JP6266632B2 - アントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

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Description

本発明は、アントラセン誘導体、それを含む有機エレクトロルミネッセンス素子及びその素子を含む電子機器に関する。
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。
従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらなる発光効率の向上等が要求されている。有機ＥＬ用発光材料の改良により有機ＥＬ素子の性能は徐々に改善されてきている。有機ＥＬ素子の発光効率の向上はディスプレイの消費電力の低下につながる重要な課題である。これまで種々検討により改善されてきたが、さらなる改良が求められている。
これら問題を解決すべく、特許文献１〜３には、ベンゾフルオレンを置換基として有するアントラセン誘導体を発光材料に用いた有機ＥＬ素子が開示されていた。
さらに、特許文献４〜６では、３−フルオレニル基又は４−フルオレニル基を置換基として有するアントラセン誘導体の発光材料が開示されており、これらの材料を用いると低電圧化する効果が認められているが、効率が低下する欠点があり、さらなる高効率化が求められていた。
国際公開第２００４／０６１０４８号パンフレット 韓国公開特許第２００９−０１１７３２６号公報 国際公開第２０１０／１１４２５３号パンフレット 韓国公開特許第２０１１−００８１６９８号公報 特開２００９−２４９３７８号公報 特開２００７−３１４５０６号公報
本発明の目的は、低電圧で駆動でき、かつ、高い発光効率を示す有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することが可能な化合物を提供することである。
本発明の一態様によれば、下記の化合物が提供される。
下記式（１）で表されるアントラセン誘導体。
Figure 0006266632
 （式（１）中、
Ｒ１１〜Ｒ２０のいずれか１つはＬ１との結合に用いられ、Ｌ１との結合に用いられるものは単結合である。
Ｒ１１〜Ｒ２０のうちＬ１との結合に用いられないものは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基が置換したアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基が置換したアリールシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、又は置換もしくは無置換のアミノ基である。
Ｒ１１〜Ｒ２０のうち隣接するもの同士が互いに結合して環を形成してもよい。
Ｌ１は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の２価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の２価の複素環基である。
Ｚは下記式（２）で表される構造である。
Figure 0006266632
 （式（２）中、
Ｒ１、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つはＬ１との結合に用いられ、Ｌ１との結合に用いられるものは単結合である。
Ｒ１、Ｒ３及びＲ４のうちＬ１との結合に用いられないもの、Ｒ２、並びにＲ５〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基が置換したアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基が置換したアリールシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、又は置換もしくは無置換のアミノ基である。
ただし、Ｒ５〜Ｒ８のうち少なくとも１組の隣接する２つの基は、互いに結合して飽和又は不飽和の炭化水素環を形成する。
Ｌ１が単結合の場合、Ｒ１、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つはＲ１１〜Ｒ２０のいずれか１つと直接結合する。）
本発明によれば、低電圧で駆動でき、かつ、高い発光効率を示す有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することが可能な化合物が提供できる。
本発明の一態様の化合物（アントラセン誘導体）は下記式（１）で表される。
Figure 0006266632
 式（１）中、Ｒ１１〜Ｒ２０のいずれか１つはＬ１との結合に用いられ、Ｌ１との結合に用いられるものは単結合である。
Ｒ１１〜Ｒ２０のうちＬ１との結合に用いられないものは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基が置換したアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基が置換したアリールシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、又は置換もしくは無置換のアミノ基である。
Ｒ１１〜Ｒ２０のうち隣接するもの同士が互いに結合して環を形成してもよい。
Ｌ１は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の２価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の２価の複素環基である。
Ｚは下記式（２）で表される構造である。
Figure 0006266632
 式（２）中、Ｒ１、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つはＬ１との結合に用いられ、Ｌ１との結合に用いられるものは単結合である。
Ｌ１が単結合の場合、Ｒ１、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つはＲ１１〜Ｒ２０のいずれか１つと直接結合する。
Ｒ１、Ｒ３及びＲ４のうちＬ１との結合に用いられないもの、Ｒ２並びにＲ５〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基が置換したアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基が置換したアリールシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、又は置換もしくは無置換のアミノ基である。
ただし、Ｒ５〜Ｒ８のうち少なくとも１組の隣接する２つの基は、互いに結合して飽和又は不飽和の炭化水素環を形成する。即ち、例えばＲ５とＲ６、Ｒ６とＲ７、又はＲ７とＲ８が結合して炭化水素環を形成し、また、Ｒ５とＲ６、及びＲ７とＲ８がそれぞれ結合して炭化水素環を形成してもよい。
式（１）で表されるアントラセン誘導体は、上記の構造を有することにより、有機ＥＬ素子に用いた場合に、低電圧で駆動でき、かつ、高い発光効率を示す有機ＥＬ素子を提供できる。
式（１）において、Ｒ１１〜Ｒ２０のうち好ましくはＲ１２、Ｒ１９又はＲ２０がＬ１と結合する。
Ｒ５〜Ｒ８のうち少なくとも１組の隣接する２つの基は、互いに結合して下記式（３）で表される環構造を形成と好ましい。
Figure 0006266632
 式（３）中、Ｒ２１〜Ｒ２４は、それぞれ独立に、式（２）におけるＲ２及びＲ５〜Ｒ１０と同義である。
Ｒ２１〜Ｒ２４のうち隣接するもの同士が互いに結合して環を形成してもよい。
Ｚは、好ましくは下記式（４）〜（７）のいずれかで表される構造である。
Figure 0006266632
 式（４）〜（７）中、Ｒ１、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つはＬ１との結合に用いられ、Ｌ１との結合に用いられるものは単結合である。
Ｒ１、Ｒ３及びＲ４のうちＬ１との結合に用いられないもの、Ｒ２、Ｒ１０１〜Ｒ１０８、Ｒ１１１〜Ｒ１１８、Ｒ１２１〜Ｒ１２８並びにＲ１３１〜Ｒ１４０は、それぞれ独立に、式（２）におけるＲ２及びＲ５〜Ｒ１０と同義である。
式（１）において、Ｒ１１〜Ｒ２０のうちＬ１との結合に用いられないものの少なくとも１つが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基であると好ましく、Ｒ２０が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基であるとより好ましい。
式（１）で表されるアントラセン誘導体は、好ましくは下記式（８）〜（１１）のいずれかで表される。
Figure 0006266632
 式（８）〜（１１）中、Ｒ２０１〜Ｒ２０９は、それぞれ独立に、式（１）においてＬ１との結合に用いられないＲ１１〜Ｒ２０と同義である。
Ｒ２１０〜Ｒ２２０、Ｒ２２１〜Ｒ２３１、Ｒ２３２〜Ｒ２４２及びＲ２４３〜Ｒ２５５は、それぞれ独立に、式（２）におけるＲ２及びＲ５〜Ｒ１０と同義である。
Ｌ２は前記式（１）におけるＬ１と同義である。
式（８）〜（１１）において、Ｒ２０５が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基であると好ましい。
また、式（１）で表されるアントラセン誘導体は、好ましくは下記式（１２）〜（１５）のいずれかで表される。
Figure 0006266632
 式（１２）〜（１５）中、Ｒ２００、Ｒ２０１、Ｒ２０３〜Ｒ２０９は、それぞれ独立に、式（１）においてＬ１との結合に用いられないＲ１１〜Ｒ２０と同義である。
Ｒ２５６〜Ｒ２６６、Ｒ２６７〜Ｒ２７７、Ｒ２７８〜Ｒ２８８、及びＲ２８９〜Ｒ３０１は、それぞれ独立に、式（２）におけるＲ２及びＲ５〜Ｒ１０と同義である。
Ｌ２は前記式（１）におけるＬ１と同義である。
式（１２）〜（１５）において、Ｒ２００及びＲ２０５から選択される１以上が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基であると好ましい。
本明細書において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、及び芳香環を含む）を構成する炭素原子及びヘテロ原子（例えば、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ等）を意味する。
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ａ〜ｂのＸＸ基」という表現における「炭素数ａ〜ｂ」は、ＸＸ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、ＸＸ基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
また、「置換もしくは無置換の・・・」における置換基としては、特記しない限り、後述するハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アリール基、複素環基、アミノ基等が挙げられる。これらの置換基は、さらに前記置換基により置換されていてもよい。
「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
本発明において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）及び三重水素（ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。
上記化合物におけるＲ１１〜Ｒ２０、Ｌ１、Ｒ１〜Ｒ１０、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ１０１〜Ｒ１０８、Ｒ１１１〜Ｒ１１８、Ｒ１２１〜Ｒ１２８、Ｒ１３１〜Ｒ１４０、Ｒ２０１〜Ｒ２０９、Ｒ２１０〜Ｒ２２０、Ｒ２２１〜Ｒ２３１、Ｒ２３２〜Ｒ２４２、Ｒ２４３〜Ｒ２５５、Ｒ２００、Ｒ２０１、Ｒ２０３〜Ｒ２０９、Ｒ２５６〜Ｒ２６６、Ｒ２６７〜Ｒ２７７、Ｒ２７８〜Ｒ２８８、Ｒ２８９〜Ｒ３０１及び「置換もしくは無置換の・・・」における各置換基について、以下に詳細に述べる。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、フッ素が好ましい。
