JP6184838B2 - 半導体製造方法 - Google Patents
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前記パルス変調されたプラズマにより生成され前記試料に入射するイオンを低減させることを特徴とする半導体製造方法とする。
連続プラズマを用い前記試料に供給する高周波電力を1W以上として前記試料をプラズマエッチングするイオンアシストエッチング工程と、
パルス変調されたプラズマを用い前記試料に供給する高周波電力を0Wとして前記試料をプラズマエッチングするケミカルドライエッチング工程とを有し、
前記イオンアシストエッチング工程と前記ケミカルドライエッチング工程は、前記試料がプラズマエッチングされる同一のプラズマ処理室内で連続して行われることを特徴とする半導体製造方法とする。
同一のプラズマ処理室に配置された試料に対し、
前記イオンの入射数と前記ラジカルの入射数の比が相対的に大きな第一のプラズマ処理工程と、
前記イオンの入射数と前記ラジカルの入射数の比が相対的に小さな第二のプラズマ処理工程と、を有することを特徴とする半導体製造方法とする。
Claims (6)
- パルス変調された高周波電力によって生成されたプラズマにより試料をプラズマエッチングする半導体製造方法において、
パルス変調用パルスのオン時間を前記プラズマにより生成されたイオンの電流密度が定常時の値に達するのに必要な時間より短くすることを特徴とする半導体製造方法。 - 請求項1に記載の半導体製造方法において、
前記パルス変調用パルスのオン時間を0.2ms以下とするとともに前記パルス変調用パルスのデューティー比を20%以下とすることを特徴とする半導体製造方法。 - 請求項1に記載の半導体製造方法において、
前記プラズマは、電子サイクロトロン共鳴により生成され、
前記試料がプラズマエッチングされるプラズマ処理室内に磁場を生成し、
前記磁場を生成するコイルに流す電流を前記サイクロトロン共鳴が発生する箇所から前記試料までの距離が150mm以上となるような値とすることを特徴とする半導体製造方法。 - 請求項1に記載の半導体製造方法において、
前記試料がプラズマエッチングされるプラズマ処理室内の圧力を5Pa以上とすることを特徴とする半導体製造方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の半導体製造方法において、
前記試料が載置される試料台に供給する高周波電力を0Wとすることを特徴とする半導体製造方法。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の半導体製造方法において、
前記プラズマを生成するためのガスにKrガスまたはXeガスを混合し、
前記混合されたガスに占める前記Krガスまたは前記Xeガスの割合を10%以下とすることを特徴とする半導体製造方法。
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