JP5021347B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Description
また、加熱部110の上方には、加熱体120が設けられている。また、コイル支持部材112と加熱体120との間に断熱冷却部材118が充填されている。この断熱冷却部材118は、加熱体120が誘導加熱によって発熱した際、その熱が誘導コイル114およびその他の構成部材に伝わることを防止するものである。
加熱体120と、反射板122との間には、シリコンウエハなど基板130を1枚支持するためのエッジリング124が設けられている。従来の熱処理装置100においては、エッジリング124に、1枚の基板130が支持された状態で熱処理が施される。
そして、この渦電流によるジュール熱で加熱体120のコイル対向面120aが発熱し、表面温度が上昇する。コイル対向面120aの発熱に伴い、加熱体120の表面120bおよび内部を熱が伝導し、表面120bの表面温度が上昇(加熱体120の全体の温度が上昇)する。
このようにして、従来の熱処理装置100においては、基板130を、所定の温度に加熱し、アニールなどの所定の熱処理を行う。
なお、従来の熱処理装置100においては、加熱部110および加熱体120を、赤外ランプに変えてもアニールなどの所定の熱処理を施すことができる。
特許文献1に開示された熱処理装置においては、石英ガラスからなる処理チャンバを備え、この処理チャンバ内には、シリコンウエハを支持する基板支持部材が設置されている。この基板支持部材は、石英ガラス製の支持リングと、この支持リングの上端部に結合されたシリコンカーバイド製のエッジリングとからなり、このエッジリングの内側縁部にシリコンウエハのエッジ部が支持される。
また、基板支持部材は、処理チャンバのベース部にベアリングを介して回転自在に取り付けられている。このベース部には、ベアリングを介して駆動リングが回転自在に取り付けられ、この駆動リングは駆動モータにより回転駆動されるものである。なお、ベアリングの外レースと駆動リングとは磁気結合されており、駆動リングが回転すると、ベアリングを介して基板支持部材が回転する構成になっている。
特許文献1の熱処理装置においては、基板支持部材の上方に、基板支持部材に支持されたシリコンウエハを加熱する複数のハロゲンランプからなる加熱ランプ部が配置されている。加熱ランプ部の下端には石英ガラス製のランプ窓が設けられており、各ハロゲンランプから発した光(熱)は、そのランプ窓を介してシリコンウエハに届き、シリコンウエハが加熱される。また、ベース部には、シリコンウエハの温度を検出する複数の温度センサが設けられている。さらに、基板支持部材の外側には、加熱ランプ部から照射される高温の熱からベアリングを保護するためのベアリングカバーが配置されている。
また、チャンバ内には、半導体基板をエッジリングに載置する際に半導体基板を保持する、支持ピンが設けられている。エッジリングに載置された半導体基板の位置は、基板位置補正機構としての支持ピン又はトランスファーアームによって補正される。
特許文献2の電子デバイスの製造装置においては、パイロメーターによって測定された基板温度に基づいて各領域毎に加熱部材の強度を調整することによって半導体基板に対して熱処理が行なわれる。
また、基板130(シリコンウエハ)を1200℃〜1300℃の高温に加熱した場合、エッジリング124に基板130が支持されているため、エッジリング124と基板130との接触部分と、エッジリング124に接触していない非接触部分とでは温度が異なり、基板130の温度分布が不均一になり、スリップ欠陥が生じる虞もある。また、基板130とエッジリング124との熱膨張率の違いからスリップ欠陥が生じる虞もある。
また、シリコンウエハを1200℃〜1300℃の高温に加熱した場合、処理チャンバ内において、シリコンウエハはエッジリングに保持されているため、エッジリングとシリコンウエハとの接触部分と、そうではない非接触部分との温度差により、シリコンウエハの温度分布が不均一になり、スリップ欠陥が生じる虞もある。また、エッジリングとシリコンウエハとの熱膨張率の違いからも、スリップ欠陥が生じる虞もある。
