JP6309453B2 - 下地層および研磨表面層を有する研磨パッド - Google Patents
下地層および研磨表面層を有する研磨パッド Download PDFInfo
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 822
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 title claims description 429
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 197
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 100
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 25
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 25
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 24
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 15
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 13
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 58
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 56
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 19
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000003361 porogen Substances 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- -1 aromatic diamine compound Chemical class 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);trifluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[Ce+3] QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000007542 hardness measurement Methods 0.000 description 2
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 2
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- NYPFJVOIAWPAAV-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneniobium Chemical compound [Nb]=S NYPFJVOIAWPAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- FAWYJKSBSAKOFP-UHFFFAOYSA-N tantalum(iv) sulfide Chemical compound S=[Ta]=S FAWYJKSBSAKOFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006157 aromatic diamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011326 mechanical measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
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- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Description
本発明は、例えば、以下を提供する。
(項目1)
基板を研磨するための研磨パッドであって
第1の硬度を有する下地層と、
前記下地層に直接的に結合される研磨表面層であって、前記第1の硬度未満の第2の硬度を有する、研磨表面層と
を備える研磨パッド。
(項目2)
前記研磨表面層は、前記研磨表面層から突出する複数の研磨特徴を有する連続層部分を備え、前記連続層部分は、前記下地層に直接的に結合される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目3)
前記研磨表面層は、前記下地層に直接的に結合される複数の別々の研磨突出部を備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目4)
前記研磨表面層は、前記下地層に共有結合される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目5)
前記下地層および前記研磨表面層は、前記研磨パッドの有用寿命中、印加される剪断力に耐えるのに十分な剥離抵抗を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目6)
前記下地層は、約1マイクロメートルRa(二乗平均平方根)よりも大きい表面粗度を有し、ここで前記研磨表面層は、前記下地層に直接的に結合される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目7)
前記表面粗度は、約5〜10マイクロメートルRa(二乗平均平方根)の範囲にある、項目6に記載の研磨パッド。
(項目8)
前記下地層は、約1マイクロメートルRa(二乗平均平方根)未満の表面粗度を有する平滑表面を有し、ここで前記研磨表面層は、前記下地層に直接的に結合される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目9)
前記研磨表面層は、ポリウレタンから形成される材料を含む、項目8に記載の研磨パッド。
(項目10)
前記下地層は、40℃で1/Paの場合に約100KEL未満のエネルギー損失係数を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目11)
