JP6391734B2 - 半導体製造方法 - Google Patents
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Description
前記試料がプラズマエッチングされるプラズマ処理室内に磁場を生成し、
前記試料上の前記磁場の磁束密度を100G以下とすることを特徴とする半導体製造方法とする。
また、連続放電のプラズマにより試料をプラズマエッチングする半導体製造方法において、
前記試料がプラズマエッチングされるプラズマ処理室内に磁場を生成し、
前記磁場を生成する複数のコイルに流すそれぞれの電流の極性を逆にすることを特徴とする半導体製造方法とする。
連続プラズマを用い前記試料が載置される試料台に供給する高周波電力を1W以上として前記試料をプラズマエッチングするイオンアシストエッチング工程と、
パルス変調された高周波電力により生成されたプラズマを用い前記試料台に供給する高周波電力を0Wとして前記試料をプラズマエッチングするケミカルドライエッチング工程とを有し、
前記イオンアシストエッチング工程と前記ケミカルドライエッチング工程は、前記試料がプラズマエッチングされる同一のプラズマ処理室内で連続して行われることを特徴とする半導体製造方法とする。
同一のプラズマ処理室に配置された試料に対し、前記イオンの入射数と前記ラジカルの入射数の比が相対的に大きな第一のプラズマ処理工程と
前記イオンの入射数と前記ラジカルの入射数の比が相対的に小さな第二のプラズマ処理工程と、を有することを特徴とする半導体製造方法とする。
Claims (3)
- プラズマ処理室にて試料をプラズマエッチングする半導体製造方法において、
連続プラズマを用いて前記試料をイオンアシストエッチングする第一の工程と、
前記第一の工程後、前記プラズマ処理室内を真空排気する第二の工程と、
前記第二の工程後、前記試料に堆積した堆積膜を除去する第三の工程と、
前記第三の工程後、パルス変調された高周波電力により生成されたプラズマを用いて前記試料をケミカルドライエッチングする第四の工程と、を有し、
前記第一の工程から前記第四の工程までを同一の前記プラズマ処理室内にて連続して行うことを特徴とする半導体製造方法。 - 請求項1に記載の半導体製造方法において、
前記第一の工程は、前記試料が載置される試料台に供給する高周波電力を1W以上として行われ、
前記第四の工程は、前記試料台に供給する高周波電力を0Wとして行われることを特徴とする半導体製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体製造方法において、
前記第三の工程は、パルス変調された高周波電力により生成されたプラズマを用いて行われ、
前記第三の工程から前記第四の工程への移行は、前記第三の工程のプラズマを継続しながら行われることを特徴とする半導体製造方法。
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