炭素数１〜２０（好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜８、さらに好ましくは１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられる。
中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基が好ましい。
また、置換のアルキル基として、後述するアリール基によって置換されているアルキル基、即ち、アルキレン基とアリール基を組み合わせた置換基（例えば、フェニルメチル基、２−フェニルイソプロピル基等）が挙げられる。
炭素数２〜２０（好ましくは炭素数２〜１０）のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１，３−ブタンジエニル基、１−メチルビニル基、１−メチルアリル基、１，１−ジメチルアリル基、２−メチルアリル基、１，２−ジメチルアリル基等が挙げられる。
置換のアルケニル基としては、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基、１−フェニルアリル基、２−フェニルアリル基、３−フェニルアリル基、３，３−ジフェニルアリル基、１−フェニル−１−ブテニル基、３−フェニル−１−ブテニル基等が挙げられる。
炭素数２〜２０（好ましくは炭素数２〜１０）のアルキニル基としては、プロパルギル基、３−ペンチニル基等が挙げられる。
炭素数１〜２０（好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜８、特に好ましくは炭素数１〜４）のアルコキシ基は、−ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、上記のアルキル基と同様の例が挙げられる。アルコキシ基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基である。
炭素数１〜２０（好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜８、特に好ましくは炭素数１〜４）のアルキルチオ基は、−ＳＹと表される基である。Ｙの例としては、上記のアルキル基と同様の例が挙げられる。
環形成炭素数６〜５０（好ましくは環形成炭素数６〜２０、より好ましくは環形成炭素数６〜１２）のアリールオキシ基は、−ＯＡｒと表される基である。Ａｒの例としては、下記のアリール基と同様である。アリールオキシ基は、例えばフェノキシ基である。
環形成炭素数６〜５０（好ましくは環形成炭素数６〜２０、より好ましくは環形成炭素数６〜１２）のアリールチオ基とは、−ＳＡｒと表される基である。Ａｒの例としては、下記のアリール基と同様である。
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基が置換したアルキルシリル基としては、１、２又は３のアルキル基が置換したシリル基が挙げられ、アルキル基としては上記と同様の例が挙げられる。
アルキルシリル基としては、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｎ−オクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチル−ｎ−プロピルシリル基、ジメチル−ｎ−ブチルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。３つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基が置換したアリールシリル基としては、１、２又は３のアリール基が置換したシリル基が挙げられ、アリール基としては下記と同様の例が挙げられる。また、ケイ素原子にアリール基に加えてアルキル基が置換した基も挙げられる。
アリールシリル基としては、アリールシリル基、アルキルアリールシリル基、ジアルキルアリールシリル基、ジアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基が挙げられる。複数のアリール基同士、又はアルキル基同士は、同一でも異なっていてもよい。
ジアルキルアリールシリル基は、例えば、上記アルキル基で例示したアルキル基を２つ有し、下記アリール基を１つ有するジアルキルアリールシリル基が挙げられる。ジアルキルアリールシリル基の炭素数は、８〜３０であることが好ましい。２つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
アルキルジアリールシリル基は、例えば、上記アルキル基で例示したアルキル基を１つ有し、下記アリール基を２つ有するアルキルジアリールシリル基が挙げられる。アルキルジアリールシリル基の炭素数は、１３〜３０であることが好ましい。２つのアリール基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
トリアリールシリル基は、例えば、下記アリール基を３つ有するトリアリールシリル基が挙げられる。トリアリールシリル基の炭素数は、１８〜３０であることが好ましい。３つのアリール基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
このようなアリールシリル基としては、例えば、フェニルジメチルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ジフェニル−ｔ−ブチルシリル基、トリフェニルシリル基が挙げられる。
環形成炭素数６〜５０（好ましくは環形成炭素数６〜３０、より好ましくは環形成炭素数６〜２０、特に好ましくは環形成炭素数６〜１２）のアリール基（芳香族炭化水素基）としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、６−クリセニル基、１−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、２−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、３−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、４−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、５−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、６−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、１−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、２−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、３−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、４−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、５−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、６−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、７−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、８−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、９−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１０−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１１−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１２−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１３−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１４−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１−ベンゾ［ａ］アントリル基、２−ベンゾ［ａ］アントリル基、３−ベンゾ［ａ］アントリル基、４−ベンゾ［ａ］アントリル基、５−ベンゾ［ａ］アントリル基、６−ベンゾ［ａ］アントリル基、７−ベンゾ［ａ］アントリル基、８−ベンゾ［ａ］アントリル基、９−ベンゾ［ａ］アントリル基、１０−ベンゾ［ａ］アントリル基、１１−ベンゾ［ａ］アントリル基、１２−ベンゾ［ａ］アントリル基、１３−ベンゾ［ａ］アントリル基、１４−ベンゾ［ａ］アントリル基、１−トリフェニレニル基、２−トリフェニレニル基、１−フルオレニル、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、９−フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、等が挙げられる。
好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−フルオレニル、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、５−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、４−ベンゾ［ａ］アントリル基、７−ベンゾ［ａ］アントリル基、１０−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１−トリフェニレニル基、２−トリフェニレニル基である。
１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基及び４−フルオレニル基、９−フルオレニル基は、９位の炭素原子に、前述した置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜１８のアリール基、又は後述する原子数５〜２０の複素環基が置換されていることが好ましい。
これらアリール基は、さらに環形成炭素数６〜３０のアリール基、環形成原子数５〜２０の複素環基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキル基が置換されたシリル基、シアノ基、又はハロゲン原子が置換されていることが好ましい。
本明細書において、アリール基（芳香族炭化水素）とは、芳香族性を示す単環（非縮合アリール基）又は複数の環（縮合アリール基）から構成される炭化水素基である。
縮合アリール基とは、上記アリール基の中で２環以上の環構造が縮環した基である。非縮合アリール基とは、上記アリール基の中で前記縮合アリール基を除いた基である。
縮合アリール基としては、環形成炭素数１０〜５０（好ましくは環形成炭素数１０〜３０、より好ましくは環形成炭素数１０〜２０）の縮合アリール基であり、上記アリール基の具体例中、例えば、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、６−クリセニル基、５−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、４−ベンゾ［ａ］アントリル基、７−ベンゾ［ａ］アントリル基、１０−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１−トリフェニレニル基、２−トリフェニレニル基等が挙げられる。
