JP6301083B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びレシピの作成方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板を処理するためのレシピ中に設定されている処理時間や処理温度等のプロセスパラメータを、パラメータファイルに設定されているプロセスパラメータで置換するようにしたレシピの作成方法、及び作成したレシピを実行する基板処理装置や該作成されたレシピを用いる半導体装置の製造方法に関する。

縦型成膜装置等の基板処理装置では、複数（数十〜百数十枚）の基板を搭載したボートを、処理室内に収容して処理ガスを供給するとともに加熱し、処理室内の圧力や温度を所定値に設定して、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、基板表面上に各種の処理を行う。
このような基板処理装置において、膜厚の異なる基板、例えばダミー基板と製品基板が混在する状態で処理ガスを処理炉内へ導入して処理する場合に、ボート、処理炉の炉壁、及びダミー基板に堆積された累積膜厚により製品基板に堆積される膜厚が変動することや、ボートに搭載する製品基板の枚数により製品基板に堆積される膜厚が変動することが分かっている。
よって、製品基板に堆積される膜厚の変動を抑制するために、累積膜厚に関しては、例えば下記の特許文献１に記載されているように、累積膜厚と温度との関係を用いて加熱制御を行い、製品基板の枚数に関しては、例えば下記の特許文献２に記載されているように、製品基板の枚数に応じたレシピを作成し実行することが行われている。

製品基板に所望の処理を行うためには、一般的に、最適なレシピ（この場合は特にプロセスレシピ）を少なくとも作成する必要がある。このとき、プロセスレシピには、処理時間や処理室内の圧力や温度など、多くのプロセスパラメータが設定される。例えば、下記の特許文献３には、共用パラメータを用いてレシピを効率よく作成することが記載されている。ここで、共用パラメータとは、レシピを構成する各処理ステップで同じ数値のプロ
セスパラメータを設定する場合などに使用するパラメータである。予め共用パラメータを設定しておくことにより、各処理ステップでプロセスパラメータを入力する手間が省けて便利である。

しかしながら、累積膜厚や製品基板枚数の変動に応じた膜厚コントロールを行うためには、プロセスパラメータの値を詳細に調整する必要があるが、前記共用パラメータは、このような詳細調整は考慮されていない。従い、累積膜厚や製品基板枚数の変動に応じた膜厚コントロールを行うためのプロセスレシピを作成する場合には、多くのプロセスパラメータをオペレータが手入力により設定するしかなく、手間がかかっていた。更に、オペレータの入力ミスをゼロにすることは困難であり、誤ったプロセスパラメータでプロセスレシピを実行した場合は製品がロットアウトになる可能性が高いという問題も潜在していた。

特開２００３−１０９９０６号公報 特開２００５−０９３７４７号公報 特開２０００−１３３５９５号公報

本発明の目的は、プロセスレシピ実行前にそのプロセス条件に適合するプロセスパラメータを自動的に設定することができる基板処理技術を提供することにある。

前記課題を解決するための、本発明の一態様は、次のとおりである。すなわち、
基板を処理する処理室と、
基板を処理するためのプロセスレシピを記憶するレシピ記憶部と、
前記プロセスレシピを実行するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記処理室で処理される基板枚数に応じて対応付けて条件テーブルとし、該基板枚数に応じた条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
前記プロセスレシピを実行する制御部と、
各種情報を表示する表示部と、を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記レシピ記憶部に記憶されたプロセスレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、
前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記プロセスパラメータを、前記パラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピ表示ステップと、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第１のレシピを作成するステップと、
前記処理室で処理される基板枚数が指定された場合に、前記第１のレシピと、前記指定された基板枚数に対応する前記条件テーブルとを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた第１のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされた条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第２のレシピを作成するステップと、を行う基板処理装置。

また、本発明の他の一態様は、次のとおりである。すなわち、
基板を処理するためのレシピ中のプロセスパラメータを表示するレシピ表示ステップと、
レシピを実行するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、処理される基板枚数に応じて対応付けた条件テーブル中のパラメータ項目名を表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記プロセスパラメータを、前記パラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピ表示ステップと、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第１のレシピを作成するステップと、
処理する基板枚数が指定された場合に、前記第１のレシピ中のパラメータ項目名を、前記条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第２のレシピを作成するステップと、
前記指定された枚数の基板に対して、前記第２のレシピを実行するステップと、を備え
る半導体装置の製造方法。

更に、本発明の他の一態様は、次のとおりである。すなわち、
基板を処理するためのレシピ中のプロセスパラメータを表示するレシピ表示ステップと、
レシピを実行するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、処理される基板枚数に応じて対応付けた条件テーブル中のパラメータ項目名を表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記プロセスパラメータを、前記パラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピ表示ステップと、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第１のレシピを作成するステップと、
処理する基板枚数が指定された場合に、前記第１のレシピ中のパラメータ項目名を、前記条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第２のレシピを作成するステップと、を備えるレシピの作成方法。

上記の構成によれば、プロセスレシピ実行前にそのプロセス条件に適合するプロセスパラメータを自動的に設定することができる。

本発明の実施形態に係る基板処理装置の斜視図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の側面透視図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の制御部及び記憶部の構成例である。 本発明の実施形態に係るレシピ表示画面例である。 本発明の実施形態に係るＶＰファイル構造である。 本発明の実施形態に係るＣＰファイル構造である。 本発明の実施形態に係るＶＰ処理の概要である。 本発明の実施形態のＶＰ処理に係るレシピ書き換えを説明する図である。 本発明の実施形態に係るＣＰ処理の概要である。 本発明の実施形態に係るＣＰテーブル検索処理を説明する図である。 本発明の実施形態のＣＰ処理に係るレシピ書き換えを説明する図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態における基板処理装置を説明する。本実施形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ：Integrated Circuit）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行うバッチ式縦型半導体製造装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。図１
は、本発明が適用される処理装置の透視図であり、斜視図として示されている。また、図２は図１に示す処理装置の側面透視図である。

図１や図２に示すように、本実施形態の処理装置１００は、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納するウエハキャリアとしてポッド１１０を使用し、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド搬入搬出口１１２が、筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２は、フロントシャッタ１１３によって開閉される。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側には、ロードポート１１
４が設置されており、ロードポート１１４は、ポッド１１０を載置する。ポッド１１０は、ロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出される。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転棚１０５が設置されており、回転棚１０５は、支柱１１６を中心に回転し、棚板１１７に複数個のポッド１１０を保管する。
図２に示すように、筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転棚１０５との間には、ポッド搬送装置１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ１１８ａと、水平搬送機構としてのポッド搬送機構１１８ｂとで構成されており、ロードポート１１４、回転棚１０５、ポッドオープナ１２１との間で、ポッド１１０を搬送する。

図２に示すように、筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口１２０が１対、垂直方向に上下２段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には１対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉する。載置台１２２は、基板を移載する際に基板収容器が載置される移載棚である。

図２に示すように、サブ筐体１１９は、ポッド搬送装置１１８や回転棚１０５の設置空間の雰囲気と隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域には、ウエハ移載機構１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００をツイーザ１２５ｃに載置して水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置１２５ａ、およびウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとで構成
されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ボート２１７に対して、ウエハ２００を装填および脱装する。

図１に示すように、移載室１２４内には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう、供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されている。
図２に示すように、ボート２１７の上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２は、内部に基板処理室（不図示、以下、処理室）を備え、該処理室の周囲には、処理室内を加熱するヒータ（不図示）を備える。処理炉２０２の下端部は、炉口ゲートバルブ１４７により開閉される。

図１に示すように、ボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５に連結されたアーム１２８には、シールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート２１７は、複数本の保持部材を備えた基板保持具であり、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
なお、ボート２１７の上端部と下端部には、それぞれ複数枚のダミーウエハが搭載され、製品ウエハは、上端のダミーウエハと下端のダミーウエハの間に搭載される。製品ウエハを入れ替えながらバッチ処理が複数回行われる間、同じダミーウエハが使用される。

