JP6371310B2 - 研削又は研磨処理用キャリア、研削又は研磨処理用キャリアの製造方法、及び磁気ディスク用基板の製造方法 - Google Patents
研削又は研磨処理用キャリア、研削又は研磨処理用キャリアの製造方法、及び磁気ディスク用基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6371310B2 JP6371310B2 JP2015551038A JP2015551038A JP6371310B2 JP 6371310 B2 JP6371310 B2 JP 6371310B2 JP 2015551038 A JP2015551038 A JP 2015551038A JP 2015551038 A JP2015551038 A JP 2015551038A JP 6371310 B2 JP6371310 B2 JP 6371310B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- carrier
- grinding
- holding hole
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 450
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 204
- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims description 154
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 95
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 173
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 108
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 88
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 79
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 67
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 67
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 55
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 48
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 31
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 15
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 322
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 52
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 36
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 29
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 23
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 20
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 13
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 13
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 10
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 5
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 3
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 nickel nitride Chemical class 0.000 description 2
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000004554 molding of glass Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- BFXAWOHHDUIALU-UHFFFAOYSA-M sodium;hydron;difluoride Chemical compound F.[F-].[Na+] BFXAWOHHDUIALU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
従来、このキャリアとして、機械的強度及びコストの点から、ガラス繊維を異なる2方向に配向したガラスクロスに樹脂材料を含浸させた樹脂含浸材料が広く用いられている。特に、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させた層を複数層積層させた構成のキャリアが好適に用いられる。しかし、このキャリアでは、ガラス基板が研削あるいは研磨されるとき、ガラス基板の端面(外周側壁面)に欠陥、例えば凹んだ傷が生じる場合がある。この傷の深さは端面に形成される他の傷に比べて深くかつ長い。この傷の凹んだ部分に研磨スラリ中の砥粒が付着し、また、傷により発生したガラスチップが端面に付着して発塵源となる場合もある。特に、最終研磨で用いる研磨スラリ中の砥粒が端面とキャリアとの間に挟まれて微粒子として凹状の傷内に付着しさらには固着する。このように付着した微粒子は、ガラス基板に磁性層を形成するときに行うスパッタリング中にガラス基板の端面から離脱して主表面上に乗って磁性層に欠陥をつくる場合もある。このため、上記傷は、ガラス基板の製造あるいは磁気ディスクの製造の歩留まりを下げる原因となっている。
また、研磨用キャリアの保持孔の内周面と被研磨体の外周側面との摺動に起因する傷が被研磨体の外周側面に生ずることを防止可能とする研磨用キャリアが知られている(特許文献2)。この研磨用キャリアでは、保持孔の内周面に、被研磨体の外周側面に接触して該被研磨体を支持する複数個の突起を設け、これら突起の間隔を保持孔の内周面における突起の周方向の幅よりも大きく設定している。
また、特許文献2に記載される研磨用キャリアでは、被研磨体としてガラス基板を用いて研磨を行ったとき、ガラス基板の外周側面(外周端面)の傷を十分に抑制することはできなかった。
研削又は研磨処理用キャリアであって、
少なくとも一方向に配向した繊維と樹脂材料とを含む複合材料から形成され、円板状の基板を上定盤及び下定盤で挟んで前記基板の一対の主表面を研削又は研磨処理する際に前記基板を保持するための保持穴を有し、
前記保持穴は、前記保持穴の内周壁面の周上に、前記保持穴に前記基板が保持された状態で前記基板と当接する複数の壁部と、当該基板と当接しない複数の壁部と、を有し、
前記基板と当接する壁部において、前記基板と当接する壁部に内接する内接円の接線に対して直交する法線方向と、前記一方向を含む前記繊維の配向方向とが一致しておらず、
前記基板と当接しない壁部のうち少なくとも一部の壁部において、当該壁部をなす前記内周壁面の部分の法線方向と前記配向方向とが一致している、ことを特徴とする研削又は研磨処理用キャリア。
前記基板と当接しない壁部は、前記基板と当接する壁部よりも、前記保持穴の半径方向の外側に位置している、形態1に記載の研削又は研磨処理用キャリア。
形態2のキャリアは、別の言い方をすると、円板状のガラス基板を上定盤及び下定盤で挟んで前記ガラス基板のガラス主表面を研削又は研磨処理する際に前記ガラス基板を保持するための保持穴を有する研削又は研磨処理用キャリアであって、
前記研削又は研磨処理用キャリアは、互いに異なる2方向にガラス繊維を配向させたガラスクロスに樹脂材料を含浸させてなる板により構成され、
前記保持穴の内周壁面のうち、前記ガラス繊維の配向する2つの配向方向に面する配向
方向壁面部分が、いずれも、前記保持穴の内周壁面の輪郭に内接する内接円の外側に位置
するように前記保持穴の輪郭を定めたことを特徴とする研削又は研磨処理用キャリアである。
前記基板と当接する壁部は、前記保持穴の半径方向の内側に向く凸形状の第1の曲面、平面、あるいは、前記基板と当接する壁部に内接する内接円の曲率半径よりも大きな曲率半径を有する前記保持穴の半径方向の外側に対して凸形状の第2の曲面、であり、前記基板の外周側壁面は、前記第1の曲面、前記平面、あるいは、前記第2の曲面と当接する、形態2に記載の研削又は研磨処理用キャリア。
形態3のキャリアは、別の言い方をすると、前記保持穴の前記配向方向壁面部分の、前記保持穴の周方向に沿った両側の壁面は、前記保持穴の内側に向く凸形状の第1の曲面、平面、あるいは、前記内接円の曲率半径よりも大きな曲率半径を有する前記保持穴の外側に対して凸形状の第2の曲面であり、前記ガラス基板の外周側壁面は、前記第1の曲面、前記平面、あるいは前記第2の曲面と当接する、上記別の言い方をした形態2に記載の研削又は研磨処理用キャリアである。
なお、上記別の言い方をした形態2または3のキャリアにおいて、前記保持穴の前記第1の曲面、前記平面、あるいは、前記第2の曲面には、前記ガラスクロスのガラス繊維の先端がなく、前記ガラス繊維の先端が、前記保持穴の輪郭に対して前記輪郭の外側に位置していてもよい。
前記第1の曲面、前記平面、あるいは、前記第2の曲面は、前記保持穴の周上に4箇所以上設けられている、形態3に記載の研削又は研磨処理用キャリア。
形態4のキャリアは、別の言い方をすると、前記第1の曲面、前記平面、あるいは、前記第2の曲面は、前記保持穴の周上に4箇所以上設けられている、上記別の言い方をした形態2または3に記載の研削又は研磨処理用キャリアである。
前記基板と当接する壁部に内接する内接円の直径は、前記基板の円板形状の直径より大きい、形態2〜4のいずれか1つに記載の研削又は研磨処理用キャリア。
前記内接円の直径は、前記基板の円板形状の直径の1.002〜1.031倍である、形態5に記載の研削又は研磨処理用キャリア。
形態6のキャリアは、別の言い方をすると、前記内接円の直径は、前記ガラス基板の円板形状の直径の1.002〜1.031倍である、上記別の言い方をした形態2〜5のいずれか1つに記載の研削又は研磨処理用キャリアである。
磁気ディスク用基板の製造方法であって、
円板形状の基板をつくるステップと、
形態2〜6のいずれか1つに記載の研削又は研磨処理用キャリアに設けられた保持穴に基板を保持した状態で前記基板を上定盤と下定盤とで挟み、前記基板と前記上定盤及び前記下定盤とを相対的に移動させることで、前記基板の主表面に研削又は研磨処理を行うステップと、含むことを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。
形態7の製造方法は、別の言い方をすると、ガラス基板を、上記別の言い方をした形態2〜6のいずれか1つに記載の研削又は研磨処理用キャリアに設けられた保持孔に保持した状態で前記ガラス基板を上定盤と下定盤とで挟み、前記ガラス基板と前記上定盤及び前記下定盤とを相対的に移動させることで、前記ガラス基板の主表面を研削又は研磨する研削又は研磨処理を含む、ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。
前記研削又は研磨処理中、前記基板の外周側壁面が、前記基板と当接しない壁部と当接せず、前記基板と当接しない壁部の両側において当接する、形態7に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
形態8の製造方法は、別の言い方をすると、前記研削又は研磨処理中、前記ガラス基板の外周側壁面が、前記配向方向壁面部分と当接せず、前記配向方向壁面部分の両側において当接する、上記別の言い方をした形態7に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。
前記研削又は研磨処理用キャリアは、少なくとも一方向に配向したガラス繊維と樹脂材料とを含む複合材料からなる板材に保持穴を形成し、前記保持穴の形成後、前記板材にエッチングを行うことにより、作製される、形態7または8に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
研削又は研磨処理用キャリアであって、
第1の方向に配向した第1の繊維、及び、前記第1の方向と異なる第2の方向に配向した第2の繊維と、樹脂材料とを含む複合材料から形成され、円板状の基板を上定盤及び下定盤で挟んで前記基板の一対の主表面を研削又は研磨処理する際に前記基板を保持するための保持穴を有し、
前記保持穴は、前記保持穴の内周壁面の周上に、前記基板と当接する壁部に内接する内接円の接線に対して直交する法線方向と前記第1の繊維の配向方向とが一致する壁部と、前記法線方向と前記第2の繊維の配向方向とが一致する壁部と、を有し、
前記保持穴の内周壁面から前記保持穴の半径方向の外側に延在する環状の領域に、前記法線方向と前記第2の繊維の配向方向とが一致する壁部に対し前記保持穴の半径方向の外側に設けられ、前記第2の繊維が存在せず前記第1の繊維が存在する第1の領域と、前記法線方向と前記第1の繊維の配向方向とが一致する壁部に対し前記保持穴の半径方向の外側に設けられ、前記第1の繊維が存在せず前記第2の繊維が存在する第2の領域と、が配されている、ことを特徴とする研削又は研磨処理用キャリア。
形態10のキャリアは、別の言い方をすると、板状のガラス基板を上定盤および下定盤で挟んで前記ガラス基板の主表面を研削又は研磨処理する際に前記ガラス基板を保持するための保持穴を有するキャリアであって、
前記キャリアは、複数のガラス繊維が2つの配向方向のいずれかを向くよう配されたガ
ラスクロスによって補強され、前記ガラスクロスに樹脂材料が含浸されてなる樹脂含浸基
板からなり、
前記保持穴の内壁面から外側に延在する環状の領域に、前記配向方向のうち一方の方向
を向く第1のガラス繊維のみで補強された第1の補強領域と、前記配向方向の他方の方向
を向く第2のガラス繊維のみで補強された第2の補強領域とが互いに離間して周方向に交
互に配され、
前記第1の補強領域は、前記保持穴の内壁面のうち前記第2のガラス繊維の配向方向に
面する第1の内壁部の外側に設けられ、前記第2の補強領域は、前記内壁面のうち前記第
1のガラス繊維の配向方向に面する第2の内壁部の外側に設けられていることを特徴とす
るキャリアである。
前記第1の領域は、前記第2の繊維の先端が前記保持穴の内周壁面に達しないことで形成され、前記第2の領域は、前記第1の繊維の先端が前記保持穴の内周壁面に達しないことで形成されている、形態10に記載の研削又は研磨処理用キャリア。
形態11のキャリアは、別の言い方をすると、前記第1の補強領域は、前記第2のガラス繊維の先端が前記保持穴の内壁面に達しないように形成され、前記第2の補強領域は、前記第1のガラス繊維の先端が前記保持穴の内壁面に達しないように形成されている、上記別の言い方をした形態10に記載のキャリアである。
円板状の基板を上定盤および下定盤で挟んで前記基板の主表面を研削又は研磨処理する際に前記基板を保持するための保持穴を有する研削又は研磨処理用キャリアの製造方法であって、
少なくとも一方向に配向したガラス繊維と樹脂材料とを含む複合材料からなる板材に、前記基板が保持された状態で前記基板と当接する複数の壁部と、当該基板と当接しない複数の壁部と、を有するように前記保持穴を形成する第1のステップと、
前記保持穴が形成された板材の少なくとも前記基板と当接する壁部にエッチングを行う第2のステップと、を備え、
前記第1のステップでは、前記基板と当接する壁部において、前記基板と当接する壁部に内接する内接円の接線に対して直交する法線方向と、前記一方向を含む前記ガラス繊維の配向方向とが一致せず、かつ、前記基板と当接しない壁部のうち少なくとも一部の壁部において、当該壁部をなす前記内周壁面の部分の法線方向と前記配向方向とが一致するように前記保持穴を形成する研削又は研磨処理用キャリアの製造方法。
形態12の製造方法は、別の言い方をすると、円板状のガラス基板を上定盤および下定盤で挟んで前記ガラス基板の主表面を研削又は研磨処理する際に前記ガラス基板を保持するための保持穴を有するキャリアの製造方法であって、
複数のガラス繊維が2つの配向方向のいずれかを向くよう配されたガラスクロスによって補強され、前記ガラスクロスに樹脂材料が含浸されてなる樹脂含浸基板に前記保持穴を形成する第1のステップと、
前記保持穴が形成された樹脂含浸基板にエッチングを行って前記キャリアを作製する第2のステップと、を備え、
前記第2のステップでは、前記保持穴の内壁面のうち前記ガラス繊維の配向方向のいずれかに面する内壁部に当該配向方向を向くよう露出する当該ガラス繊維をエッチングすることにより、前記キャリアの保持穴の内壁面から外側に延在する環状の領域に、前記エッチングされたガラス繊維の配向方向と異なる配向方向のガラス繊維のみで補強された補強領域を形成することを特徴とするキャリアの製造方法である。
前記第2のステップでは、前記エッチングに先立って、前記法線方向と前記配向方向とが一致する前記内周壁面の部分以外の部分を構成する板材の部分にマスキング材を設け、前記エッチングの後、前記マスキング材を除去する、形態12に記載の研削又は研磨処理用キャリアの製造方法。
形態13の製造方法は、別の言い方をすると、前記第2のステップでは、前記エッチングに先立って、前記環状の領域のうち前記補強領域以外の部分にマスキング材を設け、前記エッチングの後、前記マスキング材を除去する、上記別の言い方をした形態12に記載のキャリアの製造方法。
前記第2のステップにおいて、前記法線方向と前記配向方向とが一致する前記内周壁面の部分を構成する前記板材の部分に、前記ガラス繊維をエッチングするためのエッチング剤を塗布することで前記エッチングを行う、形態12または13に記載の研削又は研磨処理用キャリアの製造方法。
形態14の製造方法は、別の言い方をすると、前記第2のステップにおいて、前記樹脂含浸基板の環状の領域のうち前記補強領域となる部分に、前記ガラス繊維をエッチングするためのエッチング剤を塗布することで前記エッチングを行う、上記別の言い方をした形態12または13に記載のキャリアの製造方法である。
前記第2のステップでは、前記エッチングに先立って、前記板材と、前記板材において前記保持穴が形成された位置と対応する位置に保持穴が形成された1又は複数の他の基板と、を板厚方向に重ねて配置する、形態12から14のいずれか1項に記載の研削又は研磨処理用キャリアの製造方法。
形態15の製造方法は、別の言い方をすると、前記第2のステップでは、前記エッチングに先立って、前記樹脂含浸基板と、前記樹脂含浸基板の前記保持穴が形成された位置と対応する位置に保持穴が形成された1又は複数の他の基板と、を板厚方向に重ねて配置する、上記別の言い方をした形態12から14のいずれか1つに記載のキャリアの製造方法である。
前記他の基板は、少なくとも一方向に配向したガラス繊維と樹脂材料とを含む複合材料からなり、
前記板材を第1の板材といい、前記他の基板を第2の板材というとき、前記第2のステップでは、前記第1の板材および前記第2の板材を重ねて配置する際に、前記板材の間で前記ガラス繊維が配向した方向を一致させる、形態15に記載の研削又は研磨処理用キャリアの製造方法。
形態16の製造方法は、別の言い方をすると、前記他の基板は、複数のガラス繊維が2つの配向方向のいずれかを向くよう配されたガラスクロスによって補強され、前記ガラスクロスに樹脂材料が含浸されてなり、