好ましくは、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、５−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、４−ベンゾ［ａ］アントリル基、７−ベンゾ［ａ］アントリル基、１０−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１−トリフェニレニル基、２−トリフェニレニル基である。
２価の芳香族炭化水素基としては、上記のアリール基から水素原子を１つ以上除いた基が挙げられる。
環形成原子数５〜５０（好ましくは環形成原子数５〜３０、より好ましくは環形成原子数５〜２０、特に好ましくは環形成原子数５〜１２）の複素環基としては、例えば、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル−１−インドリル基、４−ｔ−ブチル−１−インドリル基、２−ｔ−ブチル−３−インドリル基、４−ｔ−ブチル−３−インドリル基、１−ベンズイミダゾリル基、２−ベンズイミダゾリル基、４−ベンズイミダゾリル基、５−ベンズイミダゾリル基、６−ベンズイミダゾリル基、７−ベンズイミダゾリル基、２−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、３−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、５−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、６−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、７−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、８−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、ベンズイミダゾール−２−オン−１−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−３−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−４−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−５−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−６−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−７−イル基等が挙げられる。
好ましくは、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−ベンズイミダゾリル基、２−ベンズイミダゾリル基、４−ベンズイミダゾリル基、５−ベンズイミダゾリル基、６−ベンズイミダゾリル基、７−ベンズイミダゾリル基、２−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、３−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、５−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、６−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、７−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、８−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−１−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−３−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−４−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−５−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−６−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−７−イル基であり、特に好ましくは、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基である。
これら複素環基は、さらに、環形成炭素数６〜３０のアリール基、環形成原子数５〜２０の複素環基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキル基で置換されたシリル基、シアノ基、又はハロゲン原子で置換されていることが好ましい。
複素環基は、単環のヘテロ芳香族環基、複数のヘテロ芳香族環が縮合したヘテロ縮合芳香族環基、及び芳香族炭化水素環とヘテロ芳香族環とが縮合したヘテロ縮合芳香族環基を含む。
環形成原子数８〜３０（好ましくは環形成原子数８〜２０）の縮合複素環基としては、上記複素環基の具体的中、例えば、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基及びカルバゾリル基等が挙げられる。
２価の複素環基としては、上記の複素環基から水素原子を１つ以上除いた基が挙げられる。
アミノ基は、−ＮＨＲＷ又は−Ｎ（ＲＷ）２（式中、２つのＲｗは同一でも異なってもよい）と表される。このＲＷの例として、上記の環形成炭素数６〜５０のアリール基、環形成原子数５〜５０の複素環基が挙げられる。特に、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基が好ましい。
本発明の一態様のアントラセン誘導体を以下に例示するが、これらに限定されるものではない。
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上記の化合物は、有機ＥＬ素子用材料、有機ＥＬ素子用発光材料として使用できる。
本発明の一態様の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、陰極と陽極間に発光層を含む一以上の有機薄膜層を有し、有機薄膜層の少なくとも一層が、上記のアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する。
上記の有機ＥＬ素子は、好ましくは発光層が上記のアントラセン誘導体を含有する。好ましくは、上記アントラセン誘導体は発光層のホスト材料である。
有機薄膜層が複数層型の有機ＥＬ素子としては、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極）等の構成で積層したものが挙げられる。
また、上記の有機ＥＬ素子において、上記アントラセン誘導体は、上記のどの有機層に用いられてもよいが、発光帯域に含有されることが好ましい。特に好ましくは発光層に含有される。含有量は特に制限されず、適宜調整可能であるが、通常、１〜１００質量％、より好ましくは３０〜１００質量％である。
有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率が向上する場合がある。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されてもよい。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
上記のアントラセン誘導体と共に発光層に使用できる材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン等の縮合多環芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
上記の有機ＥＬ素子においては、所望により発光層に、上記の発光材料の他に、発光性ドーパント（りん光性ドーパント及び／又は蛍光性ドーパント）を含有してもよい。また、上記の化合物を含む発光層に、これらのドーパントを含む発光層を積層してもよい。
蛍光性ドーパントは一重項励起子から発光することのできる化合物である。蛍光性ドーパントとしては、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて選ばれる化合物であることが好ましく、スチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物、フルオランテン化合物がより好ましく、縮合多環アミン誘導体がさらに好ましい。これらの蛍光性ドーパントは単独でもまた複数組み合わせて使用してもよい。
縮合多環アミン誘導体としては、下記式（Ａ）で表されるものが好ましい。
Figure 0006266632
 式（Ａ）中、Ｙは置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合芳香族炭化水素基を示す。
Ａｒ１０１、Ａｒ１０２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基を示す。
Ｙの具体例としては、上記の縮合アリール基が挙げられ、好ましくは置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のピレニル基、置換もしくは無置換のクリセニル基である。Ａｒ１０１、Ａｒ１０２の具体例としては、式（１）で表される化合物における環形成炭素数６〜５０のアリール基、及び環形成原子数５〜５０の複素環基と同様のものが挙げられる。
ｎは１〜４の整数であり、１〜２の整数であることが好ましい。
前記式（Ａ）は、下記式（１６）又は（１７）で表されるものが好ましい。
Figure 0006266632
 式（１６）、（１７）中、Ｒｅ及びＲｆはそれぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルゲルマニウム基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールゲルマニウム基である。Ｒｅ及びＲｆはそれぞれ独立に、縮合多環骨格を構成するベンゼン環のいずれの結合位置に結合してもよい。
Ｒｅ及びＲｆの好ましい例としては置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基であり、より好ましくは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基等である。
ｔは０〜１０の整数を示す。ｕは０〜８の整数を示す。
ｔが２〜１０の場合、複数のＲｅは互いに同一でも異なっていてもよい。
ｕが２〜８の場合、複数のＲｆは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ１〜Ａｒ８は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基である。
Ａｒ１〜Ａｒ８の好ましい例としては、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基等である。Ａｒ１〜Ａｒ８の置換基の好ましい例としては、アルキル基、シアノ基、置換もしくは無置換のシリル基である。
また、蛍光性ドーパントとしては、下記式（１８）で表わされる縮合環アミン誘導体も好ましい。
Figure 0006266632
 式（１８）中、Ｒｇ及びＲｈは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルゲルマニウム基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールゲルマニウム基である。
Ｒｉは、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルゲルマニウム基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールゲルマニウム基である。Ｒｉは、式（１８）のフルオレン骨格上のいずれの置換位置に置換してもよい。