また、シリコンウエハ(半導体基板)を1200℃〜1300℃の高温に加熱した場合でも、チャンバ内において、シリコンウエハはエッジリングに保持されているため、エッジリングとシリコンウエハとの接触部分と、そうではない非接触部分との温度差により、シリコンウエハの温度分布が不均一になり、スリップ欠陥が生じる虞もある。また、エッジリングとシリコンウエハとの熱膨張率の違いからも、スリップ欠陥が生じる虞もある。
さらに、本発明においては、前記加熱体に対向し、かつ前記支持体を挟んで、さらに他の加熱体が設けられるとともに、前記他の加熱体を加熱する他の加熱手段が設けられていることが好ましい。
さらには、本発明においては、基板は、非接触状態で加熱されるため、支持部材などの接触する部材との熱膨張率の差に起因するスリップ欠陥などの発生も抑制することができる。
さらにまた、基板を熱伝導により加熱するため、固体接触による加熱方法に比して、均一に加熱することができ、基板内の温度のバラツキが小さくなり、温度分布を均一化することができる。
このように、本発明の熱処理装置によれば、広い温度範囲で効率よく、かつ欠陥を生じさせることなく、基板を所定の温度に加熱することができる。
図1は、本発明の第1の実施例に係る熱処理装置を示す模式的断面図である。
熱処理容器12は、密閉可能な容器であり、図示はしないが、側面に開閉扉が設けられている。この開閉扉から熱処理容器12内への基板50の搬送、および基板50の取り出しがなされる。
また、本実施例の熱処理装置10は、図示はしないが、例えば、ロボットアーム等の自動搬送手段を備えており、熱処理容器12への基板50の搬送、および基板50の取り出しは、このロボットアームによって自動的に行われる。
そして、この渦電流によるジュール熱で加熱体20の下面20bが発熱し、表面温度が上昇する。下面20bの発熱に伴い、加熱体20の表面および内部を熱が伝導し、表面20aの表面温度が上昇(加熱体20の全体の温度が上昇)し、加熱体20が加熱される。
また、誘導コイル18は、1本の導体で渦巻き状に形成されたものに限定されるものでなく、同心円状であってもよく、さらには、1本の導体による構成に限定されるものでもない。誘導コイル18としては、誘導加熱ができる構成であれば、構成については、特に限定されるものではない。
また、加熱体20は、電磁誘導性を有する材料で構成されている。この電磁誘導性を有する材料とは、例えば、グラファイト、またはSiCである。
この加熱体20は、誘導コイル18の上方に、下面20bを対向して所定の間隔を空けて設けられている。さらに、加熱体20は、表面20aおよび下面20bは、平坦であり、下面20bは、コイル支持部材16の表面16aと平行に配置されている。
ここで、種々の材料の中でも、炭素繊維/炭素複合材(C/Cコンポジット)は、耐割れ性が優れたものである。加熱体20の材質として、炭素繊維/炭素複合材(C/Cコンポジット)を用いることにより、昇温速度が急速な熱処理においても、加熱体20に割れが生じることがないといった優れた効果を有する。このため、炭素繊維/炭素複合材(C/Cコンポジット)は、加熱体20の材質として好適である。
また、穴42に供給管46が支持体40の裏面40b側から接続されている。この供給管46にガス供給部48が接続されている。
基板支持ユニット30において、ガス供給部48から供給される気体としては、基板50の熱処理工程において、基板50と反応することなく、製造する製品の品質に悪影響を及ぼさないものが用いられる。この基板50と反応することなく、製造する製品の品質に悪影響を及ぼさないものとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガスが用いられる。
また、基板支持ユニット30において、ガス供給部48から供給する気体は、熱処理工程における熱処理温度である必要がある。このため、ガス供給部48には、供給する気体を加熱する気体加熱部(図示せず)が設けられている。
