KR102342399B1 - 안트라센 유도체 및 그것을 사용한 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

안트라센 유도체 및 그것을 사용한 유기 전계 발광 소자 Download PDF

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유미코 미즈키
히로카츠 이토
도모하루 하야마
다스쿠 하케타
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이데미쓰 고산 가부시키가이샤
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
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Abstract

하기 식 (1)로 표시되는 안트라센 유도체.
Figure 112016005275606-pct00164

식 (1) 중, R11 내지 R20 중 어느 1개는 L1과의 결합에 사용되고, L1과의 결합에 사용되지 않는 것은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기 등이다. L1은 단결합, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 2가의 방향족 탄화수소기 등이다. Z는 하기 식 (2)로 표시되는 구조이다.
Figure 112016005275606-pct00165

식 (2) 중, R1, R3 및 R4 중 어느 1개는 L1과의 결합에 사용되고, L1과의 결합에 사용되지 않는 것, R2 및 R5 내지 R10은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기 등이다. 단, R5 내지 R8 중 적어도 1조의 인접하는 2개의 기는, 서로 결합해서 포화 또는 불포화의 탄화수소환을 형성한다.

Description

안트라센 유도체 및 그것을 사용한 유기 전계 발광 소자{ANTHRACENE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT USING SAME}
본 발명은 안트라센 유도체, 그것을 포함하는 유기 전계 발광 소자 및 그의 소자를 포함하는 전자 기기에 관한 것이다.
유기 전계 발광(EL) 소자는 고체 발광형의 저렴한 대면적 풀 컬러 표시 소자로서의 용도가 유망시되어, 많은 개발이 행해지고 있다. 일반적으로 유기 EL 소자는 발광층 및 상기 층을 끼운 한 쌍의 대향 전극으로 구성되어 있다. 양쪽 전극 간에 전계가 인가되면, 음극측으로부터 전자가 주입되고, 양극측으로부터 정공이 주입된다. 또한, 이 전자가 발광층에 있어서 정공과 재결합하여, 여기 상태를 생성하고, 여기 상태가 기저 상태로 복귀될 때에 에너지를 광으로서 방출한다.
종래의 유기 EL 소자는 무기 발광 다이오드에 비하여 구동 전압이 높고, 발광 휘도나 발광 효율도 낮았다. 또한, 특성 열화도 현저하여 실용화에는 이르지 못했다. 최근의 유기 EL 소자는 서서히 개량되고 있지만, 추가적인 발광 효율의 향상 등이 요구되고 있다. 유기 EL용 발광 재료의 개량에 의해 유기 EL 소자의 성능은 서서히 개선되고 있다. 유기 EL 소자의 발광 효율의 향상은 디스플레이의 소비 전력의 저하로 이어지는 중요한 과제이다. 지금까지 여러 검토에 의해 개선되어 왔지만, 추가적인 개량이 요구되고 있다.
이들 문제를 해결하기 위해, 특허문헌 1 내지 3에는, 벤조플루오렌을 치환기로서 갖는 안트라센 유도체를 발광 재료에 사용한 유기 EL 소자가 개시되어 있었다.
또한, 특허문헌 4 내지 6에서는, 3-플루오레닐기 또는 4-플루오레닐기를 치환기로서 갖는 안트라센 유도체의 발광 재료가 개시되어 있고, 이들 재료를 사용하면 저전압화하는 효과가 인정되어 있지만, 효율이 저하되는 결점이 있어, 추가적인 고효율화가 요구되고 있었다.
국제 공개 제2004/061048호 팸플릿 한국 공개특허 제2009-0117326호 공보 국제 공개 제2010/114253호 팸플릿 한국 공개특허 제2011-0081698호 공보 일본 특허 공개 제2009-249378호 공보 일본 특허 공개 제2007-314506호 공보
본 발명의 목적은 저전압으로 구동할 수 있고, 또한 높은 발광 효율을 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이 가능한 화합물을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 다음의 화합물이 제공된다.
하기 식 (1)로 표시되는 안트라센 유도체.
Figure 112016005275606-pct00001
(식 (1) 중,
R11 내지 R20 중 어느 1개는 L1과의 결합에 사용되고, L1과의 결합에 사용되는 것은 단결합이고,
R11 내지 R20 중 L1과의 결합에 사용되지 않는 것은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기가 치환된 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기가 치환된 아릴실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기, 또는 치환 또는 비치환의 아미노기이고,
R11 내지 R20 중 인접하는 것끼리 서로 결합해서 환을 형성할 수 있고,
L1은 단결합, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 2가의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 2가의 복소환기이고,
Z는 하기 식 (2)로 표시되는 구조이다.)
Figure 112016005275606-pct00002
(식 (2) 중,
R1, R3 및 R4 중 어느 1개는 L1과의 결합에 사용되고, L1과의 결합에 사용되는 것은 단결합이고,
R1, R3 및 R4 중 L1과의 결합에 사용되지 않는 것, R2 및 R5 내지 R10은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기가 치환된 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기가 치환된 아릴실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기, 또는 치환 또는 비치환의 아미노기이되,
단, R5 내지 R8 중 적어도 1조의 인접하는 2개의 기는, 서로 결합하여 포화 또는 불포화의 탄화수소환을 형성하고,
L1이 단결합인 경우, R1, R3 및 R4 중 어느 1개는 R11 내지 R20 중 어느 1개와 직접 결합함)
본 발명에 따르면, 저전압으로 구동할 수 있고, 또한 높은 발광 효율을 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이 가능한 화합물을 제공할 수 있다.
<발명을 실시하기 위한 형태>
본 발명의 일 형태의 화합물(안트라센 유도체)은 하기 식 (1)로 표시된다.
Figure 112016005275606-pct00003
식 (1) 중, R11 내지 R20 중 어느 1개는 L1과의 결합에 사용되고, L1과의 결합에 사용되는 것은 단결합이다.
R11 내지 R20 중 L1과의 결합에 사용되지 않는 것은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기가 치환된 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기가 치환된 아릴실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기, 또는 치환 또는 비치환의 아미노기이다.
R11 내지 R20 중 인접하는 것끼리 서로 결합해서 환을 형성할 수 있다.
L1은 단결합, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 2가의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 2가의 복소환기이다.
Z는 하기 식 (2)로 표시되는 구조이다.
Figure 112016005275606-pct00004
식 (2) 중, R1, R3 및 R4 중 어느 1개는 L1과의 결합에 사용되고, L1과의 결합에 사용되는 것은 단결합이다.
L1이 단결합인 경우, R1, R3 및 R4 중 어느 1개는 R11 내지 R20 중 어느 1개와 직접 결합한다.
R1, R3 및 R4 중 L1과의 결합에 사용되지 않는 것, R2 및 R5 내지 R10은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기가 치환된 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기가 치환된 아릴실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기, 또는 치환 또는 비치환의 아미노기이다.
단, R5 내지 R8 중 적어도 1조의 인접하는 2개의 기는, 서로 결합해서 포화 또는 불포화의 탄화수소환을 형성한다. 즉, 예를 들면 R5와 R6, R6과 R7, 또는 R7과 R8이 결합해서 탄화수소환을 형성하고, 또한, R5와 R6 및 R7과 R8이 각각 결합해서 탄화수소환을 형성할 수 있다.
식 (1)로 표시되는 안트라센 유도체는 상기의 구조를 가짐으로써, 유기 EL 소자에 사용한 경우에, 저전압으로 구동할 수 있고, 또한 높은 발광 효율을 나타내는 유기 EL 소자를 제공할 수 있다.
식 (1)에 있어서, R11 내지 R20 중 바람직하게는 R12, R19 또는 R20이 L1과 결합한다.
R5 내지 R8 중 적어도 1조의 인접하는 2개의 기는, 서로 결합해서 하기 식 (3)으로 표시되는 환 구조를 형성하면 바람직하다.
Figure 112016005275606-pct00005
식 (3) 중, R21 내지 R24는, 각각 독립적으로 식 (2)에 있어서의 R2 및 R5 내지 R10과 동의이다.
R21 내지 R24 중 인접하는 것끼리 서로 결합해서 환을 형성할 수 있다.
Z는, 바람직하게는 하기 식 (4) 내지 (7) 중 어느 하나로 표시되는 구조이다.
Figure 112016005275606-pct00006
식 (4) 내지 (7) 중, R1, R3 및 R4 중 어느 1개는 L1과의 결합에 사용되고, L1과의 결합에 사용되는 것은 단결합이다.
R1, R3 및 R4 중 L1과의 결합에 사용되지 않는 것, R2, R101 내지 R108, R111 내지 R118, R121 내지 R128 및 R131 내지 R140은, 각각 독립적으로 식 (2)에 있어서의 R2 및 R5 내지 R10과 동의이다.
식 (1)에 있어서, R11 내지 R20 중 L1과의 결합에 사용되지 않는 것 중 적어도 1개가, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기이면 바람직하고, R20이 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기이면 보다 바람직하다.
식 (1)로 표시되는 안트라센 유도체는, 바람직하게는 하기 식 (8) 내지 (11) 중 어느 하나로 표시된다.
Figure 112016005275606-pct00007
식 (8) 내지 (11) 중, R201 내지 R209는, 각각 독립적으로 식 (1)에 있어서 L1과의 결합에 사용되지 않는 R11 내지 R20과 동의이다.
R210 내지 R220, R221 내지 R231, R232 내지 R242 및 R243 내지 R255는, 각각 독립적으로 식 (2)에 있어서의 R2 및 R5 내지 R10과 동의이다.
L2는 상기 식 (1)에 있어서의 L1과 동의이다.
식 (8) 내지 (11)에 있어서, R205가 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기이면 바람직하다.
또한, 식 (1)로 표시되는 안트라센 유도체는, 바람직하게는 하기 식 (12) 내지 (15) 중 어느 하나로 표시된다.
Figure 112016005275606-pct00008
식 (12) 내지 (15) 중, R200, R201, R203 내지 R209는, 각각 독립적으로 식 (1)에 있어서 L1과의 결합에 사용되지 않는 R11 내지 R20과 동의이다.
R256 내지 R266, R267 내지 R277, R278 내지 R288 및 R289 내지 R301은, 각각 독립적으로 식 (2)에 있어서의 R2 및 R5 내지 R10과 동의이다.
L2는 상기 식 (1)에 있어서의 L1과 동의이다.
식 (12) 내지 (15)에 있어서, R200 및 R205로부터 선택되는 1 이상이 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기이면 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 「환 형성 탄소」란 포화환, 불포화환, 또는 방향환을 구성하는 탄소 원자를 의미한다. 「환 형성 원자」란 헤테로환(포화환, 불포화환 및 방향환을 포함함)을 구성하는 탄소 원자 및 헤테로 원자(예를 들면, N, O, S, Si 등)를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 「치환 또는 비치환의 탄소수 a 내지 b의 XX기」라고 하는 표현에 있어서의 「탄소수 a 내지 b」는 XX기가 비치환인 경우의 탄소수를 나타내는 것이고, XX기가 치환되어 있는 경우의 치환기의 탄소수는 포함하지 않는다.