前記下地層は、5PSIの中心圧力下で約1%未満の圧縮率を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目12)
前記下地層は、約75ショアDよりも大きい硬度を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目13)
前記下地層は、ポリカーボネート材料を含む、項目1に記載の研磨パッド。
(項目14)
前記下地層は、エポキシ基板材料および金属シートから成る群から選択される材料を含む、項目1に記載の研磨パッド。
(項目15)
前記研磨表面層は、40℃で1/Paの場合に約1000KELよりも大きいエネルギー損失係数を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目16)
前記研磨表面層は、5PSIの中心圧力下で約0.1%よりも大きい圧縮率を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目17)
前記研磨表面層は、約70ショアD未満の硬度を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目18)
前記研磨表面層は、均質な研磨表面層である、項目1に記載の研磨パッド。
(項目19)
前記均質な研磨表面層は、熱硬化性ポリウレタン材料を含む、項目18に記載の研磨パッド。
(項目20)
前記研磨表面層は、総空隙容量が約6%〜50%の範囲にある閉鎖セル細孔の細孔密度を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目21)
前記下地層は、40℃で1/Paの場合に約100KEL未満のエネルギー損失係数を有し、前記研磨表面層は、40℃で1/Paの場合に約1000KELよりも大きいエネルギー損失係数を有し、前記下地層および前記研磨表面層は、一緒に、40℃で1/Paの場合に約100KEL未満のエネルギー損失係数を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目22)
前記下地層は、約70〜90ショアDの範囲にある硬度を有し、前記研磨表面層は、約50〜60ショアDの範囲にある硬度を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目23)
前記下地層は、約70〜90ショアDの範囲にある硬度を有し、前記研磨表面層は、約20〜50ショアDの範囲にある硬度を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目24)
前記研磨表面層は、第1の弾性率を有し、前記下地層は、前記第1の弾性率を約10倍大きい第2の弾性率を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目25)
前記研磨表面層は、第1の弾性率を有し、前記下地層は、前記第1の弾性率を約100倍大きい第2の弾性率を有する、項目24に記載の研磨パッド。
(項目26)
前記研磨表面層は、約2〜50ミルの範囲にある厚さを有し、前記下地層は、約20ミルよりも大きい厚さを有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目27)
前記下地層の厚さは、前記研磨表面層の厚さよりも大きい、項目26に記載の研磨パッド。
(項目28)
前記下地層は、前記研磨パッドのバルク研磨特性を決定付けるのに十分な、前記研磨表面層の厚さおよび硬度に対しての厚さおよび硬度を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目29)
前記下地層は、前記研磨パッドがダイレベルの研磨平面性を提供するには十分に厚いが、前記研磨パッドがウエハレベルの研磨均一性を提供するには十分に薄い、項目1に記載の研磨パッド。
(項目30)
前記下地層において配置される検出領域をさらに備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目31)
前記研磨表面層および前記下地層を通して前記研磨パッドにおいて配置される開口部と、前記下地層の裏面に配置されるが前記開口部においては配置されない接着性シートであって、前記下地層の前記裏面に前記開口部のための不浸透性シールを提供する接着性シートと
をさらに備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目32)
前記第1の硬度未満の第3の硬度を有するサブパッドをさらに備え、前記下地層は、前記サブパッドに近接して配置される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目33)
前記下地層は、約70〜90ショアDの範囲にある硬度を有し、前記研磨表面層は、約20〜60ショアDの範囲にある硬度を有し、前記サブパッドは、約90ショアA未満の硬度を有する、項目32に記載の研磨パッド。
(項目34)
前記研磨パッドは、ダイレベルの研磨平面性およびウエハレベルの研磨均一性を提供する、項目32に記載の研磨パッド。
(項目35)
前記下地層は、サブ層のスタックを備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目36)
基板を研磨するための研磨パッドであって
第1の硬度を有する下地層と、
前記下地層に直接的に結合される研磨表面層であって、前記第1の硬度に等しいかそれよりも大きい第2の硬度を有する、研磨表面層と
を備える研磨パッド。
(項目37)
前記研磨表面層は、前記下地層に共有結合される、項目36に記載の研磨パッド。
(項目38)
前記下地層および前記研磨表面層は、前記研磨パッドの有用寿命中、印加される剪断力に耐えるのに十分な剥離抵抗を有する、項目36に記載の研磨パッド。
(項目39)
前記研磨表面層は、前記研磨表面層から突出する複数の研磨特徴を有する連続層部分を備え、前記連続層部分は、前記下地層に直接的に結合される、項目36に記載の研磨パッド。
(項目40)
前記研磨表面層は、前記下地層に直接的に結合される複数の別々の研磨突出部を備える、項目36に記載の研磨パッド。
(項目41)
基板を研磨するための研磨パッドであって
40℃で1/Paの場合に約100KEL未満のエネルギー損失係数を有する下地層と、前記下地層に取着された研磨表面層であって、前記研磨表面層は、40℃で1/Paの場合に約1000KELよりも大きいエネルギー損失係数を有し、前記下地層および前記研磨表面層は、一緒に、40℃で1/Paの場合に約100KEL未満のエネルギー損失係数を有する、研磨表面層と
を備える研磨パッド。
