1電位よりも高い第2電位を前記第2入力端子に供給可能に構成された、
容量検出回路。 - 請求項1に記載される容量検出回路を複数個備え、前記複数個の容量検出回路のそれぞれが、タッチパネル上に配置された複数のセンサ容量に接続可能とされる、タッチ検出回路。
- センサ容量に接続可能な容量検出回路であって、
第1演算増幅器と、前記第1演算増幅器の第1入力端子と出力端子との間に、接続方向を反転可能に接続される積分容量と、前記センサ容量と前記第1演算増幅器の前記第1入力端子との間に接続される入力スイッチとを備え、
前記センサ容量を初期電位に充電し、前記積分容量を短絡して初期化する、初期化期間と、
前記初期化期間の後、前記入力スイッチを閉じ、
前記第1演算増幅器の第2入力端子に前記初期電位よりも高い第1電位を印加する第1期間と、前記第1演算増幅器の前記第2入力端子に前記初期電位よりも低い第2電位を印加し、且つ、前記積分容量の接続方向を前記第1期間と反転させる、第2期間とを、所定回数繰り返す、
容量検出回路。 - 請求項6において、前記第1演算増幅器の出力にサンプルホールド回路を介して接続されるIIRフィルタを、さらに備え、
前記第1期間と前記第2期間とを前記所定回数繰り返す毎に前記初期化期間を設け、前記初期化期間に前記第1演算増幅器の出力を前記サンプルホールド回路を介して前記IIRフィルタに転送する、
容量検出回路。 - 請求項6に記載される容量検出回路を複数個備え、前記複数個の容量検出回路のそれぞれが、タッチパネル上に配置された複数のセンサ容量に接続可能とされる、タッチ検出回路。
- 請求項5又は8に記載されるタッチ検出回路を単一半導体基板上に備える、半導体集積回路。
- 請求項9において、前記タッチパネルと重ね合せて構成される表示パネルに接続されて前記表示パネルを駆動し制御可能な表示駆動回路を、さらに前記半導体基板上に備える、半導体集積回路。
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