또한, 「치환 또는 비치환의…」에 있어서의 치환기로서는, 특기하지 않는 한, 후술하는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아릴기, 복소환기, 아미노기 등을 들 수 있다. 이 치환기는, 추가로 상기 치환기에 의해 치환되어 있을 수도 있다.
「치환 또는 비치환의」라고 하는 경우에 있어서의 「비치환」이란 상기 치환기로 치환되어 있지 않고, 수소 원자가 결합하고 있는 것을 의미한다.
본 발명에 있어서, 수소 원자란, 중성자수가 다른 동위체, 즉, 경수소(protium), 중수소(deuterium) 및 삼중수소(tritium)를 포함한다.
상기 화합물에 있어서의 R11 내지 R20, L1, R1 내지 R10, R21 내지 R24, R101 내지 R108, R111 내지 R118, R121 내지 R128, R131 내지 R140, R201 내지 R209, R210 내지 R220, R221 내지 R231, R232 내지 R242, R243 내지 R255, R200, R201, R203 내지 R209, R256 내지 R266, R267 내지 R277, R278 내지 R288, R289 내지 R301 및 「치환 또는 비치환의…」에 있어서의 각 치환기에 대해서, 이하에 상세하게 설명한다.
할로겐 원자로서는 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있고, 불소가 바람직하다.
탄소수 1 내지 20(바람직하게는 탄소수 1 내지 10, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 8, 더욱 바람직하게는 1 내지 6, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 4)의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기 등을 들 수 있다.
그 중에서도 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기가 바람직하다.
또한, 치환된 알킬기로서, 후술하는 아릴기에 의해 치환되어 있는 알킬기, 즉, 알킬렌기와 아릴기를 조합한 치환기(예를 들면, 페닐메틸기, 2-페닐이소프로필기 등)를 들 수 있다.
탄소수 2 내지 20(바람직하게는 탄소수 2 내지 10)의 알케닐기로서는 비닐기, 알릴기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1,3-부탄디에닐기, 1-메틸비닐기, 1-메틸알릴기, 1,1-디메틸알릴기, 2-메틸알릴기, 1,2-디메틸알릴기 등을 들 수 있다.
치환된 알케닐기로서는 스티릴기, 2,2-디페닐비닐기, 1,2-디페닐비닐기, 1-페닐알릴기, 2-페닐알릴기, 3-페닐알릴기, 3,3-디페닐알릴기, 1-페닐-1-부테닐기, 3-페닐-1-부테닐기 등을 들 수 있다.
탄소수 2 내지 20(바람직하게는 탄소수 2 내지 10)의 알키닐기로서는, 프로파르길기, 3-펜티닐기 등을 들 수 있다.
탄소수 1 내지 20(바람직하게는 탄소수 1 내지 10, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 8, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 4)의 알콕시기는, -OY로 표시되는 기이고, Y의 예로서는, 상기의 알킬기와 동일한 예를 들 수 있다. 알콕시기는, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기이다.
탄소수 1 내지 20(바람직하게는 탄소수 1 내지 10, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 8, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 4)의 알킬티오기는, -SY로 표시되는 기이다. Y의 예로서는, 상기의 알킬기와 동일한 예를 들 수 있다.
환 형성 탄소수 6 내지 50(바람직하게는 환 형성 탄소수 6 내지 20, 보다 바람직하게는 환 형성 탄소수 6 내지 12)의 아릴옥시기는, -OAr로 표시되는 기이다. Ar의 예로서는, 다음의 아릴기와 동일하다. 아릴옥시기는, 예를 들면 페녹시기이다.
환 형성 탄소수 6 내지 50(바람직하게는 환 형성 탄소수 6 내지 20, 보다 바람직하게는 환 형성 탄소수 6 내지 12)의 아릴티오기란, -SAr로 표시되는 기이다. Ar의 예로서는, 다음의 아릴기와 동일하다.
치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기가 치환된 알킬실릴기로서는, 1, 2 또는 3의 알킬기가 치환된 실릴기를 들 수 있고, 알킬기로서는 상기와 동일한 예를 들 수 있다.
알킬실릴기로서는, 구체적으로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 트리-n-부틸실릴기, 트리-n-옥틸실릴기, 트리이소부틸실릴기, 디메틸에틸실릴기, 디메틸이소프로필실릴기, 디메틸-n-프로필실릴기, 디메틸-n-부틸실릴기, 디메틸-t-부틸실릴기, 디에틸이소프로필실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리이소프로필실릴기 등을 들 수 있다. 3개의 알킬기는 각각 동일하거나 상이할 수 있다.
치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기가 치환된 아릴실릴기로서는, 1, 2 또는 3의 아릴기가 치환된 실릴기를 들 수 있고, 아릴기로서는 하기와 동일한 예를 들 수 있다. 또한, 규소 원자에 아릴기 외에 알킬기가 치환된 기도 들 수 있다.
아릴실릴기로서는, 아릴실릴기, 알킬아릴실릴기, 디알킬아릴실릴기, 디아릴실릴기, 알킬디아릴실릴기, 트리아릴실릴기를 들 수 있다. 복수의 아릴기끼리, 또는 알킬기끼리는 동일하거나 상이할 수 있다.
디알킬아릴실릴기는, 예를 들면 상기 알킬기에서 예시한 알킬기를 2개 갖고, 하기 아릴기를 1개 갖는 디알킬아릴실릴기를 들 수 있다. 디알킬아릴실릴기의 탄소수는 8 내지 30인 것이 바람직하다. 2개의 알킬기는 각각 동일하거나 상이할 수 있다.
알킬디아릴실릴기는, 예를 들면 상기 알킬기에서 예시한 알킬기를 1개 갖고, 하기 아릴기를 2개 갖는 알킬디아릴실릴기를 들 수 있다. 알킬디아릴실릴기의 탄소수는 13 내지 30인 것이 바람직하다. 2개의 아릴기는 각각 동일하거나 상이할 수 있다.
트리아릴실릴기는, 예를 들면 하기 아릴기를 3개 갖는 트리아릴실릴기를 들 수 있다. 트리아릴실릴기의 탄소수는 18 내지 30인 것이 바람직하다. 3개의 아릴기는 각각 동일하거나 상이할 수 있다.
이러한 아릴실릴기로서는, 예를 들면 페닐디메틸실릴기, 디페닐메틸실릴기, 디페닐-t-부틸실릴기, 트리페닐실릴기를 들 수 있다.
환 형성 탄소수 6 내지 50(바람직하게는 환 형성 탄소수 6 내지 30, 보다 바람직하게는 환 형성 탄소수 6 내지 20, 특히 바람직하게는 환 형성 탄소수 6 내지 12)의 아릴기(방향족 탄화수소기)로서는, 예를 들면 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타세닐기, 2-나프타세닐기, 9-나프타세닐기, 1-피레닐기, 2-피레닐기, 4-피레닐기, 6-크리세닐기, 1-벤조[c]페난트릴기, 2-벤조[c]페난트릴기, 3-벤조[c]페난트릴기, 4-벤조[c]페난트릴기, 5-벤조[c]페난트릴기, 6-벤조[c]페난트릴기, 1-벤조[g]크리세닐기, 2-벤조[g]크리세닐기, 3-벤조[g]크리세닐기, 4-벤조[g]크리세닐기, 5-벤조[g]크리세닐기, 6-벤조[g]크리세닐 기, 7-벤조[g]크리세닐기, 8-벤조[g]크리세닐기, 9-벤조[g]크리세닐기, 10-벤조[g]크리세닐기, 11-벤조[g]크리세닐기, 12-벤조[g]크리세닐기, 13-벤조[g]크리세닐기, 14-벤조[g]크리세닐기, 1-벤조[a]안트릴기, 2-벤조[a]안트릴기, 3-벤조[a]안트릴기, 4-벤조[a]안트릴기, 5-벤조[a]안트릴기, 6-벤조[a]안트릴기, 7-벤조[a]안트릴기, 8-벤조[a]안트릴기, 9-벤조[a]안트릴기, 10-벤조[a]안트릴기, 11-벤조[a]안트릴기, 12-벤조[a]안트릴기, 13-벤조[a]안트릴기, 14-벤조[a]안트릴기, 1-트리페닐레닐기, 2-트리페닐레닐기, 1-플루오레닐, 2-플루오레닐기, 3-플루오레닐기, 4-플루오레닐기, 9-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 2-비페닐일기, 3-비페닐일기, 4-비페닐일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기 등을 들 수 있다.
바람직하게는 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-플루오레닐, 2-플루오레닐기, 3-플루오레닐기, 4-플루오레닐기, 5-벤조[c]페난트릴기, 4-벤조[a]안트릴기, 7-벤조[a]안트릴기, 10-벤조[g]크리세닐기, 1-트리페닐레닐기, 2-트리페닐레닐기이다.
1-플루오레닐기, 2-플루오레닐기, 3-플루오레닐기 및 4-플루오레닐기, 9-플루오레닐기는 9위치의 탄소 원자에, 상술한 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 또는 후술하는 원자수 5 내지 20의 복소환기가 치환되어 있는 것이 바람직하다.
이들 아릴기는, 추가로 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 20의 복소환기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기가 치환된 실릴기, 시아노기, 또는 할로겐 원자가 치환되어 있는 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 아릴기(방향족 탄화수소)란, 방향족성을 나타내는 단환(비축합 아릴기) 또는 복수의 환(축합 아릴기)로부터 구성되는 탄화수소기이다.
축합 아릴기란, 상기 아릴기 중에서 2환 이상의 환 구조가 축환한 기이다. 비축합 아릴기란, 상기 아릴기 중에서 상기 축합 아릴기를 제외한 기이다.
축합 아릴기로서는, 환 형성 탄소수 10 내지 50(바람직하게는 환 형성 탄소수 10 내지 30, 보다 바람직하게는 환 형성 탄소수 10 내지 20)의 축합 아릴기이고, 상기 아릴기의 구체예 중, 예를 들면 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타세닐기, 2-나프타세닐기, 9-나프타세닐기, 1-피레닐기, 2-피레닐기, 4-피레닐기, 6-크리세닐기, 5-벤조[c]페난트릴기, 4-벤조[a]안트릴기, 7-벤조[a]안트릴기, 10-벤조[g]크리세닐기, 1-트리페닐레닐기, 2-트리페닐레닐기 등을 들 수 있다.
바람직하게는, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 5-벤조[c]페난트릴기, 4-벤조[a]안트릴기, 7-벤조[a]안트릴기, 10-벤조[g]크리세닐기, 1-트리페닐레닐기, 2-트리페닐레닐기이다.
2가의 방향족 탄화수소기로서는, 상기의 아릴기로부터 수소 원자를 1개 이상 제거한 기를 들 수 있다.
환 형성 원자수 5 내지 50(바람직하게는 환 형성 원자수 5 내지 30, 보다 바람직하게는 환 형성 원자수 5 내지 20, 특히 바람직하게는 환 형성 원자수 5 내지 12)의 복소환기로서는, 예를 들면 1-피롤릴기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라디닐기, 2-피리디닐기, 3-피리디닐기, 4-피리디닐기, 1-인돌릴기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-이소인돌릴기, 2-이소인돌릴기, 3-이소인돌릴기, 4-이소인돌릴기, 5-이소인돌릴기, 6-이소인돌릴기, 7-이소인돌릴기, 2-푸릴기, 3-푸릴기, 2-벤조푸라닐기, 3-벤조푸라닐기, 4-벤조푸라닐기, 5-벤조푸라닐기, 6-벤조푸라닐기, 7-벤조푸라닐기, 1-이소벤조푸라닐기, 3-이소벤조푸라닐기, 4-이소벤조푸라닐기, 5-이소벤조푸라닐기, 6-이소벤조푸라닐기, 7-이소벤조푸라닐기, 1-디벤조푸라닐기, 2-디벤조푸라닐기, 3-디벤조푸라닐기, 4-디벤조푸라닐기, 1-디벤조티오페닐기, 2-디벤조티오페닐기, 3-디벤조티오페닐기, 4-디벤조티오페닐기, 2-퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-이소퀴놀릴기, 3-이소퀴놀릴기, 4-이소퀴놀릴기, 5-이소퀴놀릴기, 6-이소퀴놀릴기, 7-이소퀴놀릴기, 8-이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살리닐기, 5-퀴녹살리닐기, 6-퀴녹살리닐기, 1-카르바졸릴기, 2-카르바졸릴기, 3-카르바졸릴기, 4-카르바졸릴기, 9-카르바졸릴기, 1-페난트리디닐기, 2-페난트리디닐기, 3-페난트리디닐기, 4-페난트리디닐기, 6-페난트리디닐기, 7-페난트리디닐기, 8-페난트리디닐기, 9-페난트리디닐기, 10-페난트리디닐기, 1-아크리디닐기, 2-아크리디닐기, 3-아크리디닐기, 4-아크리디닐기, 9-아크리디닐기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린-4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나지닐기, 2-페나지닐기, 1-페노티아지닐기, 2-페노티아지닐기, 3-페노티아지닐기, 4-페노티아지닐기, 10-페노티아지닐기, 1-페녹사지닐기, 2-페녹사지닐기, 3-페녹사지닐기, 4-페녹사지닐기, 10-페녹사지닐기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 2-옥사디아졸릴기, 5-옥사디아졸릴기, 3-푸라자닐기, 2-티에닐기, 3-티에닐기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1-일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-부틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-부틸-1-인돌릴기, 4-t-부틸-1-인돌릴기, 2-t-부틸-3-인돌릴기, 4-t-부틸-3-인돌릴기, 1-벤즈이미다졸릴기, 2-벤즈이미다졸릴기, 4-벤즈이미다졸릴기, 5-벤즈이미다졸릴기, 6-벤즈이미다졸릴기, 7-벤즈이미다졸릴기, 2-이미다조[1,2-a]피리디닐기, 3-이미다조[1,2-a]피리디닐기, 5-이미다조[1,2-a]피리디닐기, 6-이미다조[1,2-a]피리디닐기, 7-이미다조[1,2-a]피리디닐기, 8-이미다조[1,2-a]피리디닐기, 벤즈이미다졸-2-온-1-일기, 벤즈이미다졸-2-온-3-일기, 벤즈이미다졸-2-온-4-일기, 벤즈이미다졸-2-온-5-일기, 벤즈이미다졸-2-온-6-일기, 벤즈이미다졸-2-온-7-일기 등을 들 수 있다.