ｑは０〜７の整数である。ｑが２〜７の整数の場合、複数のＲｉは互いに同一でも異なっていてもよく、隣接するＲｉ同士が結合して環を形成してもよい。
Ｌ１は単結合又は連結基である。Ｌ１は式（１８）のフルオレン骨格上のＲｉが結合していない結合位置に結合する。
Ａｒ１、Ａｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基である。
ｐは１〜４の整数である。
式（１６）〜（１８）においてアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基の例として上記で例示したものが挙げられる。
アラルキル基は、−Ｙ−Ｚと表され、Ｙの例として上記のアルキルの例に対応するアルキレンの例が挙げられ、Ｚの例として上記のアリールの例が挙げられる。アラルキル基は、炭素数７〜５０アラルキル基（アリール部分は炭素数６〜４９（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、特に好ましくは６〜１２）、アルキル部分は炭素数１〜４４（好ましくは１〜３０、より好ましくは１〜２０、さらに好ましくは１〜１０、特に好ましくは１〜６））であることが好ましく、例えばベンジル基、フェニルエチル基、２−フェニルプロパン−２−イル基である。
シクロアルキル基としては、環形成炭素数３〜２０（好ましくは環形成炭素数３〜１０、より好ましくは環形成炭素数３〜８）のシクロアルキル基であり、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。
アルキルゲルマニウム基としては、メチルヒドロゲルミル基、トリメチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、トリプロピルゲルミル基、ジメチル−ｔ−ブチルゲルミル基等が挙げられる。
アリールゲルマニウム基としては、フェニルジヒドロゲルミル基、ジフェニルヒドロゲルミル基、トリフェニルゲルミル基、トリトリルゲルミル基、トリナフチルゲルミル基等が挙げられる。
スチリルアミン化合物及びスチリルジアミン化合物としては、下記式（Ａ）及び（Ｂ）で表されるものが好ましい。
Figure 0006266632
式（Ａ）中、Ａｒ３０１はｋ価の基であり、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベン基、スチリルアリール基、ジスチリルアリール基に対応するｋ価の基であり、Ａｒ３０２及びＡｒ３０３はそれぞれ独立に、環形成炭素数が６〜２０のアリール基であり、Ａｒ３０１、Ａｒ３０２及びＡｒ３０３は置換されていてもよい。
ｋは１〜４の整数であり、そのなかでもｋは１〜２の整数であるのが好ましい。Ａｒ３０１〜Ａｒ３０３のいずれか一つはスチリル基を含有する基である。さらに好ましくはＡｒ３０２又はＡｒ３０３の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。
ここで、環形成炭素数が６〜２０のアリール基としては、具体的には上述したアリール基が挙げられ、好ましくはフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。
式（Ｂ）中、Ａｒ３０４〜Ａｒ３０６は、ｖ価の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリール基である。ｖは１〜４の整数であり、そのなかでもｖは１〜２の整数であるのが好ましい。
ここで、式（Ｂ）中の環形成炭素数が６〜４０のアリール基としては、具体的には上述したアリール基が挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基が好ましい。
フルオランテン化合物としては、下記式（２５）で表されるものが好ましい。
Figure 0006266632
 式（２５）において、Ｒ２１〜Ｒ３２は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基から選ばれる。
また、式（２５）において、Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３、Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７、Ｒ２７とＲ２８、Ｒ２８とＲ２９、Ｒ２９とＲ３０、Ｒ３０とＲ３１、及びＲ３１とＲ３２は、互いに結合して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。当該環は、置換されてもよく、無置換でもよい。
式（２５）のＲ２４が、水素原子であることが好ましい。
式（２５）のＲ２７及びＲ３２が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましい。Ｒ２７及びＲ３２は置換もしくは無置換のフェニル基であることが好ましい。
又は、式（２５）のＲ２１〜Ｒ２２、Ｒ２４〜Ｒ２６及びＲ２８〜Ｒ３１が水素原子であり、式（２５）のＲ２３、Ｒ２７及びＲ３２が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましい。
式（２５）のＲ２１〜Ｒ２２、Ｒ２４〜Ｒ２６及びＲ２８〜Ｒ３１が水素原子であり、式（２５）のＲ２７及びＲ３２が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、式（２５）のＲ２３が、−Ａｒ２１−Ａｒ２２であり、Ａｒ２１及びＡｒ２２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましい。
この場合、前記Ａｒ２１又は前記Ａｒ２２が、シアノ基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、又はカルバゾリル基を置換基として有する芳香族炭化水素基であることが好ましい。
又は、式（２５）のＲ２１〜Ｒ２２、Ｒ２４〜Ｒ２６及びＲ２８〜Ｒ３１が、水素原子であり、式（２５）のＲ２７及びＲ３２が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、式（２５）のＲ２３が、−Ａｒ２１−Ａｒ２２−Ａｒ２３であり、Ａｒ２１、Ａｒ２２及びＡｒ２３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましい。
この場合、前記Ａｒ２１、前記Ａｒ２２又は前記Ａｒ２３が、シアノ基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、又はカルバゾリル基を置換基として有する芳香族炭化水素基であることが好ましい。
尚、前記基に置換する好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、環形成炭素数６〜４０のアリール基、環形成炭素数６〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、環形成炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ベンジジン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
上記の有機ＥＬ素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、フタロシアニン誘導体である。
フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体としては、例えば、Ｈ２Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ２ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
また、正孔注入材料にＴＣＮＱ誘導体等の電子受容物質を添加することによりキャリアを増感させることもできる。
上記の有機ＥＬ素子において使用できる好ましい正孔輸送材料は、芳香族三級アミン誘導体である。
芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラビフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマー若しくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。
上記の有機ＥＬ素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素複素環誘導体である。
前記金属錯体化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記含窒素複素環誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、フェナントロリン、ベンズイミダゾール、イミダゾピリジン等が好ましく、中でもベンズイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、イミダゾピリジン誘導体が好ましい。
好ましい形態として、これらの電子注入材料はさらにドーパントを含有する。陰極からの電子の受け取りを容易にするため、より好ましくは有機層の陰極界面近傍にアルカリ金属で代表されるドーパントをドープする。
ドーパントとしては、ドナー性金属、ドナー性金属化合物及びドナー性金属錯体が挙げられ、これら還元性ドーパントは１種単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
上記の有機ＥＬ素子においては、発光層中に、式（１）で表されるアントラセン誘導体から選ばれる少なくとも一種の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、正孔輸送材料及び電子注入材料の少なくとも一種が同一層に含有されてもよい。また、得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
上記の有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。
上記の有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保されるように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。
上記の有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであってもよい。
このような湿式成膜法に適した溶液として、有機ＥＬ材料として上記のアントラセン誘導体と溶媒とを含有する有機ＥＬ材料含有溶液を用いることができる。
いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。
上記の有機ＥＬ素子は、様々な電子機器に使用でき、例えば壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の化合物は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
合成例１［中間体Ａの合成］
下記のスキームに従って中間体Ａを合成した。
Figure 0006266632
（Ａ−１）４−ブロモ−２−ヨード安息香酸エチルの合成
アルゴン雰囲気下、テトラメチルピペリジン３６ｍＬを５００ｍＬのＴＨＦ（テトラヒドロフラン）中に加えた後、０℃まで冷却し、２．６Ｍのｎ−ＢｕＬｉヘキサン溶液９０ｍＬを滴下し、０℃にて１０分間撹拌した。