また、支持体40は、後述するように、加熱体20の輻射熱により加熱されるものである。このため、支持体40も、加熱体20と同様の材質により構成されることが好ましい。また、本実施例の熱処理装置10は、後述するように、透過率の温度依存性を有する基板50の加熱に利用されるため、支持体40としては、透過率の温度依存性がない材質により構成されることが好ましい。
このように、基板支持ユニット30により、基板50は、熱処理容器12内で非接触状態で保持される。
また、溝44についても、溝44の数、および溝44の形成パターンについても、基板50を浮上させることができれば、特に限定されるものではない。
さらには、基板支持ユニット30は、基板50を1枚載置するものに限定されるものではなく、複数枚載置される構成でもよい。この場合、例えば、支持体40を、矩形状の板部材で構成し、支持体40に、穴42および溝44の組み合わせたものを複数組形成し、各穴42に対して、基板50を1枚ずつ割り当ててもよい。これにより、各基板50が、支持体40上に非接触状態で保持される。
また、支持体40の表面40aと平行な方向における基板50の動きを拘束するために、ストッパーとなるものとして、支持体40の外縁に沿って、例えば、リブを設ける構成としてもよい。このリブも、基板50が1枚または複数載置される、いずれの構成においても形成されるものである。
この反射板34は、基板50を効率良く、加熱するためのものであり、熱処理容器12内で発生した赤外線などを基板50に反射させて、基板50を加熱するものである。
また、熱処理容器12内に、基板50と反応することなく、製造する製品の品質に悪影響を及ぼさない気体を導入する導入するためのガス導入部54が設けられている。この基板50と反応することなく、製造する製品の品質に悪影響を及ぼさない気体としては、例えば、窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガスが用いられる。
さらに、排気部52およびガス導入部54も制御部28に接続されており、制御部28の制御命令に基づいて、熱処理容器12内の排気、および熱処理容器12内への気体の導入などが制御されるものである。
また、基板50を熱伝導により加熱するため、固体接触による加熱方法に比して、均一に加熱することができ、基板50内の温度のバラツキが小さくなり、温度分布を均一化することができる。
さらには、本実施例においては、基板50は、非接触状態で加熱されるため、支持部材などの接触する部材との熱膨張率の差に起因するスリップ欠陥などの発生も抑制することができる。
このように、本実施例の熱処理装置10においては、広い温度範囲で効率よく、かつ欠陥を生じさせることなく、基板50を所定の温度に加熱することができる。
先ず、熱処理容器12の開閉扉(図示せず)を開き、ロボットアーム(図示せず)により、基板50を熱処理容器12内部に搬送し、基板50の中心と、支持体40の表面40aの中心とを一致させて、基板50を支持体40の表面40aに載置する。そして、開閉扉を閉める。
次に、制御部28の制御命令に基づいて、熱処理容器12内を排気部52により減圧させて、真空状態にする。
次に、制御部28の制御命令に基づいて、ガス導入部54から、例えば、不活性ガスを熱処理容器12内に導入させて熱処理容器12内を不活性ガスで充填する。
次に、制御部28の制御命令に基づいて、設定温度(目標温度)に応じた交流電圧を交流電源24から誘導コイル18に印加させる。これにより、誘導コイル18に誘導磁界が発生する。この誘導磁界により加熱体20の下面20bに高密度の渦電流が発生する。
そして、表面20aからは、表面温度(加熱輻射面の温度)に応じた熱エネルギーが赤外線などの電磁波として輻射される。
本実施例では、このように、加熱体20の表面20aから輻射された輻射熱(熱エネルギー)によって、支持体40および供給管46が加熱される。さらには、支持体40の表面40aと基板50と間の気体も加熱される。この加熱された気体により基板50が加熱される。このように、本実施例においては、基板50が加熱気体による熱伝導により加熱される。