바람직하게는 1-디벤조푸라닐기, 2-디벤조푸라닐기, 3-디벤조푸라닐기, 4-디벤조푸라닐기, 1-디벤조티오페닐기, 2-디벤조티오페닐기, 3-디벤조티오페닐기, 4-디벤조티오페닐기, 1-카르바졸릴기, 2-카르바졸릴기, 3-카르바졸릴기, 4-카르바졸릴기, 9-카르바졸릴기, 1-벤즈이미다졸릴기, 2-벤즈이미다졸릴기, 4-벤즈이미다졸릴기, 5-벤즈이미다졸릴기, 6-벤즈이미다졸릴기, 7-벤즈이미다졸릴기, 2-이미다조[1,2-a]피리디닐기, 3-이미다조[1,2-a]피리디닐기, 5-이미다조[1,2-a]피리디닐기, 6-이미다조[1,2-a]피리디닐기, 7-이미다조[1,2-a]피리디닐기, 8-이미다조[1,2-a]피리디닐기, 2-피리디닐기, 3-피리디닐기, 4-피리디닐기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 벤즈이미다졸-2-온-1-일기, 벤즈이미다졸-2-온-3-일기, 벤즈이미다졸-2-온-4-일기, 벤즈이미다졸-2-온-5-일기, 벤즈이미다졸-2-온-6-일기, 벤즈이미다졸-2-온-7-일기이고, 특히 바람직하게는 1-디벤조푸라닐기, 2-디벤조푸라닐기, 3-디벤조푸라닐기, 4-디벤조푸라닐기, 1-디벤조티오페닐기, 2-디벤조티오페닐기, 3-디벤조티오페닐기, 4-디벤조티오페닐기, 1-카르바졸릴기, 2-카르바졸릴기, 3-카르바졸릴기, 4-카르바졸릴기, 9-카르바졸릴기이다.
이들 복소환기는 추가로, 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 20의 복소환기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환된 실릴기, 시아노기, 또는 할로겐 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다.
복소환기는, 단환의 헤테로 방향족 환기, 복수의 헤테로 방향족 환이 축합한 헤테로 축합 방향족 환기 및 방향족 탄화수소환과 헤테로 방향족 환이 축합한 헤테로 축합 방향족 환기를 포함한다.
환 형성 원자수 8 내지 30(바람직하게는 환 형성 원자수 8 내지 20)의 축합 복소환기로서는, 상기 복소환기의 구체예 중, 예를 들면 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기 및 카르바졸릴기 등을 들 수 있다.
2가의 복소환기로서는, 상기의 복소환기로부터 수소 원자를 1개 이상 제거한 기를 들 수 있다.
아미노기는 -NHRW 또는 -N(RW)2(식 중, 2개의 Rw는 동일하거나 상이할 수 있음)로 표시된다. 이 RW의 예로서, 상기의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기를 들 수 있다. 특히, 페닐아미노기, 디페닐아미노기가 바람직하다.
본 발명의 일 형태인 안트라센 유도체를 이하에 예시하지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
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상기의 화합물은 유기 EL 소자용 재료, 유기 EL 소자용 발광 재료로서 사용할 수 있다.
본 발명의 일 형태 유기 전계 발광(EL) 소자는 음극과 양극 간에, 발광층을 포함하는 1개 이상의 유기 박막층을 갖고, 유기 박막층의 적어도 1층이 상기의 안트라센 유도체를 단독 또는 혼합물의 성분으로서 함유한다.
상기의 유기 EL 소자는, 바람직하게는 발광층이 상기의 안트라센 유도체를 함유한다. 바람직하게는, 상기 안트라센 유도체는 발광층의 호스트 재료이다.
유기 박막층이 복수층형의 유기 EL 소자로서는, (양극/정공 주입층/발광층/음극), (양극/발광층/전자 주입층/음극), (양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극), (양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극) 등의 구성으로 적층한 것을 들 수 있다.
또한, 상기의 유기 EL 소자에 있어서, 상기 안트라센 유도체는 상기의 어느 유기층에 사용되어도 되지만, 발광 대역에 함유되는 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는 발광층에 함유된다. 함유량은 특별히 제한되지 않고, 적절히 조정 가능하지만, 통상 1 내지 100질량％, 보다 바람직하게는 30 내지 100질량％이다.
유기 EL 소자는 상기 유기 박막층을 복수층 구조로 함으로써, 켄칭에 의한 휘도나 수명의 저하를 방지할 수 있다. 필요하다면, 발광 재료, 도핑 재료, 정공 주입 재료나 전자 주입 재료를 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 도핑 재료에 의해, 발광 휘도나 발광 효율이 향상하는 경우가 있다. 또한, 정공 주입층, 발광층, 전자 주입층은 각각 2층 이상의 층 구성에 의해 형성될 수도 있다. 그 때에는, 정공 주입층의 경우, 전극으로부터 정공을 주입하는 층을 정공 주입층, 정공 주입층으로부터 정공을 수취해 발광층까지 정공을 수송하는 층을 정공 수송층이라고 칭한다. 마찬가지로, 전자 주입층의 경우, 전극으로부터 전자를 주입하는 층을 전자 주입층, 전자 주입층으로부터 전자를 수취해 발광층까지 전자를 수송하는 층을 전자 수송층이라고 칭한다. 이들 각 층은 재료의 에너지 준위, 내열성, 유기층 또는 금속 전극과의 밀착성 등의 각 요인에 따라 선택되어 사용된다.
상기의 안트라센 유도체와 함께 발광층에 사용할 수 있는 재료로서는, 예를 들면 나프탈렌, 페난트렌, 루브렌, 안트라센, 테트라센, 피렌, 페릴렌, 크리센, 데카시클렌, 코로넨, 테트라페닐시클로펜타디엔, 펜타페닐시클로펜타디엔, 플루오렌, 스피로플루오렌 등의 축합 다환 방향족 화합물 및 그들의 유도체, 트리스(8-퀴놀리놀레이트)알루미늄 등의 유기 금속 착체, 트릴아릴아민 유도체, 스티릴아민 유도체, 스틸벤 유도체, 쿠마린 유도체, 피란 유도체, 옥사존 유도체, 벤조티아졸 유도체, 벤조옥사졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 피라진 유도체, 신남산 에스테르 유도체, 디케토피롤로피롤 유도체, 아크리돈 유도체, 퀴나크리돈 유도체 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
상기의 유기 EL 소자에 있어서는, 원한다면 발광층에, 상기의 발광 재료 이외에, 발광성 도펀트(인광성 도펀트 및/또는 형광성 도펀트)를 함유할 수도 있다. 또한, 상기의 화합물을 포함하는 발광층에, 이들 도펀트를 포함하는 발광층을 적층할 수도 있다.
형광성 도펀트는 일중항 여기자로부터 발광할 수 있는 화합물이다. 형광성 도펀트로서는, 아민계 화합물, 방향족 화합물, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄 착체 등의 킬레이트 착체, 쿠마린 유도체, 테트라페닐 부타디엔 유도체, 비스스티릴아릴렌 유도체, 옥사디아졸 유도체 등으로부터, 요구되는 발광색에 맞춰서 선택되는 화합물인 것이 바람직하고, 스티릴 아민 화합물, 스티릴 디아민 화합물, 아릴아민 화합물, 아릴 디아민 화합물, 플루오란텐 화합물이 보다 바람직하고, 축합 다환 아민 유도체가 더욱 바람직하다. 이 형광성 도펀트는 단독으로도 또한 복수 조합하여 사용할 수도 있다.
축합 다환 아민 유도체로서는, 하기 식 (A)로 표시되는 것이 바람직하다.
Figure 112016005275606-pct00081
식 (A) 중, Y는 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 10 내지 50의 축합 방향족 탄화수소기를 나타낸다.
Ar101, Ar102는, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기를 나타낸다.
Y의 구체예로서는, 상기의 축합 아릴기를 들 수 있고, 바람직하게는 치환 또는 비치환의 안트릴기, 치환 또는 비치환의 피레닐기, 치환 또는 비치환의 크리세닐기이다. Ar101, Ar102의 구체예로서는, 식 (1)로 표시되는 화합물에 있어서의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 및 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기와 동일한 것을 들 수 있다.
n은 1 내지 4의 정수이고, 1 내지 2의 정수인 것이 바람직하다.
상기 식 (A)는 하기 식 (16) 또는 (17)로 표시되는 것이 바람직하다.
Figure 112016005275606-pct00082
식 (16), (17) 중, Re 및 Rf는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴실릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬게르마늄기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴게르마늄기이다. Re 및 Rf는 각각 독립적으로, 축합 다환 골격을 구성하는 벤젠환의 어느 결합 위치에 결합해도 된다.
Re 및 Rf의 바람직한 예로서는 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기이고, 보다 바람직하게는, 치환 또는 비치환의 페닐기, 치환 또는 비치환의 나프틸기 등이다.
t는 0 내지 10의 정수를 나타낸다. u는 0 내지 8의 정수를 나타낸다.
t가 2 내지 10의 경우, 복수의 Re는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
u가 2 내지 8의 경우, 복수의 Rf는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
Ar1 내지 Ar8은, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기이다.
Ar1 내지 Ar8의 바람직한 예로서는, 치환 또는 비치환의 페닐기, 치환 또는 비치환의 디벤조푸라닐기 등이다. Ar1 내지 Ar8의 치환기의 바람직한 예로서는, 알킬기, 시아노기, 치환 또는 비치환의 실릴기이다.
또한, 형광성 도펀트로서는, 하기 식 (18)로 표시되는 축합 환 아민 유도체도 바람직하다.
Figure 112016005275606-pct00083
식 (18) 중, Rg 및 Rh는, 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴실릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬게르마늄기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴게르마늄기이다.
Ri는 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴실릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬게르마늄기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴게르마늄기이다. Ri는 식 (18)의 플루오렌 골격상의 어느 쪽의 치환 위치에 치환될 수도 있다.
q는 0 내지 7의 정수이다. q가 2 내지 7의 정수인 경우, 복수의 Ri는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 인접하는 Ri끼리 결합해서 환을 형성할 수 있다.
