JP2013229351A

JP2013229351A - ドライエッチング方法

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Publication number: JP2013229351A
Application number: JP2012098285A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Kamimura; 光弘上村; Kouichi Nakaune; 功一中宇禰; Ken Kitaoka; 謙北岡; Tetsuo Ono; 哲郎小野
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2012-04-24
Filing date: 2012-04-24
Publication date: 2013-11-07

Abstract

【課題】高アスペクト比のシリコンエッチングにおいても、サイドエッチングを抑制し垂直加工が可能なドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマを用いて被処理体に溝幅が３０ｎｍ以下、アスペクト４．５以上の溝を形成するドライエッチング方法において、溝の底部まで届きやすい堆積性ガスが添加されたエッチングガスを用いてドライエッチングすることにより、スパッタによって溝底部から発生した堆積物４０５により溝の側壁を保護しながら溝を形成する。
【選択図】図４

Description

本発明は、プラズマを用いたドライエッチング方法に関する。

近年、シリコン系材料に対するプラズマエッチングにおいては線幅の微細化、アスペクト比の上昇などにより高精度な形状制御が困難となっている。

このような問題に関して、特許文献１には、塩素ガス（以下Ｃｌ_２と称する）をエッチングガスとして使用し、側壁保護のためＣＯｘガス、ＮＯｘガスを利用することでイオン衝撃やラジカル攻撃に対する耐性の高い性質を有する側壁保護膜を形成することが示されている。また特許文献２には、Ｃｌ_２、臭化水素（以下ＨＢｒと称する）の混合ガスに二酸化炭素ガス（以下ＣＯ_２と称する）を添加することにより、エッチング形状の疎密差低減を実現することが示されている。

特開平８−１１５９００号公報特開２００８−１９２７５９号公報

上記特許文献に記載の技術に関し、本発明者等は高アスペクト比を有する微細パターン形成の観点から検討を行った。その結果、上記技術は有効であるが、例えば、線幅３０ｎｍ以下の微細な線幅、アスペクト比４．５以上の高アスペクト比形状においては、精密な形状制御の観点からは不十分であることが分かった。従来のイオンアシストエッチングでは溝の側壁部に入射するプラズマからの堆積物質とエッチャントのバランスで、サイドエッチが生じたり堆積が生じる。側壁垂直方向の堆積量は堆積物質の吸着係数に依存して分布するため均一にはならず、従って垂直加工が困難になる。素子の加工寸法が比較的大きい世代では問題無かったが、より微細加工が必要となる世代では、上記技術をそのまま適用することは困難であり、より垂直性が高いエッチング方法が必要になると思われる。

本発明は、上記の課題に鑑み、高アスペクト比のシリコンエッチングにおいても、サイドエッチングを抑制し垂直加工が可能なドライエッチング方法を提供することを目的とする。

本発明は上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。

プラズマを用いて被処理体に溝幅が３０ｎｍ以下、アスペクト４．５以上の溝を形成するドライエッチング方法において、前記溝の底部まで届きやすい堆積性ガスが添加されたエッチングガスを用い、前記溝の底部のスパッタにより発生した堆積物によって前記溝の側壁を保護しながら前記溝を形成することを特徴とするドライエッチング方法とする。

また、シリコン膜を有する被処理体を準備する工程と、溝の底部まで届きやすい堆積性ガスが添加されたエッチングガスを用い、ピーク高周波電力が２００Ｗ以上で間欠的な時間変調された高周波電力を前記被処理体に供給しながら前記シリコン膜に溝を形成するためのエッチング工程と、を有することを特徴とするドライエッチング方法とする。

また、プラズマを用いてＦｉｎＦＥＴのゲート電極を形成するドライエッチング方法において、塩素ガスと臭化水素ガスと二酸化炭素ガスを含む混合ガスを用い、ピーク高周波電力が２００Ｗ以上、オフ時間がオン時間以上である間欠的な時間変調された高周波電力を前記被処理体に供給しながらポリシリコン膜をエッチングする第一の工程と、臭化水素ガスと二酸化炭素ガスとアルゴンガスとメタンガスを含む混合ガスを用い、ピーク高周波電力が２００Ｗ以上、オフ時間がオン時間以上である間欠的な時間変調された高周波電力を前記被処理体に供給しながら前記第一の工程後のポリシリコン膜をエッチングする第二の工程と、を有することを特徴とするドライエッチング方法とする。