次に、基板50について、熱処理条件に応じた所定の温度で、所定の時間保持する。そして、熱処理が終了した後、制御部28の制御命令に基づいて交流電源24の交流電圧の出力を停止し、基板50を降温させる。
その後、基板50の温度が、例えば、常温まで下がった後、制御部28の制御命令に基づいてガス供給部46からの気体の供給も停止させる。
次に、開閉扉(図示せず)を開き、制御部28の制御命令に基づいて、ロボットアーム(図示せず)が基板50を熱処理容器12から取り出す。このようにして、本実施例においては、基板50について、例えば、1枚ずつ熱処理を行うことができる。
さらには、熱伝導により基板50を加熱するため、基板50の透過率特性(透過率の温度依存性)の影響を受けることがなくなり、設定温度(目標温度)に対する加熱体20の発熱量の制御が容易になる。これにより、例えば、500℃を設定温度(目標温度)とした場合であっても、基板50を高い精度で設定温度(目標温度)に加熱することができる。
さらには、本実施例の熱処理方法においては、基板50は、非接触状態で加熱されるため、支持部材などの接触する部材との熱膨張率の差に起因するスリップ欠陥などの発生も抑制することができる。
また、本実施例の熱処理方法においては、熱伝導により基板50を加熱するため、固体接触による加熱方法に比して、基板50を均一に加熱することができ、基板50内の温度のバラツキが小さくなり、温度分布を均一化することができる。
さらに、本実施例の熱処理方法においては、加熱した後、基板50の温度を下げる場合に、他の気体供給部(図示せず)から冷却用の気体を供給しても、基板50と支持体40との間の気体により、基板50を均一に冷却することができる。このように、熱処理工程において、加熱および冷却に際して、基板50の温度が均一な状態で、処理することができる。
以上のように、本実施例の熱処理方法においては、広い温度域に亘り、基板50にスリップ欠陥を生じさせることなく、かつ基板50を効率よく加熱することができる。
図4(a)は、本発明の第2の実施例の熱処理装置を示す模式的断面図であり、(b)は、本発明の第2の実施例の熱処理装置の要部を示す模式的側断面図である。図5は、本発明の第2の実施例の熱処理装置の基板支持ユニットの構成の要部を示す模式的斜視図である。
なお、本実施例においては、図1〜図3に示す第1の実施例の熱処理装置と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
本実施例の反応容器62には、図示はしないが、加熱体64の他端部64bに、開閉扉が設けられている。
また、本実施例の熱処理装置60の加熱体64は、図4(a)に示すように、一端に蓋65が設けられて閉塞されている。この蓋65には、排気部52およびガス導入部54が接続されている。また、加熱体64の他端部64bには、図示はしないが、開閉扉が設けられている。この他端部64bから基板50が搬入されるか、または取り出される。さらには、本実施例の熱処理装置60においても、図示はしないが、例えば、ロボットアーム等の自動搬送手段を備えており、熱処理容器62への基板50の搬送、および基板50の取り出しは、このロボットアームによって自動的に行われる。
また、加熱体64と誘導コイルとの隙間には、断熱冷却部材72が充填されている。この断熱冷却部材72も、加熱体64が誘導加熱によって発熱した際、その熱が誘導コイル70およびその他の構成部材に伝わることを防止するものであり、第1の実施例の断熱冷却部材22と同様の構成を有するものであるため、その詳細な説明は省略する。
本実施例の基板支持ユニット30aにおいては、加熱体64の下壁66の表面66aに基板50が浮上した状態で支持される。
本実施例の基板支持ユニット30aにおいては、図5に示すように、加熱体64の下壁66の表面66aに、第1の実施例の支持体40(図1参照)の如く、穴42が形成されており、この穴42の縁から螺旋状に延びる溝44aが、基板50の外縁よりも大きい範囲に亘り複数形成されている。また、この穴42に供給管46が下面66b側から接続されている。
このように、基板支持ユニット30aにより、基板50は、加熱体64内部64aで非接触状態に保持される。本実施例においても、基板50は、加熱体64の下壁66の表面66aに浮上した状態で熱処理される。このため、誘導コイル70に交流電源24から交流電圧を印加されて生じた誘導磁界により渦電流が発生し、この渦電流によるジュール熱で加熱体64が加熱された場合、基板50と加熱体64の下壁66の表面66aとの間には気体がある。この気体が加熱されて、この加熱された気体の熱伝導により基板50が加熱される。このように、本実施例においても、基板50は、第1の実施例と同様に、輻射ではなく、熱伝導により加熱される。これにより、本実施例においても、第1の実施例と同様に、広い温度域に亘り、基板50にスリップ欠陥を生じさせることなく、かつ基板50を効率よく加熱することができるという効果を得ることができる。
さらには、本実施例においては、誘導コイル70と加熱体64との間隔を一定としているため、加熱体64を均一に加熱することができ、基板50の温度分布をより一層均一化できる。
本実施例の熱処理方法においても、基板50が、加熱体64の下壁66の表面66aに浮上した状態で熱処理される。このため、上述のように、基板50は、熱伝導により加熱される。これにより、本実施例においても、第1の実施例の熱処理方法と同様の効果を得ることができる。
また、基板支持ユニット30aの溝44aについても、第1の実施例と同様に、溝44aの数、および溝44aの形成パターンについても、基板50を浮上させることができれば、特に限定されるものではない。
さらには、基板支持ユニット30aは、基板50を1枚載置するものに限定されるものではなく、複数枚載置される構成でもよい。この場合、例えば、加熱体64の下壁66に、穴42および溝44の組み合わせたものを複数組形成し、各穴42に対して、基板50を1枚ずつ割り当ててもよい。これにより、各基板50が、支持体40上に非接触状態で保持される。
また、加熱体64の下壁66の表面66aと平行な方向における基板50の動きを拘束するために、ストッパーとなるものとして、加熱体64の下壁66に形成された複数の溝44aを取り囲むように、例えば、リブを設ける構成としてもよい。このリブも、基板50が1枚または複数載置される、いずれの構成においても形成されるものである。
12、102 熱処理容器
14、110 加熱部
16、112 コイル支持部材
18、114 誘導コイル
20、120 加熱体
22、72、108 断熱冷却部材
24、116 交流電源
26 計測部
28 制御部
30、30a 基板支持ユニット(基板支持手段)
32 温度センサ
34、122 反射板
40 支持体
42 穴
44、44a 溝
46 供給管
48 ガス供給部
124 エッジリング
Claims (3)
- 基板を熱処理する熱処理装置であって、
前記基板が載置される載置面を有するとともに前記載置面に穴とこの穴の縁から螺旋状に延びる複数の溝が形成された支持体と、
前記支持体の前記穴に供給管を介して気体を供給し、前記穴および前記複数の溝からの気体の噴出により前記載置面に載置されていた前記基板を浮上させつつ回転させて支持するガス供給部と、
前記支持体の表面とは反対側の方向に、前記支持体に対向して配置される加熱体と、
前記加熱体に対して、さらに前記支持体の表面の反対側の方向に配置され、前記加熱体を加熱するための誘導コイルと、
前記誘導コイルに交流電圧を印加する交流電源とを有し、
前記加熱体と前記支持体とが一体的に形成され、
前記交流電源から交流電圧が印加された前記誘導コイルにより前記加熱体が誘導加熱され、さらに前記支持体が加熱されて前記基板が所定の温度に加熱されることを特徴とする熱処理装置。 - 前記加熱体に対向し、かつ前記支持体を挟んで反射板が設けられている請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記加熱体に対向し、かつ前記支持体を挟んで、さらに他の加熱体が設けられるとともに、前記他の加熱体を加熱する他の加熱手段が設けられている請求項1または2に記載の熱処理装置。
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