L1은 단결합 또는 연결기이다. L1은 식 (18)의 플루오렌 골격 상의 Ri가 결합하고 있지 않은 결합 위치에 결합한다.
Ar1, Ar2는, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기이다.
p는 1 내지 4의 정수이다.
식 (16) 내지 (18)에 있어서 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴기, 알킬실릴기, 아릴실릴기의 예로서 상기에서 예시한 것을 들 수 있다.
아르알킬기는 -Y-Z로 표시되고, Y의 예로서 상기 알킬의 예에 대응하는 알킬렌의 예를 들 수 있고, Z의 예로서 상기 아릴의 예를 들 수 있다. 아르알킬기는 탄소수 7 내지 50의 아르알킬기(아릴 부분은 탄소수 6 내지 49(바람직하게는 6 내지 30, 보다 바람직하게는 6 내지 20, 특히 바람직하게는 6 내지 12), 알킬 부분은 탄소수 1 내지 44(바람직하게는 1 내지 30, 보다 바람직하게는 1 내지 20, 더욱 바람직하게는 1 내지 10, 특히 바람직하게는 1 내지 6))인 것이 바람직하고, 예를 들면 벤질기, 페닐에틸기, 2-페닐프로판-2-일기이다.
시클로알킬기로서는, 환 형성 탄소수 3 내지 20(바람직하게는 환 형성 탄소수 3 내지 10, 보다 바람직하게는 환 형성 탄소수 3 내지 8)의 시클로알킬기이고, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 아다만틸기, 노르보르닐기 등을 들 수 있다.
알킬게르마늄기로서는 메틸히드로게르밀기, 트리메틸게르밀기, 트리에틸게르밀기, 트리프로필게르밀기, 디메틸-t-부틸게르밀기 등을 들 수 있다.
아릴게르마늄기로서는 페닐디히드로게르밀기, 디페닐히드로게르밀기, 트리페닐게르밀기, 트리트릴게르밀기, 트리나프틸게르밀기 등을 들 수 있다.
스티릴아민 화합물 및 스티릴디아민 화합물로서는, 하기 식 (A) 및 (B)로 표시되는 것이 바람직하다.
Figure 112016005275606-pct00084
식 (A) 중, Ar301은 k가의 기이고, 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 터페닐기, 스틸벤기, 스티릴아릴기, 디스티릴아릴기에 대응하는 k가의 기이고, Ar302 및 Ar303은 각각 독립적으로, 환 형성 탄소수가 6 내지 20의 아릴기이고, Ar301, Ar302 및 Ar303은 치환되어 있을 수도 있다.
k는 1 내지 4의 정수이고, 그 중에서도 k는 1 내지 2의 정수인 것이 바람직하다. Ar301 내지 Ar303 중 어느 하나는 스티릴기를 함유하는 기이다. 더욱 바람직하게는 Ar302 또는 Ar303 중 적어도 한쪽은 스티릴기로 치환되어 있다.
여기서, 환 형성 탄소수가 6 내지 20의 아릴기로서는, 구체적으로는 상술한 아릴기를 들 수 있고, 바람직하게는 페닐기, 나프틸기, 안트라닐기, 페난트릴기, 터페닐기 등을 들 수 있다.
식 (B) 중, Ar304 내지 Ar306은 v가의 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 40의 아릴기이다. v는 1 내지 4의 정수이고, 그 중에서도 v는 1 내지 2의 정수인 것이 바람직하다.
여기서, 식 (B) 중의 환 형성 탄소수가 6 내지 40인 아릴기로서는, 구체적으로는 상술한 아릴기를 들 수 있고, 나프틸기, 안트라닐기, 크리세닐기, 피레닐기가 바람직하다.
플루오란텐 화합물로서는, 하기 식 (25)로 표시되는 것이 바람직하다.
Figure 112016005275606-pct00085
식 (25)에 있어서, R21 내지 R32는, 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 실릴기, 치환 또는 비치환의 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아킬옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기, 및 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 5 내지 30의 복소환기로부터 선택된다.
또한, 식 (25)에 있어서, R21과 R22, R22와 R23, R25와 R26, R26과 R27, R27과 R28, R28과 R29, R29와 R30, R30과 R31 및 R31과 R32는 서로 결합해서 포화 또는 불포화의 환을 형성할 수 있다. 당해 환은 치환될 수도 있고, 비치환될 수도 있다.
식 (25)의 R24가 수소 원자인 것이 바람직하다.
식 (25)의 R27 및 R32가 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하다. R27 및 R32는 치환 또는 비치환의 페닐기인 것이 바람직하다.
또는, 식 (25)의 R21 내지 R22, R24 내지 R26 및 R28 내지 R31이 수소 원자이고, 식 (25)의 R23, R27 및 R32가 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하다.
식 (25)의 R21 내지 R22, R24 내지 R26 및 R28 내지 R31이 수소 원자이고, 식 (25)의 R27 및 R32가 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이고, 식 (25)의 R23이 -Ar21-Ar22이고, Ar21 및 Ar22는, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 Ar21 또는 상기 Ar22가 시아노기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 또는 카르바졸릴기를 치환기로서 갖는 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하다.
또는, 식 (25)의 R21 내지 R22, R24 내지 R26 및 R28 내지 R31이 수소 원자이고, 식 (25)의 R27 및 R32가, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이고, 식 (25)의 R23이 -Ar21-Ar22-Ar23이고, Ar21, Ar22 및 Ar23은, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 Ar21, 상기 Ar22 또는 상기 Ar23이 시아노기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 또는 카르바졸릴기를 치환기로서 갖는 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하다.
또한, 상기 기로 치환하는 바람직한 치환기로서는, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 아릴기로 치환된 아미노기, 환 형성 탄소수 5 내지 40의 아릴기를 갖는 에스테르기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 갖는 에스테르기, 시아노기, 니트로기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다.
정공 주입 재료로서는, 정공을 수송하는 능력을 갖고, 양극으로부터의 정공 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 또한 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는, 프탈로시아닌 유도체, 나프탈로시아닌 유도체, 포르피린 유도체, 벤지딘형 트리페닐아민, 디아민형 트리페닐아민, 헥사시아노헥사아자트리페닐렌 등과, 그들의 유도체 및 폴리비닐카르바졸, 폴리실란, 도전성 고분자 등의 고분자 재료를 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
상기의 유기 EL 소자에 있어서 사용할 수 있는 정공 주입 재료 중에서, 더욱 효과적인 정공 주입 재료는 프탈로시아닌 유도체이다.
프탈로시아닌(Pc) 유도체로서는, 예를 들면 H2Pc, CuPc, CoPc, NiPc, ZnPc, PdPc, FePc, MnPc, ClAlPc, ClGaPc, ClInPc, ClSnPc, Cl2SiPc, (HO)AlPc, (HO)GaPc, VOPc, TiOPc, MoOPc, GaPc-O-GaPc 등의 프탈로시아닌 유도체 및 나프탈로시아닌 유도체가 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
또한, 정공 주입 재료에 TCNQ 유도체 등의 전자 수용 물질을 첨가함으로써 캐리어를 증감시킬 수도 있다.
상기의 유기 EL 소자에 있어서 사용할 수 있는 바람직한 정공 수송 재료는 방향족 3급 아민 유도체이다.
방향족 3급 아민 유도체로서는, 예를 들면 N,N'-디페닐-N,N'-디나프틸-1,1'-비페닐-4,4'-디아민, N,N,N',N'-테트라비페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민 등, 또는 이들의 방향족 3급 아민 골격을 가진 올리고머 또는 중합체이지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
전자 주입 재료로서는, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자 주입 효과를 갖고, 또한 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다.
상기의 유기 EL 소자에 있어서, 더욱 효과적인 전자 주입 재료는 금속 착체 화합물 및 질소 함유 복소환 유도체이다.
상기 금속 착체 화합물로서는, 예를 들면 8-히드록시퀴놀리네이트리튬, 비스(8-히드록시퀴놀리네이트)아연, 트리스(8-히드록시퀴놀리네이트)알루미늄, 트리스(8-히드록시퀴놀리네이트)갈륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리네이트)베릴륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리네이트)아연 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
상기 질소 함유 복소환 유도체로서는, 예를 들면 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 트리아졸, 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 페난트롤린, 벤즈이미다졸, 이미다조피리딘 등이 바람직하고, 그 중에서도 벤즈이미다졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 이미다조 피리딘 유도체가 바람직하다.
바람직한 형태로서, 이들 전자 주입 재료는 추가로 도펀트를 함유한다. 음극으로부터의 전자의 수취를 용이하게 하기 위해서, 보다 바람직하게는 유기층의 음극 계면 근방에 알칼리 금속으로 대표되는 도펀트를 도핑한다.
도펀트로서는, 도너성 금속, 도너성 금속 화합물 및 도너성 금속 착체를 들 수 있고, 이들 환원성 도펀트는 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
상기의 유기 EL 소자에 있어서는, 발광층 중에, 식 (1)로 표시되는 안트라센 유도체로부터 선택되는 적어도 1종 이외에, 발광 재료, 도핑 재료, 정공 주입 재료, 정공 수송 재료 및 전자 주입 재료 중 적어도 1종이 동일층에 함유될 수도 있다. 또한, 얻어진 유기 EL 소자의 온도, 습도, 분위기 등에 대한 안정성의 향상을 위해, 소자의 표면에 보호층을 형성하거나, 실리콘 오일, 수지 등에 의해 소자 전체를 보호하는 것도 가능하다.
상기의 유기 EL 소자의 양극에 사용되는 도전성 재료로서는, 4eV보다 큰 일함수를 갖는 것이 적합하고, 탄소, 알루미늄, 바나듐, 철, 코발트, 니켈, 텅스텐, 은, 금, 백금, 팔라듐 등 및 그들의 합금, ITO 기판, NESA 기판에 사용되는 산화주석, 산화인듐 등의 산화 금속, 나아가 폴리티오펜이나 폴리피롤 등의 유기 도전성 수지가 사용된다. 음극에 사용되는 도전성 물질로서는, 4eV보다 작은 일함수를 갖는 것이 적합하고, 마그네슘, 칼슘, 주석, 납, 티타늄, 이트륨, 리튬, 루테늄, 망간, 알루미늄, 불화 리튬 등 및 그들의 합금이 사용되지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 합금으로서는, 마그네슘/은, 마그네슘/인듐, 리튬/알루미늄 등을 대표예로서 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 합금의 비율은 증착원의 온도, 분위기, 진공도 등에 의해 제어되고, 적절한 비율로 선택된다. 양극 및 음극은 필요하면, 2층 이상의 층 구성에 의해 형성되어 있을 수도 있다.
상기의 유기 EL 소자에서는, 효율적으로 발광시키기 위해서, 적어도 한쪽 면은 소자의 발광 파장 영역에서 충분히 투명하게 하는 것이 바람직하다. 또한, 기판도 투명한 것이 바람직하다. 투명 전극은 상기의 도전성 재료를 사용하여, 증착이나 스퍼터링 등의 방법으로 소정의 투광성이 확보되도록 설정한다. 발광면의 전극은 광 투과율을 10％ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 기판은 기계적, 열적 강도를 갖고, 투명성을 갖는 것이라면 한정되는 것은 아니지만, 유리 기판 및 투명성 수지 필름이 있다.
상기의 유기 EL 소자의 각 층 형성은 진공 증착, 스퍼터링, 플라즈마, 이온 플레이팅 등의 건식 성막법이나 스핀 코팅, 디핑, 플로우 코팅 등의 습식 성막법의 어느 쪽의 방법을 적용해도 된다. 막 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 적절한 막 두께로 설정할 필요가 있다. 막 두께가 너무 두꺼우면, 일정한 광 출력을 얻기 위해서 큰 인가 전압이 필요하게 되어 효율이 나빠진다. 막 두께가 너무 얇으면 핀 홀 등이 발생하여, 전계를 인가해도 충분한 발광 휘도가 얻어지지 않는다. 통상의 막 두께는 5nm 내지 10㎛의 범위가 적합하지만, 10nm 내지 0.2㎛의 범위가 더욱 바람직하다.
습식 성막법의 경우, 각 층을 형성하는 재료를 에탄올, 클로로포름, 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 적절한 용매에 용해 또는 분산시켜 박막을 형성하지만, 그의 용매는 어느 것이어도 된다.
이러한 습식 성막법에 적합한 용액으로서, 유기 EL 재료로서 상기의 안트라센 유도체와 용매를 함유하는 유기 EL 재료 함유 용액을 사용할 수 있다.
어느 쪽의 유기 박막층에 있어서도, 성막성 향상, 막의 핀 홀 방지 등을 위해 적절한 수지나 첨가제를 사용할 수도 있다.
상기의 유기 EL 소자는 여러 전자 기기에 사용할 수 있고, 예를 들면 벽걸이 텔레비전의 플랫 패널 디스플레이 등의 평면 발광체, 복사기, 프린터, 액정 디스플레이의 백 라이트 또는 계기류 등의 광원, 표시판, 표지등 등에 이용할 수 있다. 또한, 본 발명의 화합물은 유기 EL 소자뿐만 아니라, 전자 사진 감광체, 광전 변환 소자, 태양 전지, 이미지 센서 등의 분야에 있어서도 사용할 수 있다.
<실시예>
합성예 1[중간체 A의 합성]
다음의 반응식을 따라서 중간체 A를 합성하였다.
Figure 112016005275606-pct00086
(A-1) 4-브로모-2-요오도벤조산 에틸의 합성
아르곤 분위기 하에서, 테트라메틸피페리딘 36mL를 500mL의 THF(테트라히드로푸란) 중에 첨가한 후, 0℃까지 냉각하고, 2.6M의 n-BuLi헥산 용액 90mL를 적하하여, 0℃에서 10분간 교반하였다.
별도의 플라스크에서, 아르곤 분위기 하, 염화아연의 THF 용액(0.5M) 440mL에 1.6M의 t-BuLi의 펜탄 용액을 0℃에서 적하하고, 30분 교반하였다. 테트라메틸피페리딘 용액을 -78℃까지 냉각한 후, 별도의 플라스크에서 제조한 디-t-부틸아연 용액을 적하하였다. 반응 용액을 0℃까지 승온시킨 후, 30분 교반한 후, 다시 -78℃까지 냉각하였다. 4-브로모벤조산 에틸 22.9g을 적하한 후, 반응 용액을 0℃까지 승온시키면서 3시간 교반을 계속하였다. 반응 용액에 요오드 178g의 THF 용액을 첨가하고, 실온에서 3시간 교반을 계속하였다. 반응 종료 후, 반응 용액을 포화 티오황산나트륨 용액과 포화 염화암모늄 용액으로 켄칭한 후, 디에틸에테르를 사용해서 추출하였다. 유기층을 포화 식염수로 세정한 후, 황산마그네슘을 사용해서 건조시켰다. 황산마그네슘을 제거 후, 유기층을 농축하고, 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에서 정제하여, 4-브로모-2-요오도 벤조산 에틸 29.1g을 얻었다.
(A-2) 4-브로모-2-(1-나프틸)벤조산 에틸의 합성
아르곤 분위기 하에서, 1-나프탈렌붕소산 15.5g, 4-브로모-2-요오도벤조산 에틸 29.1g, 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(0) 1.89g, 톨루엔 220mL, 2M 탄산나트륨 수용액 110mL를 플라스크에 투입하고, 8시간 가열 환류 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 반응 용액을 톨루엔을 사용해서 추출하고, 수층을 제거한 후, 유기층을 포화 식염수로 세정하였다. 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후, 농축하고, 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에서 정제하여, 4-브로모-2-(1-나프틸)벤조산 에틸 21.0g을 얻었다.
(A-3) 2-[4-브로모-2-(1-나프틸)페닐]-2-프로판올의 합성
아르곤 분위기 하에서, 4-브로모-2-(1-나프틸)벤조산에틸 21.0g에 THF 100mL를 첨가하고, -30℃로 냉각하였다. 1M의 메틸마그네슘 브로마이드의 디에틸에테르 용액 473mL를 적하하였다. 실온까지 승온시키면서 5시간 교반을 계속하였다. 포화염화암모늄 수용액 500mL를 서서히 첨가하고, 켄칭하였다. 아세트산 에틸을 사용해서 추출하고, 수층을 제거하였다. 유기층을 물로 세정한 후, 황산마그네슘으로 건조시켰다. 황산마그네슘을 제거한 후, 유기층을 농축하고, 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에서 정제하여, 2-[4-브로모-2-(1-나프틸)페닐]-2-프로판올 13.1g을 얻었다.
(A-4) 10-브로모-7,7-디메틸벤조[c]플루오렌의 합성
아르곤 분위기 하에서, 2-[4-브로모-2-(1-나프틸)페닐]-2-프로판올 13.1g, 폴리인산 120g을 투입하고, 100℃에서 5시간 가열 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 반응 용액을 빙수 중에 서서히 첨가하였다. 얻어진 고체를 여과 취출하고, 이 고체를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에서 정제하여, 10-브로모-7,7-디메틸벤조[c]플루오렌 7.4g을 얻었다.
합성예 2[중간체 B의 합성]
다음의 반응식을 따라서 중간체 B를 합성하였다.
Figure 112016005275606-pct00087
중간체 (A)의 합성에 있어서, 4-브로모벤조산 에틸 대신 2-브로모벤조산 메틸을 사용한 것 이외에는 중간체 (A)와 동일하게 행하여, 중간체 (B)를 합성하였다.
합성예 3[중간체 C의 합성]
다음의 반응식을 따라서 중간체 C를 합성하였다.
Figure 112016005275606-pct00088
(C-1) 트리플루오로메탄술폰산 2-아세틸-1-나프틸의 합성
아르곤 분위기 하에서, 1'-히드록시-2'-아세토나프톤 186g, 4-디메틸아미노피리딘 18.2g을 플라스크에 투입하고, 염화메틸렌 4L를 첨가하여, -78℃까지 냉각하였다. 2,6-디메틸피리딘 161g을 첨가한 후, 트리플루오로메탄술폰산 무수물 339g을 적하하였다. 실온까지 승온시키면서 5시간 교반을 계속하였다. 석출한 고체를 여과 취출하고, 물, 메탄올로 세정한 후, 건조시켜, 트리플루오로메탄술폰산 트리페닐레닐 286g(수율 90％)을 얻었다.
(C-2) 2-아세틸나프탈렌-1-붕소산 피나콜에스테르의 합성
아르곤 분위기하에서, 트리플루오로메탄술폰산 2-아세틸-1-나프틸 286g, 비스(피나콜레이트)디붕소 251g, [1,1-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐(II) 22.0g, 아세트산 칼륨 264g을 투입하고, 무수 디옥산 6L를 첨가하여, 8시간 가열 환류 교반을 행하였다. 실온까지 냉각 후, 반응 용액에 물 3L를 첨가하고, 톨루엔에서 추출하였다. 수층을 제거하고, 유기층을 물, 포화 식염수로 세정 후, 유기층을 황산마그네슘에서 건조시켰다. 황산마그네슘을 제거하고, 용매를 감압 증류 제거시켰다. 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에서 정제하여, 2-아세틸나프탈렌-1-붕소산 피나콜에스테르 160g을 얻었다.
(C-3) 2-아세틸-1-(2-브로모페닐)나프탈렌의 합성
아르곤 분위기 하에서, 2-아세틸나프탈렌-1-붕소산 피나콜에스테르 160g, 2-브로모요오드벤젠 153g, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 12.5g, 톨루엔 2.2L, 2M 탄산나트륨 수용액 1.1L를 투입하고, 8시간 환류 교반을 하였다. 실온까지 냉각 후, 반응 용액을 톨루엔에서 추출하였다. 수층을 제거하고, 유기층을 물, 포화 식염수로 순차 세정한 후, 황산마그네슘으로 건조시켰다. 황산마그네슘을 여과 분리 후, 유기층을 농축하였다. 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에서 정제하여, 2-아세틸-1-(2-브로모페닐)나프탈렌 144g을 얻었다.
(C-4) 2-[1-(2-브로모페닐)나프탈렌-2-일]-2-프로판올의 합성
(A-3)의 합성에 있어서, 4-브로모-2-(1-나프틸)벤조산 에틸 대신 2-아세틸-1-(2-브로모페닐)나프탈렌을 사용한 것 이외에는 (A-3)과 동일하게 하여, 2-[1-(2-브로모페닐)나프탈렌-2-일]-2-프로판올을 합성하였다.
(C-5) 중간체 (C)의 합성
(A-4)의 합성에 있어서, 2-[4-브로모-2-(1-나프틸)페닐]-2-프로판올 대신 2-[1-(2-브로모페닐)나프탈렌-2-일]-2-프로판올을 사용한 것 이외에는 (A-4)와 동일하게 하여, 중간체 (C)를 합성하였다.
합성예 4[중간체 D의 합성]
다음의 반응식을 따라서 중간체 D를 합성하였다.
Figure 112016005275606-pct00089
(D-1) 3-브로모벤조[b]플루오렌-11-온의 합성
아르곤 분위기 하에서, 5-브로모-1-인다논 211g, o-프탈알데히드 134g, 무수 에탄올 3L를 투입하고, 20wt％의 나트륨에톡시드 에탄올 용액 78mL를 첨가하여, 실온에서 8시간 교반하였다. 그 후, 24시간 가열 환류 교반을 하였다. 실온까지 방냉 후, 석출한 결정을 여과 취출하였다. 얻어진 고체를 에탄올로 재결정하여, 3-브로모-11H-벤조[b]플루오렌-11-온 74.0g을 얻었다.
(D-2) 3-브로모-11H-벤조[b]플루오렌의 합성
아르곤 분위기 하에서, 3-브로모-11H-벤조[b]플루오렌-11-온 74.0g, 히드라진 1수화물 300mL, 탄산칼륨 200g, 디에틸렌글리콜 700mL, 클로로벤젠 700mL를 투입하고, 8시간 가열 환류 교반을 하였다. 실온까지 냉각 후, 1N 염산 수용액을 첨가하였다. 반응 용액을 톨루엔에서 추출 후, 유기층을 물, 포화 수용액으로 세정하였다. 유기층을 황산마그네슘에서 건조시킨 후, 농축하고, 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에서 정제하여, 3-브로모-11H-벤조[b]플루오렌 17.0g을 얻었다.
(D-3) 3-브로모-11,11-디메틸벤조[b]플루오렌의 합성
아르곤 분위기 하에서, 3-브로모-11H-벤조[b]플루오렌 17.0g, 칼륨-t-부톡시드 15.5g, DMSO 250mL를 투입하고, 반응 용액을 5℃에서 교반하고 있는 중에, 요오드화메틸 19.6g을 서서히 적하하였다. 반응 용액을 실온까지 승온시키면서 8시간 교반하였다. 반응 종료 후, 물을 첨가하여 켄칭한 후, 톨루엔을 사용해서 추출하였다. 수층을 제거한 후, 유기층을 포화 식염수로 세정한 후, 황산마그네슘을 사용해서 건조시켰다. 황산마그네슘을 제거한 후, 농축하고, 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에서 정제하여, 3-브로모-11,11'-디메틸-11H-벤조[b]플루오렌 15.3g을 얻었다.
합성예 5[중간체 E의 합성]
다음의 반응식을 따라서 중간체 E를 합성하였다.
Figure 112016005275606-pct00090
합성예 4의 중간체 D의 합성에 있어서, 5-브로모-1-인다논 대신 4-브로모-1-인다논을 사용한 것 이외에는 합성예 4와 동일하게 하여 중간체 E를 합성하였다.
합성예 6[중간체 F의 합성]
다음의 반응식을 따라서 중간체 F를 합성하였다.
Figure 112016005275606-pct00091
합성예 4의 중간체 D의 합성에 있어서, 5-브로모-1-인다논 대신 기지의 방법으로 합성한 7-브로모-1-인다논을 사용한 것 이외에는 합성예 4와 동일하게 하여 중간체 F를 합성하였다.
합성예 7[중간체 G의 합성]
다음의 반응식을 따라서 중간체 G를 합성하였다.
Figure 112016005275606-pct00092
합성예 1(중간체 A의 합성)의 (A-2)에 있어서, 1-나프탈렌붕소산 대신 2-나프탈렌붕소산을 사용한 것 이외에는 합성예 1과 동일하게 하여 중간체 G를 합성하였다.
합성예 8[중간체 H의 합성]
다음의 반응식을 따라서 중간체 H를 합성하였다.
Figure 112016005275606-pct00093
합성예 2(중간체 B의 합성)에 있어서, 1-나프탈렌붕소산 대신 2-나프탈렌붕소산을 사용한 것 이외에는 합성예 2와 동일하게 하여 중간체 H를 합성하였다.
합성예 9[중간체 I의 합성]
다음의 반응식을 따라서 중간체 I를 합성하였다.
Figure 112016005275606-pct00094
합성예 1(중간체 A의 합성)의 (A-2)에 있어서, 1-나프탈렌붕소산 대신 9-페난트렌붕소산을 사용한 것 이외에는 합성예 1과 동일하게 하여 중간체 I를 합성하였다.
