JPH06120315A - 半導体装置の試験方法 - Google Patents
半導体装置の試験方法Info
- Publication number
- JPH06120315A JPH06120315A JP4266409A JP26640992A JPH06120315A JP H06120315 A JPH06120315 A JP H06120315A JP 4266409 A JP4266409 A JP 4266409A JP 26640992 A JP26640992 A JP 26640992A JP H06120315 A JPH06120315 A JP H06120315A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- solution
- insulating
- breakdown strength
- chip
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置、特に、高耐電圧半導体装置（ウ
ェーハまたはチップ）の耐電圧測定試験方法に関し、絶
縁性樹脂膜を塗布したりすることなく、高耐電圧半導体
装置の耐電圧測定試験をすることができる半導体装置の
試験方法を提供することを目的とする。 【構成】 半導体装置を絶縁性のフロロカーボン溶液中
に浸漬して耐電圧測定を実施するようにする。
ェーハまたはチップ）の耐電圧測定試験方法に関し、絶
縁性樹脂膜を塗布したりすることなく、高耐電圧半導体
装置の耐電圧測定試験をすることができる半導体装置の
試験方法を提供することを目的とする。 【構成】 半導体装置を絶縁性のフロロカーボン溶液中
に浸漬して耐電圧測定を実施するようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特に、高
耐電圧半導体装置（ウェーハまたはチップ）の耐電圧測
定試験方法に関する。
耐電圧半導体装置（ウェーハまたはチップ）の耐電圧測
定試験方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータ等に代表される大型システ
ムの電源用に高い耐電圧特性を有する半導体装置が要求
されており、数１００Ｖ〜数１０００Ｖと言う高い耐電
圧特性を有する半導体装置が提供されている。
ムの電源用に高い耐電圧特性を有する半導体装置が要求
されており、数１００Ｖ〜数１０００Ｖと言う高い耐電
圧特性を有する半導体装置が提供されている。
【０００３】半導体素子の形成されているウェーハまた
はチップについて耐電圧測定試験を実施する場合に、試
験電圧が高いとウェーハまたはチップの表面の電極間で
放電して半導体素子が短絡破壊すると言う問題が発生す
る。そこで、ウェーハまたはチップ表面に絶縁性樹脂膜
を均一に形成し、電極間で放電が起きないようにして耐
電圧測定を実施している。
はチップについて耐電圧測定試験を実施する場合に、試
験電圧が高いとウェーハまたはチップの表面の電極間で
放電して半導体素子が短絡破壊すると言う問題が発生す
る。そこで、ウェーハまたはチップ表面に絶縁性樹脂膜
を均一に形成し、電極間で放電が起きないようにして耐
電圧測定を実施している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置の耐電圧測
定を実施する場合に、前処理として半導体装置表面に絶
縁性樹脂膜を形成する工程が必要であり、また、測定後
の後処理として絶縁性樹脂膜の除去工程が必要である。
また、絶縁性樹脂膜を均一に形成するためのスピンコー
ト装置等も必要になり、経済的負担が大きいと言う問題
がある。
定を実施する場合に、前処理として半導体装置表面に絶
縁性樹脂膜を形成する工程が必要であり、また、測定後
の後処理として絶縁性樹脂膜の除去工程が必要である。
また、絶縁性樹脂膜を均一に形成するためのスピンコー
ト装置等も必要になり、経済的負担が大きいと言う問題
がある。
【０００５】なお、絶縁性樹脂膜の除去工程を省略する
と、樹脂に含まれるイオンが温度・湿度の影響により活
性化することによって、リーク電流が増大する等の特性
劣化が発生すると言う問題がある。
と、樹脂に含まれるイオンが温度・湿度の影響により活
性化することによって、リーク電流が増大する等の特性
劣化が発生すると言う問題がある。
【０００６】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、絶縁性樹脂膜を塗布したりすることなく、高耐
電圧半導体装置の耐電圧測定試験をすることができる半
導体装置の試験方法を提供することにある。
にあり、絶縁性樹脂膜を塗布したりすることなく、高耐
電圧半導体装置の耐電圧測定試験をすることができる半
導体装置の試験方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、半導体装
置を絶縁性のフロロカーボン溶液中に浸漬して耐電圧測
定をなす半導体装置の試験方法によって達成される。
置を絶縁性のフロロカーボン溶液中に浸漬して耐電圧測
定をなす半導体装置の試験方法によって達成される。
【０００８】
【作用】半導体装置をフロロカーボン等の絶縁性の低沸
点溶液中に浸漬することによって半導体装置の表面が絶
縁性の溶液をもって均一に覆われるため、電極に数１０
００Ｖの電圧を印加した場合でも電極間で放電すること
がなくなり、耐電圧測定が可能になる。
点溶液中に浸漬することによって半導体装置の表面が絶
縁性の溶液をもって均一に覆われるため、電極に数１０
００Ｖの電圧を印加した場合でも電極間で放電すること
がなくなり、耐電圧測定が可能になる。
【０００９】絶縁性の低沸点溶液を使用しているため、
耐電圧測定後に半導体装置を絶縁性溶液から取り出すだ
けで付着した溶液は蒸発除去されるので、特別の後工程
は不要である。
耐電圧測定後に半導体装置を絶縁性溶液から取り出すだ
けで付着した溶液は蒸発除去されるので、特別の後工程
は不要である。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
係る半導体装置の試験方法について説明する。
係る半導体装置の試験方法について説明する。
【００１１】図１参照 図１に耐電圧試験装置の構成図を示す。図において、１
は絶縁性の低沸点溶液を注入するプラスチック・金属等
からなる容器であり、２は電源・電圧計・電流計等で構
成された耐電圧測定装置であり、３は試験される半導体
装置に耐電圧測定装置２の発生する高電圧を印加するた
めの接続ケーブルであり、プローバやリード線が使用さ
れる。４は絶縁性の低沸点溶液である。
は絶縁性の低沸点溶液を注入するプラスチック・金属等
からなる容器であり、２は電源・電圧計・電流計等で構
成された耐電圧測定装置であり、３は試験される半導体
装置に耐電圧測定装置２の発生する高電圧を印加するた
めの接続ケーブルであり、プローバやリード線が使用さ
れる。４は絶縁性の低沸点溶液である。
【００１２】絶縁性があり、沸点が低く、かつ、高電圧
放電に対しても引火しない溶液、例えばフロロカーボン
を容器１内に注入し、その溶液中に半導体素子が形成さ
れているウェーハやチップまたはパッケージが開放され
て露出している半導体チップ５を浸漬し、それらの電極
にケーブル３を接続して耐電圧測定装置２の発生する高
電圧を印加して耐電圧特性を測定する。
放電に対しても引火しない溶液、例えばフロロカーボン