別のフラスコで、アルゴン雰囲気化、塩化亜鉛のＴＨＦ溶液（０．５Ｍ）４４０ｍＬに１．６Ｍのｔ−ＢｕＬｉのペンタン溶液を０℃で滴下し、３０分撹拌した。テトラメチルピペリジン溶液を−７８℃まで冷却した後、別のフラスコで調製したジ−ｔ−ブチル亜鉛溶液を滴下した。反応溶液を０℃まで昇温させた後、３０分撹拌した後、再び−７８℃まで冷却した。４−ブロモ安息香酸エチル２２．９ｇを滴下した後、反応溶液を０℃まで昇温させながら３時間撹拌を続けた。反応溶液にヨウ素１７８ｇのＴＨＦ溶液を加え、室温にて３時間撹拌を続けた。反応終了後、反応溶液を飽和チオ硫酸ナトリウム溶液と飽和塩化アンモニウム溶液にてクエンチした後、ジエチルエーテルを用いて抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた。硫酸マグネシウムを除去後、有機層を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−ブロモ−２−ヨード安息香酸エチル２９．１ｇを得た。
（Ａ−２）４−ブロモ−２−（１−ナフチル）安息香酸エチルの合成
アルゴン雰囲気下、１−ナフタレンボロン酸１５．５ｇ、４−ブロモ−２−ヨード安息香酸エチル２９．１ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）１．８９ｇ、トルエン２２０ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１１０ｍＬをフラスコに仕込み、８時間加熱還流撹拌した。室温まで冷却後、反応溶液をトルエンを用いて抽出し、水層を除去した後、有機層を飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−ブロモ−２−（１−ナフチル）安息香酸エチル２１．０ｇを得た。
（Ａ−３）２−［４−ブロモ−２−（１−ナフチル）フェニル］−２−プロパノールの合成
アルゴン雰囲気下、４−ブロモ−２−（１−ナフチル）安息香酸エチル２１．０ｇにＴＨＦ１００ｍＬを加え、−３０℃に冷却した。１Ｍのメチルマグネシウムブロマイドのジエチルエーテル溶液４７３ｍＬを滴下した。室温まで昇温させながら５時間撹拌を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶液５００ｍＬを徐々に加え、クエンチした。酢酸エチルを用いて抽出し、水層を除去した。有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを除去した後、有機層を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製し、２−［４−ブロモ−２−（１−ナフチル）フェニル］−２−プロパノール１３．１ｇを得た。
（Ａ−４）１０−ブロモ−７，７−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレンの合成
アルゴン雰囲気下、２−［４−ブロモ−２−（１−ナフチル）フェニル］−２−プロパノール１３．１ｇ、ポリリン酸１２０ｇを仕込み、１００℃にて５時間加熱撹拌した。室温まで冷却後、反応溶液を氷水中に徐々に加えた。得られた固体をろ取し、この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製し、１０−ブロモ−７，７−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン７．４ｇを得た。
合成例２［中間体Ｂの合成］
下記のスキームに従って中間体Ｂを合成した。
Figure 0006266632
 中間体（Ａ）の合成において、４−ブロモ安息香酸エチルの代わりに２−ブロモ安息香酸メチルを用いた他は中間体（Ａ）と同様に行い、中間体（Ｂ）を合成した。
合成例３［中間体Ｃの合成］
下記のスキームに従って中間体Ｃを合成した。
Figure 0006266632
（Ｃ−１）トリフルオロメタンスルホン酸２−アセチル−１−ナフチルの合成
アルゴン雰囲気下、１’−ヒドロキシ−２’−アセトナフトン１８６ｇ、４−ジメチルアミノピリジン１８．２ｇをフラスコに仕込み、塩化メチレン４Ｌを加え、−７８℃まで冷却した。２，６−ジメチルピリジン１６１ｇを加えた後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物３３９ｇを滴下した。室温まで昇温させながら５時間撹拌を続けた。析出した固体をろ取し、水、メタノールで洗浄した後、乾燥させ、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニレニル２８６ｇ（収率９０％）を得た。
（Ｃ−２）２−アセチルナフタレン−１−ボロン酸ピナコールエステルの合成
アルゴン雰囲気下、トリフルオロメタンスルホン酸２−アセチル−１−ナフチル２８６ｇ、ビス（ピナコラート）ジボロン２５１ｇ、［１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）２２．０ｇ、酢酸カリウム２６４ｇを仕込み、無水ジオキサン６Ｌを加え、８時間加熱還流撹拌を行った。室温まで冷却後、反応溶液に水３Ｌを加え、トルエンで抽出した。水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを除去し、溶媒を減圧留去させた。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、２−アセチルナフタレン−１−ボロン酸ピナコールエステル１６０ｇを得た。
（Ｃ−３）２−アセチル−１−（２−ブロモフェニル）ナフタレンの合成
アルゴン雰囲気下、２−アセチルナフタレン−１−ボロン酸ピナコールエステル１６０ｇ、２−ブロモヨードベンゼン１５３ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１２．５ｇ、トルエン２．２Ｌ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１．１Ｌを仕込み、８時間還流撹拌をした。室温まで冷却後、反応溶液をトルエンで抽出した。水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、２−アセチル−１−（２−ブロモフェニル）ナフタレン１４４ｇを得た。
（Ｃ−４）２−［１−（２−ブロモフェニル）ナフタレン−２−イル］−２−プロパノールの合成
（Ａ−３）の合成において、４−ブロモ−２−（１−ナフチル）安息香酸エチルの代わりに２−アセチル−１−（２−ブロモフェニル）ナフタレンを用いた以外は（Ａ−３）と同様にして、２−［１−（２−ブロモフェニル）ナフタレン−２−イル］−２−プロパノールを合成した。
（Ｃ−５）中間体（Ｃ）の合成
（Ａ−４）の合成において、２−［４−ブロモ−２−（１−ナフチル）フェニル］−２−プロパノールの代わりに２−［１−（２−ブロモフェニル）ナフタレン−２−イル］−２−プロパノールを用いた以外は（Ａ−４）と同様にして、中間体（Ｃ）を合成した。
合成例４［中間体Ｄの合成］
下記のスキームに従って中間体Ｄを合成した。
Figure 0006266632
（Ｄ−１）３−ブロモベンゾ［ｂ］フルオレン−１１−オンの合成
アルゴン雰囲気下、５−ブロモ−１−インダノン２１１ｇ、ｏ−フタルアルデヒド１３４ｇ、無水エタノール３Ｌを仕込み、２０ｗｔ％のナトリウムエトキシドのエタノール溶液７８ｍＬを加え、室温にて８時間撹拌した。その後、２４時間加熱還流撹拌をした。室温まで放冷後、析出した結晶をろ取した。得られた固体をエタノールで再結晶し、３−ブロモ−１１Ｈ−ベンゾ［ｂ］フルオレン−１１−オン７４．０ｇを得た。
（Ｄ−２）３−ブロモ−１１Ｈ−ベンゾ［ｂ］フルオレンの合成
アルゴン雰囲気下、３−ブロモ−１１Ｈ−ベンゾ［ｂ］フルオレン−１１−オン７４．０ｇ、ヒドラジン一水和物３００ｍＬ、炭酸カリウム２００ｇ、ジエチレングルコール７００ｍＬ、クロロベンゼン７００ｍＬを仕込み、８時間加熱還流撹拌をした。室温まで冷却後、１Ｎ塩酸水溶液を加えた。反応溶液をトルエンで抽出後、有機層を水、飽和水溶液で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、３−ブロモ−１１Ｈ−ベンゾ［ｂ］フルオレン１７．０ｇを得た。
（Ｄ−３）３−ブロモ−１１，１１−ジメチルベンゾ［ｂ］フルオレンの合成
アルゴン雰囲気下、３−ブロモ−１１Ｈ−ベンゾ［ｂ］フルオレン１７．０ｇ、カリウム−ｔ−ブトキシド１５．５ｇ、ＤＭＳＯ２５０ｍＬを仕込み、反応溶液を５℃にて撹拌しているところに、ヨウ化メチル１９．６ｇを徐々に滴下した。反応溶液を室温まで昇温させながら８時間撹拌した。反応終了後、水を加えてクエンチした後、トルエンを用いて抽出した。水層を除去した後、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた。硫酸マグネシウムを除去した後、濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、３−ブロモ−１１，１１’−ジメチル−１１Ｈ−ベンゾ［ｂ］フルオレン１５．３ｇを得た。
合成例５［中間体Ｅの合成］
下記のスキームに従って中間体Ｅを合成した。
Figure 0006266632
 合成例４の中間体Ｄの合成において、５−ブロモ−１−インダノンの代わりに４−ブロモ−１−インダノンを用いた他は合成例４と同様にして中間体Ｅを合成した。
合成例６［中間体Ｆの合成］
下記のスキームに従って中間体Ｆを合成した。
Figure 0006266632
 合成例４の中間体Ｄの合成において、５−ブロモ−１−インダノンの代わりに既知の方法で合成した７−ブロモ−１−インダノンを用いた他は合成例４と同様にして中間体Ｆを合成した。
合成例７［中間体Ｇの合成］
下記のスキームに従って中間体Ｇを合成した。
Figure 0006266632
 合成例１（中間体Ａの合成）の（Ａ−２）において、１−ナフタレンボロン酸の代わりに２−ナフタレンボロン酸を用いた他は合成例１と同様にして中間体Ｇを合成した。
合成例８［中間体Ｈの合成］
下記のスキームに従って中間体Ｈを合成した。
Figure 0006266632
 合成例２（中間体Ｂの合成）において、１−ナフタレンボロン酸の代わりに２−ナフタレンボロン酸を用いた他は合成例２と同様にして中間体Ｈを合成した。
合成例９［中間体Ｉの合成］
下記のスキームに従って中間体Ｉを合成した。
Figure 0006266632
 合成例１（中間体Ａの合成）の（Ａ−２）において、１−ナフタレンボロン酸の代わりに９−フェナントレンボロン酸を用いた他は合成例１と同様にして中間体Ｉを合成した。
合成例１０［中間体Ｊの合成］
下記のスキームに従って中間体Ｊを合成した。
Figure 0006266632
 合成例２（中間体Ｂの合成）において、１−ナフタレンボロン酸の代わりに９−フェナントレンボロン酸を用いた他は合成例２と同様にして中間体Ｊを合成した。
実施例１［化合物１−１の合成］
下記のスキームに従って化合物１−１を合成した。
Figure 0006266632
 アルゴン雰囲気下、中間体（Ａ）３．２２ｇ、既知の方法で合成した１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸３．２８ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２３１ｇ、１，２−ジメトキシエタン２０ｍＬ、トルエン２０ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２０ｍＬを仕込み、８時間還流撹拌をした。室温まで冷却後、析出した固体をろ別した。得られた固体を水、メタノールで洗浄した後、トルエンで再結晶し、化合物１−１の淡黄色固体４．１２ｇを得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量４９６．２２に対し、ｍ／ｅ＝４９６であった。
実施例２［化合物１−２の合成］
Figure 0006266632
 上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物１−２を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２３に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。
実施例３［化合物１−３の合成］
Figure 0006266632