합성예 10[중간체 J의 합성]
다음의 반응식을 따라서 중간체 J를 합성하였다.
Figure 112016005275606-pct00095
합성예 2(중간체 B의 합성)에 있어서, 1-나프탈렌붕소산 대신 9-페난트렌붕소산을 사용한 것 이외에는 합성예 2와 동일하게 하여 중간체 J를 합성하였다.
실시예 1[화합물 1-1의 합성]
다음의 반응식을 따라서 화합물 1-1을 합성하였다.
Figure 112016005275606-pct00096
아르곤 분위기 하에서, 중간체 (A) 3.22g, 기지의 방법으로 합성한 10-페닐안트라센-9-붕소산 3.28g, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 0.231g, 1,2-디메톡시에탄 20mL, 톨루엔 20mL, 2M 탄산나트륨 수용액 20mL를 투입하고, 8시간 환류 교반을 하였다. 실온까지 냉각 후, 석출한 고체를 여과 분별하였다. 얻어진 고체를 물, 메탄올로 세정한 후, 톨루엔에서 재결정하여, 화합물 1-1의 담황색 고체 4.12g을 얻었다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 496.22에 대하여, m/e=496이었다.
실시예 2[화합물 1-2의 합성]
Figure 112016005275606-pct00097
상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 1-2를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 546.23에 대하여, m/e=546이었다.
실시예 3[화합물 1-3의 합성]
Figure 112016005275606-pct00098
상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 1-3을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 546.23에 대하여, m/e=546이었다.
실시예 4[화합물 1-4의 합성]
Figure 112016005275606-pct00099
상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 1-4를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 572.25에 대하여, m/e=572였다.
실시예 5[화합물 1-5의 합성]
Figure 112016005275606-pct00100
상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 1-5를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 6[화합물 1-6의 합성]
Figure 112016005275606-pct00101
상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 1-6을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 572.25에 대하여, m/e=572였다.
실시예 7[화합물 1-7의 합성]
Figure 112016005275606-pct00102
상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 1-7을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 8[화합물 1-8의 합성]
Figure 112016005275606-pct00103
상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 1-8을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 9[화합물 1-9의 합성]
Figure 112016005275606-pct00104
상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 1-9를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 572.25에 대하여, m/e=572였다.
실시예 10[화합물 1-10의 합성]
Figure 112016005275606-pct00105
상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 1-10을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 11[화합물 1-11의 합성]
Figure 112016005275606-pct00106
상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 1-11을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 12[화합물 1-12의 합성]
Figure 112016005275606-pct00107
상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 1-12를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 586.23에 대하여, m/e=586이었다.
실시예 13[화합물 1-13의 합성]
Figure 112016005275606-pct00108
중간체 B를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 1-13을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 496.22에 대하여, m/e=496이었다.
실시예 14[화합물 1-14의 합성]
Figure 112016005275606-pct00109
중간체 C를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 1-14를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 496.22에 대하여, m/e=496이었다.
실시예 15[화합물 2-1의 합성]
Figure 112016005275606-pct00110
중간체 D를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-1을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 496.22에 대하여, m/e=496이었다.
실시예 16[화합물 2-2의 합성]
Figure 112016005275606-pct00111
중간체 D를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-2를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 546.23에 대하여, m/e=546이었다.
실시예 17[화합물 2-3의 합성]
Figure 112016005275606-pct00112
중간체 D를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-3을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 546.23에 대하여, m/e=546이었다.
실시예 18[화합물 2-4의 합성]
Figure 112016005275606-pct00113
중간체 D를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-4를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 572.25에 대하여, m/e=572였다.
실시예 19[화합물 2-5의 합성]
Figure 112016005275606-pct00114
중간체 D를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-5를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 20[화합물 2-6의 합성]
Figure 112016005275606-pct00115
중간체 D를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-6을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 572.25에 대하여, m/e=572였다.
실시예 21[화합물 2-7의 합성]
Figure 112016005275606-pct00116
중간체 D를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-7을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 22[화합물 2-8의 합성]
Figure 112016005275606-pct00117
중간체 D를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-8을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 23[화합물 2-9의 합성]
Figure 112016005275606-pct00118
중간체 D를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-9를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 572.25에 대하여, m/e=572였다.
실시예 24[화합물 2-10의 합성]
Figure 112016005275606-pct00119
중간체 D를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-10을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 25[화합물 2-11의 합성]
Figure 112016005275606-pct00120
중간체 D를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-11을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 26[화합물 2-12의 합성]
Figure 112016005275606-pct00121
중간체 D를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-12를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 586.23에 대하여, m/e=586이었다.
실시예 27[화합물 2-13의 합성]
Figure 112016005275606-pct00122
중간체 F를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-13을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 496.22에 대하여, m/e=496이었다.
실시예 28[화합물 2-14의 합성]
Figure 112016005275606-pct00123
중간체 E를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 2-14를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 496.22에 대하여, m/e=496이었다.
실시예 29[화합물 3-1의 합성]
Figure 112016005275606-pct00124
중간체 G를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 3-1을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 496.22에 대하여, m/e=496이었다.
실시예 30[화합물 3-2의 합성]
Figure 112016005275606-pct00125
중간체 G를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 3-2를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 546.23에 대하여, m/e=546이었다.
실시예 31[화합물 3-3의 합성]
Figure 112016005275606-pct00126
중간체 G를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 3-3을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 546.23에 대하여, m/e=546이었다.
실시예 32[화합물 3-4의 합성]
Figure 112016005275606-pct00127
중간체 G를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 3-4를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 572.25에 대하여, m/e=572였다.
실시예 33[화합물 3-5의 합성]
Figure 112016005275606-pct00128
중간체 G를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 3-5를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 34[화합물 3-6의 합성]
Figure 112016005275606-pct00129