前記樹脂含浸基板を第1の樹脂含浸基板といい、前記他の基板を第2の樹脂含浸基板というとき、前記第2のステップでは、前記第1の樹脂含浸基板および前記第2の樹脂含浸基板を重ねて配置する際に、前記樹脂含浸基板の間で前記配向方向を一致させる、上記別の言い方をした形態15に記載のキャリアの製造方法である。
前記他の基板は、少なくとも一方向に配向したガラス繊維と樹脂材料とを含む複合材料からなり、
前記板材を第1の板材といい、前記他の基板を第2の板材というとき、前記第1のステップでは、前記第1の板材及び前記第2の板材を重ねて配置した場合に前記板材の間で前記ガラス繊維の配向する方向が一致するよう前記保持穴を形成する、形態15に記載の研削又は研磨処理用キャリアの製造方法。
形態17の製造方法は、別の言い方をすると、前記他の基板は、複数のガラス繊維が2つの配向方向のいずれかを向くよう配されたガラスクロスによって補強され、前記ガラスクロスに樹脂材料が含浸されてなり、
前記樹脂含浸基板を第1の樹脂含浸基板といい、前記他の基板を第2の樹脂含浸基板というとき、前記第1のステップでは、前記第1の樹脂含浸基板及び前記第2の樹脂含浸基板を重ねて配置した場合に前記樹脂含浸基板の間で前記配向方向が一致するよう前記保持穴を形成する、上記別の言い方をした形態15に記載のキャリアの製造方法である。
磁気ディスク用基板の製造方法であって、
形態10および11のいずれか1つに記載の研削又は研磨処理用キャリアあるいは形態12から17のいずれか1つに記載の研削又は研磨処理用キャリアの製造方法により製造された研削又は研磨処理用キャリアに基板を保持させた状態で、前記基板の主表面を研削又は研磨する研削又は研磨処理を有することを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。
形態18の製造方法は、別の言い方をすると、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
上記別の言い方をした形態10または11に記載のキャリアあるいは上記別の言い方をした形態12から17のいずれか1つに記載のキャリアの製造方法により製造されたキャリアにガラス基板を保持させた状態で、前記ガラス基板の主表面を研削又は研磨する研削又は研磨処理を有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。
また、本発明の研磨処理用キャリアによれば、繊維の配向方向に面する(配向方向を向く)内壁部の近傍では、当該配向方向を向く繊維が存在せず、例えば、当該繊維と異なる配向方向の繊維のみによって補強されている。これにより、基板の研磨処理を行った場合に、基板の端面における傷の発生が防止されるとともに、保持穴の内壁面近傍におけるキャリアの強度が確保されることで樹脂材料由来のコンタミネーション(異物)の発生が抑えられる。本発明の研磨処理用キャリアの製造方法によれば、そのようなキャリアを得ることができる。本発明の磁気ディスク用基板の製造方法によれば、研磨処理を行ったときの基板端面での傷の発生が防止されるとともに、樹脂材料由来のコンタミネーションの発生が抑えられることで基板の主表面の汚染またはスクラッチの発生が抑制される。
以下、第1の実施形態の研磨処理用キャリア及び磁気ディスク用基板の製造方法について詳細に説明する。本実施形態において、研磨処理とは、ガラス基板の研削と、この研削後のガラス基板のガラス主表面の粗さを小さくするガラス基板の研磨と、を含む。したがって、研磨処理用キャリアとは、ガラス基板の研削および研磨に用いることができるキャリアである。以下で説明する実施形態のキャリアは研磨に用いる場合を説明するが、研削に用いることもできる。
一方、上述した公知(特許文献2)の研磨用キャリアでは、突起を設けてはいるものの、ガラス繊維の配向方向を考慮していないことに発明者は気がついた。さらに、ガラス繊維の配向方向と平行に突出した突起の先端のガラス繊維がガラス基板の外周端面に傷を生じさせていることを、発明者は見出した。ガラス繊維の配向方向と平行に突出した突起の先端には、特に力が集中しやすいため、ガラス基板の外周端面に傷を付け易い。そして、実験を重ねた結果、下記に示す態様の研磨処理用キャリア及び基板の製造方法を発明するに至った。
本明細書において、繊維には、ガラス繊維のほか、金属繊維等も含まれるが、以降の説明では、代表してガラス繊維を例に説明する。また、単に繊維という場合は、特に断った場合を除いて、複数の繊維を意味する。さらに、繊維の配向方向の数は、1つのみであってもよく、2つ、3つ等の複数であってもよいが、以降の説明では、代表して2つである場合を例に説明する。
本明細書において、保持穴の内側という場合、保持穴の中心部から保持穴の半径方向の外側、あるいは、保持穴が狭まる方向をいい、保持穴の外側という場合、保持穴の中心部から保持穴の半径方向の内側、あるいは、保持穴が広がる方向をいう。
本実施形態の研磨処理用キャリアを用いるガラス基板の研磨装置について図1及び図2を参照して説明する。研磨処理用キャリアは、円板状のガラス基板を上定盤及び下定盤で挟んでガラス基板のガラス主表面を研磨処理する際にガラス基板を保持するための保持穴を有する。図1は、研磨装置(両面研磨装置)の分解斜視図である。図2は、研磨装置の断面図である。研削装置についても研磨装置と同様の構成を有するので、研削装置の説明は省略する。
研磨装置において、下定盤60の上面および上定盤40の下面には、研磨パッド10が貼り付けられている。図1では、研磨パッド10はシート状に記されている。研磨パッド10には、例えば、発泡ウレタン樹脂等を用いることができる。
キャリア30は、円板状のガラス基板Gを上定盤40と下定盤60で挟んでガラス基板Gの主表面を研磨処理する際に、ガラス基板Gを保持するための保持穴を有する。具体的には、キャリア30は、外周部に設けられて太陽歯車61及び内歯車62に噛合する歯部31と、ガラス基板Gを収容し保持するための1または複数の保持穴32とを有する。太陽歯車61、外縁に設けられた内歯車62および円板状のキャリア30は全体として、中心軸CTRを中心とする遊星歯車機構を構成する。円板状のキャリア30は、内周側で太陽歯車61に噛合し、かつ外周側で内歯車62に噛合するとともに、ガラス基板Gを1または複数を収容し保持する。下定盤60上では、キャリア30が遊星歯車として自転しながら公転し、ガラス基板Gと下定盤60とが相対的に移動させられる。例えば、太陽歯車61が反時計回りの方向に回転すれば、キャリア30は時計回りの方向に回転し、内歯車62は反時計回りの方向に回転する。その結果、下定盤60とガラス基板Gの間に相対運動が生じる。同様にして、ガラス基板Gと上定盤40とを相対的に移動させてもよい。
キャリア30は、複数のガラスクロス(JIS R3414:2012)を積層させた積層構造を有している。キャリア30を、ガラスクロスを用いた積層構造とするのは、キャリア30が研磨中に太陽歯車61及び内歯車62からうける力によっての曲げ変形やせん断変形を引き起こし、その結果、ガラス基板Gが破損することが生じないように、曲げ剛性、せん断剛性、及び機械的強度を確保するためである。ガラスクロスは、ガラス繊維からなるガラス糸(JIS R3413:2012。以降、ガラスヤーンともいう)を織り上げて製造したものである。キャリア30は、上記ガラスクロスに樹脂材料を含浸させた層を重ねて圧着したものである。すなわち、キャリア30は、樹脂材料内に、互いに異なる2方向にガラス繊維を配向させたガラスクロスが配された板材(以降、樹脂含浸基板ともいう)で構成されている。樹脂材料としては、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱可塑性樹脂が用いられる。
本実施形態のキャリア30は、少なくとも一方向に配向したガラス繊維と樹脂材料とを含む複合材料から形成され、円板状の基板を上定盤及び下定盤で挟んで基板の一対の主表面を研磨処理する際に基板を保持するための保持穴32を有している。保持穴32は、保持穴の内周壁面の周上に、保持穴32に基板が保持された状態で基板が繊維と接触するよう構成された第1の壁部(後述する第1の曲面37、平面38、第2の曲面39のうち、第2の壁部を除く部分)と、当該基板が繊維と接触しないように構成された第2の壁部(後述する配向方向壁面部分35)と、を有している。第2の壁部は、保持穴32の内周壁面のうち、一方向を含む繊維の配向方向を向く部分に形成されている。そして、第1の実施形態のキャリア30は、第2の壁部は、第1の壁部よりも、保持穴の半径方向の外側に位置していることを特徴とする。なお、一方向を含む繊維の配向方向とは、キャリアに含まれる繊維が配向する全ての方向を意味する。したがって、保持穴の内周壁面には、繊維の全ての配向方向に対応して第2の壁部が形成されており、具体的には、繊維の配向方向の数の2倍の数の第2の壁部が内周壁面に形成されている。例えば、繊維の配向方向の数が2である場合は、第2の壁部は内周壁面の4箇所に形成される。この点は、後述する第2の実施形態でも同様である。
ここで、配向方向壁面部分35とは、図3に示すように、保持穴32の内周壁面の輪郭に内接する内接円Cを想定したとき、内接円の法線方向(内接円の接線に対して直交する方向)が、ガラス繊維33,34の配向方向に一致するような内接円上の部分を、内接円の中心点から見た方位方向に位置する保持穴32の内周壁面の部分(図3において、太い実線で示す部分)をいう。このとき、法線方向が配向方向と一致するとは、図3に示すように、方向が完全に一致する部分を中心にして、θ=40°(図の中心線に対して±20°)の範囲内の壁面部分を配向方向壁面部分35の許容範囲とする。そのような許容範囲には、例えばθ=22.5°(図の中心線に対して±11.25°)の範囲が挙げられる。保持穴32は、概略円形状に設けられているので、配向方向壁面部分は4つ、X方向の方位角を0度として、θ=0°、90°、180°、270°のそれぞれを中心とした配向方向壁面部分35がある。図4に示す保持穴32の内周壁面36のうち、配向方向壁面部分35は、保持穴32の内周壁面の輪郭に内接する内接円(図4では点線で示されている)の外側に位置している。具体的には、図4に示す例では、配向方向壁面部分35の、保持穴32の周方向に沿った両側の壁面において、保持穴32の内側に向く凸形状の第1の曲面37を成している。凸形状の第1の曲面37は、内接円に接している。したがって、ガラス基板Gの外周側壁面は、図6に示すように、配向方向壁面部分35と当接せず、配向方向壁面部分35の両側において当接する。このように、ガラス繊維33,34の配向方向に面する配向方向壁面部分35は、保持穴32の内周壁面の輪郭に内接する内接円の外側に位置し、ガラス基板Gの外周側壁面と当接しない。このため、配向方向壁面部分35においてガラス繊維33,34が樹脂材料から露出したとしても、ガラス繊維33,34の端がガラス基板Gの外周側壁面と接触することがないので、ガラス基板Gの外周側壁面に傷がつくことを防止できる。これにより、ガラス基板Gの主表面に微粒子等が付着して欠陥が形成されることを抑制できる。なお、ガラス基板Gの内周側および外周側の端面には、面取りが施されることによって、主表面と直交する側壁面と、側壁面と主表面を繋ぐ面取り面(介在面)とが形成されていてもよく、この場合、ガラス基板Gの外周側の端面(外周側壁面)のうち、特に側壁面に傷がつくことが防止される。