(項目42)
前記研磨表面層は、前記研磨表面層から突出する複数の研磨特徴を有する連続層部分を備え、前記連続層部分は、前記下地層に取着される、項目41に記載の研磨パッド。
(項目43)
前記研磨表面層は、前記下地層に取着された複数の別々の研磨突出部を備える、項目41に記載の研磨パッド。
(項目44)
前記研磨表面層は、熱硬化性ポリウレタン材料を含む、項目41に記載の研磨パッド。
(項目45)
基板を研磨するための研磨パッドであって
第1の硬度を有する下地層と、
前記下地層に取着される研磨表面層であって、前記第1の硬度未満の第2の硬度を有し、熱硬化性材料を含む、研磨表面層と
を備える研磨パッド。
(項目46)
前記研磨表面層は、均質な研磨表面層である、項目45に記載の研磨パッド。
(項目47)
前記熱硬化性材料は、ポリウレタンである、項目45に記載の研磨パッド。
(項目48)
前記下地層は、約70〜90ショアDの範囲にある硬度を有し、前記研磨表面層は、約50〜60ショアDの範囲にある硬度を有する、項目45に記載の研磨パッド。
(項目49)
前記下地層は、約70〜90ショアDの範囲にある硬度を有し、前記研磨表面層は、約20〜50ショアDの範囲にある硬度を有する、項目45に記載の研磨パッド。
(項目50)
前記研磨表面層は、前記研磨表面層から突出する複数の研磨特徴を有する連続層部分を備え、前記連続層部分は、前記下地層に取着される、項目45に記載の研磨パッド。
(項目51)
前記研磨表面層は、前記下地層に取着された複数の別々の研磨突出部を備える、項目45に記載の研磨パッド。
(項目52)
前記研磨表面層は、総空隙容量が約6%〜50%の範囲にある閉鎖セル細孔の細孔密度を有する、項目45に記載の研磨パッド。
(項目53)
基板を研磨するための研磨パッドであって、
非多孔性下地層と、
前記下地層に直接的に結合される研磨表面層であって、閉鎖セル細孔の細孔密度を有する、研磨表面層と
を備える研磨パッド。
(項目54)
前記閉鎖セル細孔の細孔密度は、総空隙容量が約6%〜50%の範囲にある、項目53に記載の研磨パッド。
(項目55)
前記研磨表面層は、前記研磨表面層から突出する複数の研磨特徴を有する連続層部分を備え、前記連続層部分は、前記下地層に直接的に結合される、項目53に記載の研磨パッド。
(項目56)
前記研磨表面層は、前記下地層に直接的に結合される複数の別々の研磨突出部を備える、項目53に記載の研磨パッド。
(項目57)
基板を研磨するための研磨パッドを製作する方法であって、
形成金型において、下地層と、1組の重合性材料を混合することから形成される混合物とを提供する工程と、
前記形成金型の突出部のパターンと前記混合物とを連結する工程と、
前記混合物と連結された前記突出部のパターンで、
少なくとも部分的に前記混合物を硬化させることにより、前記下地層上に直接的に成形された均質な研磨表面層を形成する工程であって、前記成形された均質な研磨表面層は、前記形成金型の突出部パターンに対応する溝のパターンを備える、工程と
を含む方法。
(項目58)
前記下地層を提供する工程は、前記下地層を前記形成金型のベースにおいて定置する工程を含み、前記混合物を提供する工程は、前記混合物を前記形成金型のベースにおいて前記下地層上に定置する工程を含み、前記形成金型の突出部のパターンを連結する工程は、前記形成金型の蓋と前記混合物とを連結する工程を含み、前記蓋は、前記蓋の上に配置される前記突出部のパターンを有し、前記混合物を少なくとも部分的に硬化させる工程は、前記形成金型のベースを加熱する工程を含む、項目57に記載の方法。
(項目59)
前記硬化の程度が、前記成形された均質な研磨表面層の幾何学形状を維持するのに十分であるが、前記成形された均質な研磨表面層が機械的応力に耐えるのに不十分である場合、前記下地層の上に形成された前記成形された均質な研磨表面層を有する前記下地層を、前記形成金型のベースから除去する工程をさらに含む、項目57に記載の方法。
(項目60)
前記下地層は、前記成形された均質な研磨表面層を越えて延在し、前記下地層の上に形成された前記成形された均質な研磨表面層を有する前記下地層を、前記形成金型のベースから除去する工程は、前記下地層を保持するが、前記成形された均質な研磨表面層を保持しない工程を含む、項目59に記載の方法。
(項目61)
前記混合物を少なくとも部分的に硬化させる工程は、前記混合物および前記下地層の両方を加熱する工程を含む、項目57に記載の方法。
(項目62)
前記成形された均質な研磨表面層を前記下地層から除去する工程と、
第2の均質な研磨表面層を前記下地層上に形成する工程と
をさらに含む、項目57に記載の方法。
(項目63)
前記下地層を前記形成金型において提供する工程は、最初に、以前に形成された研磨表面層を前記下地層から除去する工程を含む、項目57に記載の方法。
(項目64)
前記下地層を前記形成金型において提供する工程は、最初に、前記下地層の表面を粗面化する工程を含む、項目57に記載の方法。
(項目65)
前記成形された均質な研磨表面層を形成する工程は、熱硬化性ポリウレタン材料を形成する工程を含む、項目57に記載の方法。
(項目66)
前記1組の重合性材料を混合する工程は、複数のポロゲンを前記1組の重合性材料に添加することにより、複数の閉鎖セル細孔を前記成形された均質な研磨表面層において形成する工程をさらに含み、各閉鎖セル細孔は、物理的シェルを有する、項目57に記載の方法。
(項目67)
前記1組の重合性材料を混合する工程は、ガスを前記1組の重合性材料中、または前記1組の重合性材料から形成された生成物中に注入することにより、複数の閉鎖セル細孔を前記成形された均質な研磨表面層において形成する工程をさらに含み、各閉鎖セル細孔は、物理的シェルを有していない、項目57に記載の方法。
(項目68)
前記1組の重合性材料を混合する工程は、イソシアネートおよび芳香族ジアミン化合物を混合する工程を含む、項目57に記載の方法。
(項目69)
前記1組の重合性材料を混合する工程は、不透明化粒子充填剤を前記1組の重合性材料に添加することにより、不透明の成形された均質な研磨表面層を形成する工程をさらに含む、項目57に記載の方法。
(項目70)
前記下地層の上に形成された前記成形された均質な研磨表面層を有する前記下地層を炉において加熱することによって、前記成形された均質な研磨表面層をさらに硬化する工程をさらに含む、項目57に記載の方法。
(項目71)
前記下地層の上に形成された前記成形された均質な研磨表面層を有する前記下地層を備える研磨パッドは、前記下地層の裏面切断を行なわないで、研磨プロセスを行なうために好適である、項目57に記載の方法。
(項目72)
前記混合物を少なくとも部分的に硬化させる工程は、前記下地層と共有結合される前記成形された均質な研磨表面層を形成する、項目57に記載の方法。
(項目73)
基板を研磨するための研磨パッドを製作する方法であって、
形成金型において、下地層と、1組の重合性材料を混合することから形成される混合物とを提供する工程と、
前記形成金型の突出部のパターンと前記混合物とを連結する工程と、前記混合物と連結された前記突出部のパターンで、
前記混合物を少なくとも部分的に硬化させることにより、前記下地層に取着された成形された均質な研磨表面層を形成する工程であって、前記成形された均質な研磨表面層は、前記形成金型の突出部のパターンに対応する溝のパターンを備える、工程と、
硬化の程度が、前記成形された均質な研磨表面層の幾何学形状を維持するのに十分であるが、前記成形された均質な研磨表面層が機械的応力に耐えるのに不十分である場合、前記下地層に取着された前記成形された均質な研磨表面層を有する前記下地層を、前記形成金型のベースから除去する工程と
を含む方法。
(項目74)
前記下地層に取着された前記成形された均質な研磨表面層を有する前記下地層は、前記形成金型の突出部のパターンと前記混合物とを連結する工程の約4分未満後で、前記形成金型のベースから除去される、項目73に記載の方法。
(項目75)
前記下地層に取着された前記成形された均質な研磨表面層を有する前記下地層を前記形成金型から除去する工程は、前記成形された均質な研磨表面層の材料がゲル化した直後に行なわれる、項目73に記載の方法。
(項目76)
前記下地層は、前記成形された均質な研磨表面層を越えて延在し、前記下地層に取着された前記成形された均質な研磨表面層を有する前記下地層を前記形成金型のベースから除去する工程は、前記下地層を保持するが、前記成形された均質な研磨表面層を保持しない工程を含む、項目73に記載の方法。
(項目77)
前記混合物を少なくとも部分的に硬化させる工程は、前記混合物および前記下地層の両方を加熱する工程を含む、項目73に記載の方法。
(項目78)
前記成形された均質な研磨表面層を前記下地層から除去する工程と、
前記下地層に取着された第2の均質な研磨表面層を形成する工程と
をさらに含む、項目73に記載の方法。
(項目79)
前記下地層を前記形成金型において提供する工程は、最初に、以前に形成された研磨表面層を前記下地層から除去する工程を含む、項目73に記載の方法。
(項目80)
前記下地層を前記形成金型において提供する工程は、最初に、前記下地層の表面を粗面化する工程を含む、項目73に記載の方法。
(項目81)
前記下地層に取着された前記成形された均質な研磨表面層を有する前記下地層を炉において加熱することによって、前記成形された均質な研磨表面層をさらに硬化させる工程をさらに含む、項目73に記載の方法。
(項目82)
前記下地層に取着された前記成形された均質な研磨表面層を有する前記下地層を備える研磨パッドは、前記下地層の裏面切断を有さない研磨プロセスを行なうために好適である、項目73に記載の方法。
(項目83)
基板を研磨するための研磨パッドであって、
下地層において配置される溝のパターンを有する下地層と、
前記下地層の溝のパターンに取着される連続研磨表面層と
を備える研磨パッド。
(項目84)
前記連続研磨表面層は、前記下地層に直接的に結合される、項目83に記載の研磨パッド。
(項目85)
前記連続研磨表面層は、前記下地層に共有結合される、項目84に記載の研磨パッド。
(項目86)
前記下地層は、40℃で1/Paの場合に約100KEL未満のエネルギー損失係数を有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目87)
前記下地層は、5PSIの中心圧力下で約1%未満の圧縮率を有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目88)
前記下地層は、約75ショアDよりも大きい硬度を有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目89)
前記下地層は、ポリウレタン材料およびポリカーボネート材料から成る群から選択されるポリマー材料を含む、項目83に記載の研磨パッド。
(項目90)
前記下地層は、エポキシ基板材料および金属シートから成る群から選択される材料を含む、項目83に記載の研磨パッド。
(項目91)
前記連続研磨表面層は、40℃で1/Paの場合に約1000KELよりも大きいエネルギー損失係数を有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目92)
前記連続研磨表面層は、5PSIの中心圧力下で約0.1%よりも大きい圧縮率を有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目93)
前記連続研磨表面層は、約70ショアD未満の硬度を有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目94)
前記連続研磨表面層は、均質な研磨表面層である、項目83に記載の研磨パッド。
(項目95)
前記均質な研磨表面層は、熱硬化性ポリウレタン材料を含む、項目94に記載の研磨パッド。
(項目96)
前記連続研磨表面層は、総空隙容量が約6%〜50%の範囲にある閉鎖セル細孔の細孔密度を有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目97)
前記下地層は、40℃で1/Paの場合に約100KEL未満のエネルギー損失係数を有し、前記連続研磨表面層は、40℃で1/Paの場合に約1000KELよりも大きいエネルギー損失係数を有し、前記下地層および前記連続研磨表面層は、一緒に、40℃で1/Paの場合に約100KEL未満のエネルギー損失係数を有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目98)
前記下地層は、約70〜90ショアDの範囲にある硬度を有し、前記連続研磨表面層は、約50〜60ショアDの範囲にある硬度を有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目99)
前記下地層は、約70〜90ショアDの範囲にある硬度を有し、前記連続研磨表面層は、約20〜50ショアDの範囲にある硬度を有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目100)
前記連続研磨表面層は、第1の弾性率を有し、前記下地層は、前記第1の弾性率よりも約10倍大きい第2の弾性率を有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目101)