本発明によれば、高アスペクト比のシリコンエッチングにおいても、サイドエッチングを抑制し垂直加工が可能なドライエッチング方法を提供することができる。

本発明の第１の実施例に係るドライエッチング方法を実施するために用いる真空処理装置の一例を示す概略断面図である。ポリシリコン溝加工の断面模式図であり、（a）はサイドエッチが生じている状況、（ｂ）は垂直エッチングが良好に行われている状況を示す。従来のイオンアシストエッチングを説明する図である。本発明の第１の実施例に係るエッチング方法における溝底の物理スパッタによる側壁保護を説明する図であり、（ａ）はエッチング初期、（ｂ）はエッチング終了間際の状態を示す。バイアス電圧のピーク電力とサイドエッチ量の関係を示すグラフである。第２の実施例のエッチング方法で用いた被対象物であるＦＩＮ−ＦＥＴの概略斜視図である。

発明者等は、高アスペクト比のシリコンエッチングにおいても、サイドエッチングを抑制することが可能なドライエッチング方法について検討した結果、エッチングガスに溝の底部まで届きやすいＣＯ_２などの堆積性ガスを添加し、スパッタエッチングを行うことが有効であることが分かった。本発明は上記知見に基づいて生まれたものである。

一実施形態を以下に示す。一般的なハードマスクを用い基板上の単結晶シリコン、多結晶シリコンをエッチングする工程において、ＨＢｒ、Ｃｌ_２、酸素（以下Ｏ_２と称する）、を含む混合ガスに溝底部まで届きやすい堆積ガスとしてＣＯ_２を添加しプラズマ化を行い、これによって得られたプラズマを用い、一定の周波数とＤｕｔｙにおいて出力の有無を切り替えることのできる時間変調高周波電源の利用による高いイオンエネルギーを持ったイオンにより溝の底部からのスパッタ物質で側壁を保護しながらプラズマエッチングを行うことを特徴とする。これにより、垂直形状を制御性良く加工することが可能となる。

以下、実施例により説明する。

第１の実施例について、図１〜図５を用いて説明する。図１は、本実施例に係るドライエッチング方法を実施するためのエッチング装置の一例を示す概略断面図であり、プラズマ生成手段にマイクロ波と磁場を利用したマイクロ波プラズマエッチング装置である。この装置は、内部を真空排気できるチャンバ１０１と被処理物であるウエハ１０２を配置する試料台１０３とチャンバ１０１の上面に設けられた石英などのマイクロ波透過窓１０４と、その上方に設けられた導波管１０５、マグネトロン１０６と、チャンバ１０１の周りに設けられたソレノイドコイル１０７と、試料台１０３に接続された静電吸着電源１０８、高周波電源１０９とから成る。

ウエハ１０２はウエハ搬入口１１０からチャンバ１０１内に搬入された後、静電吸着電源１０８によって試料台１０３に静電吸着される。次にプロセスガスがチャンバ１０１に導入される。チャンバ１０１内は、真空ポンプ（図示省略）により減圧排気され、所定の圧力（例えば、０．１Ｐａ〜５０Ｐａ）に調整される。次に、マグネトロン１０６から周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波が発振され、導波管１０５を通してチャンバ１０１内に伝播される。マイクロ波とソレノイドコイル１０７によって発生された磁場との作用によって処理ガスが励起され、ウエハ１０２上部の空間にプラズマ１１１が形成される。一方、試料台１０３には、高周波電源１０９によって連続的な高周波電力または、時間変調された間欠的な高周波電力が供給される。尚、上記の高周波電源１０９は、変調用パルスの周期に対するオン時間の比であるデューティー比を１００％にすると、連続的な高周波電力を供給するモード（以下、ＣＷモードと称する）となり、デューティー比を１００％以外にすると、時間変調された間欠的な高周波電力を供給するモード（以下、ＴＭモードと称する）となる。

プラズマ１１１中のイオンがウエハ１０２上に垂直に加速され入射する。プラズマ１１１からのラジカルとイオンの作用によってウエハ１０２が異方的にエッチングされる。本実施例で使用したエッチング装置は直径３００ｍｍのウエハを処理する装置で、チャンバ１０１の内径は４４．２ｃｍでウエハ１０２とマイクロ波透過窓１０４との距離は２４．３ｃｍ（プラズマが発生する空間の体積３７２６７ｃｍ^３）の装置を用いた。