 上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物１−３を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２３に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。
実施例４［化合物１−４の合成］
Figure 0006266632
 上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物１−４を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝５７２であった。
実施例５［化合物１−５の合成］
Figure 0006266632
 上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物１−５を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例６［化合物１−６の合成］
Figure 0006266632
 上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物１−６を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝５７２であった。
実施例７［化合物１−７の合成］
Figure 0006266632
 上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物１−７を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例８［化合物１−８の合成］
Figure 0006266632
 上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物１−８を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例９［化合物１−９の合成］
Figure 0006266632
 上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物１−９を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝５７２であった。
実施例１０［化合物１−１０の合成］
Figure 0006266632
 上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物１−１０を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例１１［化合物１−１１の合成］
Figure 0006266632
 上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物１−１１を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例１２［化合物１−１２の合成］
Figure 0006266632
 上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物１−１２を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５８６．２３に対し、ｍ／ｅ＝５８６であった。
実施例１３［化合物１−１３の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｂを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物１−１３を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量４９６．２２に対し、ｍ／ｅ＝４９６であった。
実施例１４［化合物１−１４の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｃを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物１−１４を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量４９６．２２に対し、ｍ／ｅ＝４９６であった。
実施例１５［化合物２−１の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｄを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−１を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量４９６．２２に対し、ｍ／ｅ＝４９６であった。
実施例１６［化合物２−２の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｄを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−２を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２３に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。
実施例１７［化合物２−３の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｄを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−３を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２３に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。
実施例１８［化合物２−４の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｄを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−４を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝５７２であった。
実施例１９［化合物２−５の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｄを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−５を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例２０［化合物２−６の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｄを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−６を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝５７２であった。
実施例２１［化合物２−７の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｄを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−７を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例２２［化合物２−８の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｄを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−８を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例２３［化合物２−９の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｄを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−９を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝５７２であった。
実施例２４［化合物２−１０の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｄを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−１０を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例２５［化合物２−１１の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｄを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−１１を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例２６［化合物２−１２の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｄを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−１２を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５８６．２３に対し、ｍ／ｅ＝５８６であった。
実施例２７［化合物２−１３の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｆを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−１３を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量４９６．２２に対し、ｍ／ｅ＝４９６であった。
実施例２８［化合物２−１４の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｅを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物２−１４を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量４９６．２２に対し、ｍ／ｅ＝４９６であった。
実施例２９［化合物３−１の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｇを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物３−１を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量４９６．２２に対し、ｍ／ｅ＝４９６であった。
実施例３０［化合物３−２の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｇを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物３−２を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２３に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。
実施例３１［化合物３−３の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｇを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物３−３を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２３に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。
実施例３２［化合物３−４の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｇを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物３−４を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝５７２であった。
実施例３３［化合物３−５の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｇを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物３−５を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例３４［化合物３−６の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｇを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物３−６を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝５７２であった。
実施例３５［化合物３−７の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｇを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物３−７を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例３６［化合物３−８の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｇを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物３−８を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例３７［化合物３−９の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｇを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物３−９を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝５７２であった。
実施例３８［化合物３−１０の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｇを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物３−１０を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例３９［化合物３−１１の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｇを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物３−１１を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例４０［化合物３−１２の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｇを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物３−１２を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５８６．２３に対し、ｍ／ｅ＝５８６であった。
実施例４１［化合物３−１３の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｈを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物３−１３を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量４９６．２２に対し、ｍ／ｅ＝４９６であった。
実施例４２［化合物４−１の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｉを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物４−１を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２３に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。
実施例４３［化合物４−２の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｉを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物４−２を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２５に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。
実施例４４［化合物４−３の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｉを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物４−３を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２５に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。
実施例４５［化合物４−４の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｉを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物４−４を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例４６［化合物４−５の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｉを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物４−５を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２８に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。
実施例４７［化合物４−６の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｉを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物４−６を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例４８［化合物４−７の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｉを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物４−７を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２８に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。
実施例４９［化合物４−８の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｉを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物４−８を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２８に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。
実施例５０［化合物４−９の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｉを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物４−９を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２７に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。
実施例５１［化合物４−１０の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｉを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物４−１０を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２８に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。
実施例５２［化合物４−１１の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｉを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物４−１１を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２８に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。
実施例５３［化合物４−１２の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｉを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物４−１２を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６３６．２５に対し、ｍ／ｅ＝６３６であった。
実施例５４［化合物４−１３の合成］
Figure 0006266632
 中間体Ｊを用い、上記スキームに従い、実施例１と同様の方法で化合物４−１３を合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２３に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。
実施例５５
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚５ｎｍの化合物ＨＩ−１を成膜した。ＨＩ−１膜の成膜に続けて、このＨＩ−１膜上に膜厚８０ｎｍのＨＴ−１を成膜した。ＨＴ−１膜の成膜に続けて、このＨＴ−１膜上に膜厚１５ｎｍのＨＴ−２を成膜した。
ＨＴ−２膜上に、化合物１−１（発光層ホスト化合物）とドーパントＢＤ−１を１９：１の膜厚比で成膜し、膜厚２５ｎｍの発光層とした。
発光層上に電子輸送層として膜厚２０ｎｍでＥＴ−１を蒸着により成膜した。ＥＴ−１膜の成膜に続けて、このＥＴ−１膜上に膜厚５ｎｍのＥＴ−２を成膜した。この後、ＬｉＦを膜厚１ｎｍで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを８０ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。
以上のように作製した有機ＥＬ素子について、電圧及び外部量子効率（ＥＱＥ）を測定した。具体的には以下のように測定した。結果を表１に示す。
［駆動電圧］
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるようにＩＴＯ透明電極と金属Ａｌ陰極との間に通電したときの電圧（単位：Ｖ）を計測した。
［外部量子効率ＥＱＥ］