前記連続研磨表面層は、第1の弾性率を有し、前記下地層は、前記第1の弾性率よりも約100倍大きい第2の弾性率を有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目102)
前記連続研磨表面層は、約2〜50ミルの範囲にある厚さを有し、前記下地層は、約20ミルよりも大きい厚さを有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目103)
前記下地層は、前記研磨パッドのバルク研磨特性を決定付けるのに十分な、前記連続研磨表面層の厚さおよび硬度に対しての厚さおよび硬度を有する、項目83に記載の研磨パッド。
(項目104)
前記下地層は、前記研磨パッドがダイレベルの研磨平面性を提供するには十分に厚いが、前記研磨パッドがウエハレベルの研磨均一性を提供するには十分に薄い、項目83に記載の研磨パッド。
(項目105)
前記下地層において配置される検出領域をさらに備える、項目83に記載の研磨パッド。
(項目106)
前記研磨パッドにおいて、前記連続研磨表面層および前記下地層を通して配置される開口部と、
前記下地層の裏面に配置されるが前記開口部においては配置されない接着性シートであって、前記下地層の裏面に前記開口部のための不浸透性シールを提供する、接着性シートとをさらに備える、項目83に記載の研磨パッド。
(項目107)
サブパッドをさらに備え、前記下地層は、前記サブパッドに近接して配置される、項目83に記載の研磨パッド。
(項目108)
前記下地層は、約70〜90ショアDの範囲にある硬度を有し、前記連続研磨表面層は、約20〜60ショアDの範囲にある硬度を有し、前記サブパッドは、約90ショアA未満の硬度を有する、項目107に記載の研磨パッド。
(項目109)
前記研磨パッドは、ダイレベルの研磨平面性およびウエハレベルの研磨均一性を提供する、項目107に記載の研磨パッド。
(項目110)
前記下地層は、サブ層のスタックを備える、項目83に記載の研磨パッド。
(項目111)
基板を研磨するための研磨パッドであって、
前記下地層の上に配置される突出部のパターンを有する表面を有する下地層であって、各突出部は、上面および側壁を有する、下地層と、
前記下地層に取着され、別々の部分を備える非連続研磨表面層であって、各別々の部分は、前記下地層の突出部の対応する1つの上面に取着される、非連続研磨表面層と
を備える研磨パッド。
(項目112)
各別々の部分は、前記下地層の突出部の対応する1つの側壁の一部にさらに取着される、項目111に記載の研磨パッド。
(項目113)
前記非連続研磨表面層は、前記下地層に直接的に結合される、項目111に記載の研磨パッド。
(項目114)
前記非連続研磨表面層は、前記下地層に共有結合される、項目113に記載の研磨パッド。
(項目115)
前記下地層は、40℃で1/Paの場合に約100KEL未満のエネルギー損失係数を有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目116)
前記下地層は、5PSIの中心圧力下で約1%未満の圧縮率を有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目117)
前記下地層は、約75ショアDよりも大きい硬度を有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目118)
前記下地層は、ポリカーボネート材料を含む、項目111に記載の研磨パッド。
(項目119)
前記下地層は、エポキシ基板材料および金属シートから成る群から選択される材料を含む、項目111に記載の研磨パッド。
(項目120)
前記非連続研磨表面層は、40℃で1/Paの場合に約1000KELよりも大きいエネルギー損失係数を有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目121)
前記非連続研磨表面層は、5PSIの中心圧力下で約0.1%よりも大きい圧縮率を有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目122)
前記非連続研磨表面層は、約70ショアD未満の硬度を有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目123)
前記非連続研磨表面層は、均質な研磨表面層である、項目111に記載の研磨パッド。
(項目124)
前記均質な研磨表面層は、熱硬化性ポリウレタン材料を含む、項目123に記載の研磨パッド。
(項目125)
前記非連続研磨表面層は、総空隙容量が約6%〜50%の範囲にある閉鎖セル細孔の細孔密度を有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目126)
前記下地層は、40℃で1/Paの場合に約100KEL未満のエネルギー損失係数を有し、前記非連続研磨表面層は、40℃で1/Paの場合に約1000KELよりも大きいエネルギー損失係数を有し、前記下地層および前記非連続研磨表面層は、一緒に、40℃で1/Paの場合に約100KEL未満のエネルギー損失係数を有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目127)
前記下地層は、約70〜90ショアDの範囲にある硬度を有し、前記非連続研磨表面層は、約50〜60ショアDの範囲にある硬度を有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目128)
前記下地層は、約70〜90ショアDの範囲にある硬度を有し、前記非連続研磨表面層は、約20〜50ショアDの範囲にある硬度を有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目129)
前記非連続研磨表面層は、第1の弾性率を有し、前記下地層は、前記第1の弾性率よりも約10倍大きい第2の弾性率を有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目130)
前記非連続研磨表面層は、第1の弾性率を有し、前記下地層は、前記第1の弾性率よりも約100倍大きい第2の弾性率を有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目131)
前記非連続研磨表面層は、約2〜50ミルの範囲にある厚さを有し、前記下地層は、約20ミルよりも大きい厚さを有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目132)