次に、本実施形態の処理装置の動作について説明する。
図１、図２に示すように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は、回転棚１０５の指定された棚板１１７へ、ポッド搬送装置１１８によって、自動的に搬送されて受け渡される。

ポッド１１０は回転棚１０５で一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは、ロードポート１１４から直接、ポッドオープナ１２１に搬送されて、載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０は、キャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。

図２に示すように、載置台１２２に載置されたポッド１１０は、そのキャップが、キャップ着脱機構１２３によって取り外され、ポッド１１０のウエハ出し入れ口が開放される。また、ウエハ２００は、ポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａによってピックアップされ、ボート２１７へ移載されて装填される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａは、ポッド１１０に戻り、次のウエハ１１０をボート２１７に
装填する。

この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載装置１２５ａによるウエハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には、回転棚１０５ないしロードポート１１４から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、処理炉２０２の下端部が炉口ゲートバルブ１４７によって開放される。続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されて、シールキャップ２１９に支持されたボート２１７が、処理炉２０２内の処理室へ搬入されて行く。
ローディング後は、処理室内でウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が引き出され、その後は、概上述の逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１１０は筐体１１１の外部へ払出される。

次に、図３を参照して、基板処理装置の制御部と記憶部の構成について説明する。図３は、本実施形態に係る基板処理装置の制御部と記憶部の構成例である。
図３に示すように、制御部１０は、主制御部１１と、温度制御部１２と、ガス流量制御部１３と、圧力制御部１４と、搬送制御部１５とを備えている。主制御部１１には、温度制御部１２、ガス流量制御部１３、圧力制御部１４、搬送制御部１５、オペレータ（操作者）からの指示を受け付ける操作部３１、操作画面や各種データ等の情報を表示する表示部３２、基板処理装置１００の基板処理シーケンスである処理レシピを記憶する記憶部２
０等、基板処理装置１００を構成する構成部が電気的に接続されている。なお、操作部３１と表示部３２は、例えばタッチパネル等の場合は、一体的に構成することができる。

温度制御部１２は、反応炉２０２を加熱するヒータの温度を制御するもので、処理炉２０２内の温度を計測する温度センサから温度データを受信し、主制御部１１に送信する。また、温度制御部１２は、主制御部１１から、例えば処理炉２０２内の温度を上昇させるヒータの加熱温度指示を受信し、指示された温度になるようヒータを加熱する。

ガス流量制御部１３は、例えば、処理炉２０２内へ処理ガスを供給する処理ガス供給管に設けられたＭＦＣ（流量制御装置）からガスの流量データを受信し、主制御部１１に送信する。また、主制御部１１から、例えば、処理ガス供給管に設けられた開閉バルブへのバルブ開閉指示やポンプ駆動指示等のガス制御指示を受信し、該指示に従いガス流量制御を行う。

圧力制御部１４は、処理炉２０２内からガスを排気する排気管に設けられた圧力センサから、処理炉２０２内の圧力情報を受信し、主制御部１１に送信する。また、主制御部１１から、上記排気管に設けられた圧力調整バルブやポンプ等へのバルブ開度指示やポンプ駆動指示等を受信し、該指示に従い処理炉２０２内圧力の制御を行う。こうして、制御部１０は、圧力センサにより検出された圧力に基づいて、圧力調整装置により処理室内の圧
力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御する

搬送制御部１５は、ポッド搬送装置１１８やウエハ移載機構１２５やボートエレベータ１１５等の位置を制御するもので、搬送制御部１５には、フォトセンサ（不図示）やポッドセンサ（不図示）が電気的に接続され、これらのセンサから、例えば、ウエハ２００を収容するポッド１１０の有無や位置等のデータを受信し、主制御部１１に送信する。また、搬送制御部１５は、主制御部１１から、例えばポッド１１０やボート２１７やウエハ２
００の搬送指示を受信し、指示された場所や位置にポッド１１０やボート２１７やウエハ２００を搬送する。

主制御部１１は、ハードウエア構成としては、ＣＰＵ（Central Processing
Unit）と主制御部１１の動作プログラム等を格納するメモリを備えており、ＣＰＵは、例えば操作部３１からの操作者に指示に基づき、この動作プログラムに従って、記憶部２０に記憶しているレシピを上記メモリへダウンロードして実行するように動作する。このとき、主制御部１１は、温度制御部１２、ガス流量制御部１３、圧力制御部１４、搬送制御部１５等
の各副制御部に対して、処理室内の温度や圧力、ガス流量等を測定させ、この測定データに基づいて、上記各副制御部に対して制御信号を出力し、上記各副制御部がレシピに従い動作するように制御する。

記憶部２０は、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、上記ＣＰＵの動作プログラムを記憶する記憶媒体や、レシピを記憶する記憶媒体をも含む。記憶部２０に記憶された動作プログラムは、例えば基板処理装置の立ち上がり時において、主制御部１１のメモリに転送され動作する。

図３に示すように、記憶部２０は、レシピ記憶部２１と、ＶＰ（バリアブルパラメータ）記憶部２２ａと、ＣＰ（コンデションパラメータ）記憶部２２ｂと、プロセス条件記憶部２３と、ジョブ記憶部２４とを少なくとも備える。ＶＰ記憶部２２ａとＣＰ記憶部２２ｂとを合わせてプロセスパラメータファイル記憶部２２と称する。

レシピ記憶部２１は、基板処理を行うためのプロセスレシピを含む複数種類のレシピ、例えば、膜厚Ａの成膜をウエハ２００表面に行うためのレシピＡや、膜厚Ｂの成膜をウエハ２００表面に行うためのレシピＢ等を記憶する。
１つのレシピは、通常、複数の処理ステップから構成され、各処理ステップには、基板を処理するためのプロセスパラメータが複数含まれる。レシピの一例を図４に示す。図４は、本実施形態に係るレシピ表示画面例であり、レシピ構成の一部を表示部３２に簡易的に表示したものである。図４の例では、レシピを特定するＩＤ（識別子）であるレシピ名が「Ｔｅｓｔ」である。また、処理ステップを特定するステップＩＤが「ＤＥＰＯ」のス
テップにおいて、プロセスパラメータとして、例えば、そのステップに要する時間であるステップ時間（８０分）と、そのステップにおける処理炉内の温度（８５０℃）等が示されている。

また、各レシピは、そのレシピと対応付けされたＶＰファイルやＣＰファイルを特定するためのＩＤ、例えばＶＰファイル名やＣＰファイル名を記憶するコンビネーション情報部２１ａを備える。

ＶＰ記憶部２２ａは、図５に示すようなＶＰファイルを、１つ又は複数記憶している。
図５は、本実施形態に係るＶＰファイル構造である。図５の例のＶＰファイルは、プロセスパラメータの項目であるパラメータ項目として、３０個のＶＰアイテムを備える。例えば、Ｎｏ．1のＶＰアイテム（項目名は「ＶＰ Ｔｉｍｅ−００１」）は、ステップ時間であり、そのプロセスパラメータは６０分である。Ｎｏ．２のＶＰアイテム（項目名は「ＶＰ Ｔｅｍｐ−００１」）は、処理炉内の温度であり、そのプロセスパラメータは８０
０．０℃である。
このように、ＶＰファイルは、基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名との組み合わせを、複数含む。