また、配向方向壁面部分35に対して保持穴32の内周壁面の周方向の両側に位置する、保持穴32の内側に向く凸形状の2つの第1の曲面37がガラス基板Gと当接し、ガラス基板Gの外周側壁面に加える力を分散するので、凸形状の2つの第1の曲面37がガラス基板Gの外周側壁面と当接して傷をつくることを抑制できる。一方、保持穴32の形状が、従来のような単純な円形の場合、1箇所で接触するため、力が集中して傷が入り易い。
なお、1つのキャリア30には複数の保持穴32が設けられる場合、全ての保持穴32においてガラス繊維の配向方向を考慮して、保持穴32の内側に向く凸形状の第1の曲面37を設けることが好ましい。凸形状の第1の曲面37は、1つのキャリア30に形成された全ての保持穴32において、キャリア30に含まれるガラス繊維の向きを考慮して形成されている必要がある。凸形状の突起(ノッチ)を有する従来の研磨用キャリアでは、例えば特許文献2において図示されるように、ノッチの向きに注意が払われていなかったため、1つのキャリアに複数の保持穴が形成されている場合、ノッチ先端部の基板支持部においてガラス繊維が垂直方向に突出する場合があった。このため、複数の保持穴を有するキャリアを用いて研磨または処理を行った場合に、バッチ内の全ての基板について、垂直方向に突出するガラス繊維との接触を防止することができていなかった。
配向方向壁面部分35の壁面部分が一部をなす仮想円から当該仮想円の中心方向への仮想円の半径方向における凸形状の第1の曲面37の最大突き出し量は0.3〜5mmであることが好ましく、1〜3mmがより好ましい。なお、凸形状の第1の曲面37は、曲面を有するものであればよく、図示されるように、凸形状の第1の曲面37の内側の部分から外側に膨らむように湾曲する曲面を有していていもよく、特許文献2の図1に示されるように、凸形状の第1の曲面の外側から内側に膨らむように湾曲する曲面、または、平面を有していていもよい。凸形状の第1の曲面37が凸形状の第1の曲面37の内側の部分から外側に膨らむように湾曲する曲面を有している場合、その曲面の曲率半径Rは5〜150mmであることが好ましく、10〜50mmであることがより好ましい。凸形状の第1の曲面の数は、4つ以上であることが好ましく、8以上であることがより好ましい。
なお、図8(b)に示す正八角形の例では、配向方向壁面部分35の4つの位置を正八角形の頂点の位置に対応させることができるので、配向方向壁面部分35の位置が正八角形の頂点の位置に来るように、ガラス繊維33,34の配向する2つの配向方向(X方向、Y方向)に対する正八角形の向きが調節される。
しかし、ガラス基板Gの外周側壁面に傷がつくことをより一層防止する点から、配向方向壁面部分35の両側に位置する第1の曲面37、平面38、あるいは、第2の曲面39には、ガラスクロスのガラス繊維33,34の先端がなく、ガラス繊維33,34の先端は、保持穴32の輪郭に対してこの輪郭の外側に位置することが好ましい。配向方向壁面部分35の両側に位置する第1の曲面37、平面38、あるいは、第2の曲面39は、配向方向壁面部分35ではないので、ガラス繊維33,34の先端が第1の曲面37、平面38、あるいは、第2の曲面39上に位置しても、ガラス基板Gの外周側壁面に傷がつき難い。しかし、配向方向壁面部分35においてガラス繊維33,34が樹脂材料から露出していなくても、研磨中、ガラス繊維33,34の周りを囲む樹脂材料は、ガラス基板Gと当接したとき、わずかに圧縮を受けてガラス繊維33,34が樹脂材料から突き出す場合がある。また研磨処理中、上記樹脂材料がガラス基板Gと擦れて樹脂材料が摩耗することにより、ガラス繊維33,34が露出する場合がある。このような場合においても、ガラス基板Gの外周側壁面に傷がつくことを抑制するために、ガラス繊維33,34の先端が、保持穴32の輪郭に対して保持穴32の輪郭の外側に位置することが好ましい。この場合、キャリア30の機械的強度を確保する観点から、ガラス繊維33,34の先端と保持穴32の輪郭との距離は2μm未満であることが好ましい。このように先端が保持穴32の内周壁面36に到達しないガラス繊維33,34は、フッ酸を含むエッチング溶液を用いてキャリア30の第1の曲面37、平面38、あるいは、第2の曲面39に露出したガラス繊維33,34をエッチング処理することにより得られる。すなわち、複数のガラス繊維が2つの配向方向のいずれかを向くよう配されたガラスクロスによって補強され、このガラスクロスに樹脂材料が含浸されてなる樹脂含浸基板に保持穴32を形成し、保持穴32の形成後、この樹脂含浸基板にエッチングを行うことにより作製されること、が好ましい。
また、保持穴32の内周壁面の輪郭に内接する内接円Cの直径は、研磨しようとするガラス基板Gの円板形状と略同等か、それよりやや大きく、ガラス基板Gの円板形状の直径の1.002〜1.031倍であることが、ガラス基板Gの外周側壁面を、配向方向壁面部分35と当接させず、配向方向壁面部分35の両側の壁面において確実に当接させる点で、好ましい。この範囲より小さいと、ガラス基板を保持穴に保持させたり、保持穴からガラス基板を取り外す作業が困難になる場合がある。また、この範囲より大きいと、加工中にガラス基板が勢い良く保持穴の内周壁面に当たりやすくなり、端面傷が出やすくなる場合がある。
このようなキャリア30を、研磨装置、さらには、この研磨装置と略同様の構成をした研削装置に用いて、以下に示すような磁気ディスク用ガラス基板の製造に好適に用いることができる。ガラス基板の研削装置を用いた研削では、研磨に比べて研削後のガラス基板の主表面の粗さRaは大きい。このような研削において、上定盤及び下定盤のそれぞれとガラス基板との間に研削液を供給してガラス基板の主表面を研削してもよい。あるいは、上定盤及び下定盤のそれぞれに固定砥粒を設け、この固定砥粒とガラス基板との間に潤滑液を供給してガラス基板の主表面を研削してもよい。
本実施形態の製造方法では、まず、一対の主表面を有する板状の磁気ディスク用ガラス基板の素材となるガラスブランクの成形処理が行われる。次に、このガラスブランクの粗研削処理が行われる。この後、ガラスブランクに形状加工処理及び端面研磨処理が施される。この後、ガラスブランクから得られたガラス基板に固定砥粒を用いた精研削処理が行われる。この後、第1研磨処理、化学強化処理、及び、第2研磨処理がガラス基板に施される。なお、本実施形態では、上記流れで行うが、上記処理が全てある必要はなく、これらの処理は適宜行われなくてもよい。また、処理の順番は適宜変更することができる。以下、各処理について、説明する。
ガラスブランクの成形では、例えばプレス成形法を用いることができる。プレス成形法により、円形状のガラスブランクを得ることができる。さらに、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法、フロート法などの公知の製造方法を用いて製造することができる。これらの公知の製造方法で作られた板状ガラスブランクに対し、適宜形状加工を行うことによって磁気ディスク用ガラス基板の元となる円板状のガラス基板が得られる。
粗研削では、具体的には、ガラスブランクを、図1,2に示す装置と同様の遊星歯車機構を備える周知の両面研削装置に装着される保持部材(キャリア)に設けられた保持穴内に保持しながらガラスブランクの両側の主表面の研削が行われる。この時、上述のキャリア30を用いることができる。研削剤として、例えば遊離砥粒が用いられる。粗研削では、ガラスブランクが目標とする板厚寸法及び主表面の平坦度に略近づくように研削される。なお、粗研削は、成形されたガラスブランクの寸法精度あるいは表面粗さに応じて行われるものであり、場合によっては行われなくてもよい。
次に、形状加工が行われる。形状加工では、ガラスブランクの成形後、公知の加工方法を用いてガラスブランクの中心に円孔を形成することにより、円孔があいた円板形状のガラス基板を得る。その後、ガラス基板の端面の面取りを実施する。すなわち、(a)〜(c)の加工をガラスブランクに施すことにより、円板形状のガラス基板がつくられる。
次にガラス基板の端面研磨が行われる。端面研磨は、例えば研磨ブラシとガラス基板の端面との間に遊離砥粒を含む研磨液を供給して研磨ブラシとガラス基板とを相対的に移動させることにより研磨を行う処理である。端面研磨では、ガラス基板の内周側壁面及び外周側壁面を研磨対象とし、内周側壁面及び外周側壁面を鏡面状態にする。
次に、ガラス基板の主表面に精研削が施される。精研削では固定砥粒を貼り付けた定盤を用い、図1,2に示した研磨装置と同様の遊星歯車機構の両面研削装置を用いて、ガラス基板の主表面に対して研削を行うことが好ましい。この場合、遊離砥粒と研磨パッドの組み合わせの代わりに、固定砥粒を設けた定盤とクーラントの組み合わせを用いることが好ましい。具体的には、ガラス基板を、両面研削装置の保持部材である上述したキャリア30に設けられた保持穴内に保持しながらガラス基板の両側の主表面の研削を固定砥粒で行う。研削による取代量は、例えば10μm〜200μm程度である。定盤により基板にかける荷重は、100〜250g/cm2であることが好ましい。