前記下地層は、前記研磨パッドのバルク研磨特性を決定付けるのに十分な、前記非連続研磨表面層の厚さおよび硬度に対しての厚さおよび硬度を有する、項目111に記載の研磨パッド。
(項目133)
前記下地層は、前記研磨パッドがダイレベルの研磨平面性を提供するには十分に厚いが、前記研磨パッドがウエハレベルの研磨均一性を提供するには十分に薄い、項目111に記載の研磨パッド。
(項目134)
前記下地層において配置される検出領域をさらに備える、項目111に記載の研磨パッド。
(項目135)
前記研磨パッドにおいて、前記非連続研磨表面層および前記下地層を通して配置される開口部と、
前記下地層の裏面に配置されるが前記開口部においては配置されない接着性シートであって、前記下地層の裏面に前記開口部のための不浸透性シールを提供する、接着性シートとをさらに備える、項目111に記載の研磨パッド。
(項目136)
サブパッドをさらに備え、前記下地層は、前記サブパッドに近接して配置される、項目111に記載の研磨パッド。
(項目137)
前記下地層は、約70〜90ショアDの範囲にある硬度を有し、前記非連続研磨表面層は、約20〜60ショアDの範囲にある硬度を有し、前記サブパッドは、約90ショアA未満の硬度を有する、項目136に記載の研磨パッド。
(項目138)
前記研磨パッドは、ダイレベルの研磨平面性およびウエハレベルの研磨均一性を提供する、項目136に記載の研磨パッド。
(項目139)
前記下地層は、サブ層のスタックを備える、項目111に記載の研磨パッド。
(項目140)
基板を研磨するための研磨パッドを製作する方法であって、
表面を有する下地層を提供する工程であって、前記表面は、前記表面上に形成された突出部のパターンを有し、各突出部は、上面および側壁を有する工程と、
研磨表面層を前記下地層の上方に形成する工程と
を含む方法。
(項目141)
前記研磨表面層を形成する工程は、前記突出部のパターンと共形である前記下地層に取着された連続研磨表面層を形成する工程を含む、項目140に記載の方法。
(項目142)
前記研磨表面層を形成する工程は、非連続研磨表面層を形成する工程を含み、前記非連続研磨表面層は、前記下地層に取着され、別々の部分を備え、各別々の部分は、前記下地層の突出部の対応する1つの上面に取着される、項目140に記載の方法。
(項目143)
前記研磨表面層を形成する工程は、前記下地層上に直接的に前記研磨表面層を形成する工程を含む、項目140に記載の方法。
(項目144)
前記研磨表面層を形成する工程は、前記研磨表面層上への圧延、前記研磨表面層上への噴霧、前記研磨表面層と前記下地層との二重成形、前記研磨表面層の印刷、および前記研磨表面層上への圧痕から成る群から選択される技法を使用する工程を含む、項目140に記載の方法。
(項目145)
前記研磨表面層を前記下地層から除去する工程と、
第2の研磨表面層を前記下地層の上方に形成する工程と
をさらに含む、項目140に記載の方法。
(項目146)
前記下地層を提供する工程は、最初に、以前に形成された研磨表面層を前記下地層から除去する工程を含む、項目140に記載の方法。
Claims (29)
- 基板を研磨するための研磨パッドであって、
70〜90ショアDの範囲にある第1の硬度を有する下地層と、
前記下地層に直接的に結合される研磨表面層であって、前記第1の硬度未満の第2の硬度を有する、研磨表面層と
を備え、前記第2の硬度は、50〜70ショアDの範囲にあり、前記下地層は、1マイクロメートルRa(二乗平均平方根)よりも大きい表面粗度を有し、前記研磨表面層は、前記下地層に共有結合される、研磨パッド。 - 前記研磨表面層は、前記研磨表面層から突出する複数の研磨特徴を有する連続層部分を備え、前記連続層部分は、前記下地層に直接的に結合される、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記研磨表面層は、前記下地層に直接的に結合される複数の別々の研磨突出部を備える、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記表面粗度は、5〜10マイクロメートルRa(二乗平均平方根)の範囲にある、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記研磨表面層は、ポリウレタンから形成される材料を含む、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記下地層は、40℃で1/Paの場合に100KEL未満のエネルギー損失係数を有する、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記下地層は、5PSIの中心圧力下で1%未満の圧縮率を有する、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記下地層は、75ショアDよりも大きい硬度を有する、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記下地層は、ポリカーボネート材料を含む、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記下地層は、エポキシ基板材料および金属シートから成る群から選択される材料を含む、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記研磨表面層は、40℃で1/Paの場合に1000KELよりも大きいエネルギー損失係数を有する、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記研磨表面層は、5PSIの中心圧力下で0.1%よりも大きい圧縮率を有する、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記研磨表面層は、均質な研磨表面層である、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記均質な研磨表面層は、熱硬化性ポリウレタン材料を含む、請求項13に記載の研磨パッド。