ＣＰ記憶部２２ｂは、図６に示すようなＣＰファイルを、１つ又は複数記憶している。
図６は、本実施形態に係るＣＰファイル構造である。図６の例のＣＰファイルは、図６の縦方向にパラメータ項目として１０個のＣＰアイテムを備え、図６の横方向に複数種類のプロセス条件（この場合は製品基板の枚数）を備える。例えば、Ｎｏ．1のＣＰアイテム（項目名は「ＣＰ Ｔｉｍｅ−００１」）は、ステップ時間であり、Ｎｏ．２のＣＰアイテム（項目名は「ＣＰ Ｔｅｍｐ−００１」）は、処理炉内の温度である。
そして、製品基板の枚数が０〜１０枚の場合は、ステップ時間のプロセスパラメータは６０分であり、処理炉内の温度のプロセスパラメータは８００．０℃である。また、製品基板の枚数が１１〜２０枚の場合は、ステップ時間のプロセスパラメータは７０分であり、処理炉内の温度のプロセスパラメータは８１０．０℃である。

このように、ＣＰファイルには、複数のＣＰアイテムにそれぞれ対応するプロセスパラメータが、プロセス条件（例えば、製品基板の枚数）毎に、該プロセス条件に応じた最適なプロセスパラメータとなるように、条件テーブル（ＣＰテーブル）として設定されている。すなわち、ＣＰファイルは、基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記基板保持具に搭載される基板枚
数に応じて対応付けて条件テーブルとし、該基板枚数に応じた条件テーブルを複数含む。例えば、製品基板の枚数が０〜１０枚の場合の条件テーブル（ＣＰテーブル）は、製品基板の枚数が０〜１０枚の場合に対応するＮｏ．1〜Ｎｏ．1０のＣＰアイテムのプロセスパラメータで構成される。
パラメータ記憶部２２の内容は、その内容を表示部３２に表示した状態で、操作部３１から、操作者が設定、または変更することができるように構成されている。

プロセス条件記憶部２３は、これから実行するジョブにおける、ボート２１７に搭載する製品基板の枚数や、ボート２１７や処理炉２０２の炉壁やダミー基板に堆積された累積膜厚等のプロセス条件を、プロセス条件管理情報として記憶する。このプロセス条件管理情報は、例えば、操作部３１から操作者が入力し設定することができる。ジョブとは、ボート２１７に複数の製品基板を搭載して処理炉２０２内へ搬入し、処理炉２０２内で処理
し、その後、処理炉２０２から搬出し、ボート２１７から製品基板を取り出す一連の処理を指す。

ジョブ記憶部２４は、これから実行するジョブにおいて使用するレシピ名と、当該ジョブの開始順序又は開始時刻等を記憶する。対応付けは、ジョブＩＤと呼ばれる自動生成されるＩＤを利用する。例えば、ジョブＩＤと、レシピ名である「Ｔｅｓｔ」と、開始順序を示す通し番号「００２」又は開始時刻「１４：００」が対応付けられた状態で、ジョブ記憶部２４が、記憶する。

（第１実施例）
次に、レシピ中のプロセスパラメータをＶＰファイル中のプロセスパラメータで置換する第１実施例について、図７と図８を用いて説明する。図７は、第１実施例に係るＶＰ処理の概要である。図８は、第１実施例に係るレシピ書き換えを説明する図である。第１実施例に係るＶＰ処理は、操作者による操作以外は、主制御部１１により制御される。

まず、操作者が操作部３１を用いてレシピを作成し、そのレシピ名を例えば「Ｔｅｓｔ」とする（図７のステップＳ１）。すると、主制御部１１が、例えばそのレシピと同名のＶＰファイルのフレーム（枠組み）を自動生成する（ステップＳ２）。このとき、そのレシピのコンビネーション情報部２１ａには、自動生成されたＶＰファイル名が登録される。このＶＰファイルのフレームを含むＶＰ編集画面を表示部３２に表示した状態で、操作
者が操作部３１を用いて、パラメータ項目であるＶＰアイテムやプロセスパラメータを、ＶＰファイルのフレーム内に入力し設定することにより、図５に示すようなＶＰファイルが作成され、そのファイル名称（例えば「Ｔｅｓｔ」）とともにＶＰ記憶部２２ａに保存される（ステップＳ３）。なお、ＶＰファイル名は、レシピ名と異なるようにしてもよい。

ＶＰファイルに登録したＶＰアイテムやプロセスパラメータは、レシピにリンクさせる必要がある。そこで、次に、レシピ中のプロセスパラメータにＶＰアイテムを設定し埋め込む（ステップＳ４）。具体的には、まず、ＶＰ処理対象のレシピをレシピ記憶部２１から読み出して、そのレシピ中のＶＰ処理対象のステップにおけるレシピ画面を表示部３２に表示し（レシピ表示ステップ）、その状態で、表示したレシピ中のプロセスパラメータ
のうち、ＶＰ設定（つまり、ＶＰアイテムで置換）したいプロセスパラメータの項目を操作者が選択する。

例えば、図４に示すように、レシピ名が「Ｔｅｓｔ」であるレシピ中の、ステップＩＤが「ＤＥＰＯ」であるステップのレシピ画面において、ＶＰアイテムで置換したい項目として「ステップ時間」を選択する。すると、ＶＰ設定するか又はＣＰ設定するかを選択するためのＶＰ／ＣＰ選択画面が表示部３２に表示される。ＣＰ設定については後述する。
このＶＰ／ＣＰ選択画面において操作者がＶＰボタンを押下すると、ＶＰ設定が選択されるとともに、そのレシピのコンビネーション情報部２１ａに登録されているＶＰファイル名（「Ｔｅｓｔ」）のＶＰファイルがＶＰ記憶部２２ａから読みだされ、表示部３２に表示される。こうして、そのＶＰファイルに登録されているＶＰアイテムを選択できるＶＰアイテム選択画面が表示部３２に表示される（パラメータ項目名表示ステップ）。

このＶＰアイテム選択画面において、所望のＶＰアイテム、例えば、「ＶＰ Ｔｉｍｅ−００１」を操作者が選択すると、図８（ａ）に示すように、該選択されたパラメータ項目名「ＶＰ Ｔｉｍｅ−００１」が、当該レシピ中の当該ステップにおける当該プロセスパラメータの代わりに埋め込まれる（レシピパラメータ置換ステップ）。こうして、レシピ中のプロセスパラメータに、ＶＰファイルのＶＰアイテムが設定される。

さらに、レシピ中の他のプロセスパラメータにＶＰアイテムを設定したい場合は、レシピ画面を表示した状態で、上述したパラメータ項目名表示ステップ、レシピパラメータ置換ステップの動作を繰り返す。例えば、レシピ中の「温度」にＶＰアイテムを設定したい場合は、図４に示すように、レシピ名が「Ｔｅｓｔ」であるレシピ中の、ステップＩＤが「ＤＥＰＯ」であるステップのレシピ画面において、ＶＰアイテムで置換したい項目とし
て「温度」を選択する。そして、ＶＰアイテム選択画面において、ＶＰアイテムとして、「ＶＰ Ｔｅｍｐ−００１」を操作者が選択すると、該選択されたパラメータ項目名「ＶＰ Ｔｅｍｐ−００１」が、当該レシピ中の当該ステップにおける当該プロセスパラメータに対して埋め込まれる。こうして、ＶＰアイテムが設定されたレシピは、レシピ記憶部２１に保存される。

次に、ＶＰアイテムが設定されたレシピを指定し、基板処理を行うためのジョブを作成する（ステップＳ５）。具体的には、操作者が操作部３１を用いて、ジョブＩＤに例えばレシピ名とジョブの開始番号とを対応付けて、ジョブ記憶部２４に保存させる。

次に、作成したジョブを開始するときは、主制御部１１は、当該ジョブで指定されたレシピを、主制御部１１のメモリへダウンロードする（ステップＳ６）。
また、主制御部１１は、当該ジョブで指定されたレシピに対応付け（コンビネーション）されたＶＰファイルを、そのレシピのコンビネーション情報部２１ａに登録されたＶＰファイル名に基づき検索し（ステップＳ７）、該検索したＶＰファイルを主制御部１１のメモリへダウンロードする（ステップＳ８）。

次に、主制御部１１は、主制御部１１のメモリへダウンロードしたレシピ中のプロセスパラメータに設定されたパラメータ項目名を、ＶＰファイル中のプロセスパラメータで置換する（ステップＳ９）。詳しくは、主制御部１１は、ダウンロードしたレシピ中のプロセスパラメータのうち、ＶＰアイテムが設定されたプロセスパラメータ（パラメータ項目名）を、ダウンロードしたＶＰファイル中の当該ＶＰアイテムに対応するプロセスパラメ
ータ（数値）で置換する。

例えば、図８（ａ）に示すように、「Ｔｅｓｔ」レシピの「ＤＥＰＯ」ステップにおける「ステップ時間」のプロセスパラメータに「ＶＰ Ｔｉｍｅ−００１」が設定されているので、該「ＶＰ Ｔｉｍｅ−００１」が設定された「Ｔｅｓｔ」レシピ中のプロセスパラメータを、図８（ｂ）に示すように、ＶＰファイル中のＶＰアイテム「ＶＰ Ｔｉｍｅ−００１」に対応するプロセスパラメータである「６０」で置換する。
また、「Ｔｅｓｔ」レシピの「ＤＥＰＯ」ステップにおける「温度」のプロセスパラメータに「ＶＰ Ｔｅｍｐ−００１」が設定されている場合は、該「ＶＰ Ｔｅｍｐ−００１」が設定された「Ｔｅｓｔ」レシピ中のプロセスパラメータを、ＶＰファイル中のＶＰアイテム「ＶＰ Ｔｅｍｐ−００１」に対応するプロセスパラメータである「８００」で置換する。
そして、レシピのプロセスパラメータ置換後、そのレシピを実行する（ステップＳ１０）。

なお、上述の実施例では、レシピのダウンロード（ステップＳ６）後、ＶＰファイルを検索し（ステップＳ７）、検索したＶＰファイルをダウンロード（ステップＳ８）したが、ＶＰファイルを検索した後、検索したＶＰファイルをレシピとともにダウンロードするように構成してもよい。
また、上述の実施例では、１つのレシピに対して１つのＶＰファイルをコンビネーションしたが、１つのレシピに対して複数のＶＰファイルをコンビネーションしてもよい。例えば、１つのステップに対して、１つのＶＰファイルをコンビネーションしてもよい。

以上説明した第１実施例によれば、少なくとも次の（１）〜（３）の効果を得ることができる。
（１）プロセスレシピ実行前にそのプロセス条件に適合するプロセスパラメータを自動的に入力することができる。したがって、操作者によるプロセスパラメータの入力ミスを抑制できる。
（２）ＶＰファイルのプロセスパラメータを、複数のレシピや、複数の処理ステップにおいて共用することが容易となる。
（３）予めレシピ中のプロセスパラメータにＶＰアイテム名を設定しておき、レシピ実行前において、ＶＰアイテム名が設定されたレシピ中のプロセスパラメータを、ＶＰファイル中の当該ＶＰアイテムのプロセスパラメータで置換するようにしたので、レシピ中のプロセスパラメータをＶＰファイル中のプロセスパラメータで置換することを容易に実現できる。

（第２実施例）
次に、プロセス条件に応じて、レシピ中のプロセスパラメータをＣＰファイル中のプロセスパラメータで置換する第２実施例について、図９ないし図１１を用いて説明する。この第２実施例では、製品基板の枚数もプロセス条件に含むものとする。図９は、第２実施例に係るＣＰ処理の概要である。図１０は、第２実施例に係るＣＰテーブル検索処理を説明する図である。図１１は、第２実施例に係るレシピ書き換えを説明する図である。第２
実施例に係るＣＰ処理は、操作者による操作以外は、主制御部１１により制御される。

まず、ＣＰ編集画面を表示部３２に表示した状態で、操作者が操作部３１を用いて、図６に示すようなＣＰファイルを作成する（ステップＳ１１）。このＣＰファイルは、ファイル名称とともにＣＰ記憶部２２ｂに保存される。
前述したように、ＣＰファイルには、複数のＣＰアイテムにそれぞれ対応するプロセスパラメータが、プロセス条件（製品基板の枚数）毎に、条件テーブル（ＣＰテーブル）として設定されている。

ＣＰファイルに登録したＣＰアイテムやプロセスパラメータは、レシピにリンクさせる必要がある。そこで、まず、レシピにＣＰファイルを対応付け（コンビネーション）する（ステップＳ１２）。具体的には、レシピ編集画面を表示部３２に表示した状態で、ＣＰ設定を選択することで、そのレシピのコンビネーション情報部２１ａに、ＣＰファイル名が登録される。
次に、レシピ中のプロセスパラメータにＣＰアイテムを設定し埋め込む（ステップＳ１３）。具体的には、ＣＰ処理対象のレシピをレシピ記憶部２１から読み出して、そのレシピ中のＣＰ処理対象のステップにおけるレシピ画面を表示部３２に表示し（レシピ表示ステップ）、その状態で、表示したレシピ中のプロセスパラメータのうち、ＣＰ設定（つまり、ＣＰアイテムで置換）したいプロセスパラメータの項目を操作者が選択する。

例えば、図４に示すように、レシピ名が「Ｔｅｓｔ」であるレシピ中の、ステップＩＤが「ＤＥＰＯ」であるステップのレシピ画面において、ＣＰアイテムで置換したいプロセスパラメータの項目として「ステップ時間」を選択する。すると、第１実施例と同様に、ＶＰ設定するか又はＣＰ設定するかを選択できるＶＰ／ＣＰ選択画面が表示部３２に表示される。このＶＰ／ＣＰ選択画面において操作者がＣＰボタンを押下すると、ＣＰ設定が
選択されるとともに、そのレシピのコンビネーション情報部２１ａに登録されているＣＰファイル名（「Ｔｅｓｔ」）のＣＰファイルがＣＰ記憶部２２ｂから読みだされ、表示部３２に表示される。こうして、そのＣＰファイルに登録されているＣＰアイテムを選択できるＣＰアイテム選択画面が表示部３２に表示される（パラメータ項目名表示ステップ）。

このＣＰアイテム選択画面において、所望のＣＰアイテム、例えば、「ＣＰ Ｔｉｍｅ−００１」を操作者が選択すると、図１１（ａ）に示すように、該選択されたパラメータ項目名「ＣＰ Ｔｉｍｅ−００１」が、当該レシピ中の当該ステップにおける当該プロセスパラメータの代わりに埋め込まれる（レシピパラメータ置換ステップ）。こうして、レシピ中のプロセスパラメータに、ＣＰファイルのＣＰアイテムが設定される。

さらに、レシピ中の他のプロセスパラメータ項目にＣＰアイテムを設定したい場合は、上述したレシピ画面において、パラメータ項目名表示ステップ、レシピパラメータ置換ステップの動作を繰り返す。例えば、レシピ中の「温度」にＣＰアイテムを設定したい場合は、図４に示すように、レシピ名が「Ｔｅｓｔ」であるレシピ中の、ステップＩＤが「ＤＥＰＯ」であるステップのレシピ画面において、ＣＰアイテムで置換したい項目として「
温度」を選択する。そして、ＣＰアイテム選択画面において、ＣＰアイテムとして、「ＣＰ Ｔｅｍｐ−００１」を操作者が選択すると、該選択されたパラメータ項目名「ＣＰ Ｔｅｍｐ−００１」が、当該レシピ中の当該ステップにおける当該プロセスパラメータに対して埋め込まれる。こうして、ＣＰアイテムが設定されたレシピは、レシピ記憶部２１に保存される。

次に、ＣＰアイテムが設定されたレシピを指定し、基板処理を行うためのジョブを作成する（ステップＳ１４）。具体的には、操作者が操作部３１を用いて、レシピ名とジョブの開始番号とを対応付けて、ジョブ記憶部２４に保存させる。

次に、作成したジョブを開始するときは、主制御部１１は、当該ジョブで指定されたレシピを、主制御部１１のメモリへダウンロードする（ステップＳ１５）。
また、主制御部１１は、当該ジョブで指定されたレシピに対応付け（コンビネーション）されたＣＰファイルを、そのレシピのコンビネーション情報部２１ａに登録されたＣＰファイル名に基づき検索し、該検索したＣＰファイルの中から、当該ジョブで指定されたプロセス条件である製品基板の枚数と合致するＣＰテーブルを抽出する（ステップＳ１６）。
そして、該抽出したＣＰテーブルを主制御部１１のメモリへダウンロードする（ステップＳ１７）。

例えば、図１０に示すように、プロセス条件記憶部２３の製品枚数管理情報から、当該ジョブの製品基板の枚数、例えば１５枚を取得し、ＣＰファイルに対し、製品基板の枚数が１５枚というプロセス条件で検索し、製品基板の枚数が１１〜２０枚の場合のＣＰテーブルを抽出する。図１１（ｂ）の例のＣＰテーブルは、ＣＰファイルの各ＣＰアイテムに対応するプロセスパラメータのうち、製品基板の枚数１１〜２０と合致するプロセスパラ
メータを抽出したものである。

次に、主制御部１１は、主制御部１１のメモリへダウンロードしたレシピ中のプロセスパラメータに設定されたパラメータ項目名を、ＣＰテーブル中のプロセスパラメータで置換する（ステップＳ１８）。詳しくは、主制御部１１は、ダウンロードしたレシピ中のプロセスパラメータのうち、ＣＰアイテムが設定されたプロセスパラメータ（パラメータ項目名）を、ダウンロードしたＣＰテーブル中の当該ＣＰアイテムに対応するプロセスパラ
メータで置換する。

例えば、図１１（ａ）に示すように、「Ｔｅｓｔ」レシピの「ＤＥＰＯ」ステップにおける「ステップ時間」のプロセスパラメータに「ＣＰ Ｔｉｍｅ−００１」が設定されているので、該「ＣＰ Ｔｉｍｅ−００１」が設定された「Ｔｅｓｔ」レシピ中のプロセスパラメータを、図１１（ｂ）に示すように、ＣＰテーブル中のＣＰアイテム「ＣＰ Ｔｉｍｅ−００１」に対応するプロセスパラメータである「７０」で置換する。
また、「Ｔｅｓｔ」レシピの「ＤＥＰＯ」ステップにおける「温度」のプロセスパラメータに「ＣＰ Ｔｅｍｐ−００１」が設定されている場合は、該「ＣＰ Ｔｅｍｐ−００１」が設定された「Ｔｅｓｔ」レシピ中のプロセスパラメータを、ＣＰテーブル中のＣＰアイテム「ＣＰ Ｔｅｍｐ−００１」に対応するプロセスパラメータである「８１０」で置換する。
そして、レシピのプロセスパラメータ置換後、そのレシピを実行する（ステップＳ１９）。

なお、上述の実施例では、レシピのダウンロード（ステップＳ１５）後、製品基板の枚数でＣＰファイルを検索してＣＰテーブルを抽出し（ステップＳ１６）、抽出したＣＰテーブルをダウンロード（ステップＳ１７）したが、ＣＰテーブルを抽出した後、抽出したＣＰテーブルをレシピとともにダウンロードするように構成してもよい。
また、上述の実施例では、１つのレシピに対して１つのＣＰファイルをコンビネーションする形態について示したが、この形態に限定されない。例えば、複数種類のレシピに対して１つのＣＰファイルをコンビネーションするように構成してもよい。逆に、１つのレシピに対し複数種類のＣＰファイルをコンビネーションするように構成してもよい。
また、上述の実施例では、プロセス条件として製品基板の枚数を用いたが、プロセスに応じて、ダミー基板と製品基板の枚数を合計した基板の枚数をプロセス条件とすることも可能である。

以上説明した第２実施例によれば、第１実施例の（１）の効果に加えて、少なくとも次の（４）〜（７）の効果を得ることができる。
（４）レシピ実行時において、製品基板枚数や累積膜厚等のプロセス条件に適合するプロセスパラメータを、基板処理装置が自動的に選択するようにしたので、操作者によるプロセスパラメータの設定ミスを抑制できる。また、製品基板枚数や累積膜厚等変動に対応する膜厚制御が容易となり、製品基板のロットアウト発生を抑制できる。
（５）ＣＰファイルのプロセスパラメータを、複数のレシピや、複数の処理ステップにおいて共用することが容易となる。
（６）予めレシピ中のプロセスパラメータにＣＰアイテム名を設定しておき、レシピ実行時において、ＣＰアイテム名が設定されたレシピ中のプロセスパラメータを、ＣＰファイル中の当該ＣＰアイテムのプロセスパラメータで置換するようにしたので、レシピ中のプロセスパラメータをＣＰファイル中のプロセスパラメータで置換することを容易に実現できる。
（７）ＣＰファイル中の複数のＣＰテーブルのうち、プロセス条件に適合するＣＰテーブルのみを主制御部のメモリへダウンロードし、プロセス条件に適合しないＣＰテーブルはダウンロードしないように構成したので、ジョブ実行の時間を短縮できる。

本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
前記実施形態で述べた第１実施例に係るＶＰ処理や第２実施例に係るＣＰ処理を行うための制御部や操作部や表示部や記憶部は、基板処理装置に専用のものでなくてもよく、例えばパソコン（パーソナルコンピュータ）等の一般的なコンピュータシステムを用いて実現することができる。例えば、汎用コンピュータに、上述した処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢメモリ等）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する制御部や操作部や表示部や記憶部を構成することができる。

また、上述の処理を実行するプログラムを供給するための手段は、任意に選択できる。上述のように所定の記録媒体を介して供給するほか、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給することができる。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、ネットワークを介して供給してもよい。そして、このようにして提供されたプログラムを起動し、基板処理装置のＯＳ（Operating Syst
em）の制御下、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。

更に、第１実施例または第２実施例に拠れば、複数の基板が搭載された基板保持具を処理炉内に装入し、基板を処理する際、処理対象の基板枚数に応じてダミー基板を補充して基板処理が実施される処理装置１００において、例えば、ダミー基板に累積される膜が基板品質に影響を及ぼす場合であっても、処理対象の基板枚数及び処理炉２０２の内壁に堆積する累積膜厚を考慮したプロセスパラメータの管理が可能である。

ここで、ダミー基板に累積される膜が基板品質に影響を及ぼす実施例(第３実施例)として、処理装置１００のセットアップ作業に関して、説明する。

（第３実施例）
セットアップ作業では、顧客仕様に即した性能を達成するまで、プロセス条件を何度も変更して基板処理が繰り返される。実際には、顧客仕様の変更などもあり、一回の基板処理で顧客仕様に到達するのは極めて困難である。この場合、セットアップ時に製品基板を使用することはなく、ダミー基板で代用して基板処理を行う。尚、セットアップ作業における基板処理について、製品基板ではなく、ダミー基板で代用されるだけで基板移載方法やプロセス条件などは基板処理時と同様であるため、説明は省略する。

実際のセットアップ作業では、ダミー基板だけでなく数枚のモニタ基板を使用し、このモニタ基板を種々の測定器で所定の測定を行い、基板処理結果の品質が顧客仕様に到達しているか判定される。基板処理結果が顧客仕様を満たさない場合、再度基板処理が行われ、基板処理結果が顧客仕様を満たすまで繰り返される。尚、ダミー基板は、基板保持具に装填されたまま使いまわし、モニタ基板だけを移載するようにしても構わない。

尚、ダミー基板の累積膜厚が閾値になるまで、ダミー基板の累積膜厚を監視し、累積膜厚が小さいダミー基板を優先して使用する管理が考えられるが、セットアップ時に必要なダミー基板の枚数が多すぎるため、却ってダミー基板の浪費になるのはいうまでもない。

基板保持具には、１００枚以上の基板載置部が存在するため、基板保持具のほとんどの基板載置部にダミー基板が載置された状態で基板処理が実施される。一般に累積膜厚を閾値によって管理し、閾値に到達したら対象のダミー基板を交換する管理が考えられる。この場合、交換した箇所には、新たに累積膜厚が零のダミー基板が載置される。しかしながら、閾値に到達したダミー基板と新品のダミー基板が混在すると、近年の低温プロセスでは、この累積膜厚の差が無視できないことがわかってきた。このような基板単位での基板処理結果の品質を調整するのは困難であり、却ってダミー基板を浪費し、費用がかさむ。よって、何れかのダミー基板の累積膜厚が閾値を超えたら全てのダミー基板を交換する。但し、依然として、炉内に付着した累積膜厚の影響について、管理が必要である。従来のように、累積膜厚が閾値に到達したらクリーニング(累積膜厚の除去)するというだけでは、やはり、近年の低温化プロセスでは通用しなくなってきている。

このように、累積膜厚の閾値は、累積膜厚に起因するパーティクルを抑制するために設定されているが、近年の低温プロセスにおける影響については考慮されていない。従い、プロセスパラメータの設定を基板枚数に加え累積膜厚に応じて最適化する必要がある。

本実施の形態(第３実施例)では、上述した第１実施例及び第２実施例におけるプロセスパラメータの設定方法を使用することにより、基板枚数及び累積膜厚に応じた基板処理を実施することができる。具体的には、時間（例えば「ＣＰ(若しくはＶＰ) Ｔｉｍｅ−００１」）を累積膜厚毎に規定したテーブル、温度(例えば「ＣＰ(若しくはＶＰ) Ｔｅｍｐ−００１」を累積膜厚毎に規定したテーブル等をそれぞれ備え、図９(若しくは図７)におけるＣＰ(若しくはＶＰ)ファイル自動作成工程で、これらテーブルを展開することで容易に実現できる。

本実施の形態では、複数の基板が搭載された基板保持具を収容し、前記基板保持具に搭載された複数の基板を処理する処理室と、基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第１のレシピを記憶するレシピ記憶部と、基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記基板保持具に搭載される基板枚数に応じて対応付けた第１条件テーブル及び前記基板保持具または前記処理室の内壁などの構成部材に堆積した累積膜厚値に応じて対応付けた第２条件テーブルとし、該基板枚数または累積膜厚値に応じた各条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、少なくとも操作者からの指示を受け付ける操作部と、各種情報を表示する表示部とを備えた基板処理装置であって、前記レシピ記憶部に記憶された第１のレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、前記操作部からの操作者の指示に基づき、前記表示された第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップを少なくとも１回実行して第２のレシピを作成するステップと、を備えることでレシピ作成を行うことができる。

そして、前記基板保持具に搭載される基板枚数及び前記基板保持具または前記処理室内壁の累積膜厚値が指定された場合に、前記第２のレシピと、前記指定された基板枚数に対応する前記第１条件テーブル及び累積膜厚値に対応する第２条件テーブルとを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、前記ダウンロードされた第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされた条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、を備えることでレシピ作成を行うことができる。このように、累積膜厚値に応じた第２条件テーブルを有することにより、基板枚数だけでなく累積膜厚を考慮したレシピ作成が可能となる。

また、本実施の形態では、基板枚数に応じて対応付けた第１条件テーブルと累積膜厚値に応じた第２条件テーブルの２つ条件テーブルを用いるが、予め基板枚数と累積膜厚値を踏まえたプロセスパラメータを特定の条件テーブルに規定しておけば、例えば、前記基板保持具に搭載される基板枚数が指定された場合に、前記第２のレシピと、前記特定の条件テーブルとを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、前記ダウンロードされた第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされた条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、を備えることでレシピ作成を行うことができるのはいうまでもない。

本発明は、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の内容は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ、エピタキシャル成長膜、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、拡散処理、エッチング処理、露光処理、リソグラフィ、塗布処理、モールド処理、現像処理、ダイシング処理、ワイヤボンディング処理、検査処理等
であってもよい。
また、縦型以外の他の型式であってもよく、例えば枚葉式や多枚葉式の基板処理装置であってもよい。特に、複数の基板が載置される基板載置部（サセプタ）を備える多枚葉式の基板処理装置に適用するのが好ましい。

上述の実施の形態に加え、次に本発明の好ましい態様を付記する。
（付記１）
本発明の一態様は、
複数の基板が搭載された基板保持具を収容し、前記基板保持具に搭載された複数の基板を処理する処理室と、
基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第１のレシピを記憶するレシピ記憶部と、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記基板保持具に搭載される基板枚数に応じて対応付けて条件テーブルとし、該基板枚数に応じた条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、
操作者からの指示を受け付ける操作部と、
各種情報を表示する表示部と、を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記レシピ記憶部に記憶された第１のレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、
前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記操作部からの操作者の指示に基づき、前記表示された第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを少なくとも１回実行して第２のレシピを作成するステップと、
前記基板保持具に搭載される基板枚数が指定された場合に、前記第２のレシピと、前記指定された基板枚数に対応する前記条件テーブルとを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされた条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、
を行う基板処理装置。

（付記２）
本発明の他の態様は、
複数の基板が搭載された基板保持具を収容し、前記基板保持具に搭載された複数の基板を処理する処理室と、
基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第１のレシピを記憶するレシピ記憶部と、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記基板保持具に搭載される基板枚数に応じて対応付けて条件テーブルとし、該基板枚数に応じた条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、
操作者からの指示を受け付ける操作部と、
各種情報を表示する表示部と、を備える基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記レシピ記憶部に記憶された第１のレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、
前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記操作部からの操作者の指示に基づき、前記表示された第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを少なくとも１回実行して第２のレシピを作成するステップと、
前記基板保持具に搭載される基板枚数が指定された場合に、前記第２のレシピと、前記指定された基板枚数に対応する前記条件テーブルとを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされた条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、
前記指定された枚数の基板が搭載された基板保持具を前記処理室へ収容して、前記第３のレシピを実行するステップと、を備える半導体装置の製造方法。

（付記３）
本発明のさらに他の態様は、
複数の基板が搭載された基板保持具を収容し、前記基板保持具に搭載された複数の基板を処理する処理室と、
基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第１のレシピを記憶するレシピ記憶部と、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記基板保持具に搭載される基板枚数に応じて対応付けて条件テーブルとし、該基板枚数に応じた条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、
操作者からの指示を受け付ける操作部と、
各種情報を表示する表示部と、を備える基板処理装置で使用されるレシピの作成方法であって、
前記レシピ記憶部に記憶された第１のレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、
前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記操作部からの操作者の指示に基づき、前記表示された第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを少なくとも１回実行して第２のレシピを作成するステップと、
前記基板保持具に搭載される基板枚数が指定された場合に、前記第２のレシピと、前記指定された基板枚数に対応する前記条件テーブルとを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされた条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、を備えるレシピの作成方法。

（付記４）
本発明のさらに他の態様は、
複数の基板が搭載された基板保持具を収容し、前記基板保持具に搭載された複数の基板を処理する処理室と、
基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第１のレシピを記憶するレシピ記憶部と、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記基板保持具に搭載される基板枚数に応じて対応付けて条件テーブルとし、該基板枚数に応じた条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
操作者からの指示を受け付ける操作部と、
各種情報を表示する表示部と、を備える基板処理装置で使用されるレシピの作成プログラムであって、
前記レシピ記憶部に記憶された第１のレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、
前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記操作部からの操作者の指示に基づき、前記表示された第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第２のレシピを作成するステップと、を備えるレシピの作成プログラム。

（付記５）
好ましくは、付記４のレシピの作成プログラムであって、
前記基板保持具に搭載される基板枚数が指定された場合に、前記第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記指定された基板枚数に対応する前記条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップを更に備えるレシピの作成プログラム。