중간체 G를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 3-6을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 572.25에 대하여, m/e=572였다.
실시예 35[화합물 3-7의 합성]
Figure 112016005275606-pct00130
중간체 G를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 3-7을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 36[화합물 3-8의 합성]
Figure 112016005275606-pct00131
중간체 G를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 3-8을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 37[화합물 3-9의 합성]
Figure 112016005275606-pct00132
중간체 G를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 3-9를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 572.25에 대하여, m/e=572였다.
실시예 38[화합물 3-10의 합성]
Figure 112016005275606-pct00133
중간체 G를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 3-10을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 39[화합물 3-11의 합성]
Figure 112016005275606-pct00134
중간체 G를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 3-11을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 40[화합물 3-12의 합성]
Figure 112016005275606-pct00135
중간체 G를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 3-12를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 586.23에 대하여, m/e=586이었다.
실시예 41[화합물 3-13의 합성]
Figure 112016005275606-pct00136
중간체 H를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 3-13을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 496.22에 대하여, m/e=496이었다.
실시예 42[화합물 4-1의 합성]
Figure 112016005275606-pct00137
중간체 I를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 4-1을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 546.23에 대하여, m/e=546이었다.
실시예 43[화합물 4-2의 합성]
Figure 112016005275606-pct00138
중간체 I를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 4-2를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 596.25에 대하여, m/e=596이었다.
실시예 44[화합물 4-3의 합성]
Figure 112016005275606-pct00139
중간체 I를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 4-3을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 596.25에 대하여, m/e=596이었다.
실시예 45[화합물 4-4의 합성]
Figure 112016005275606-pct00140
중간체 I를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 4-4를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 46[화합물 4-5의 합성]
Figure 112016005275606-pct00141
중간체 I를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 4-5를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 672.28에 대하여, m/e=672였다.
실시예 47[화합물 4-6의 합성]
Figure 112016005275606-pct00142
중간체 I를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 4-6을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 48[화합물 4-7의 합성]
Figure 112016005275606-pct00143
중간체 I를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 4-7을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 672.28에 대하여, m/e=672였다.
실시예 49[화합물 4-8의 합성]
Figure 112016005275606-pct00144
중간체 I를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 4-8을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 672.28에 대하여, m/e=672였다.
실시예 50[화합물 4-9의 합성]
Figure 112016005275606-pct00145
중간체 I를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 4-9를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 622.27에 대하여, m/e=622였다.
실시예 51[화합물 4-10의 합성]
Figure 112016005275606-pct00146
중간체 I를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 4-10을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 672.28에 대하여, m/e=672였다.
실시예 52[화합물 4-11의 합성]
Figure 112016005275606-pct00147
중간체 I를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 4-11을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 672.28에 대하여, m/e=672였다.
실시예 53[화합물 4-12의 합성]
Figure 112016005275606-pct00148
중간체 I를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 4-12를 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 636.25에 대하여, m/e=636이었다.
실시예 54[화합물 4-13의 합성]
Figure 112016005275606-pct00149
중간체 J를 사용하여, 상기 반응식에 따라, 실시예 1과 동일한 방법으로 화합물 4-13을 합성하였다. 이것은 매스 스펙트럼 분석의 결과, 목적물이고, 분자량 546.23에 대하여, m/e=546이었다.
실시예 55
25mm×75mm×1.1mm 두께의 ITO 투명 전극(양극) 부착 유리 기판(지오매틱사제)을 이소프로필알코올 중에서 초음파 세정을 5분간 행한 후, UV 오존 세정을 30분간 행하였다. 세정 후의 투명 전극 라인 부착 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 먼저 투명 전극 라인이 형성되어 있는 측의 면 상에 상기 투명 전극을 덮도록 하여 막 두께 5nm의 화합물 HI-1을 성막하였다. HI-1막의 성막에 계속하여, 이 HI-1막 상에 막 두께 80nm의 HT-1을 성막하였다. HT-1막의 성막에 계속하여, 이 HT-1막 상에 막 두께 15nm의 HT-2를 성막하였다.
HT-2막 상에, 화합물 1-1(발광층 호스트 화합물)과 도펀트 BD-1을 19:1의 막 두께비로 성막하고, 막 두께 25nm의 발광층으로 하였다.
발광층 상에 전자 수송층으로서 막 두께 20nm에서 ET-1을 증착에 의해 성막하였다. ET-1막의 성막에 계속하여, 이 ET-1막 상에 막 두께 5nm의 ET-2를 성막하였다. 이 후, LiF를 막 두께 1nm로 성막하였다. 이 LiF막 상에 금속 Al을 80nm 증착시켜 금속 음극을 형성하고 유기 EL 발광 소자를 형성하였다.
이상과 같이 제작한 유기 EL 소자에 대해서, 전압 및 외부 양자 효율(EQE)을 측정하였다. 구체적으로는 이하와 같이 측정하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
[구동 전압]
전류 밀도가 10mA/㎠가 되도록 ITO 투명 전극과 금속 Al 음극과의 사이에 통전했을 때의 전압(단위: V)을 계측하였다.
[외부 양자 효율 EQE]
분광 방사 휘도 스펙트럼으로부터, 램버시안 방사를 행했다고 가정하고 외부 양자 효율 EQE(단위: ％)를 산출하였다.
실시예 56 내지 58, 비교예 1 내지 4
발광층의 성막에 있어서, 화합물 1-1 대신 표 1에 나타내는 화합물을 사용한 것 이외에는 실시예 55와 동일하게 하여 유기 EL 발광 소자를 형성하여, 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
실시예 55 내지 58, 비교예 1 내지 4에서 사용한 화합물을 이하에 나타내었다.
Figure 112016005275606-pct00150
Figure 112016005275606-pct00151
표 1로부터, 본 발명의 화합물을 사용한 유기 전계 발광 소자는 저전압으로 구동할 수 있고, 또한 높은 발광 효율을 나타내는 것을 알 수 있었다. 이 저전압, 고효율화의 효과는 종래 기술로서 알려져 있었던 플루오렌의 치환 위치의 변경이나 축환화에서는 달성할 수 없었던 기술이다. 금회, 축합한 플루오렌에 대하여 특정한 치환 위치에서 안트라센 함유 구조와 결합시킴으로써, 특이적으로, 높은 효율을 유지한 채 저전압화할 수 있는 재료가 되는 것이 명확해졌다.
실시예 59
25mm×75mm×1.1mm 두께의 ITO 투명 전극(양극) 부착 유리 기판(지오매틱사제)을 이소프로필알코올 중에서 초음파 세정을 5분간 행한 후, UV오존 세정을 30분간 행하였다. 세정 후의 투명 전극 라인 부착 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 먼저 투명 전극 라인이 형성되어 있는 측의 면 상에 상기 투명 전극을 덮도록 하여 막 두께 5nm의 화합물 HI-1을 성막하였다. HI-1막의 성막에 계속하여, 이 HI-1막 상에 막 두께 80nm의 HT-3을 성막하였다. HT-3막의 성막에 계속하여, 이 HT-3막 상에 막 두께 15nm의 HT-4를 성막하였다.
HT-4막 상에, 화합물 1-1(발광층 호스트 화합물)과 도펀트 BD-1을 19:1의 막 두께비로 성막하고, 막 두께 25nm의 발광층으로 하였다.
발광층 상에 ET-3과 ET-4를 1:1의 막 두께비로 성막하고, 막 두께 25nm의 전자 수송층으로 하였다. 이 전자 수송층 상에 금속 Al을 80nm 증착시켜 금속 음극을 형성하여 유기 EL 발광 소자를 형성하였다.
이상과 같이 제작한 유기 EL 소자에 대해서, 전압 및 외부 양자 효율(EQE)을 실시예 55와 동일하게 측정하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.
실시예 60 내지 85, 비교예 5 내지 6
발광층의 성막에 있어서, 화합물 1-1 대신 표 2에 나타내는 화합물을 사용한 것 이외에는 실시예 59와 동일하게 하여 유기 EL 발광 소자를 형성하고, 평가하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.
실시예 59 내지 85, 비교예 5 내지 6에서 사용한 화합물을 이하에 나타내었다.
Figure 112016005275606-pct00152
Figure 112016005275606-pct00153
Figure 112016005275606-pct00154
상기에 본 발명의 실시 형태 및/또는 실시예를 몇 가지 상세하게 설명했지만, 당업자는 본 발명의 신규한 교시 및 효과로부터 실질적으로 멀어지지 않고, 이들의 예시인 실시 형태 및/또는 실시예에 많은 변경을 가하는 것이 용이하다. 따라서, 이들의 많은 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.
본원의 파리 우선의 기초가 되는 일본 출원 명세서의 내용을 모두 여기에 원용한다.

Claims (19)

  1. 하기 식 (1)로 표시되는 안트라센 유도체.
    Figure 112021108138480-pct00155

    (식 (1) 중,
    R11 내지 R20 중 어느 1개는 L1과의 결합에 사용되고, L1과의 결합에 사용되는 것은 단결합이고,
    R11 내지 R20 중 L1과의 결합에 사용되지 않는 것은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기가 치환된 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기가 치환된 아릴실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기, 또는 치환 또는 비치환의 아미노기이고,
    R11 내지 R20 중 인접하는 것끼리 서로 결합해서 환을 형성할 수 있고,
    L1은 단결합, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 2가의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 2가의 복소환기이고,
    상기 치환에 있어서의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아릴기, 복소환기 또는 아미노기이고,
    Z는 하기 식 (2)로 표시되는 구조이다.)
    Figure 112021108138480-pct00156

    (식 (2) 중,
    R1, R3 및 R4 중 어느 1개는 L1과의 결합에 사용되고, L1과의 결합에 사용되는 것은 단결합이고,
    R1, R3 및 R4 중 L1과의 결합에 사용되지 않는 것, R2 및 R5 내지 R10은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기가 치환된 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기가 치환된 아릴실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기, 또는 치환 또는 비치환의 아미노기이되,
    상기 치환에 있어서의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아릴기, 복소환기 또는 아미노기이고,
    단, R5 내지 R8 중 적어도 1조의 인접하는 2개의 기는, 서로 결합하여 포화 또는 불포화의 탄화수소환을 형성하고,
    L1이 단결합인 경우, R1, R3 및 R4 중 어느 1개는 R11 내지 R20 중 어느 1개와 직접 결합한다.)
  2. 제1항에 있어서, R5 내지 R8 중 적어도 1조의 인접하는 2개의 기가 서로 결합하여, 하기 식 (3)으로 표시되는 환 구조를 형성하는 것인 안트라센 유도체.
    Figure 112016005275606-pct00157

    (식 (3) 중, R21 내지 R24는, 각각 독립적으로 상기 식 (2)에 있어서의 R2 및 R5 내지 R10과 동의이고,
    R21 내지 R24 중 인접하는 것끼리 서로 결합해서 환을 형성할 수 있다.)
  3. 제1항에 있어서, Z가 하기 식 (4) 내지 (7) 중 어느 하나로 표시되는 구조인 안트라센 유도체.
    Figure 112021108138480-pct00158

    (식 (4) 내지 (7) 중,
    R1, R3 및 R4 중 어느 1개는 L1과의 결합에 사용되고, L1과의 결합에 사용되는 것은 단결합이고,
    R1, R3 및 R4 중 L1과의 결합에 사용되지 않는 것, R2, R101 내지 R108, R111 내지 R118, R121 내지 R128 및 R131 내지 R140은, 각각 독립적으로 상기 식 (2)에 있어서의 R2 및 R5 내지 R10과 동의이다.)
  4. 제1항에 있어서, R11 내지 R20 중 L1과의 결합에 사용되지 않는 것 중 적어도 1개가, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기이고,
    상기 치환에 있어서의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아릴기, 복소환기 또는 아미노기인 안트라센 유도체.
  5. 제1항에 있어서, R20이 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기이고,
    상기 치환에 있어서의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아릴기, 복소환기 또는 아미노기인 안트라센 유도체.
  6. 제1항에 있어서, 하기 식 (8) 내지 (11) 중 어느 하나로 표시되는 안트라센 유도체.
    Figure 112021108138480-pct00159

    (식 (8) 내지 (11) 중,
    R201 내지 R209는, 각각 독립적으로 상기 식 (1)에 있어서 L1과의 결합에 사용되지 않는 R11 내지 R20과 동의이고,
    R210 내지 R220, R221 내지 R231, R232 내지 R242 및 R243 내지 R255는, 각각 독립적으로 상기 식 (1)에 있어서의 R2 및 R5 내지 R10과 동의이고,
    L2는 상기 식 (1)에 있어서의 L1과 동의이다.)
  7. 제6항에 있어서, R205가 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기이고,
    상기 치환에 있어서의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아릴기, 복소환기 또는 아미노기인 안트라센 유도체.
  8. 제1항에 있어서, 하기 식 (12) 내지 (15) 중 어느 하나로 표시되는 안트라센 유도체.
    Figure 112021108138480-pct00160

    (식 (12) 내지 (15) 중,
    R200, R201 및 R203 내지 R209는, 각각 독립적으로 상기 식 (1)에 있어서 L1과의 결합에 사용되지 않는 R11 내지 R20과 동의이고,
    R256 내지 R266, R267 내지 R277, R278 내지 R288 및 R289 내지 R301은, 각각 독립적으로 상기 식 (2)에 있어서의 R2 및 R5 내지 R10과 동의이고,
    L2는 상기 식 (1)에 있어서의 L1과 동의이다.)
  9. 제8항에 있어서, R200 및 R205로부터 선택되는 1 이상이 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기이고,
    상기 치환에 있어서의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아릴기, 복소환기 또는 아미노기인 안트라센 유도체.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 안트라센 유도체를 함유하는 유기 전계 발광 소자용 재료.
  11. 음극과 양극 간에, 발광층을 포함하는 1개 이상의 유기 박막층이 협지되어 있는 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 유기 박막층의 적어도 1층이 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 안트라센 유도체를 단독 또는 혼합물의 성분으로서 함유하는 것인 유기 전계 발광 소자.
  12. 제11항에 있어서, 상기 발광층이 상기 안트라센 유도체를 함유하는 것인 유기 전계 발광 소자.
  13. 제12항에 있어서, 상기 안트라센 유도체가 호스트 재료인 유기 전계 발광 소자.
  14. 제12항에 있어서, 상기 발광층이 추가로 형광성 도펀트 및 인광성 도펀트 중 적어도 1개를 함유하는 것인 유기 전계 발광 소자.
  15. 제14항에 있어서, 상기 형광성 도펀트가 아릴아민 화합물인 유기 전계 발광 소자.
  16. 제15항에 있어서, 상기 형광성 도펀트가 하기 식 (16)으로 표시되는 축합 환 아민 유도체인 유기 전계 발광 소자.
    Figure 112021108138480-pct00161

    (식 (16) 중, Re는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴실릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬게르마늄기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴게르마늄기이고, Re는 식 (16)의 4환 축합 골격 상의 어느 쪽의 치환 위치에 치환될 수 있고,
    t는 0 내지 10의 정수이고,
    t가 2 내지 10의 경우, 복수의 Re는 서로 동일하거나 상이할 수 있고,
    Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기이고,
    상기 치환에 있어서의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아릴기, 복소환기 또는 아미노기이다.)
  17. 제15항에 있어서, 상기 형광성 도펀트가 하기 식 (17)로 표시되는 축합 환 아민 유도체인 유기 전계 발광 소자.
    Figure 112021108138480-pct00162

    (식 (17) 중, Rf는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴실릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬게르마늄기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴게르마늄기이고, Rf는 식 (17)의 4환 축합 골격 상의 어느 쪽의 치환 위치에 치환될 수 있고,
    u는 0 내지 8의 정수이고,
    u가 2 내지 8의 경우, 복수의 Rf는 서로 동일하거나 상이할 수 있고,
    Ar5 내지 Ar8은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기이고,
    상기 치환에 있어서의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아릴기, 복소환기 또는 아미노기이다.)
  18. 제15항에 있어서, 상기 형광성 도펀트가 하기 식 (18)로 표시되는 축합 환 아민 유도체인 유기 전계 발광 소자.
    Figure 112021108138480-pct00163

    (식 (18) 중,
    Rg 및 Rh는 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴실릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬게르마늄기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴게르마늄기이고,
    Ri는 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 50의 알키닐기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴실릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 50의 알킬게르마늄기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴게르마늄기이고, Ri는 식 (18)의 플루오렌 골격 상의 어느 쪽의 치환 위치에 치환될 수 있고,
    q는 0 내지 7의 정수이고, q가 2 내지 7의 경우, 복수의 Ri는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 인접하는 Ri끼리 결합해서 환을 형성할 수 있고,
    L1은 단결합 또는 연결기이고, L1은 식 (18)의 플루오렌 골격 상의 Ri가 결합하고 있지 않은 결합 위치에 결합하고,
    Ar1, Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 50의 복소환기이고,
    상기 치환에 있어서의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아릴기, 복소환기 또는 아미노기이고,
    p는 1 내지 4의 정수이다.)
  19. 제11항에 기재된 유기 전계 발광 소자를 포함하는 전자 기기.
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