- 前記研磨表面層は、総空隙容量が6%〜50%の範囲にある閉鎖セル細孔の細孔密度を有する、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記下地層は、40℃で1/Paの場合に100KEL未満のエネルギー損失係数を有し、前記研磨表面層は、40℃で1/Paの場合に1000KELよりも大きいエネルギー損失係数を有し、前記下地層および前記研磨表面層は、一緒に、40℃で1/Paの場合に100KEL未満のエネルギー損失係数を有する、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記研磨表面層は、50〜60ショアDの範囲にある硬度を有する、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記研磨表面層は、第1の弾性率を有し、前記下地層は、前記第1の弾性率よりも10倍大きい第2の弾性率を有する、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記研磨表面層は、第1の弾性率を有し、前記下地層は、前記第1の弾性率よりも100倍大きい第2の弾性率を有する、請求項18に記載の研磨パッド。
- 前記研磨表面層は、2〜50ミルの範囲にある厚さを有し、前記下地層は、20ミルよりも大きい厚さを有する、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記下地層の厚さは、前記研磨表面層の厚さよりも大きい、請求項20に記載の研磨パッド。
- 前記下地層は、前記研磨パッドのバルク研磨特性を決定付けるのに十分な、前記研磨表面層の厚さおよび硬度に対しての厚さおよび硬度を有する、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記下地層は、前記研磨パッドがダイレベルの研磨平面性を提供するには十分に厚いが、前記研磨パッドがウエハレベルの研磨均一性を提供するには十分に薄い、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記下地層において配置される検出領域をさらに備える、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記研磨表面層および前記下地層を通して前記研磨パッドにおいて配置される開口部と、前記下地層の裏面に配置されるが前記開口部においては配置されない接着性シートであって、前記下地層の前記裏面に前記開口部のための不浸透性シールを提供する接着性シートと
をさらに備える、請求項1に記載の研磨パッド。 - 前記第1の硬度未満の第3の硬度を有するサブパッドをさらに備え、前記下地層は、前記サブパッドに近接して配置される、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記研磨表面層は、50〜60ショアDの範囲にある硬度を有し、前記サブパッドは、90ショアA未満の硬度を有する、請求項26に記載の研磨パッド。
- 前記研磨パッドは、ダイレベルの研磨平面性およびウエハレベルの研磨均一性を提供する、請求項26に記載の研磨パッド。
- 前記下地層は、サブ層のスタックを備える、請求項1に記載の研磨パッド。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/306,845 US9067297B2 (en) | 2011-11-29 | 2011-11-29 | Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer |
US13/306,845 | 2011-11-29 | ||
US13/306,849 | 2011-11-29 | ||
US13/306,849 US9067298B2 (en) | 2011-11-29 | 2011-11-29 | Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer |
PCT/US2012/038211 WO2013081665A2 (en) | 2011-11-29 | 2012-05-16 | Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016017082A Division JP6200530B2 (ja) | 2011-11-29 | 2016-02-01 | 下地層および研磨表面層を有する研磨パッド |
JP2018014875A Division JP6805191B2 (ja) | 2011-11-29 | 2018-01-31 | 下地層および研磨表面層を有する研磨パッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015503232A JP2015503232A (ja) | 2015-01-29 |
JP6309453B2 true JP6309453B2 (ja) | 2018-04-11 |
Family
ID=46147791
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014543467A Active JP6309453B2 (ja) | 2011-11-29 | 2012-05-16 | 下地層および研磨表面層を有する研磨パッド |
JP2016017082A Active JP6200530B2 (ja) | 2011-11-29 | 2016-02-01 | 下地層および研磨表面層を有する研磨パッド |
JP2018014875A Active JP6805191B2 (ja) | 2011-11-29 | 2018-01-31 | 下地層および研磨表面層を有する研磨パッド |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016017082A Active JP6200530B2 (ja) | 2011-11-29 | 2016-02-01 | 下地層および研磨表面層を有する研磨パッド |
JP2018014875A Active JP6805191B2 (ja) | 2011-11-29 | 2018-01-31 | 下地層および研磨表面層を有する研磨パッド |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2785496B1 (ja) |
JP (3) | JP6309453B2 (ja) |
KR (3) | KR101825734B1 (ja) |
CN (2) | CN105773400B (ja) |
SG (2) | SG10201508090WA (ja) |
TW (2) | TWI608898B (ja) |