本実施例におけるエッチング方法が実施される半導体基板、以下ウエハと称する、の一例について説明する。ウエハには、シリコン酸化膜２０３の上方に厚さ２００ｎｍのポリシリコン膜２０２と厚さ３０ｎｍの窒化シリコン（以下ＳｉＮと称する）膜２１０とが下側からこの順番で積層されており（例えば、図２参照）、この窒化シリコン（ＳｉＮ）膜２０１をハードマスクとしてポリシリコン（ｐｏｌｙＳｉ）層２０２に３０ｎｍ幅のスペースと３０ｎｍ幅のラインとからなるパターンを形成できるように、ＳｉＮ膜２０１の間には、溝状の開口部が形成されている。ただし、積層する膜の膜厚はこの数値に限定しないが、アスペクト比は４．５以上となる膜厚とする。尚、アスペクト比とは、ハードマスク２０１の初期膜厚とポリシリコン膜２０２の初期膜厚との和を溝のパターン寸法で除した値である。なお、図２において、符号２０４はイオンを、符号２０５は堆積物を示す。又、図２（ａ）はサイドエッチが生じている状況、図２（ｂ）は垂直エッチングが良好に行われている状況を示す模式図である。

上記のウエハに関して、表１にウエハに対する最適なエッチング処理条件を示す。

ステップ１は、被エッチング膜であるポリシリコン層に形成された表面酸化膜を除去するためのブレークスルーステップであり、ステップ２は、ポリシリコン膜を除去しながら形状を形成する主要なステップであるメインエッチングステップであり、ステップ３は、ステップ２後に残ったポリシリコン膜を除去し、裾引き形状を垂直にするためのオーバーエッチングステップである。以後、ステップ２に関して記述を行う。本実施例では表１に示すように、混合ガスとしてＣｌ_２、ＨＢｒ、ＣＯ_２を用いる。混合ガスの圧力は０．５Ｐａとする。この混合ガスをマイクロ波投入電力７５０Ｗによりプラズマ化して、このプラズマをバイアス電力３００Ｗ、Ｄｕｔｙ４０％、周波数１０００Ｈｚでウエハに供給すると、ＳｉＮをマスクとしてポリシリコン層がエッチングされていく。表１は本実施例を具体化する最適な形態であるが、表１以外のエッチング条件においても有効である。

表２は、実施例１に関する性能特徴表であり、実施例１のＣＯ_２ガス、ＴＭモードを用いる利点を説明する表である。ＣＯ_２プロセスの優位性を示すため、一般的に用いられる堆積性ガスであるＯ_２によるプロセスを併記している。エッチング性能を示すパラメータとして、サイドエッチ、とマスクダメージの良否を表している。

表２より、ＣＯ_２ガスとＴＭモードを組み合わせた際に、飛躍的にプロセスマージンが拡大されることが確認できる。この現象は以下のように説明できる。

図３は酸化膜３０３上に堆積したｐｏｌｙＳｉ膜３０２をＳｉＮマスク（ＳｉＮ膜）３０１を用いエッチングした場合の試料断面図を表し、従来から知られているイオンアシストエッチングの機構を説明している。イオンアシストエッチングではｐｏｌｙＳｉ膜３０２にＣｌなどのハロゲンラジカル３０５が付着した表面にイオン３０４がウエハバイアスで加速されて垂直に入射する。イオンエネルギーが比較的低いとＳｉＣｌ_４など蒸気圧が高く吸着係数が低い反応生成物３０８が生成される。反応生成物はプラズマ中に放出されてプラズマ中で他の分子あるいは電子との衝突を繰り返し再解離して吸着確率が高い状態になり溝に再入射する。ＰｏｌｙＳｉ膜３０２の溝に入った反応生成物は溝側壁に衝突して、その吸着確率に依存して側壁に吸着して堆積物３０６を生じる。堆積物３０６の厚さは溝の形状（アスペクト比）と吸着確率に依存して均一には形成されない。一方、側壁にはラジカル３０５が入射して側壁の堆積物３０６が薄い部分にはサイドエッチ３０７が生じる。半導体素子の寸法が比較的大きく溝のアスペクト比も小さい世代ではサイドエッチは相対的に小さく問題で無かったが、微細化が進み溝寸法が小さくなるとサイドエッチは相対的に大きくなり、より高い垂直性が必要になる。表２に示す比較表でのサイドエッチはこの機構で生じる。

この問題を解決するためには堆積物がアスペクト比に関係なく、側壁に均一に付着するようなエッチングを実現する必要がある。このようなエッチングを実現させる手法として、従来のようにイオンアシストエッチングを主とするエッチングではなく、イオンのエネルギーを高くして物理的なスパッタを主とするエッチングにすればよい。物理スパッタでは高エネルギーイオンの入射によりエッチング物質の原子結合手を切断して真空中に弾き飛ばすことでエッチングが進行する。このために、物理スパッタで生じる反応生成物はたとえばＳｉＣｌのように蒸気圧が低く付着係数が高い物質が生成される。図４は物理スパッタを主としたエッチングの概念を表し、酸化膜４０３上のポリシリコン膜４０２を窒化シリコン膜４０１をマスクにしてエッチングしている。図４（ａ）はエッチング初期、図４（ｂ）はエッチング終了間際の状態を示す。イオン４０４のエネルギーを高くすると、吸着確率が高い反応生成物４０５が生じる。この反応生成物４０５は最初に衝突した側壁にほとんど吸着する。反応生成物の放出される角度依存はアスペクト比には依存しないので側壁にはほぼ均等の厚さで側壁保護膜が形成されるためにアスペクト比が大きくなっても垂直なエッチングが可能となる。

上に述べたような物理スパッタが主となるエッチングを実現させるためにはイオンエネルギーを高くすると同時に、吸着確率が小さく溝底部まである程度均一に届きスパッタされて側壁に吸着したときに有効な側壁保護膜を形成するような物質を選択する必要がある。この組み合わせは実験的に選ぶ必要があるが、表１に示すようなＣｌ_２／ＨＢｒ混合ガス系ではＣＯ_２が適切な混合ガスである。酸素ではプラズマ中で発生する酸素ラジカルの量が多い。酸素ラジカルは吸着確率が高く、かつポリシリコンを酸化して強力な側壁保護膜を形成するので、溝底部からの物理スパッタ物質による側壁保護よりも、溝部入口から入射する酸素ラジカルの影響の方が勝ってしまい、アスペクト依存が出るためにサイドエッチが生じる。酸素ラジカルの吸着率が高いのは、自然界にＯラジカルが存在しないことや酸化などの反応を容易に起こすことから自明である。ＣＯ_２に関しては完全にラジカル化してしまえば吸着率は高くなるが、ＣＯなどの状態を形成しやすいことからも、酸素ラジカルよりは吸着率が小さくなると考えられる。

また物理スパッタを生じさせるためにはイオンのエネルギーを高くするだけで十分なため、必ずしもＴＭモードにする必要はない。しかし、ＣＷモードでイオンエネルギーを高くすると表２のようにマスクダメージが大きく、バイアスに休止期間を設けるＴＭモードとの組み合わせが必要になる。

次に物理スパッタを主にするのに必要なイオンエネルギーに付いて述べる。イオンエネルギーはバイアス電圧の振幅（Ｖｐｐ）に比例する。図５に表１のステップ２に示す条件にてＶｐｐとポリシリコンのサイドエッチ量の関係を示す。図５よりＶｐｐを５００Ｖ以上になるようにバイアス電力を設定する（ピーク電力２００Ｗ以上）とサイドエッチ量が線幅３０ｎｍ以下、アスペクト４．５以上の世代でも許容範囲となる１ｎｍ以下に抑えることができる。

また表３は、Ｏ_２、ＣＯ_２ガスとその他の手法の組み合わせ結果で、ＴＭモードを利用する他に、エッチング性能を示すパラメータを改善しうる項目をまとめたものである。

この結果から、ＴＭモードとＣＯ_２の組み合わせが著しく良好なことが確認される。例えば、温度分布の変更は面内形状差の観点からは有効であるが、サイドエッチまたはエッチストップにおけるマージンは少ない。エッチャントであるＣｌ_２、ＨＢｒ流量の調整においても面内形状差におけるマージンが少なく困難である。ＣＷモードにおいて高い引き込み電圧を利用しても、マスクダメージ、面内形状差のマージンは少ないため利用しづらい。圧力に関しても同様である。