を容器１内に注入し、その溶液中に半導体素子が形成さ
れているウェーハやチップまたはパッケージが開放され
て露出している半導体チップ５を浸漬し、それらの電極
にケーブル３を接続して耐電圧測定装置２の発生する高
電圧を印加して耐電圧特性を測定する。
【００１３】このように、フロロカーボン等の絶縁性の
低沸点溶液中で耐電圧測定がなされるので、試験される
ウェーハまたはチップの表面の電極間で放電することが
なく、したがって、半導体素子が短絡破壊することがな
い。
低沸点溶液中で耐電圧測定がなされるので、試験される
ウェーハまたはチップの表面の電極間で放電することが
なく、したがって、半導体素子が短絡破壊することがな
い。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体装置の試験方法においては、半導体装置を絶縁性の低
沸点溶液中に浸漬して耐電圧測定を実施するので、半導
体装置表面の電極間で放電することが防止され、しかも
溶液の沸点が低いため、試験後に半導体装置を溶液中か
ら取り出すだけで付着した溶液が蒸発除去されるので、
これまで必要であった樹脂塗布・除去工程や樹脂塗布装
置が不必要になり、大きな経済的利益が得られる。
体装置の試験方法においては、半導体装置を絶縁性の低
沸点溶液中に浸漬して耐電圧測定を実施するので、半導
体装置表面の電極間で放電することが防止され、しかも
溶液の沸点が低いため、試験後に半導体装置を溶液中か
ら取り出すだけで付着した溶液が蒸発除去されるので、
これまで必要であった樹脂塗布・除去工程や樹脂塗布装
置が不必要になり、大きな経済的利益が得られる。
【図１】耐電圧試験装置の構成図である。
１ 容器 ２ 耐電圧測定装置 ３ ケーブル ４ 絶縁性の低沸点溶液 ５ 試験される半導体装置
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置を絶縁性のフロロカーボン溶
液中に浸漬して耐電圧測定をなすことを特徴とする半導
体装置の試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4266409A JPH06120315A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 半導体装置の試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4266409A JPH06120315A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 半導体装置の試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120315A true JPH06120315A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17430537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4266409A Withdrawn JPH06120315A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 半導体装置の試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120315A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8610446B2 (en) | 2010-06-02 | 2013-12-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Testing device and testing method |
| JP2015046491A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 住友電気工業株式会社 | ワイドバンドギャップ半導体装置および半導体モジュールの製造方法、ならびにワイドバンドギャップ半導体装置および半導体モジュール |
| CN104793115A (zh) * | 2015-04-20 | 2015-07-22 | 中国电力科学研究院 | 一种热固性树脂击穿场强的测量装置和测量方法 |
| JP2015216306A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子の耐圧測定方法 |
| JP2015228444A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | 住友電気工業株式会社 | 耐圧測定方法および半導体装置の製造方法 |
| CN118033349A (zh) * | 2024-04-10 | 2024-05-14 | 青岛市产品质量检验研究院(青岛市产品质量安全风险监测中心) | 一种电缆绝缘性能检测*** |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP4266409A patent/JPH06120315A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8610446B2 (en) | 2010-06-02 | 2013-12-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Testing device and testing method |
| JP2015046491A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 住友電気工業株式会社 | ワイドバンドギャップ半導体装置および半導体モジュールの製造方法、ならびにワイドバンドギャップ半導体装置および半導体モジュール |
| US9640619B2 (en) | 2013-08-28 | 2017-05-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Methods of manufacturing wide band gap semiconductor device and semiconductor module, and wide band gap semiconductor device and semiconductor module |
| JP2015216306A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子の耐圧測定方法 |
| JP2015228444A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | 住友電気工業株式会社 | 耐圧測定方法および半導体装置の製造方法 |
| CN104793115A (zh) * | 2015-04-20 | 2015-07-22 | 中国电力科学研究院 | 一种热固性树脂击穿场强的测量装置和测量方法 |
| CN118033349A (zh) * | 2024-04-10 | 2024-05-14 | 青岛市产品质量检验研究院(青岛市产品质量安全风险监测中心) | 一种电缆绝缘性能检测*** |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |