JP6296770B2 - 基板載置装置 - Google Patents
基板載置装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6296770B2 JP6296770B2 JP2013248628A JP2013248628A JP6296770B2 JP 6296770 B2 JP6296770 B2 JP 6296770B2 JP 2013248628 A JP2013248628 A JP 2013248628A JP 2013248628 A JP2013248628 A JP 2013248628A JP 6296770 B2 JP6296770 B2 JP 6296770B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- groove
- base
- buffer layer
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 177
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 98
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 37
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
図4(a)及び図4(b)に示すように、直径200mm、厚さ10mmの円板状の基体11を用意した。この基体11は、熱伝導率が90W/m・Kの窒化アルミニウム製であり、図示しないが、内部に発熱抵抗体を埋設した。
実施例2として、スピンドル油を充填して熱緩衝層18を充填剤としてこと以外は、実施例1と同様にした。熱緩衝層18の熱伝導率は0.2W/m・Kであった。基体11は、実施例1で使用した基体11を用いた。
実施例3として、水を充填して熱緩衝層18を充填剤としてこと以外は、実施例1と同様にした。熱緩衝層18の熱伝導率は0.6W/m・Kであった。基体11は、実施例1で使用した基体11を用いた。
実施例4として、シリコーン系接着剤を充填して熱緩衝層18を充填剤としてこと以外は、実施例1と同様にした。熱緩衝層18の熱伝導率は3W/m・Kであった。基体11は、実施例1で使用した基体11を用いた。
実施例5として、インジウムを充填して熱緩衝層18を充填剤としてこと以外は、実施例1と同様にした。熱緩衝層18の熱伝導率は82W/m・Kであった。基体11は、実施例1で使用した基体11を用いた。
実施例6として、基体11と台座12との間に断熱板15(図2参照)を挿入したこと以外は、実施例5と同様にした。断熱板15は、直径200mm、厚さ1mmの円板状の石英板であった。基体11と断熱板15、断熱板15と台座12との接合には、実施例1〜5と同様にシリコーン系の接着剤を使用した。各接合層14の厚さは0.05mmとした。断熱板15の熱伝導率は1W/m・Kであった。
図5(a)及び図5(b)に示すように、実施例1で使用した基体11を用意した。そして、外径200mm、厚さ30mmの円板状の台座32を用意した。台座32は、実施例1の台座12と同様に、熱伝導率が140W/m・Kのアルミニウム合金(A5052)製であった。そして、台座32の内部に一辺10mmの断面正方形の溝36を、直径160mmの円周に沿って、345度に渡って形成した。溝16の両端部底面に台座12の裏面に挿通する挿通孔を形成した。ここで、溝36の断面積は、実施例1の冷却管17の断面積とほぼ同じである。
比較例2として、台座12をチタン合金(JIS60種)製としてこと以外は、実施例5と同様にした。台座12の熱伝導率は8W/m・Kであった。基体11は、実施例1で使用した基体11を用いた。
図3を参照して、外径200mm、厚さ30mmの円板状の基体21を用意した。基体21は、熱伝導率が140W/m・Kのアルミニウム合金(A5052)製であった。そして、基体21の表面にアルミナ溶射を施し、表面を加工して溶射層22の厚さが200μmとなるようにした。
外径200mm、厚さ30mmの円板状の基体を用意した。この基体は、実施例7の基体21と同様に、熱伝導率が140W/m・Kのアルミニウム合金(A5052)製であった。そして、基体の表面にアルミナ溶射を施し、表面を加工して溶射層の厚さが200μmとなるようにした。
Claims (5)
- 基板を載置する載置面を有する基体と、
前記基体に固定され、内部に溝が形成され、前記基体より熱伝導率が高い台座と、
前記溝内に配置され、内部に冷却媒体が供給される冷却管と、
前記溝と前記冷却管との間に、前記台座より熱伝導率が低く、前記冷却管から前記基体への熱伝達を制御する熱緩衝層であって、前記溝と前記冷却管との間の空間を部分的に満たす熱緩衝層とを備えたことを特徴とする基板載置装置。 - 前記基体と前記台座とは接着剤が固化してなる接合層を介して固定されていることを特徴とする請求項1に記載の基板載置装置。
- 前記基体と前記台座との間に、前記基体より熱伝導率が低い断熱板を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の基板載置装置。
- 基板を載置する載置面側が溶射層で被覆され、内部に溝が形成された基体と、
前記溝内に配置され、内部に冷却媒体が供給される冷却管と、
前記溝と前記冷却管との間に、前記基体より熱伝導率が低く、前記冷却管から前記基体への熱伝達を制御する熱緩衝層であって、前記溝と前記冷却管との間の空間を部分的に満たす熱緩衝層とを備えたことを特徴とする基板載置装置。 - 前記熱緩衝層は、金属粉体又はセラミックス粉体が充填されてなることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の基板載置装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013248628A JP6296770B2 (ja) | 2013-11-29 | 2013-11-29 | 基板載置装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013248628A JP6296770B2 (ja) | 2013-11-29 | 2013-11-29 | 基板載置装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015106667A JP2015106667A (ja) | 2015-06-08 |
JP6296770B2 true JP6296770B2 (ja) | 2018-03-20 |
Family
ID=53436616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013248628A Active JP6296770B2 (ja) | 2013-11-29 | 2013-11-29 | 基板載置装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6296770B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6584289B2 (ja) * | 2015-11-04 | 2019-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台および基板処理装置 |
US20180005867A1 (en) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | Lam Research Corporation | Esc ceramic sidewall modification for particle and metals performance enhancements |
CN107178602A (zh) * | 2017-05-25 | 2017-09-19 | 贵州大学 | 一种液力变速器用固定底座 |