（付記６）
本発明のさらに他の態様は、
基板を処理する処理室と、
基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第１のレシピを記憶するレシピ記憶部と、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名との組み合わせを、複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、
操作者からの指示を受け付ける操作部と、
各種情報を表示する表示部と、を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記レシピ記憶部に記憶された第１のレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、
前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記操作部からの操作者の指示に基づき、前記表示された第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第２のレシピを作成するステップと、
前記第２のレシピと、前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイルとを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされたプロセスパラメータファイル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、
を行う基板処理装置。

（付記７）
本発明のさらに他の態様は、
基板を処理する処理室と、
基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第１のレシピを記憶するレシピ記憶部と、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名との組み合わせを、複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、
操作者からの指示を受け付ける操作部と、
各種情報を表示する表示部と、を備える基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記レシピ記憶部に記憶された第１のレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、
前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記操作部からの操作者の指示に基づき、前記表示された第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第２のレシピを作成するステップと、
前記第２のレシピと、前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイルとを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされたプロセスパラメータファイル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、
前記複数の基板が搭載された基板保持具を前記処理室へ収容して、前記第３のレシピを実行するステップと、を備える半導体装置の製造方法。

（付記８）
本発明のさらに他の態様は、
基板を処理する処理室と、
基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第１のレシピを記憶するレシピ記憶部と、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名との組み合わせを、複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、
操作者からの指示を受け付ける操作部と、
各種情報を表示する表示部と、を備える基板処理装置で使用するレシピの作成方法であって、
前記レシピ記憶部に記憶された第１のレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、
前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記操作部からの操作者の指示に基づき、前記表示された第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第２のレシピを作成するステップと、
前記第２のレシピと、前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイルとを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされたプロセスパラメータファイル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、を備えるレシピの作成方法。

（付記９）
本発明のさらに他の態様は、
複数の基板が搭載された基板保持具を収容し、前記基板保持具に搭載された複数の基板を処理する処理室と、
基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第１のレシピを記憶するレシピ記憶部と、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記基板保持具に搭載される基板枚数に応じて対応付けて条件テーブルとし、該基板枚数に応じた条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名で置換し、該パラメータ項目名に置換したレシピを第２のレシピとする第２のレシピの作成ステップと、
前記基板保持具に搭載される基板枚数が指定された場合に、前記第２のレシピと、前記指定された基板枚数に対応する前記条件テーブルとを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされた条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、
を行う基板処理装置。

（付記１０）
本発明のさらに他の態様は、
第１のレシピを記憶するステップと、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記基板保持具に搭載される基板枚数に応じて対応付けて条件テーブルとし、該基板枚数に応じた条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するステップと、
前記記憶した第１のレシピ中のプロセスパラメータを表示するレシピ表示ステップと、
前記記憶したプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記表示された第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第２のレシピを作成するステップと、
処理する基板枚数が指定された場合に、前記第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、
前記指定された枚数の基板に対して、前記第３のレシピを実行するステップと、を備える半導体装置の製造方法。

（付記１１）
本発明のさらに他の態様は、
第１のレシピを記憶するステップと、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記基板保持具に搭載される基板枚数に応じて対応付けて条件テーブルとし、該基板枚数に応じた条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するステップと、
前記記憶した第１のレシピ中のプロセスパラメータを表示するレシピ表示ステップと、
前記記憶したプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記表示された第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第２のレシピを作成するステップと、
処理する基板枚数が指定された場合に、前記第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、を備えるレシピの作成方法。

（付記１２）
本発明のさらに他の態様は、
第１のレシピを記憶するステップと、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記基板保持具に搭載される基板枚数に応じて対応付けて条件テーブルとし、該基板枚数に応じた条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するステップと、
前記記憶した第１のレシピ中のプロセスパラメータを表示するレシピ表示ステップと、
前記記憶したプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記表示された第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第２のレシピを作成するステップと、を備えるレシピの作成プログラム。

（付記１３）
好ましくは、付記１２のレシピの作成プログラムであって、
処理する基板枚数が指定された場合に、前記第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップを更に備えるレシピの作成プログラム。

（付記１４）
本発明のさらに他の態様は、
複数の基板が搭載された基板保持具を収容し、前記基板保持具に搭載された複数の基板を処理する処理室と、
基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第１のレシピを記憶するレシピ記憶部と、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記基板保持具に搭載される基板枚数に応じて対応付けて条件テーブルとし、該基板枚数に応じた条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名で置換し、該パラメータ項目名に置換したレシピを第２のレシピとする第２のレシピの作成ステップと、
前記基板保持具に搭載される基板枚数が指定された場合に、前記第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記指定された基板枚数に対応する前記条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、
を行う基板処理装置。

（付記１５）
本発明のさらに他の態様は、
第１のレシピ中のプロセスパラメータを表示するレシピ表示ステップと、
プロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記第１のレシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第２のレシピを作成するステップと、
を備えるレシピの作成方法。

（付記１６）
好ましくは、付記１５のレシピの作成方法であって、
前記レシピ開始時に、所定の処理条件が指定された場合に、前記第２のレシピと、前記プロセスパラメータファイルとを、ダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた前記第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされたプロセスパラメータファイル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、を備えるレシピの作成方法。

（付記１７）
本発明のさらに他の態様は、
第１のレシピ中のプロセスパラメータを表示するレシピ表示ステップと、
プロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記第１のレシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第２のレシピを作成するステップと、
を備えるレシピ作成プログラム。

（付記１８）
好ましくは、付記１７のレシピの作成プログラムであって、
前記第２のレシピと、前記プロセスパラメータファイルとを、ダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた前記第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされたプロセスパラメータファイル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、を備えるレシピの作成プログラム。

（付記１９）
本発明の更に他の態様は、
複数の基板が搭載された基板保持具を収容し、前記基板保持具に搭載された複数の基板を処理する処理室と、
基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第１のレシピを記憶するレシピ記憶部と、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記基板保持具に搭載される基板枚数に応じて対応付けて第１条件テーブル及び前記基板に堆積した累積膜厚値に応じて対応付けた第２条件テーブルとし、該基板枚数に応じた第１条件テーブル及び前記累積膜厚値に応じた第２条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、
操作者からの指示を受け付ける操作部と、
各種情報を表示する表示部と、を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記レシピ記憶部に記憶された第１のレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、
前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記操作部からの操作者の指示に基づき、前記表示された第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを少なくとも１回実行して第２のレシピを作成するステップと、
前記基板保持具に搭載される基板枚数及び累積膜厚値が指定された場合に、前記第２のレシピと、前記指定された基板枚数に対応する前記第１条件テーブル及び前記基板保持具及び前記処理室の内壁に堆積した前記累積膜厚値に対応する前記第２条件テーブルとを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされた前記第１条件テーブル及び前記第２条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、
を行う基板処理装置。

（付記１９）
本発明の更に他の態様は、
複数の基板が搭載された基板保持具を収容し、前記基板保持具に搭載された複数の基板を処理する処理室と、
基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第１のレシピを記憶するレシピ記憶部と、
基板を処理するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記基板保持具に搭載される基板枚数に応じて対応付けて第１条件テーブル及び前記基板に堆積した累積膜厚値に応じて対応付けた第２条件テーブルとし、該基板枚数に応じた第１条件テーブル及び前記累積膜厚値に応じた第２条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、
操作者からの指示を受け付ける操作部と、
各種情報を表示する表示部と、を備えた基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記制御部は、
前記レシピ記憶部に記憶された第１のレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、
前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記操作部からの操作者の指示に基づき、前記表示された第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを少なくとも１回実行して第２のレシピを作成するステップと、
前記基板保持具に搭載される基板枚数及び累積膜厚値が指定された場合に、前記第２のレシピと、前記指定された基板枚数に対応する前記第１条件テーブル及び前記基板保持具及び前記処理室の内壁に堆積した累積膜厚値に対応する前記第２条件テーブルとを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされた前記第１条件テーブル及び前記第２条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、
を行う半導体装置の製造方法。

（付記１９）
第１のレシピ中のプロセスパラメータを表示するレシピ表示ステップと、
プロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
前記第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記表示されたパラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
前記レシピを表示した状態で、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを少なくとも１回実行して第２のレシピを作成するステップと、
を備えたレシピ作成方法。

（付記１９）
所定の処理条件、例えば、基板保持具に搭載される基板枚数及び前記基板保持具及び前記処理室の内壁に堆積した累積膜厚値が指定された場合に、前記第２のレシピと、前記指定された基板枚数に対応する第１条件テーブル及び第２条件テーブルとを、ダウンロードするダウンロードステップと、
前記ダウンロードされた第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされた前記第１条件テーブル及び前記第２条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、
を行うレシピ作成方法。

１０…制御部、１１…主制御部、１２…温度制御部、１３…ガス流量制御部、１４…圧力制御部、１５…搬送制御部、２０…記憶部、２１…レシピ記憶部、２１ａ…コンビネーション情報部、２２ａ…ＶＰ記憶部、２２ｂ…ＣＰ記憶部、２３…プロセス条件記憶部、２４…ジョブ記憶部、３１…操作部、３２…表示部、１００…基板処理装置、１０５…回転棚、１１０…ポッド、１１１…筐体、１１１ａ…正面壁、１１２…ポッド搬入搬出口、
１１３…フロントシャッタ、１１４…ロードポート、１１５…ボートエレベータ、１１６…支柱、１１７…棚板、１１８…ポッド搬送装置、１１９…サブ筐体、１２０…ウエハ搬入搬出口、１２１…ポッドオープナ、１２２…載置台、１２３…キャップ着脱機構、１２４…移載室、１２５…ウエハ移載機構、１２８…アーム、１３３…クリーンエア、１３４…クリーンユニット、１４２…ウエハ搬入搬出開口、１４７…炉口シャッタ、２００…ウ
エハ（基板）、２０２…処理炉、２１７…ボート（基板保持具）、２１９…シールキャップ。

Claims (6)

1. 複数の基板が搭載された基板保持具を収容し、前記基板保持具に搭載された複数の基板を処理する処理室と、
   基板を処理するためのプロセスパラメータを含む第１のレシピを記憶するレシピ記憶部と、
   前記第１のレシピを実行するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記処理室で処理される基板枚数に応じて対応付けた第１条件テーブル及び前記基板保持具及び前記処理室の内壁に堆積した累積膜厚値に応じて対応付けた第２条件テーブルとしてそれぞれ設定し、該基板枚数に応じた第１条件テーブル及び前記累積膜厚値に応じた第２条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
   前記第１のレシピを実行する制御部と、
   各種情報を表示する表示部と、を備えた基板処理装置であって、
   前記制御部は、
   前記レシピ記憶部に記憶された第１のレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、
   前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
   前記第１のレシピ中のプロセスパラメータを、前記パラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
   前記レシピ表示ステップと、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第２のレシピを作成するステップと、
   前記基板保持具に搭載される基板枚数及び前記累積膜厚値が指定された場合に、前記第２のレシピと、前記指定された基板枚数に対応する前記第１条件テーブル及び前記累積膜厚値に対応する前記第２条件テーブルを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、
   前記ダウンロードされた第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされた第１条件テーブル及び第２条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、
   を行う基板処理装置。
2. 基板を処理するための第１のレシピ中のプロセスパラメータを表示するレシピ表示ステップと、
   レシピを実行するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、処理される基板枚数に応じて対応付けた第１条件テーブル及び前記基板を保持する基板保持具及び前記処理室の内壁に堆積した累積膜厚値に応じて対応付けた第２条件テーブル中のパラメータ項目名を表示するパラメータ項目名表示ステップと、
   前記プロセスパラメータを、前記パラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
   前記レシピ表示ステップと、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第２のレシピを作成するステップと、
   前記基板保持具に搭載される基板枚数及び累積膜厚値が指定された場合に、前記第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記第１条件テーブル及び前記第２条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、
   前記第３のレシピを実行するステップと、
   を備える半導体装置の製造方法。
3. 基板を処理するための第１のレシピ中のプロセスパラメータを表示するレシピ表示ステップと、
   レシピを実行するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、処理される基板枚数に応じて対応付けた第１条件テーブル及び前記基板を保持する基板保持具及び前記処理室の内壁に堆積した累積膜厚値に応じて対応付けた第２条件テーブル中のパラメータ項目名を表示するパラメータ項目名表示ステップと、
   前記プロセスパラメータを、前記パラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
   前記レシピ表示ステップと、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第２のレシピを作成するステップと、
   前記基板保持具に搭載される基板枚数及び累積膜厚値が指定された場合に、前記第２のレシピ中のパラメータ項目名を、前記第１条件テーブル及び前記第２条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第３のレシピを作成するステップと、
   を備えるレシピの作成方法。
4. ダミー基板を含む基板を処理する処理室と、
   前記基板を処理するためのプロセスレシピを記憶するレシピ記憶部と、
   前記プロセスレシピを実行するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記ダミー基板の累積膜厚に応じて対応付けて条件テーブルとし、前記ダミー基板の累積膜厚に応じた条件テーブルを複数含むプロセスパラメータファイルを記憶するプロセスパラメータファイル記憶部と、
   前記プロセスレシピを実行する制御部と、
   各種情報を表示する表示部と、を備えた基板処理装置であって、
   前記制御部は、
   前記レシピ記憶部に記憶されたプロセスレシピ中のプロセスパラメータを前記表示部に表示するレシピ表示ステップと、
   前記プロセスパラメータファイル記憶部に記憶されたプロセスパラメータファイル中のパラメータ項目名を前記表示部に表示するパラメータ項目名表示ステップと、
   前記プロセスパラメータを、前記パラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
   前記レシピ表示ステップと、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第１のレシピを作成するステップと、
   前記ダミー基板の累積膜厚に応じて、前記第１のレシピと、前記条件テーブルとを、前記制御部へダウンロードするダウンロードステップと、
   前記ダウンロードされた第１のレシピ中のパラメータ項目名を、前記ダウンロードされた条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第２のレシピを作成するステップと、
   を行う基板処理装置。
5. ダミー基板を含む基板を処理するためのレシピ中のプロセスパラメータを表示するレシピ表示ステップと、
   レシピを実行するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記ダミー基板の累積膜厚に応じて対応付けた条件テーブル中のパラメータ項目名を表示するパラメータ項目名表示ステップと、
   前記プロセスパラメータを、前記パラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
   前記レシピ表示ステップと、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第１のレシピを作成するステップと、
   前記ダミー基板の累積膜厚に応じて、前記第１のレシピ中のパラメータ項目名を、前記条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第２のレシピを作成するステップと、
   前記第２のレシピを実行するステップと、
   を備える半導体装置の製造方法。
6. ダミー基板を含む基板を処理するためのレシピ中のプロセスパラメータを表示するレシピ表示ステップと、
   レシピを実行するためのプロセスパラメータと、該プロセスパラメータの項目名であるパラメータ項目名とを、前記ダミー基板の累積膜厚に応じて対応付けた条件テーブル中のパラメータ項目名を表示するパラメータ項目名表示ステップと、
   前記プロセスパラメータを、前記パラメータ項目名で置換するレシピパラメータ置換ステップと、
   前記レシピ表示ステップと、前記パラメータ項目名表示ステップと、前記レシピパラメータ置換ステップとを実行して第１のレシピを作成するステップと、
   前記ダミー基板の累積膜厚に応じて、前記第１のレシピ中のパラメータ項目名を、前記条件テーブル中のプロセスパラメータで置換して、第２のレシピを作成するステップと、
   を備えるレシピの作成方法。