分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行なったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。
実施例５６〜５８、比較例１〜４
発光層の成膜において、化合物１−１の代わりに表１に示す化合物を用いた他は実施例５５と同様にして有機ＥＬ発光素子を形成し、評価した。結果を表１に示す。
実施例５５〜５８、比較例１〜４で用いた化合物を以下に示す。
Figure 0006266632
Figure 0006266632
表１より、本発明の化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は、低電圧で駆動でき、かつ、高い発光効率を示すことが分かる。この低電圧、高効率化の効果は、従来技術として知られていたフルオレンの置換位置の変更や縮環化では達成できなかった技術である。今回、縮合したフルオレンに対して特定の置換位置でアントラセン含有構造と結合させることにより、特異的に、高い効率を維持したまま低電圧化できる材料となることが明らかとなった。
実施例５９
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚５ｎｍの化合物ＨＩ−１を成膜した。ＨＩ−１膜の成膜に続けて、このＨＩ−１膜上に膜厚８０ｎｍのＨＴ−３を成膜した。ＨＴ−３膜の成膜に続けて、このＨＴ−３膜上に膜厚１５ｎｍのＨＴ−４を成膜した。
ＨＴ−４膜上に、化合物１−１（発光層ホスト化合物）とドーパントＢＤ−１を１９：１の膜厚比で成膜し、膜厚２５ｎｍの発光層とした。
発光層上にＥＴ−３とＥＴ−４を１：１の膜厚比で成膜し、膜厚２５ｎｍの電子輸送層とした。この電子輸送層上に金属Ａｌを８０ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。
以上のように作製した有機ＥＬ素子について、電圧及び外部量子効率（ＥＱＥ）を実施例５５と同様に測定した。結果を表２に示す。
実施例６０〜８５、比較例５〜６
発光層の成膜において、化合物１−１の代わりに表２に示す化合物を用いた他は実施例５９と同様にして有機ＥＬ発光素子を形成し、評価した。結果を表２に示す。
実施例５９〜８５、比較例５〜６で用いた化合物を以下に示す。
Figure 0006266632
Figure 0006266632
Figure 0006266632
上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。

Claims (23)

  1. 下記式（１）で表されるアントラセン誘導体。
    Figure 0006266632
     （式（１）中、
    Ｒ １９ 又はＲ ２０ はＬ１との結合に用いられ、Ｌ１との結合に用いられるものは単結合である。
    Ｒ１１〜Ｒ２０のうちＬ１との結合に用いられないものは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基である。
    Ｌ１は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の２価の芳香族炭化水素基である。
    Ｚは下記式（４）〜（７）のいずれかで表される構造である。
    Figure 0006266632
     （式（４）〜（７）中、
    Ｒ１、Ｒ３及びＲ４のいずれか１つはＬ１との結合に用いられ、Ｌ１との結合に用いられるものは単結合である。
    Ｒ１、Ｒ３及びＲ４のうちＬ１との結合に用いられないもの、Ｒ２、Ｒ １０１ 〜Ｒ １０８ 、Ｒ １１１ 〜Ｒ １１８ 、Ｒ １２１ 〜Ｒ １２８ 、並びにＲ １３１ 〜Ｒ １４０ は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。）
  2. Ｒ １１ 〜Ｒ １８ が水素原子である、請求項１に記載のアントラセン誘導体。
  3. Ｌ １ が、単結合、又は置換もしくは無置換のフェニレン基である、請求項１又は２に記載のアントラセン誘導体。
  4. Ｌ １ が、単結合、又はフェニレン基である、請求項１〜３のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
  5. Ｒ １ 、Ｒ ３ 及びＲ ４ のうちＬ １ との結合に用いられないもの、Ｒ ２ 、Ｒ １０１ 〜Ｒ １０６ 、Ｒ １１１ 〜Ｒ １１６ 、Ｒ １２１ 〜Ｒ １２６ 、並びにＲ １３１ 〜Ｒ １３８ が、水素原子である、請求項１〜４のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
  6. Ｒ１１〜Ｒ２０のうちＬ１との結合に用いられないものの少なくとも１つが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基である、請求項１〜５のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
  7. Ｒ２０が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基である、請求項１〜６のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
  8. 下記式（８）〜（１１）のいずれかで表される請求項１に記載のアントラセン誘導体。
    Figure 0006266632
     （式（８）〜（１１）中、
    Ｒ２０１〜Ｒ２０９は、それぞれ独立に、前記式（１）においてＬ１との結合に用いられないＲ１１〜Ｒ２０と同義である。
    Ｒ２１０〜Ｒ２２０、Ｒ２２１〜Ｒ２３１、Ｒ２３２〜Ｒ２４２、及びＲ２４３〜Ｒ２５５は、それぞれ独立に、前記式（１）におけるＲ２ 、Ｒ １０１ 〜Ｒ １０８ 、Ｒ １１１ 〜Ｒ １１８ 、Ｒ １２１ 〜Ｒ １２８ 、並びにＲ １３１ 〜Ｒ １４０ と同義である。
    Ｌ２は、前記式（１）におけるＬ１と同義である。）
  9. Ｒ ２０１ 〜Ｒ ２０４ 及びＲ ２０６ 〜Ｒ ２０９ が水素原子である、請求項８に記載のアントラセン誘導体。
  10. Ｌ ２ が、単結合、又は置換もしくは無置換のフェニレン基である、請求項８又は９に記載のアントラセン誘導体。
  11. Ｌ ２ は、単結合、又はフェニレン基である、請求項８〜１０のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
  12. Ｒ ２１０ 〜Ｒ ２１１ 、Ｒ ２１４ 〜Ｒ ２２２ 、Ｒ ２２５ 〜Ｒ ２３３ 、Ｒ ２３６ 〜Ｒ ２４４ 、及びＲ ２４７ 〜Ｒ ２５５ が、水素原子である、請求項８〜１１のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
  13. Ｒ２０５が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基である、請求項８〜１２のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
  14. 請求項１〜１３のいずれかに記載のアントラセン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
  15. 陰極と陽極間に、発光層を含む１以上の有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が、請求項１〜１３のいずれかに記載のアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
  16. 前記発光層が、前記アントラセン誘導体を含有する、請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  17. 前記アントラセン誘導体がホスト材料である、請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  18. 前記発光層がさらに蛍光性ドーパント及びりん光性ドーパントの少なくとも１つを含有する、請求項１６又は１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  19. 前記蛍光性ドーパントがアリールアミン化合物である、請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  20. 前記蛍光性ドーパントが下記式（１６）で表わされる縮合環アミン誘導体である、請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0006266632
     （式（１６）中、Ｒｅはそれぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルゲルマニウム基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールゲルマニウム基である。Ｒｅは、式（１６）の４環縮合骨格上のいずれの置換位置に置換してもよい。
    ｔは０〜１０の整数である。
    ｔが２〜１０の場合、複数のＲｅは互いに同一でも異なっていてもよい。
    Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基である。）
  21. 前記蛍光性ドーパントが下記式（１７）で表わされる縮合環アミン誘導体である請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0006266632
     （式（１７）中、Ｒｆはそれぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルゲルマニウム基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールゲルマニウム基である。Ｒｆは、式（１７）の４環縮合骨格上のいずれの置換位置に置換してもよい。
    ｕは０〜８の整数である。
    ｕが２〜８の場合、複数のＲｆは互いに同一でも異なっていてもよい。
    Ａｒ５〜Ａｒ８は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基である。）
  22. 前記蛍光性ドーパントが下記式（１８）で表わされる縮合環アミン誘導体である、請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0006266632
     （式（１８）中、
    Ｒｇ及びＲｈは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルゲルマニウム基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールゲルマニウム基である。
    Ｒｉは、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルゲルマニウム基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールゲルマニウム基である。Ｒｉは、式（１８）のフルオレン骨格上のいずれの置換位置に置換してもよい。
    ｑは０〜７の整数である。ｑが２〜７の場合、複数のＲｉは互いに同一でも異なっていてもよく、隣接するＲｉ同士が結合して環を形成してもよい。
    Ｌ１は単結合又は連結基である。Ｌ１は式（１８）のフルオレン骨格上のＲｉが結合していない結合位置に結合する。
    Ａｒ１ 及びＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基である。
    ｐは１〜４の整数である。）
  23. 請求項１５〜２２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器。
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