JP7388998B2 (ja) * | 2020-09-15 | 2023-11-29 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5540559Y2 (ja) * | 1972-12-07 | 1980-09-22 | ||
JP2692162B2 (ja) * | 1988-08-02 | 1997-12-17 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング装置 |
JPH07187851A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-07-25 | Toyota Motor Corp | 断熱部材及びその製造方法 |
JPH1050811A (ja) * | 1996-03-16 | 1998-02-20 | Miyata R Andei:Kk | 半導体基板の温度調節機構 |
JP3847920B2 (ja) * | 1997-10-06 | 2006-11-22 | 株式会社アルバック | 静電吸着ホットプレート、真空処理装置、及び真空処理方法 |
JPH11233520A (ja) * | 1998-02-09 | 1999-08-27 | Kokusai Electric Co Ltd | 冷却構造 |
JPH11329926A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板冷却装置および基板冷却方法 |
JP3865239B2 (ja) * | 1999-03-05 | 2007-01-10 | 忠弘 大見 | プラズマプロセス装置 |
JP4129206B2 (ja) * | 2003-07-01 | 2008-08-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
JP2007043042A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体およびその製造方法、ならびにそれを搭載したウェハプローバ及び半導体加熱装置 |
JP3972944B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2007-09-05 | 住友電気工業株式会社 | セラミックスヒータ及びそれを備えた半導体製造装置 |
WO2007126228A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Dansung Electron Co., Ltd. | Manufacturing method for susceptor and susceptor using this method |
JP4994121B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2012-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着電極、基板処理装置および静電吸着電極の製造方法 |
JP5021347B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-09-05 | 三井造船株式会社 | 熱処理装置 |
JP4893543B2 (ja) * | 2007-09-07 | 2012-03-07 | 住友電気工業株式会社 | ウエハ保持体及びそれを搭載した半導体製造装置 |
JP6017781B2 (ja) * | 2011-12-07 | 2016-11-02 | 新光電気工業株式会社 | 基板温調固定装置及びその製造方法 |
-
2013
- 2013-11-29 JP JP2013248628A patent/JP6296770B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015106667A (ja) | 2015-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6380177B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
KR102174964B1 (ko) | 정전 척 장치 | |
JP6064908B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
US10079167B2 (en) | Electrostatic chucking device | |
JP6584286B2 (ja) | ヒータユニット | |
CA2902220C (en) | Pedestal construction with low coefficient of thermal expansion top | |
TWI406355B (zh) | The substrate support table of the plasma processing device | |
JP6296770B2 (ja) | 基板載置装置 | |
JP2008078106A (ja) | 向上した熱伝導度を有するアセンブリー | |
TWI788497B (zh) | 靜電吸盤裝置 | |
JP6215104B2 (ja) | 温度調整装置 | |
WO2017026206A1 (ja) | ヒータユニット | |
JP2009094138A (ja) | ウエハ保持体および半導体製造装置 | |
JP5504924B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP5381878B2 (ja) | ウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置 | |
JP6060889B2 (ja) | ウエハ加熱用ヒータユニット | |
JP7047694B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP2016143760A (ja) | 静電チャック装置 | |
US20140209242A1 (en) | Substrate processing chamber components incorporating anisotropic materials | |
JP2009094137A (ja) | ウエハ保持体および半導体製造装置 | |
JP6597437B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP2011081932A (ja) | 加熱ヒータおよびそれを搭載した装置 | |
TW201532112A (zh) | 等離子體處理裝置及靜電卡盤與靜電卡盤的製作方法 | |
WO2021002168A1 (ja) | シャフト付きセラミックヒータ | |
JP2017212154A (ja) | ヒータユニット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20150326 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20160401 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160921 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171017 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171211 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6296770 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |