JP6354345B2 - 耐圧測定方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
次に、本発明の実施形態の具体例を、図面を参照しつつ説明する。
1A 洗浄部
1B 蒸気発生部
1C 蒸気洗浄部
1D 乾燥部
2 トレー
3 ステージ
4 プローブ
4A,4B 針
5 ヒータ
6,7 冷却コイル
8 洗浄容器
8A 底部
8B 開口部
10 半導体基板
10A 表面
10B 裏面
11 半導体素子
12 半導体チップ
20 ソースパッド電極
21 ゲートパッド電極
22 ドレイン電極
30 高沸点フッ素系不活性液体
31,32 低沸点フッ素系不活性液体
33 蒸気
40 異物
DL ダイシングライン
L1 直径
L2,L3 長さ
Claims (9)
- 沸点が90℃以上である高沸点フッ素系不活性液体により、半導体基板に形成された半導体素子の表面が覆われた状態において、前記半導体素子の耐圧を測定する工程と、
前記半導体素子の前記耐圧が測定された前記半導体基板を、沸点が80℃以下である低沸点フッ素系不活性液体により洗浄する工程とを備え、
前記低沸点フッ素系不活性液体の蒸気圧は、2.5×10 -2 MPa以上である、耐圧測定方法。 - 前記低沸点フッ素系不活性液体の前記沸点は65℃以下である、請求項1に記載の耐圧測定方法。
- 前記洗浄する工程は、前記低沸点フッ素系不活性液体中に浸漬された状態において前記半導体基板を洗浄する浸漬洗浄工程を含む、請求項1または請求項2に記載の耐圧測定方法。
- 前記浸漬洗浄工程において前記半導体基板が浸漬される前記低沸点フッ素系不活性液体の温度は、40℃以下に維持される、請求項3に記載の耐圧測定方法。
- 前記洗浄する工程は、前記浸漬洗浄工程に加えて、前記低沸点フッ素系不活性液体が蒸発して発生した蒸気により前記半導体基板を洗浄する蒸気洗浄工程をさらに含む、請求項3または請求項4に記載の耐圧測定方法。
- 前記蒸気洗浄工程では、前記浸漬洗浄工程で使用される前記低沸点フッ素系不活性液体が蒸発して発生した前記蒸気により前記半導体基板が洗浄される、請求項5に記載の耐圧測定方法。
- 前記半導体基板の直径は、150mm以上である、請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の耐圧測定方法。
- 前記半導体素子は、一辺の長さが10mm以下の四角形状を有する複数の半導体チップを含む、請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の耐圧測定方法。
- 半導体素子が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体素子の耐圧を測定する工程とを備え、
前記半導体素子の前記耐圧を測定する工程では、請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の耐圧測定方法が実施されることにより、前記半導体素子の前記耐圧が測定される、半導体装置の製造方法。
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