よって表３からＴＭモードとＣＯ_２の組み合わせにより、サイドエッチ、エッチストップ、面内形状差、マスクダメージのマージンが最も広くなることがわかった。これは先述したＴＭモードの優位性とＣＯ_２の優位性が相乗的に合わさった効果が寄与していることが主因だと考えられる。

以上説明したように、実施例１においては、ＴＭモードとＣＯ_２を備え、小さい線幅、高いアスペクト比形状においても十分な側壁保護膜を均一に形成することができるので、形状制御よく垂直形状を加工することが可能となるという効果を得ることができる。また本実施例ではＣＯ_２を例として説明したが、ＣＯ、ＮＯ、ＮＯ_２などの付着係数が比較的小さく反応生成物が側壁に堆積して保護膜を形成するガスにおいても可能である。

本発明の第２の実施例について図６を用いて説明する。なお、実施例１に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例においても適用することができる。

ここではエッチングの途中でアスペクト比が変化するような構造での実施例を述べる。このエッチングに用いられるエッチング装置は実施例１と同様のものであるため、説明を省略する。エッチングの途中でアスペクト比が変化する構造の例を図６に示す、一般にはＦｉｎＦＥＴ（Fin Field Effect Transistor）と呼ばれる構造がある。ＦｉｎＦＥＴとは、シリコン基板（図示せず）上に成膜された酸化膜６０１上にソース（図示せず）とドレイン（図示せず）を接続するチャネル６０２が立体的に形成され、このチャネル６０２をゲート電極６０３が跨ぐ構造となっている。尚、上記のチャネル６０２は、以下Ｆｉｎ６０２と称し、Ｆｉｎ６０２の高さは２０から４０ｎｍ程度の高さである。

また、ゲート電極６０３は、厚さ２００ｎｍのポリシリコン膜６０３で形成されており、その上に積層された厚さ３０ｎｍのＳｉＮ膜６０４をハードマスクとしてポリシリコン層にスペースとラインとからなるパターンを形成できるように、予め、ＳｉＮ膜６０４には、溝状のパターンが形成されている。ただし、積層する膜の膜厚はこの数値に限定しない。

ＦｉｎＦＥＴのゲート電極形成に関して、表４に３次元構造ウエハに関する最適なエッチング処理条件を示す。

表１と比較して、ステップ数と混合ガスに用いるガスが増えていることがわかる。新しく混合するガスにはＡｒとＣＨ_４からなる混合ガスを用いる。ステップ１と４は、表１におけるステップ１と３と同様の役割のステップであるため説明を省略する。また、ステップ２と３の２つのステップで表１のステップ２（メインエッチングステップ）に相当する。ステップ３はポリシリコンがエッチングされていきＦｉｎ６０２が露出する段階のステップである。尚、ステップ２は、Ｆｉｎ６０２上のポリシリコンの膜厚が５ｎｍから１５ｎｍになる時点でステップ３に切り替わる。

ステップ３はポリシリコンがエッチングされていきＦｉｎが露出する段階のステップである。またステップ３ではＦｉｎ６０２が露出するため、ポリシリコンエッチングを行う上でのアスペクト比が大きく変化する。堆積物やエッチャントの入射立体角が変わるようなアスペクト比の変化及び、Ｆｉｎへのダメージ軽減を両立する手法としてＦｉｎ６０２が露出する直前までステップ２の条件でエッチングして、Ｆｉｎ６０２が露出している時は、ステップ３の条件にてポリシリコン膜をエッチングする。このステップ３では、Ｆｉｎ６０２へのダメージを低減するために、Ｃｌ_２を使わず、かつＴＭモードのｄｕｔｙ比を４０％から５％に下げている。デューティー比を４０％から５％に下げたのは、平均高周波電力を下げるためである。ＣＷモードで平均高周波電力を下げるためには、ピーク電力を下げるしかないために物理スパッタを生じさせることができないが、ＴＭモードにすることによりピーク電力を高く保って物理スパッタを生じさせることとＦｉｎ６０２へのダメージ低減を両立できる。但し、平均高周波電力を下げることとポリシリコン膜の被エッチング面積の減少により、サイドエッチングが発生し易くなるため、ステップ２のガス系から塩素ガスを除くとともにアルゴンガスとメタンガスを追加して、サイドエッチングを抑制した。また、ステップ３の臭化水素ガス流量をステップ２の臭化水素ガス流量より増加させたこともＦｉｎ６０２へのダメージ低減に寄与している。

以上のように、エッチング途中において堆積物質やエッチャント等の入射立体角が変わるような複雑な構造でも、本実施例によりアスペクトに依存せず側壁保護膜を均一に堆積することができるので、形状制御性良く垂直形状を加工できる。

なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることも可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。

１０１…チャンバ、１０２…ウエハ、１０３…試料台、１０４…マイクロ波透過窓、１０５…導波管、１０６…マグネトロン、１０７…ソレノイドコイル、１０８…静電吸着電源、１０９…高周波電源、１１０…ウエハ搬入口、１１１…プラズマ、２０１…窒化シリコン膜、２０２…ポリシリコン膜、２０３…酸化膜、２０４…イオン、２０５…堆積物、３０１…窒化シリコン膜（ＳｉＮマスク）、３０２…ポリシリコン膜、３０３…酸化膜、３０４…イオン、４０１…窒化シリコン膜、４０２…ポリシリコン膜、４０３…酸化膜、４０４…イオン、４０５…反応生成物（堆積物）、６０１…酸化膜、６０２…Ｆｉｎ（チャネル）、６０３…ポリシリコン膜（ゲート電極）、６０４…窒化シリコン膜。

Claims

プラズマを用いて被処理体に溝幅が３０ｎｍ以下、アスペクト４．５以上の溝を形成するドライエッチング方法において、
前記溝の底部まで届きやすい堆積性ガスが添加されたエッチングガスを用い、前記溝の底部のスパッタにより発生した堆積物によって前記溝の側壁を保護しながら前記溝を形成することを特徴とするドライエッチング方法。
請求項１記載のドライエッチング方法において、
前記溝の底部まで届きやすい堆積性ガスは二酸化炭素ガスであり、
前記エッチングガスは塩素ガスと臭化水素ガスとを含む混合ガスであり、
前記被処理体はポリシリコン膜を有し、
ピーク高周波電力が２００Ｗ以上、オフ時間がオン時間以上である間欠的な時間変調された高周波電力を前記被処理体に供給しながら前記ポリシリコン膜をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
シリコン膜を有する被処理体を準備する工程と、
溝の底部まで届きやすい堆積性ガスが添加されたエッチングガスを用い、ピーク高周波電力が２００Ｗ以上で間欠的な時間変調された高周波電力を前記被処理体に供給しながら前記シリコン膜に溝を形成するためのエッチング工程と、を有することを特徴とするドライエッチング方法。
請求項３記載のドライエッチング方法において、
前記溝の底部まで届きやすい堆積性ガスは、二酸化炭素ガス、一酸化炭素ガス、一酸化窒素、或いは二酸化窒素であり、
前記エッチングガスは、塩素ガスと臭化水素ガスとを含む混合ガスであることを特徴とするドライエッチング方法。
プラズマを用いてＦｉｎＦＥＴのゲート電極を形成するドライエッチング方法において、
塩素ガスと臭化水素ガスと二酸化炭素ガスを含む混合ガスを用い、ピーク高周波電力が２００Ｗ以上、オフ時間がオン時間以上である間欠的な時間変調された高周波電力を前記被処理体に供給しながらポリシリコン膜をエッチングする第一の工程と、
臭化水素ガスと二酸化炭素ガスとアルゴンガスとメタンガスを含む混合ガスを用い、ピーク高周波電力が２００Ｗ以上、オフ時間がオン時間以上である間欠的な時間変調された高周波電力を前記被処理体に供給しながら前記第一の工程後のポリシリコン膜をエッチングする第二の工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。
請求項５記載のドライエッチング方法において、
前記第二の工程の間欠的な時間変調された高周波電力のデューティー比は、前記第一の工程の間欠的な時間変調された高周波電力のデューティー比より小さいことを特徴とするドライエッチング方法。
請求項５または請求項６記載のドライエッチング方法において、
前記第一の工程は、チャネルとなるＦｉｎ上のポリシリコン膜が５ｎｍから１５ｎｍになる時点にて前記第二の工程に切り替わることを特徴とするドライエッチング方法。