本実施形態の精研削では、固定砥粒を含んだ研削面とガラス基板の主表面とを接触させてガラス基板の主表面を研削するが、遊離砥粒を用いた研削を行ってもよい。
次に、ガラス基板の主表面に第1研磨が施される。具体的には、ガラス基板の外周側壁面を、図1、2に示される研磨装置のキャリア30に設けられた保持穴32内に保持しながらガラス基板Gの両側の主表面の研磨が行われる。第1研磨は、遊離砥粒を用いて、定盤に貼り付けられた研磨パッドを用いる。第1研磨は、例えば固定砥粒による研削を行った場合に主表面に残留したクラックや歪みの除去をする。第1研磨では、主表面端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面の表面粗さ、例えば算術平均粗さRaを低減することができる。そして、主表面は鏡面となる。
第1研磨に用いる遊離砥粒は特に制限されないが、例えば、酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒などが用いられる。
研磨パッドの種類は特に制限されないが、例えば、硬質発泡ウレタン樹脂ポリッシャが用いられる。
ガラス基板は公知の方法を用いて適宜化学強化することができる。化学強化を行うタイミングは、適宜決定することができる。化学強化は、必要に応じて行われればよく、行われなくてもよい。
次に、化学強化後のガラス基板に第2研磨が施される。第2研磨は、主表面のさらなる低粗さ化、低うねり化を目的とする。第2研磨においても、第1研磨に用いる両面研磨装置と同様の構成を有する遊星歯車機構の両面研磨装置が用いられる。具体的には、ガラス基板の外周側壁面を、図1〜3に示される研磨装置のキャリア30に設けられた保持穴32内に保持しながらガラス基板Gの両側の主表面の研磨が行われる。こうすることで主表面の端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面の粗さを低減することができる。第2研磨では第1研磨と比べて、遊離砥粒の種類、粒子サイズ、及び、研磨パッドの樹脂ポリッシャの硬度が異なる。
第2研磨は、必ずしも必須ではないが、ガラス基板の主表面の表面凹凸のレベルをさらに良好なものとすることができる点で実施することが好ましい。このようにして、第2研磨の施されたガラス基板は磁気ディスク用ガラス基板となる。
次に、第2の実施形態の研磨処理用キャリア、研磨処理用キャリアの製造方法、および磁気ディスク用基板の製造方法について詳細に説明する。
図10に、本実施形態のキャリア1を示す。
キャリア1は、後述する研削処理(粗研削処理及び精研削処理)および研磨処理(第1研磨処理、第2研磨処理)において、研削対象または研磨対象であるガラス基板を保持するものである。なお、本実施形態において、単に研磨処理という場合は、研削処理も含む概念として理解される。キャリア1は、ガラス基板を保持するための複数の保持穴3を有する。
ガラスクロスは、特に制限されることなく公知のものを用いることができ、例えば、ガラス繊維の束であるガラスヤーンを複数用いて平織したものが用いられる。平織されたガラスクロスでは、複数のガラスヤーンが互いに直交する2つの配向方向を向いている。なお、本実施形態において、直交するという場合には、2つの配向方向が90°をなす場合のほか、略90°(例えば、70〜110°、78.75〜101.25°、80〜100°)をなしている場合も含まれる。また、2つの配向方向は、互いに直交する配向方向であってもよく、互いに直交しない配向方向(例えば互いに60°または120°をなす方向)であってもよい。ガラス繊維の材質には、特に制限されないが、例えばアルミノシリケートガラスが用いられる。
本実施形態では、第1の補強領域11および第2の補強領域13は、環状の領域7に、2つずつ含まれているが、第1の補強領域および第2の補強領域の数は、2つの配向方向のなす角度によって、定められる。なお、1つの環状の領域7に含まれる第1の補強領域11および第2の補強領域13を除く環状の領域7の部分15は、環状の領域7の外側のキャリア3の部分と同じく、第1のガラスヤーンおよび第2のガラスヤーンの両方によって補強されている。
本実施形態において、内壁部が配向方向に面するとは、内壁部が配向方向を向いていること、言い換えると、内壁部の法線方向が配向方向を向いていること、あるいは、キャリアの製造過程において、板材の内壁部から繊維が垂直方向を向いて露出していることまたは垂直方向に突出し(飛び出し)ていることをいう。ここでいう垂直方向とは、内壁部の法線方向に対してキャリアの平面方向において±20°(例えば、±11.25°、±10°)の範囲の方向をいう。内壁部が配向方向に面するという場合には、配向方向と交差する内壁部の位置における内壁部の接線方向が、当該配向方向(中心線)と直交している場合のほか、当該直交する方向を中心とする±20°(例えば±11.25°)の角度範囲にわたる配向方向と交差している場合も含まれる。言い換えると、配向方向と交差する内壁部の位置における内壁部の法線方向が、当該配向方向と一致している場合のほか、当該配向方向を中心とする上記角度範囲にわたる配向方向と一致している場合も含まれる。また、内壁部が面するガラス繊維の配向方向は、内壁部の接線方向に対してガラス繊維が略垂直に突き出す方向を意味する。
キャリア1において、第1の補強領域11および第2の補強領域13は、キャリア1に含まれる全ての保持穴3の内壁面5に設けられていなくてもよく、一部の保持穴3の内壁面5に設けられてもよい。この場合、第1の補強領域11および第2の補強領域13が設けられた保持穴3にだけガラス基板を保持させて研磨処理を行うことができる。
次に、研磨処理用キャリアの製造方法について説明する。
本実施形態の研磨処理用キャリアの製造方法は、切削処理(第1のステップ)と、エッチング処理(第2のステップ)とを備える。
切削処理では、上記樹脂含浸基板に保持穴3を形成する。具体的には、エンドミルにより樹脂含浸基板を切削加工し、図10に示すようなキャリアの外周形状および保持穴を作成する。図11は、図10に示すキャリアを、保持穴の1つに注目して示す斜視図である。なお、図10において、キャリアの外形形状は、説明の便宜のため、図11とは異なる形態で示している。このとき、樹脂含浸基板において、ガラスクロスのガラス繊維が、キャリアの外周形状、保持穴に沿って切断される。切削処理では、エッチング処理において複数の樹脂含浸基板を重ねて配置した場合に、後述するマスキング材を設けることやエッチング剤の塗布を容易に行える理由から、樹脂含浸基板の間でガラス繊維の配向方向が一致するよう、保持穴3を形成することが好ましい。例えば、配向方向を揃えて樹脂含浸基板(板材)を重ねた後、保持穴が複数の樹脂含浸基板に亘って貫通するように形成すればよい。こうすることで生産性も向上できる。切削処理の後、バリ取り加工を行ってもよい。
エッチング処理は、浸漬により行うことに制限されず、例えば、樹脂含浸材料にエッチング剤を塗布してエッチングを行ってもよい。塗布は、刷毛等の塗布手段を用いて行ってもよく、スプレーによる噴霧等によって行ってもよい。この場合のエッチング剤としては、例えば、フッ酸、フッ化水素アンモニウム、またはフッ化水素ナトリウム等の水溶液が用いられる。エッチング剤の濃度や、塗布後の樹脂含浸材料の放置時間は、適宜定めればよいが、上述の保持穴の内壁面の強度維持の観点から、例えば、エッチング剤の濃度は0.1〜20wt%とすることが好ましい。また、塗布後の放置時間は60分未満とすることが好ましい。
エッチング処理は、上記した浸漬、塗布のほか、シャワリング等によって行ってもよい。
複数の樹脂含浸基板(第1の板材および第2の板材)を重ねて配置する際は、樹脂含浸基板の間でガラス繊維の配向方向を一致させることが好ましい。複数の樹脂含浸基板の間で、ガラス繊維の配向方向に対する保持穴3の形成位置が同様である場合は、積層した状態での、上記したマスキング材を設けること、およびエッチング剤の塗布を簡単に行える。
また、以上説明した研磨処理用キャリアあるいは研磨処理用キャリアの製造方法により製造されたキャリアは、研磨処理のみでなく、研削処理に用いられてもよい。例えば、後述する磁気ディスク用基板の製造方法において、粗研削、精研削、第1研磨、第2研磨等、遊星歯車運動によって主表面を研削または研磨する処理の全てにおいて用いることができる。
次に、本実施形態の磁気ディスク用基板の製造方法について説明する。
本製造方法は、上記説明した研磨処理用キャリアあるいは研磨処理用キャリアの製造方法により製造された研磨処理用キャリアにガラス基板を保持させた状態で、基板の主表面を研磨する研磨処理を有する。以下の説明において、キャリアという場合は、上記説明した研磨処理用キャリアあるいは研磨処理用キャリアの製造方法により製造されたキャリアを指す。
成形処理では、例えばプレス成形法を用いて成形を行う。プレス成形法により、円板状のガラスブランクを得ることができる。プレス法に代えて、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の成形方法を用いて、ガラスブランクを製造してもよい。これらの方法で作られた板状ガラスブランクに対し、後述する形状加工処理を適宜施すことによって、磁気ディスク用ガラス基板の元となる円板状のガラス基板が得られる。
次に、粗研削処理が行われる。粗研削処理では、上記ガラスブランクを、両面研削装置のキャリアに保持させながら、ガラスブランクの両側の主表面の研削を行う。具体的には、ガラスブランクを、キャリアに設けられた保持穴に保持させるとともに、上定盤と下定盤の間に挟持し、研削剤を含む研削液を供給しつつ、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させることで、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させて、ガラス基板の両主表面を研削する。研削剤として、例えば遊離砥粒が用いられる。粗研削処理では、ガラスブランクが目標とする板厚寸法及び主表面の平坦度に略近づくように研削される。なお、粗研削処理は、成形されたガラスブランクの寸法精度あるいは表面粗さに応じて行われるが、適宜省略できる。
次に、形状加工処理が行われる。形状加工処理では、ガラスブランクに、公知の加工方法を用いて円孔を形成することにより、円孔を有する円板状のガラス基板を得る。その後、ガラス基板の端面の面取りを行う。面取りは、ガラス基板の内周側および外周側の両方の端面に対して行われる。面取りが行われることで、ガラス基板の端面には、主表面と直交する側壁面と、側壁面と主表面を繋ぐ面取り面(介在面)とが形成される。
次に、ガラス基板の端面研磨処理が行われる。端面研磨処理では、研磨ブラシとガラス基板の端面との間に遊離砥粒を含む研磨液を供給して、研磨ブラシとガラス基板とをガラス基板の厚み方向に相対的に移動させることにより研磨を行う。端面研磨処理によって、ガラス基板の内周側及び外周側の端面が研磨され、鏡面状態にされる。
次に、ガラス基板の主表面に精研削処理が施される。精研削処理では、定盤に固定砥粒を貼り付けた両面研削装置を用いて、ガラス基板の主表面に対して研削を行うことが好ましい。具体的には、上記遊離砥粒の代わりに固定砥粒を用いて研削を行う点以外は、上記粗研削処理とほぼ同様にガラス基板の両主表面を研削する。ガラス基板は、上記実施形態のキャリアに保持されて、両面研削装置内で遊星歯車運動されながら研削される。このキャリアには、ガラス繊維の配向方向に面する内壁部の近傍では、当該配向方向を向くガラス繊維が存在しないため、精研削処理においてガラス基板の端面に傷が発生することが防止される。また、当該キャリアは、当該ガラス繊維と異なる配向方向のガラス繊維によって補強されているため、保持穴の内壁面近傍の強度が確保されており、これにより樹脂材料に由来するコンタミネーションの発生が抑えられている。精研削処理では、固定砥粒が貼り付けられた定盤の研削面とガラス基板の主表面とを接触させてガラス基板の主表面を研削するが、これに代えて、遊離砥粒を用いた研削を行ってもよい。
次に、ガラス基板の主表面に第1研磨処理が施される。第1研磨処理は、周知の両面研磨装置を用いて、ガラス基板を、キャリアに保持させてガラス基板の両側の主表面の研磨を行う。第1研磨処理では、遊離砥粒を用いて、定盤に貼り付けられた研磨パッドをガラス基板の主表面と接触させて研磨を行う。遊離砥粒は特に限定されないが、例えば、酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒などが用いられる。第1研磨処理では、例えば固定砥粒による研削を行った場合に主表面に残留するクラックや歪みの除去、あるいは、結晶化処理により主表面に生じた微小な表面凹凸の除去をする。取代量を適宜調整することで、主表面の端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面の表面粗さ、例えば算術平均粗さRaを低減することができる。
次に、第2研磨処理が施される。第2研磨処理は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第2研磨処理は、第1研磨処理で用いたのと同様の両面研磨装置及び研磨方法を用いてよいが、第1研磨処理で用いた研磨砥粒よりも研磨砥粒のサイズを小さくすることが好ましい。これにより、主表面の端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面の粗さを低減することができる。
第1の壁部の仕様が下記の通りであることを除いて、第1の実施形態で説明した仕様を共通して有するキャリアを作製した(実施例1〜4、比較例1,2)。
実施例1:図4に示されるように、1つの保持穴に凸形状の第1の曲面(ノッチ)を8個含むもの
実施例2:1つの保持穴にノッチを6個含むもの
実施例3:図6(a)に示されるように、1つの保持穴にノッチを10個含むもの
実施例4:図8(b)に示されるように、1つの保持穴に平面を8個含むもの
比較例1:第1の壁部を有しないもの(エッチング処理を行うことなく単純な円形の保持穴を作製したもの)
比較例2:比較例1において、保持穴となる部分の板材を全周にわたってエッチング処理することによって、保持穴の全周にわたってガラス繊維が存在しないもの
実施例1〜3のノッチに関しては、最大突き出し量を2mm、曲率半径Rを30mmとし、実施例4の平面の最大突き出し量(配向方向壁面部分の壁面部分が一部をなす仮想円から当該仮想円の中心方向への仮想円の半径方向における突き出し量)を2mmとした。比較例2のエッチング処理は、後述する比較例5と同様に行った。
実施例1〜4、比較例1,2のキャリアを用いて、遊星歯車機構を備える両面研磨装置を用い、基板への荷重100g/cm2、定盤回転数25rpm、研磨時間60分の研磨条件にて、ガラス基板に対し上記第1の実施形態の第2研磨処理を行ったこと以外については上記第1の実施形態に基づいて磁気ディスク用ガラス基板を製造した。ガラス基板には、外径2.5インチのアルミノシリケートガラス基板を用い、最終的な板厚が0.653mmとなるようにした。
第2研磨処理を行った後、洗浄、乾燥後、レーザー式の表面検査装置を用いてガラス基板の主表面の欠陥を検出し、そこからランダムに選んだ基板1枚あたり20個の欠陥について、さらにSEM観察と元素分析を実施して、樹脂系異物の数(欠陥数)を計測した。樹脂異物の数が基板1枚あたり1個以下であれば実用上問題はないと考えられる。また、端面の側壁面の傷(凹欠陥)について、暗幕中で集光ランプを用いて目視及び顕微鏡による観察を行なった。端面の傷が存在する場合、1mm以下程度の一定間隔で全周に亘る輝点の連続のように観察される。結果を表1に示す。
また、側壁面の目視観察の結果、キャリアとの擦れに起因すると思われる傷は、比較例1を除いて、いずれのガラス基板においても認められなかった。
次に、実施例1〜4および比較例1,2のキャリアを用いて、遊星歯車機構を備える両面研削装置を用いて精研削を実施した他は上記第1の実施形態に基づいて磁気ディスク用ガラス基板を製造した。定盤には固定砥粒の研削パッドを貼り付けたものを用い、基板への荷重150g/cm2、定盤回転数25rpm、加工時間60分の条件にてキャリアは取り替えずに基板は新しいものに取り替えながら100バッチ行い(それぞれ実施例5〜8および比較例3,4)、1バッチ目と100バッチ目のガラス基板について洗浄後に側壁面の傷の調査を行った。なお、1バッチで100枚の加工を行い、1バッチでは20枚保持可能なキャリアを5つ使用したので、各実験例毎に合計10000枚のガラス基板が製造された。
エポキシ樹脂を、平織りされたガラスクロスに含浸させ、乾燥、硬化して得られる0.1mmのプリプレグを、ガラス繊維の配向方向を一致させるよう5枚積層し、圧着して得られる0.5mmの厚みの樹脂含浸基板を用意した。この樹脂含浸基板をエンドミルを用いて切削加工し、バリ取り加工した後、図10に示すような形状とした。切削加工した樹脂含浸基板の保持穴内壁面の第1の補強領域11及び第2の補強領域13となる周方向領域の部分が、いずれか1つの補強領域を基準にして、保持穴3の中心周りに0°、90°、180°、270°をなす周方向位置を含むそれぞれ±11.25°の範囲の領域に形成されるよう、濃度20%のフッ化水素アンモニウムと粘度調整用にグリセリンを配合した液(エッチング剤)を塗布し、10分放置することにより、塗布部分のみガラスのエッチング処理を行った。エッチング処理後は、樹脂含浸基板を水で洗浄して、キャリアを得た(実施例9)。また、塗布後の放置時間(エッチング時間)を20分とした点を除いて、実施例9と同様に、キャリアを作製した(実施例10)。
(比較例)
一方、エッチング処理において、切削加工した樹脂含浸基板を、濃度1.3%のフッ酸および濃度2.6%の硫酸からなるエッチング剤に15分間浸漬した点を除いて実施例9と同様にして、キャリアを得た(比較例5)。また、保持穴内壁面の周方向の全ての領域にエッチング剤を塗布した他は実施例9と同様にして、キャリアを得た(比較例6)。
実施例9および比較例5,6のキャリアの保持穴の内壁面を、光学顕微鏡及びレーザー顕微鏡を用いて観察したところ、実施例9のキャリアの環状の領域には、内壁面に周方向に略90°間隔で、第1のガラス繊維のみが除去され第2のガラス繊維が残存する領域と、第2のガラス繊維のみが除去され第1のガラス繊維が残存する領域と、が周方向に互いに離間して交互に形成されていた。一方、比較例5,6のキャリアの環状の領域には、第1のガラス繊維および第2のガラス繊維のいずれも除去された領域が、全周に亘って形成されていた。
実施例9、10および比較例5,6のキャリアを用いて、遊星歯車機構を備える両面研磨装置を用い、基板への荷重100g/cm2、定盤回転数25rpm、研磨時間60分の研磨条件にて、ガラス基板に対し上記第2の実施形態の第2研磨処理を行ったこと以外については上記第2の実施形態に基づいて磁気ディスク用ガラス基板を製造した。ガラス基板には、外径2.5インチのアルミノシリケートガラス基板を用い、最終的な板厚が0.653mmとなるようにした。
第2研磨処理を行った後、洗浄、乾燥後、レーザー式の表面検査装置を用いてガラス基板の主表面の欠陥を検出し、そこからランダムに選んだ基板1枚あたり20個の欠陥について、さらにSEM観察と元素分析を実施して、樹脂系異物の数(欠陥数)を計測した。樹脂異物の数が基板1枚あたり1個以下であれば実用上問題はないと考えられる。また、端面の側壁面の傷(凹欠陥)について、暗幕中で集光ランプを用いて目視及び顕微鏡による観察を行なった。端面の傷が存在する場合、1mm以下程度の一定間隔で全周に亘る輝点の連続のように観察される。結果を表3に示す。
また、側壁面の目視観察の結果、キャリアとの擦れに起因すると思われる傷はいずれのガラス基板においても認められなかったが、レーザー式の表面検査装置を用いて側壁面を観察した結果、実施例9、10のキャリアを用いて研磨処理を行った場合は、側壁面に傷が見られなかったのに対し、比較例5,6のキャリアを用いて研磨処理を行った場合は、側壁面に傷が確認された。
なお、実施例10のキャリアを、レーザー顕微鏡を用いて、第1の補強領域および第2の補強領域を観察した結果、それぞれ第1のガラス繊維、第2のガラス繊維も一部がエッチングされていた。なお、実施例10のキャリアを用いて上記条件で研磨処理を行ったところ、側壁面および主表面における欠陥数は少なく、ガラス基板への悪影響が回避できることが分かった。
次に、実施例9,10および比較例5,6のキャリアを用いて、遊星歯車機構を備える両面研削装置を用いて精研削を実施した他は上記第2の実施形態に基づいて磁気ディスク用ガラス基板を製造した。定盤には固定砥粒の研削パッドを貼り付けたものを用い、基板への荷重150g/cm2、定盤回転数25rpm、加工時間60分の条件にてキャリアは取り替えずに基板は新しいものに取り替えながら100バッチ行い(それぞれ実施例11,12および比較例7,8)、1バッチ目と100バッチ目のガラス基板について洗浄後に側壁面の傷の調査を行った。なお、1バッチで100枚の加工を行い、1バッチでは20枚保持可能なキャリアを5つ使用したので、各実験例毎に合計10000枚のガラス基板が製造された。
ガラス基板の主表面のレーザー顕微鏡による評価は、基板表面の粗さが大きく、困難だったため実施しなかった。なお、加工荷重が高いため、比較例7,8における側壁面の傷は、比較例5,6よりもはっきりと観察された。
3,32 保持穴
5,36 内壁面(内周壁面)
5a 第1の内壁面
5b 第2の内壁面
7 環状の領域
10 研磨パッド
11 第1の補強領域
13 第2の補強領域
15 環状の領域の他の部分
21 第1のガラス繊維
23 第2のガラス繊維
31 歯部
33,34 ガラス繊維
35 配向方向壁面部分
37 第1の曲面
38 平面
39 第2の曲面
40 上定盤
60 下定盤
61 太陽歯車
62 内歯車
71 供給タンク
72 配管
Claims (11)
- 研削又は研磨処理用キャリアであって、
少なくとも一方向に配向した繊維と樹脂材料とを含む複合材料から形成され、円板状の基板を上定盤及び下定盤で挟んで前記基板の一対の主表面を研削又は研磨処理する際に前記基板を保持するための保持穴を有し、
前記保持穴は、前記保持穴の内周壁面の周上に、前記保持穴に前記基板が保持された状態で前記基板と当接する複数の壁部と、当該基板と当接しない複数の壁部と、を有し、
前記基板と当接する壁部において、前記基板と当接する壁部に内接する内接円の接線に対して直交する法線方向と、前記一方向を含む前記繊維の配向方向とが一致しておらず、
前記基板と当接しない壁部のうち少なくとも一部の壁部において、当該壁部をなす前記内周壁面の部分の法線方向と前記配向方向とが一致している、ことを特徴とする研削又は研磨処理用キャリア。 - 前記基板と当接しない壁部は、前記基板と当接する壁部よりも、前記保持穴の半径方向の外側に位置している、請求項1に記載の研削又は研磨処理用キャリア。
- 前記基板と当接する壁部は、前記保持穴の半径方向の内側に向く凸形状の第1の曲面、平面、あるいは、前記基板と当接する壁部に内接する内接円の曲率半径よりも大きな曲率半径を有する前記保持穴の半径方向の外側に対して凸形状の第2の曲面、であり、前記基板の外周側壁面は、前記第1の曲面、前記平面、あるいは、前記第2の曲面と当接する、請求項2に記載の研削又は研磨処理用キャリア。
- 前記第1の曲面、前記平面、あるいは、前記第2の曲面は、前記保持穴の周上に4箇所以上設けられている、請求項3に記載の研削又は研磨処理用キャリア。
- 前記基板と当接する壁部に内接する内接円の直径は、前記基板の円板形状の直径より大きい、請求項2〜4のいずれか1項に記載の研削又は研磨処理用キャリア。
- 前記内接円の直径は、前記基板の円板形状の直径の1.002〜1.031倍である、請求項5に記載の研削又は研磨処理用キャリア。
- 磁気ディスク用基板の製造方法であって、
円板形状の基板をつくるステップと、
請求項2〜6のいずれか1項に記載の研削又は研磨処理用キャリアに設けられた保持穴に基板を保持した状態で前記基板を上定盤と下定盤とで挟み、前記基板と前記上定盤及び前記下定盤とを相対的に移動させることで、前記基板の主表面に研削又は研磨処理を行うステップと、含むことを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。 - 前記研削又は研磨処理中、前記基板の外周側壁面が、前記基板と当接しない壁部と当接せず、前記基板と当接しない壁部の両側において当接する、請求項7に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
- 前記研削又は研磨処理用キャリアは、少なくとも一方向に配向したガラス繊維と樹脂材料とを含む複合材料からなる板材に保持穴を形成し、前記保持穴の形成後、前記板材にエッチングを行うことにより、作製される、請求項7または8に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
- 円板状の基板を上定盤および下定盤で挟んで前記基板の主表面を研削又は研磨処理する際に前記基板を保持するための保持穴を有する研削又は研磨処理用キャリアの製造方法であって、
少なくとも一方向に配向したガラス繊維と樹脂材料とを含む複合材料からなる板材に、前記基板が保持された状態で前記基板と当接する複数の壁部と、当該基板と当接しない複数の壁部と、を有するように前記保持穴を形成する第1のステップと、
前記保持穴が形成された板材の少なくとも前記基板と当接する壁部にエッチングを行う第2のステップと、を備え、
前記第1のステップでは、前記基板と当接する壁部において、前記基板と当接する壁部に内接する内接円の接線に対して直交する法線方向と、前記一方向を含む前記ガラス繊維の配向方向とが一致せず、かつ、前記基板と当接しない壁部のうち少なくとも一部の壁部において、当該壁部をなす前記内周壁面の部分の法線方向と前記配向方向とが一致するように前記保持穴を形成することを特徴とする研削又は研磨処理用キャリアの製造方法。 - 磁気ディスク用基板の製造方法であって、
請求項10に記載の研削又は研磨処理用キャリアの製造方法により製造された研削又は研磨処理用キャリアに基板を保持させた状態で、前記基板の主表面を研削又は研磨する研削又は研磨処理を有することを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013248263 | 2013-11-29 | ||
JP2013248291 | 2013-11-29 | ||
JP2013248263 | 2013-11-29 | ||
JP2013248291 | 2013-11-29 | ||
PCT/JP2014/081800 WO2015080295A1 (ja) | 2013-11-29 | 2014-12-01 | 研磨処理用キャリア、研磨処理用キャリアの製造方法、及び磁気ディスク用基板の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018131797A Division JP6577636B2 (ja) | 2013-11-29 | 2018-07-11 | 研磨又は研削処理用キャリアの製造方法、研磨又は研削処理用キャリア、及び基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015080295A1 JPWO2015080295A1 (ja) | 2017-03-16 |
JP6371310B2 true JP6371310B2 (ja) | 2018-08-08 |
Family
ID=53199229
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015551038A Active JP6371310B2 (ja) | 2013-11-29 | 2014-12-01 | 研削又は研磨処理用キャリア、研削又は研磨処理用キャリアの製造方法、及び磁気ディスク用基板の製造方法 |
JP2018131797A Active JP6577636B2 (ja) | 2013-11-29 | 2018-07-11 | 研磨又は研削処理用キャリアの製造方法、研磨又は研削処理用キャリア、及び基板の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018131797A Active JP6577636B2 (ja) | 2013-11-29 | 2018-07-11 | 研磨又は研削処理用キャリアの製造方法、研磨又は研削処理用キャリア、及び基板の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6371310B2 (ja) |
CN (2) | CN108857869B (ja) |
SG (1) | SG11201604185PA (ja) |
WO (1) | WO2015080295A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6792106B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2020-11-25 | スピードファム株式会社 | ワークキャリア及びワークキャリアの製造方法 |
WO2020198761A1 (en) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | Hoya Corporation | Method for producing substrate, method for producing magnetic disk, and polishing apparatus |
EP4040469A4 (en) * | 2019-10-01 | 2023-11-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | HOLDING TOOL AND MANUFACTURING METHOD |
JP7444050B2 (ja) * | 2020-12-24 | 2024-03-06 | 株式会社Sumco | 両面研磨用キャリア及びウェーハの研磨方法 |