WO (1) | WO2013081665A2 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9597769B2 (en) * | 2012-06-04 | 2017-03-21 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with polishing surface layer having an aperture or opening above a transparent foundation layer |
KR102350350B1 (ko) | 2014-04-03 | 2022-01-14 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 폴리싱 패드 및 시스템과 이의 제조 및 사용 방법 |
JP6295807B2 (ja) * | 2014-04-28 | 2018-03-20 | 株式会社リコー | 研磨具、及び、研磨装置 |
US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
KR102630261B1 (ko) | 2014-10-17 | 2024-01-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 cmp 패드 구성 |
US10821573B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-11-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
US10875145B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
US10399201B2 (en) | 2014-10-17 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
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CN101905448B (zh) * | 2010-06-23 | 2013-05-22 | 清华大学 | 一种用于化学机械平坦化的抛光垫及其制造方法 |
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-
2012
- 2012-05-16 CN CN201610217648.3A patent/CN105773400B/zh active Active
- 2012-05-16 JP JP2014543467A patent/JP6309453B2/ja active Active
- 2012-05-16 EP EP12723064.7A patent/EP2785496B1/en active Active
- 2012-05-16 KR KR1020167021338A patent/KR101825734B1/ko active IP Right Grant
- 2012-05-16 KR KR1020147017782A patent/KR101685678B1/ko active IP Right Grant
- 2012-05-16 KR KR1020157023009A patent/KR101819539B1/ko active IP Right Grant
- 2012-05-16 SG SG10201508090WA patent/SG10201508090WA/en unknown
- 2012-05-16 SG SG11201402224WA patent/SG11201402224WA/en unknown
- 2012-05-16 CN CN201280058372.9A patent/CN104105575B/zh active Active
- 2012-05-16 WO PCT/US2012/038211 patent/WO2013081665A2/en unknown
- 2012-05-22 TW TW104119891A patent/TWI608898B/zh active
- 2012-05-22 TW TW101118246A patent/TWI513545B/zh active
-
2016
- 2016-02-01 JP JP2016017082A patent/JP6200530B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-31 JP JP2018014875A patent/JP6805191B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104105575B (zh) | 2017-11-14 |
JP2015503232A (ja) | 2015-01-29 |
KR20160098520A (ko) | 2016-08-18 |
CN105773400A (zh) | 2016-07-20 |
EP2785496B1 (en) | 2021-11-24 |
KR20140097486A (ko) | 2014-08-06 |
SG11201402224WA (en) | 2014-09-26 |
CN104105575A (zh) | 2014-10-15 |
CN105773400B (zh) | 2019-10-25 |
JP2016104511A (ja) | 2016-06-09 |
JP2018082213A (ja) | 2018-05-24 |
KR20150103327A (ko) | 2015-09-09 |
WO2013081665A2 (en) | 2013-06-06 |
SG10201508090WA (en) | 2015-10-29 |
TW201534429A (zh) | 2015-09-16 |
EP2785496A2 (en) | 2014-10-08 |
JP6200530B2 (ja) | 2017-09-20 |
TW201321131A (zh) | 2013-06-01 |
JP6805191B2 (ja) | 2020-12-23 |
TWI608898B (zh) | 2017-12-21 |
TWI513545B (zh) | 2015-12-21 |
KR101819539B1 (ko) | 2018-01-17 |
KR101685678B1 (ko) | 2016-12-12 |
KR101825734B1 (ko) | 2018-02-05 |
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Legal Events
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