KR102434418B1 (ko) * | 2022-03-10 | 2022-08-22 | (주)뉴이스트 | 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63221968A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-14 | Fujitsu Ltd | キヤリア |
JPH11309665A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-09 | Toshiba Corp | 酸化物単結晶基板の製造方法 |
JP2000301451A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-10-31 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 研磨機用キャリア及びその製造方法 |
JP2001138221A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウエハラッピング用キャリア |
JP3439726B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2003-08-25 | 住友ベークライト株式会社 | 被研磨物保持材及びその製造方法 |
US6454635B1 (en) * | 2000-08-08 | 2002-09-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for a wafer carrier having an insert |
JP2002326156A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-12 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ガラス基板研磨用キャリア及びガラス基板研磨装置 |
JP2004303280A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Hoya Corp | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
JP2008000823A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Konica Minolta Opto Inc | 研磨キャリア |
JP2008044083A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Kyocera Chemical Corp | 研磨用保持材 |
DE102009015878A1 (de) * | 2009-04-01 | 2010-10-07 | Peter Wolters Gmbh | Verfahren zum materialabtragenden Bearbeiten von flachen Werkstücken |
JP5741157B2 (ja) * | 2011-04-07 | 2015-07-01 | 旭硝子株式会社 | 研磨用キャリア及び該キャリアを用いたガラス基板の研磨方法及びガラス基板の製造方法 |
-
2014
- 2014-12-01 WO PCT/JP2014/081800 patent/WO2015080295A1/ja active Application Filing
- 2014-12-01 JP JP2015551038A patent/JP6371310B2/ja active Active
- 2014-12-01 CN CN201810660620.6A patent/CN108857869B/zh active Active
- 2014-12-01 SG SG11201604185PA patent/SG11201604185PA/en unknown
- 2014-12-01 CN CN201480064905.3A patent/CN105792988B/zh active Active
-
2018
- 2018-07-11 JP JP2018131797A patent/JP6577636B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105792988A (zh) | 2016-07-20 |
JPWO2015080295A1 (ja) | 2017-03-16 |
WO2015080295A1 (ja) | 2015-06-04 |
SG11201604185PA (en) | 2016-07-28 |
JP2018196926A (ja) | 2018-12-13 |
JP6577636B2 (ja) | 2019-09-18 |
CN105792988B (zh) | 2018-07-20 |
CN108857869A (zh) | 2018-11-23 |
CN108857869B (zh) | 2021-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6577636B2 (ja) | 研磨又は研削処理用キャリアの製造方法、研磨又は研削処理用キャリア、及び基板の製造方法 | |
US20100247977A1 (en) | Subastrate for a magnetic disk and method of manufacturing the same | |
JP5741157B2 (ja) | 研磨用キャリア及び該キャリアを用いたガラス基板の研磨方法及びガラス基板の製造方法 | |
JP6280355B2 (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法及び研磨処理用キャリア | |
JP2006324006A (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体用ガラス基板 | |
US20100247978A1 (en) | Method of manufacturing a substrate for a magnetic disk | |
WO2013046583A1 (ja) | Hdd用ガラス基板、hdd用ガラス基板の製造方法及びhdd用情報記録媒体の製造方法 | |
JP2015069674A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び研磨処理用キャリア | |
JP6177603B2 (ja) | 研削/研磨用キャリア及び基板の製造方法 | |
WO2021193970A1 (ja) | キャリア及び基板の製造方法 | |
CN112091811B (zh) | 载体及使用该载体的基板的制造方法 | |
JP5102261B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 | |
JP6152340B2 (ja) | 円板形状の基板の製造方法、及び研削又は研磨用キャリア | |
JP4723341B2 (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板および磁気ディスクの製造方法 | |
JP6063044B2 (ja) | キャリア、磁気ディスク用基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 | |
JP2015181082A (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板 | |
JP6208565B2 (ja) | 研磨用キャリアの製造方法、磁気ディスク用基板の製造方法、および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
WO2014189039A1 (ja) | 半導体ウエハ保持用冶具、半導体ウエハ研磨装置、及びワーク保持用冶具 | |
JP6199047B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
JP2010231841A (ja) | ガラス基板の製造方法、ガラス基板及び磁気記録媒体 | |
WO2012132073A1 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体 | |
JP2014180709A (ja) | 回転砥石及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
JP6088534B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、情報記録媒体の製造方法、および、円盤状のガラス基板 | |
JP5864823B2 (ja) | 半導体ウエハ保持用冶具、半導体ウエハ研磨装置、及びワーク保持用冶具 | |
JP2013218761A (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板の保持治具、磁気記録媒体用ガラス基板の加工装置、及び、磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171102 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180312 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180612 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180712 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6371310 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |