KR102144173B1 - 유기 발광 소자 - Google Patents

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KR102144173B1
KR102144173B1 KR1020180111489A KR20180111489A KR102144173B1 KR 102144173 B1 KR102144173 B1 KR 102144173B1 KR 1020180111489 A KR1020180111489 A KR 1020180111489A KR 20180111489 A KR20180111489 A KR 20180111489A KR 102144173 B1 KR102144173 B1 KR 102144173B1
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Abstract

본 명세서는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 발광층은 화학식 A로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 호스트 물질, 화학식 B로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 호스트 물질 및 화학식 C 또는 D로 표시되는 화합물을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

유기 발광 소자 {ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}
본 명세서는 2017년 9월 19일 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2017-0120525호의 출원일 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
미국 특허공개공보 2011-0114934
본 명세서는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 발광층은 하기 화학식 A로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 호스트 물질, 하기 화학식 B로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 호스트 물질 및 하기 화학식 C 또는 D로 표시되는 화합물을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
[화학식 A]
Figure 112018092837204-pat00001
상기 화학식 A에 있어서,
Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
L1 내지 L3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기이고,
[화학식 B]
Figure 112018092837204-pat00002
상기 화학식 B에 있어서,
Ar4 내지 Ar7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
L4 내지 L7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기이고,
[화학식 C]
Figure 112018092837204-pat00003
상기 화학식 C에 있어서,
Ara 내지 Arc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
La 내지 Lc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기이고,
z는 1 내지 3의 정수이고, z가 2 이상의 정수인 경우 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
[화학식 D]
Figure 112018092837204-pat00004
상기 화학식 D에 있어서,
Ard 내지 Arf는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
Ld 내지 Lf는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기이다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 용액공정 유기 발광 소자(soluble OLED)로서,
상기 발광층은 상기 화학식 A로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 호스트 물질, 상기 화학식 B로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 호스트 물질 및 상기 화학식 C 또는 D로 표시되는 화합물을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 것인 용액공정 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성의 향상이 가능하다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 유기 발광 소자(10)를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르는 유기 발광 소자(11)를 도시한 것이다.
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 발광층은 상기 화학식 A로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 호스트 물질, 상기 화학식 B로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 호스트 물질 및 상기 화학식 C 또는 D로 표시되는 화합물을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
유기 발광 소자에서 발광층의 호스트로서, 안트라센 코어구조의 9번,10번 위치에 치환기를 갖는 화합물과 안트라센 코어구조의 1번,8번,10번 위치에 치환기를 갖는 화합물을 사용하는 경우, 유기 발광 소자에서 발광 효율의 상승과 더불어 구동전압의 하강을 일으키고, 소자의 수명을 크게 향상시킬 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 발광층에 포함되는 안트라센계 호스트 물질을 일정 비율로 조절하여, 유기 발광 소자에서 구동전압, 효율 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 용액공정 유기 발광 소자(soluble OLED)를 포함한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에 있어서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 카르보닐기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 알킬기로 치환된 아릴기, 아릴기로 치환된 아릴기, 실릴기로 치환된 아릴기, 헤테로고리기로 치환된 아릴기, 알킬기로 치환된 헤테로고리기, 아릴기로 치환된 헤테로고리기, 헤테로고리기로 치환된 헤테로고리기 등일 수 있다. "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기는 플루오르, 염소, 브롬 또는 요오드가 될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 카르보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112018092837204-pat00005
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 더 구체적으로는 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 10인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기; 에틸기; 프로필기; n-프로필기; 이소프로필기; 부틸기; n-부틸기; 이소부틸기; tert-부틸기; sec-부틸기; 1-메틸부틸기; 1-에틸부틸기; 펜틸기; n-펜틸기; 이소펜틸기; 네오펜틸기; tert-펜틸기; 헥실기; n-헥실기; 1-메틸펜틸기; 2-메틸펜틸기; 4-메틸-2-펜틸기; 3,3-디메틸부틸기; 2-에틸부틸기; 헵틸기; n-헵틸기; 1-메틸헥실기; 시클로펜틸메틸기; 시클로헥실메틸기; 옥틸기; n-옥틸기; tert-옥틸기; 1-메틸헵틸기; 2-에틸헥실기; 2-프로필펜틸기; n-노닐기; 2,2-디메틸헵틸기; 1-에틸프로필기; 1,1-디메틸프로필기; 이소헥실기; 2-메틸펜틸기; 4-메틸헥실기; 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 50인 것이 바람직하며, 탄소수 3 내지 30인 것이 더 바람직하다. 더 구체적으로는 탄소수 3 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로 시클로프로필기; 시클로부틸기; 시클로펜틸기; 3-메틸시클로펜틸기; 2,3-디메틸시클로펜틸기; 시클로헥실기; 3-메틸시클로헥실기; 4-메틸시클로헥실기; 2,3-디메틸시클로헥실기; 3,4,5-트리메틸시클로헥실기; 4-tert-부틸시클로헥실기; 시클로헵틸기; 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 더 구체적으로 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 더 구체적으로 탄소수 1 내지 10인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시기; 에톡시기; n-프로폭시기; 이소프로폭시기; n-부톡시기; 이소부톡시기; tert-부톡시기; sec-부톡시기; n-펜틸옥시기; 네오펜틸옥시기; 이소펜틸옥시기; n-헥실옥시기; 3,3-디메틸부틸옥시기; 2-에틸부틸옥시기; n-옥틸옥시기; n-노닐옥시기; n-데실옥시기; 벤질옥시기; p-메틸벤질옥시기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아민기의 구체적인 예로는 -NH2; 메틸아민기; 디메틸아민기; 에틸아민기; 디에틸아민기; 페닐아민기; 나프틸아민기; 바이페닐아민기; 안트라세닐아민기; 9-메틸안트라세닐아민기; 디페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; 디톨릴아민기; N-페닐톨릴아민기; 트리페닐아민기; N-페닐바이페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; N-바이페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기; N-페닐페난트레닐아민기; N-바이페닐페난트레닐아민기; N-페닐플루오레닐아민기; N-페닐터페닐아민기; N-페난트레닐플루오레닐아민기; N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 알킬아민기, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 구체적으로 알킬티옥시기로는 메틸티옥시기; 에틸티옥시기; tert－부틸티옥시기; 헥실티옥시기; 옥틸티옥시기 등이 있고, 알킬술폭시기로는 메실; 에틸술폭시기; 프로필술폭시기; 부틸술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 500인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐기; 1-프로페닐기; 이소프로페닐기; 1-부테닐기; 2-부테닐기; 3-부테닐기; 1-펜테닐기; 2-펜테닐기; 3-펜테닐기; 3-메틸-1-부테닐기; 1,3-부타디에닐기; 알릴기; 1-페닐비닐-1-일기; 2-페닐비닐-1-일기; 2,2-디페닐비닐-1-일기; 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일기; 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일기; 스틸베닐기; 스티레닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiR100R101R102의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 R100, R101 및 R102는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기; 트리에틸실릴기; t-부틸디메틸실릴기; 비닐디메틸실릴기; 프로필디메틸실릴기; 트리페닐실릴기; 디페닐실릴기; 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기; 디나프틸포스핀옥사이드기 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 50인 것이 바람직하며, 탄소수 6 내지 30인 것이 더 바람직하고, 탄소수 6 내지 20인 것이 더 바람직하다. 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다.
상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기; 안트라세닐기; 페난트릴기; 트리페닐기; 파이레닐기; 페날레닐기; 페릴레닐기; 크라이세닐기; 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure 112018092837204-pat00006
,
Figure 112018092837204-pat00007
,
Figure 112018092837204-pat00008
,
Figure 112018092837204-pat00009
,
Figure 112018092837204-pat00010
,
Figure 112018092837204-pat00011
,
Figure 112018092837204-pat00012
및
Figure 112018092837204-pat00013
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오르토(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기, 아릴포스핀기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴옥시기로는 페녹시기; p-토릴옥시기; m-토릴옥시기; 3,5-디메틸페녹시기; 2,4,6-트리메틸페녹시기; p-tert-부틸페녹시기; 3-바이페닐옥시기; 4-바이페닐옥시기; 1-나프틸옥시기; 2-나프틸옥시기; 4-메틸-1-나프틸옥시기; 5-메틸-2-나프틸옥시기; 1-안트릴옥시기; 2-안트릴옥시기; 9-안트릴옥시기; 1-페난트릴옥시기; 3-페난트릴옥시기; 9-페난트릴옥시기 등이 있고, 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기; 2－메틸페닐티옥시기; 4－tert－부틸페닐티옥시기 등이 있으며, 아릴술폭시기로는 벤젠술폭시기; p－톨루엔술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 N, P, O, S, Se, Ge 및 Si 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있고, 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 50인 것이 바람직하며, 탄소수 2 내지 30인 것이 더 바람직하고, 상기 헤테로고리기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨라닐기, 피롤기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 트리아졸릴기, 아크리딜기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도피리미딜기, 피리도피라지닐기, 피라지노피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌릴기, 피리도인돌기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 디벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 디벤조퓨라닐기, 나프토벤조퓨라닐기, 페난쓰롤리닐기(phenanthroline), 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기, 아세나프토피라진기, 아세나프토퀴녹살릴기, 인데노퀴나졸릴기, 인데노이소퀴놀릴기, 인데노퀴놀릴기, 프테리디닐기, 페녹사지닐기, 페노티아지닐기, 벤조퀴나졸릴기, 인다졸릴기, 인다졸기, 벤조페리미디논기, 하이드로아크리딜기, 인돌로카바졸기; 벤조페리미디놀릴기, 벤조페리미디닐기 및 스피로아크리딘플루오렌기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 인접한 기가 서로 결합하여 형성되는 치환 또는 비치환된 고리에서, "고리"는 탄화수소고리 또는 헤테로 고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 탄화수소고리는 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 시클로알킬기 또는 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 방향족고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로 고리는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 N, P, O, S, Se, Ge 및 Si 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 상기 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, L1 내지 L3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 탄소수 2 내지 30의 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, L1 내지 L3은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 직접결합 또는 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, L1 내지 L3은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 직접결합 또는 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, L1 내지 L3은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 직접결합, 페닐렌기 또는 나프틸렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환되고 헤테로원자로서 N, P, O, S, Se, Ge 및 Si 중 하나 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기이고, 여기서 아릴기는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 9,10-다이하이드로안트라세닐기, 페난트릴레닐기, 파이레닐기, 플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 스피로벤조플루오렌플루오레닐기, 스피로시클로펜타플루오레닐기, 또는 스피로플루오렌인데노페난트렌기이다.
명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 2환 이상의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 3환 이상의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 화학식 21 또는 22로 표시될 수 있다:
[화학식 21]
Figure 112018092837204-pat00014
[화학식 22]
Figure 112018092837204-pat00015
상기 화학식 21 및 22에 있어서,
R", R5 및 R5'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, e는 0 내지 4의 정수이며, k는 0 내지 3의 정수이며, e 및 k가 각각 2 이상인 경우 R5는 서로 같거나 상이하고,
Figure 112018092837204-pat00016
는 L1 내지 L3 중 하나에 결합되는 부위이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 3환 이상의 헤테로고리기 또는 상기 화학식 21 또는 22의 기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며, 이 헤테로고리기는 하기 화학식 21, 23 및 24 중 하나로 표시되거나, 헤테로원자가 직접 L1 내지 L3 중 하나에 결합하지 않는다:
[화학식 21]
Figure 112018092837204-pat00017
[화학식 23]
Figure 112018092837204-pat00018
[화학식 24]
Figure 112018092837204-pat00019
상기 화학식 21, 23 및 24에 있어서,
R", R1, R2, R5, R6, R7 및 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, b, e 및 p는 각각 0 내지 4의 정수이며, f는 0 내지 8의 정수이고, g 및 h는 각각 0 내지 5의 정수이며, b, e, p, f, g 및 h가 각각 2 이상인 경우 괄호내의 치환기는 서로 같거나 상이하고,
Figure 112018092837204-pat00020
는 L1 내지 L3 중 하나에 결합되는 부위이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure 112018092837204-pat00021
[화학식 2-2]
Figure 112018092837204-pat00022
[화학식 2-3]
Figure 112018092837204-pat00023
상기 화학식 2-1 내지 2-3에 있어서,
Figure 112018092837204-pat00024
는 L1 내지 L3 중 하나와 결합되는 부위이고,
X는 O, S, Se, Ge, NR, PR, 또는 SiRR'이고,
Y는 X와 같거나 상이하고, 직접결합, O, S, Se, Ge, NR, PR, SiRR' 또는 CRR'이며, n은 0 또는 1이고, n이 0인 경우 Y가 결합된 2개의 위치에 수소가 각각 결합되고,
R, R', R1, R2, R2' 및 R2"는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고, a는 0 내지 3의 정수이며, b, b' 및 b"는 0 내지 4의 정수이고, a가 2 이상인 경우 R1은 서로 같거나 상이하고, b, b', 또는 b"가 2 이상인 경우 R2, R2' 또는 R2"는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1 내지 Ar3 중 하나 이상이 치환 또는 비치환된 2환 이상의 헤테로고리기인 경우, 헤테로고리기의 환이 축합된 위치의 탄소, 다시 말하면 축합된 2개의 환 모두에 대하여 환을 구성하는 탄소에 대하여 오르쏘 위치가 L1 내지 L3 중 하나와 결합되는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 헤테로고리기의 환이 축합된 위치의 탄소는 상기 화학식 2-1에서 하기 *로 표시된 부분을 의미한다.
Figure 112018092837204-pat00025
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2-1 내지 2-3은 각각 하기 화학식 2-4 내지 2-7 중 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2-4]
Figure 112018092837204-pat00026
[화학식 2-5]
Figure 112018092837204-pat00027
[화학식 2-6]
Figure 112018092837204-pat00028
[화학식 2-7]
Figure 112018092837204-pat00029
상기 화학식 2-4 내지 2-7에 있어서, 치환기 설명은 화학식 2-1 내지 2-3과 같다.
상기와 같이, 화학식 2-1 내지 2-7의 구조에서 X 또는 Y와 오르쏘 위치에 코어 구조가 결합하는 경우, 치환체들이 서로 꺾여 있는 구조를 가져, 공액길이(conjugation length)가 줄어들 수 있다. 공액길이가 줄어들면 에너지 갭이 커지고, 이에 따라 발광이 단파장으로 이동하여, 색순도 또는 효율이 증가할 수 있다. 특히, 본 명세서의 실시상태들에 따른 화합물들이 유기발광소자의 발광층의 청색 호스트 물질로 사용되는 경우, 화합물의 에너지 갭이 큰 것이 유리하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2-1은 하기 화학식 3 내지 5 중 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112018092837204-pat00030
[화학식 4]
Figure 112018092837204-pat00031
[화학식 5]
Figure 112018092837204-pat00032
상기 화학식 3 내지 5에 있어서,
Figure 112018092837204-pat00033
는 L1 내지 L3 중 하나와 결합되는 부위이고,
X, R1, R2, a, b는 화학식 2-1에서 정의한 바와 같고, X'는 X와 같거나 상이하고 O, S, Se, Ge, NR, PR, 또는 SiRR'이고,
R, R', R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3은 하기 화학식 6 내지 12 중 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
Figure 112018092837204-pat00034
[화학식 7]
Figure 112018092837204-pat00035
[화학식 8]
Figure 112018092837204-pat00036
[화학식 9]
Figure 112018092837204-pat00037
[화학식 10]
Figure 112018092837204-pat00038
[화학식 11]
Figure 112018092837204-pat00039
[화학식 12]
Figure 112018092837204-pat00040
상기 화학식 6 내지 12에 있어서,
Figure 112018092837204-pat00041
는 L1 내지 L3 중 하나와 결합되는 부위이고,
X, R1, R2, a 및 b는 화학식 3에서 정의한 바와 같고,
R3, R4, R9 및 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, c는 0 내지 5의 정수이고, d는 0 내지 6의 정수이며, i는 0 내지 4의 정수이며, j는 0 내지 3의 정수이고, c가 2 이상의 정수인 경우 R3은 서로 같거나 상이하고, d가 2 이상의 정수인 경우 R4는 서로 같거나 상이하고, i가 2 이상의 정수인 경우 R9는 서로 같거나 상이하고, j가 2 이상의 정수인 경우 R10은 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2-2는 하기 화학식 13 또는 14로 표시될 수 있다.
[화학식 13]
Figure 112018092837204-pat00042
[화학식 14]
Figure 112018092837204-pat00043
상기 화학식 13 및 14에 있어서,
Figure 112018092837204-pat00044
는 L1 내지 L3 중 하나와 결합되는 부위이고,
X, R1, R2, a 및 b는 화학식 2-2에서 정의한 바와 같고,
R6 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, f는 0 내지 8의 정수이며, g 및 h는 각각 0 내지 5의 정수이고, f, g 및 h가 각각 2 이상의 정수인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2-3은 하기 화학식 15 또는 16으로 표시될 수 있다.
[화학식 15]
Figure 112018092837204-pat00045
[화학식 16]
Figure 112018092837204-pat00046
상기 화학식 15 및 16에 있어서,
Figure 112018092837204-pat00047
는 L1 내지 L3 중 하나와 결합되는 부위이고,
X, R1, R2 및 b는 화학식 2-3에서 정의한 바와 같고,
R6 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, m은 0 내지 7의 정수이며, h는 0 내지 5의 정수이고, p 및 q는 0 내지 4의 정수이고, h, m, p 및 q가 각각 2 이상의 정수인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면 상기 화학식 2-2 및 2-3은 각각 하기 화학식 17 또는 18로 표시될 수 있다.
[화학식 17]
Figure 112018092837204-pat00048
[화학식 18]
Figure 112018092837204-pat00049
상기 화학식 17 및 18에 있어서,
Figure 112018092837204-pat00050
는 L1 내지 L3 중 하나와 결합되는 부위이고,
R', R1, R2, R2', R2", Y, a, b, b', b", 및 n의 정의는 화학식 2-2 및 2-3과 같고,
R1'는 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며, a'는 0 내지 3의 정수이고, a'가 2 이상인 경우 R1'는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2-1 내지 2-7, 3 내지 11 및 13 내지 16의 X는 O, S, Se, 또는 Ge이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2-1 내지 2-7, 3 내지 11 및 13 내지 16의 X는 NR 또는 PR이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2-1 내지 2-7, 3 내지 11 및 13 내지 16의 X는 NR 또는 PR이고, R은 알킬기 또는 아릴기이거나, 인접한 기와 결합하여 고리를 형성하고, R은 추가로 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2-1 내지 2-7, 3 내지 11 및 13 내지 16의 X는 NR 또는 PR이고, R은 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 50의 아릴기이거나, 인접한 기와 결합하여 고리를 형성하고, R은 추가로 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2-1 내지 2-7, 3 내지 11 및 13 내지 16의 X는 NR 또는 PR이고, R은 메틸기, 에틸기 또는 페닐기이거나 인접한 기와 결합하여 고리를 형성하고, R은 추가로 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 2-1 내지 2-7, 3 내지 11 및 13 내지 16의 X는 SiRR'이고, R 및 R'는 알킬기 또는 아릴기이고, R 또는 R'은 추가로 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 5의 R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 5의 R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 50의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 50의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 5의 R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 2환 이상의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 3환 이상의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 A에 있어서, Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나가 치환 또는 비치환된 헤테로고리기인 경우, 상기 헤테로고리기는 전술한 화학식 2-1 내지 2-7, 3 내지 18, 21 내지 24 중 하나로 표시될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A는 하기 화합물 중에서 선택된 하나로 표시될 수 있다.
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본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, L4 내지 L7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 탄소수 2 내지 30의 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, L4 내지 L7은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 직접결합 또는 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, L4 내지 L7은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 직접결합 또는 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, L4 내지 L7은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 직접결합, 페닐렌기 또는 나프틸렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 내지 Ar7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이다.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 내지 Ar7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 내지 Ar7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 수소, 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 내지 Ar7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 수소, 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 내지 Ar7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 수소, 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이고, 여기서 아릴기는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 9,10-다이하이드로안트라세닐기, 페난트릴레닐기, 파이레닐기, 플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 스피로벤조플루오렌플루오레닐기, 스피로시클로펜타플루오레닐기 또는 스피로플루오렌인데노페난트렌기이다.
명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 내지 Ar7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 내지 Ar7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 내지 Ar7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 2환 이상의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 내지 Ar7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 3환 이상의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 내지 Ar7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 티오펜기 및 전술한 화학식 2-1 내지 2-7, 3 내지 18, 21 내지 24 중 하나로 표시될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 화학식 B에 있어서, Ar5 및 Ar7은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 및 Ar6 중 적어도 하나는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 및 Ar6 중 적어도 하나는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 및 Ar6 중 적어도 하나는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, 상기 헤테로고리기는 치환 또는 비치환된 티오펜기 및 전술한 화학식 2-1 내지 2-7, 3 내지 18, 21 내지 24 중 하나로 표시될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 B에 있어서, Ar4 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, 상기 헤테로고리기는 치환 또는 비치환된 티오펜기 및 전술한 화학식 2-1 내지 2-7, 3 내지 18, 21 내지 24 중 하나로 표시될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 B는 하기 화합물 중에서 선택된 하나로 표시될 수 있다.
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본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 C에 있어서, La 내지 Lc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 2가의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 C에 있어서, La 내지 Lc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 C에 있어서, La 내지 Lc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 바이페닐렌기; 터페닐렌기; 나프틸렌기; 또는 메틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 C에 있어서, La 내지 Lc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 바이페닐렌기; 또는 터페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 C에 있어서, Ara 내지 Arc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 C에 있어서, Ara는 치환 또는 비치환된 1가 이상의 벤조플루오렌기; 치환 또는 비치환된 1가 이상의 플루오란텐기; 치환 또는 비치환된 1가 이상의 파이렌기; 또는 치환 또는 비치환된 1가 이상의 크리센기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 C에 있어서, Ara는 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 1가 이상의 벤조플루오렌기; 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 1가 이상의 플루오란텐기; 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 1가 이상의 파이렌기; 또는 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 1가 이상의 크리센기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 C에 있어서, Ara는 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 1가 이상의 벤조플루오렌기; 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 1가 이상의 플루오란텐기; 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 1가 이상의 파이렌기; 또는 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 1가 이상의 크리센기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 C에 있어서, Ara는 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 2가의 파이렌기다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 C에 있어서, Arb 및 Arc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 C에 있어서, Arb 및 Arc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 알킬기, 니트릴기, 아릴기, 알킬실릴기, 또는 알킬게르마늄기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기; 또는 중수소, 알킬기, 니트릴기, 아릴기, 알킬실릴기, 또는 알킬게르마늄기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 C에 있어서, Arb 및 Arc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기, tert-부틸기, 니트릴기, 페닐기, 트리메틸실릴기 또는 트리메틸게르마늄기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기; 또는 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기, tert-부틸기, 니트릴기, 페닐기, 트리메틸실릴기 또는 트리메틸게르마늄기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 C에 있어서, Arb 및 Arc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기, tert-부틸기, 니트릴기, 페닐기, 트리메틸실릴기 또는 트리메틸게르마늄기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기, tert-부틸기, 니트릴기, 페닐기, 트리메틸실릴기 또는 트리메틸게르마늄기로 치환 또는 비치환된 비페닐기; 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기, tert-부틸기, 니트릴기, 페닐기, 트리메틸실릴기 또는 트리메틸게르마늄기로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 또는 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기, tert-부틸기, 니트릴기, 페닐기, 트리메틸실릴기 또는 트리메틸게르마늄기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 C는 하기 화합물 중에서 선택된 하나로 표시될 수 있다.
Figure 112018092837204-pat00221
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 D에 있어서, Ld 내지 Lf는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 2가의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 D에 있어서, Ld 내지 Lf는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 D에 있어서, Ld 내지 Lf는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 바이페닐렌기; 터페닐렌기; 나프틸렌기; 또는 메틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 D에 있어서, Ld 내지 Lf는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 바이페닐렌기; 또는 터페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 D에 있어서, Ard 내지 Arf는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 18 내지 30의 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 D는 하기 화학식 D-1로 표시된다.
[화학식 D-1]
Figure 112018092837204-pat00222
상기 화학식 D-1에 있어서,
R101 내지 R105는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
s1 및 s2는 각각 0 내지 4의 정수이고, s1 및 s2가 각각 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,
s3는 0 내지 3의 정수이고, s3가 2 이상인 경우 2 이상의 R105는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 s1은 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 s2는 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 s3은 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R101 내지 R105는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 또는 비치환된 탄소수 1 내지 40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 디시클로알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 12 내지 60의 디아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 D는 하기 화합물 중에서 선택된 하나로 표시될 수 있다.
Figure 112018092837204-pat00223
Figure 112018092837204-pat00224
Figure 112018092837204-pat00225
Figure 112018092837204-pat00226
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Figure 112018092837204-pat00228
Figure 112018092837204-pat00229
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Figure 112018092837204-pat00234
Figure 112018092837204-pat00235
Figure 112018092837204-pat00236
상기 화학식 A의 화합물은 후술하는 제조예를 통하여 제조될 수 있다. 일 예에 따르면, 하기 반응식을 통하여, 화합물을 제조할 수 있다. 반응 조건 및 출발물질은 당 기술분야에 알려져 있는 것으로 변경될 수 있다.
Figure 112018092837204-pat00237
상기 화합물 B의 화합물은 후술하는 제조예를 통하여 제조될 수 있다. 일 예에 따르면, 하기 반응식을 통하여, 화합물을 제조할 수 있다. 반응 조건 및 출발물질은 당 기술분야에 알려져 있는 것으로 변경될 수 있다.
Figure 112018092837204-pat00238
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 호스트 물질과 상기 화학식 B로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 호스트 물질은 중량비 1:99 내지 99:1로 사용될 수 있다.
상기 제1 호스트 물질과 제2 호스트 물질을 포함하는 발광층은 도펀트 물질을 포함한다. 이때, 상기 발광층에 포함되는 호스트 및 도펀트 총 중량을 기준으로, 도펀트 물질은 0.1중량% 내지 15중량% 포함될 수 있고, 더 바람직하게는 1중량% 내지 10중량%, 더 바람직하게는 2중량% 내지 10중량%, 더 바람직하게는 2중량% 내지 6중량%일 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층의 발광층에는, 화학식 C 또는 D로 표시되는 화합물을 포함하는 도펀트 물질이 발광층의 호스트 및 도펀트 총 중량을 기준으로 4중량% 포함될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 A로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 호스트 물질, 상기 화학식 B로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 호스트 물질 및 상기 화학식 C 또는 D로 표시되는 화합물을 포함하는 도펀트 물질을 포함할 수 있다. 그 외, 정공수송층, 정공주입층, 전자차단층, 정공차단층, 전자수송층 및 전자주입층 중 선택되는 1 이상의 유기물층을 더 포함할 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고, 더 적거나 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 A로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 호스트 물질, 상기 화학식 B로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 호스트 물질 및 상기 화학식 C 또는 D로 표시되는 화합물을 포함하는 도펀트 물질을 포함하고, 상기 발광층과 상기 애노드 사이에 전자차단층, 정공수송층 및 정공주입층 중 선택되는 1 이상의 유기물층을 더 포함하고, 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 정공차단층, 전자수송층 및 전자주입층 중 선택되는 1 이상의 유기물층을 포함할 수 있다.
상기 전자수송층은 n형 도펀트 물질을 더 포함할 수 있고, 상기 n형 도펀트는 금속착체 등일 수 있고, 알칼리금속, 예컨대 Li, Na, K, Rb, Cs 또는 Fr; 알칼리 토금속, 예컨대 Be, Mg, Ca, Sr, Ba 또는 Ra; 희토류 금속, 예컨대 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Th, Dy, Ho, Er, Em, Gd, Yb, Lu, Y 또는 Mn; 또는 상기 금속들 중 1 이상의 금속을 포함하는 금속 화합물을 사용할 수 있으며, 상기에 한정되는 것은 아니며, 당기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있다.
이때 전자수송층에 사용되는 물질과 n형 도펀트 물질의 중량비는 1:100 내지 100:1일 수 있고, 구체적으로는 1:10 내지 10:1일 수 있고, 더 구체적으로는 1:1일 수 있다. 이 때 n형 도펀트 물질은 LiQ 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 도 2에 나타난 것과 같은 구조를 가질 수 있으나 이에만 한정되는 것은 아니다.
또한 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 용액공정 유기 발광 소자(soluble OLED)로서, 상기 발광층은 상기 화학식 A로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 호스트 물질, 상기 화학식 B로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 호스트 물질 및 상기 화학식 C 또는 D로 표시되는 화합물을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 것인 용액공정 유기 발광 소자를 제공한다.
도 1에는 기판(20) 위에 애노드(30), 발광층(40) 및 캐소드(50)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자(10)의 구조가 예시되어 있다. 상기 도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.
도 2에는 기판(20) 위에 애노드(30), 정공주입층(60), 정공수송층(70), 발광층(40), 전자수송층(80), 전자주입층(90) 및 캐소드(50)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자(11)의 구조가 예시되어 있다. 상기 도 2는 본 명세서의 실시상태에 따른 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 상기 화학식 A로 표시되는 화합물, 상기 화학식 B로 표시되는 화합물, 또는 상기 화학식 C 또는 D로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 유기물층 및 캐소드를 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 물리 증착 방법(PVD: Physical Vapor Deposition)을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자조절층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. 또한, 상기 화학식 1 또는 화학식 3으로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al, Mg/Ag과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 애노드에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 애노드나 정공주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층의 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤즈옥사졸, 벤조티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다.
상기 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로 고리 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 파이렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로 고리 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스티릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 파이렌, 안트라센, 크라이센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로, 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 캐소드로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공차단층은 정공의 캐소드 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A로 표시되는 화합물, 상기 화학식 B로 표시되는 화합물, 또는 상기 화학식 C 또는 D로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 용액공정 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다.
제조예 1: 화학식 A로 표시되는 화합물의 제조
Figure 112018092837204-pat00239
제조예 2: 화학식 B로 표시되는 화합물의 제조
Figure 112018092837204-pat00240
제조예 3: 화학식 C로 표시되는 화합물의 제조
Figure 112018092837204-pat00241
제조예 4: 화학식 D로 표시되는 화합물의 제조
Figure 112018092837204-pat00242
상기 제조예 1 내지 4을 통하여, 화학식 A, B, C 및 D에 해당하는 구체 화합물을 제조할 수 있으며, 반응 조건, 출발 물질 및 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 것으로 변경될 수 있다.
한편, 상기 제조예에서 제조한 화합물 이외에, 이하 실시예에서 사용한 화합물의 구조는 각각 다음과 같았다.
Figure 112018092837204-pat00243
Figure 112018092837204-pat00244
실시예 1 내지 100
ITO(indium tin oxide)가 150 nm의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 질소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 HAT-CN 화합물을 5 nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 이어서, HTL1을 100 nm의 두께로 열 진공 증착하고, 이어 HTL2를 10 nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 호스트로서 하기 표 1 또는 2에 기재된 BH1과 BH2를 사용하고, 도펀트로서 하기 표 1 또는 2에 기재된 BD를 사용하였으며, BH1과 BH2의 함량비는 중량비 10:90 ~ 90:10 이며, 전체 호스트 (BH1+BH2) 대비 도펀트의 함량은 중량비 1~10%로 동시에 진공 증착하여 20 nm 두께의 발광층을 형성하였다. 이어서, ETL을 20 nm의 두께로 진공 증착하여 전자수송층을 형성하였다. 이어서, LiF을 0.5 nm의 두께로 진공 증착하여 전자주입층을 형성하였다. 이어서, 알루미늄을 100 nm의 두께로 증착하여 음극을 형성하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 1 내지 20
상기 실시예에서 호스트로서 하기 표 1 또는 2에 기재된 BH1과 BH2 대신 하기 표 3에 기재된 BH1을 사용하고, 도펀트로서 하기 표 1 또는 2에 기재된 BD 대신 하기 표 3에 기재된 BD를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
소자의 전압, 효율은 유기 발광 소자를 10 mA/cm2 의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였고, T95는 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간을 측정한 것을 의미한다. 그 결과를 하기 표 1 내지 3에 나타내었다.
BH1 BH2 BD 10 mA/cm2 측정 값 T95
Vop Cd/A hour
실시예 1 A K BD-A 3.81 6.85 215
실시예 2 A L BD-A 3.61 8.22 169
실시예 3 A M BD-A 3.99 6.08 215
실시예 4 A N BD-A 3.34 7.46 202
실시예 5 A O BD-A 3.72 6.67 163
실시예 6 B P BD-A 3.30 7.37 111
실시예 7 B Q BD-A 3.53 6.01 104
실시예 8 B R BD-A 3.70 6.39 107
실시예 9 B S BD-A 3.34 7.44 120
실시예 10 B T BD-A 3.66 6.48 163
실시예 11 C S BD-A 3.38 6.51 215
실시예 12 C T BD-A 3.58 6.70 176
실시예 13 C R BD-A 3.96 6.73 111
실시예 14 C K BD-A 4.01 6.70 124
실시예 15 C Q BD-A 3.89 6.83 137
실시예 16 D L BD-A 3.94 6.75 156
실시예 17 D R BD-A 3.76 6.77 189
실시예 18 D K BD-A 3.77 6.61 208
실시예 19 D N BD-A 4.00 6.77 143
실시예 20 D O BD-A 3.47 7.51 176
실시예 21 E P BD-A 3.94 6.10 163
실시예 22 E M BD-A 3.37 6.44 143
실시예 23 E N BD-A 4.00 8.41 156
실시예 24 E T BD-A 3.47 7.59 137
실시예 25 E L BD-A 3.73 6.51 117
실시예 26 F R BD-A 3.78 6.48 124
실시예 27 F S BD-A 3.64 6.65 104
실시예 28 F M BD-A 3.60 6.92 130
실시예 29 F R BD-A 3.77 6.59 182
실시예 30 F T BD-A 3.65 6.72 114
실시예 31 G K BD-A 4.03 6.10 130
실시예 32 G P BD-A 3.71 7.71 143
실시예 33 G M BD-A 3.36 7.99 163
실시예 34 G P BD-A 3.40 6.03 104
실시예 35 G O BD-A 3.62 6.56 111
실시예 36 H N BD-A 3.30 8.22 182
실시예 37 H N BD-A 3.66 6.46 124
실시예 38 H M BD-A 4.01 6.37 130
실시예 39 H Q BD-A 3.47 6.39 124
실시예 40 H L BD-A 3.47 6.48 111
실시예 41 I M BD-A 3.64 7.83 182
실시예 42 I S BD-A 3.99 6.75 117
실시예 43 I T BD-A 3.70 6.61 130
실시예 44 I N BD-A 3.94 7.51 195
실시예 45 I T BD-A 3.47 6.59 182
실시예 46 J O BD-A 3.65 6.72 156
실시예 47 J Q BD-A 3.94 6.03 104
실시예 48 J Q BD-A 3.77 6.77 111
실시예 49 J P BD-A 3.78 7.44 130
실시예 50 J N BD-A 3.81 6.85 117
BH1 BH2 BD 10 mA/cm2 측정 값 T95
Vop Cd/A hour
실시예 51 A K BD-B 3.80 6.77 212
실시예 52 A L BD-B 3.60 8.12 167
실시예 53 A M BD-B 3.98 6.03 212
실시예 54 A N BD-B 3.33 7.41 199
실시예 55 A O BD-B 3.71 6.59 119
실시예 56 B P BD-B 3.29 6.31 109
실시예 57 B Q BD-B 3.52 8.94 103
실시예 58 B R BD-B 3.69 6.31 100
실시예 59 B S BD-B 3.33 7.38 105
실시예 60 B T BD-B 3.65 6.41 161
실시예 61 C S BD-B 3.37 6.44 212
실시예 62 C T BD-B 3.57 6.62 174
실시예 63 C R BD-B 3.95 6.65 109
실시예 64 C K BD-B 4.00 6.62 122
실시예 65 C Q BD-B 3.88 7.76 135
실시예 66 D L BD-B 3.93 6.67 154
실시예 67 D R BD-B 3.75 6.70 187
실시예 68 D K BD-B 3.76 6.53 206
실시예 69 D N BD-B 3.99 6.69 142
실시예 70 D O BD-B 3.46 7.45 174
실시예 71 E P BD-B 3.93 6.03 161
실시예 72 E M BD-B 3.36 7.37 142
실시예 73 E N BD-B 3.99 6.34 154
실시예 74 E T BD-B 3.46 6.53 135
실시예 75 E L BD-B 3.72 7.46 116
실시예 76 F R BD-B 3.77 6.41 122
실시예 77 F S BD-B 3.63 6.57 103
실시예 78 F M BD-B 3.59 7.85 129
실시예 79 F R BD-B 3.76 6.51 106
실시예 80 F T BD-B 3.64 6.64 103
실시예 81 G K BD-B 4.02 6.03 129
실시예 82 G P BD-B 3.70 6.64 142
실시예 83 G M BD-B 3.35 7.92 161
실시예 84 G P BD-B 3.39 7.96 103
실시예 85 G O BD-B 3.61 6.48 109
실시예 86 H N BD-B 3.29 8.12 180
실시예 87 H N BD-B 3.65 6.41 122
실시예 88 H M BD-B 4.00 6.31 129
실시예 89 H Q BD-B 3.46 6.31 122
실시예 90 H L BD-B 3.46 6.41 113
실시예 91 I M BD-B 3.63 8.76 180
실시예 92 I S BD-B 3.98 7.67 116
실시예 93 I T BD-B 3.69 6.53 129
실시예 94 I N BD-B 3.93 7.45 193
실시예 95 I T BD-B 3.46 7.53 180
실시예 96 J O BD-B 3.64 6.64 154
실시예 97 J Q BD-B 3.93 6.96 103
실시예 98 J Q BD-B 3.76 6.70 109
실시예 99 J P BD-B 3.77 6.37 129
실시예 100 J N BD-B 3.80 6.77 116
BH1 BD 10 mA/cm2 측정 값 T95
Vop Cd/A hour
비교예 1 A BD-A 3.90 5.75 77
비교예 2 B BD-A 4.10 4.31 73
비교예 3 C BD-A 3.98 5.43 64
비교예 4 D BD-A 3.93 4.67 59
비교예 5 E BD-A 4.00 5.93 94
비교예 6 F BD-A 3.99 5.68 85
비교예 7 G BD-A 3.92 5.05 80
비교예 8 H BD-A 4.12 5.68 77
비교예 9 I BD-A 3.93 4.64 86
비교예 10 J BD-A 3.95 5.77 96
비교예 11 K BD-B 3.97 5.80 79
비교예 12 L BD-B 3.97 5.96 65
비교예 13 M BD-B 4.05 5.99 90
비교예 14 N BD-B 4.00 5.96 87
비교예 15 O BD-B 3.98 4.98 93
비교예 16 P BD-B 3.93 5.00 94
비교예 17 Q BD-B 3.95 4.03 80
비교예 18 R BD-B 3.96 4.88 79
비교예 19 S BD-B 3.99 5.02 96
비교예 20 Y BD-B 3.96 5.71 82
상기 표 1 내지 3의 결과로부터, 본 발명에 따른 화학식 A의 화합물, 화학식 B의 화합물을 호스트로 포함하는 유기 발광 소자가 상기 화학식 A의 화합물과 화학식 B의 화합물 중 어느 한 종의 화합물만 포함하는 유기 발광 소자보다 높은 효율과 장수명 특성을 갖는 것을 확인할 수 있다.
10, 11: 유기 발광 소자
20: 기판
30: 제1 전극
40: 발광층
50: 제2 전극
60: 정공주입층
70: 정공수송층
80: 전자수송층
90: 전자주입층

Claims (23)

  1. 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
    상기 발광층은 하기 화학식 A로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 호스트 물질, 하기 화학식 B로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 호스트 물질 및 하기 화학식 C 또는 D-1로 표시되는 화합물을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 A]
    Figure 112019128077874-pat00245

    상기 화학식 A에 있어서,
    Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이고,
    L1 내지 L3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 2가의 헤테로고리기이고,
    [화학식 B]
    Figure 112019128077874-pat00246

    상기 화학식 B에 있어서,
    Ar5 및 Ar7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이고,
    Ar4 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이고,
    L4 내지 L7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 2가의 헤테로고리기이고,
    [화학식 C]
    Figure 112019128077874-pat00247

    상기 화학식 C에 있어서,
    Ara 내지 Arc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이고,
    La 내지 Lc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 2가의 헤테로고리기이고,
    z는 1 내지 3의 정수이고, z가 2 이상의 정수인 경우 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
    [화학식 D-1]
    Figure 112019128077874-pat00445

    상기 화학식 D-1에 있어서,
    R101 내지 R105는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이며,
    s1 및 s2는 각각 0 내지 4의 정수이고, s1 및 s2가 각각 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,
    s3는 0 내지 3의 정수이고, s3가 2 이상인 경우 2 이상의 R105는 서로 같거나 상이하다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 A에 있어서, 상기 L1 내지 L3은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 직접결합, 페닐렌기 또는 나프틸렌기인 것인 유기 발광 소자.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 A에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 할로겐기, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴아민기, 알킬아민기, 알킬아릴기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기이고,
    상기 아릴기는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 9,10-다이하이드로안트라세닐기, 페난트릴레닐기, 파이레닐기, 플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 스피로벤조플루오렌플루오레닐기, 스피로시클로펜타플루오레닐기, 또는 스피로플루오렌인데노페난트렌기인 것인 유기 발광 소자.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 A에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기인 것인 유기 발광 소자.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 A에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 화학식 21 내지 24 중 하나 또는 화학식 2-1 내지 2-3 중 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 21]
    Figure 112019128077874-pat00249

    [화학식 22]
    Figure 112019128077874-pat00250

    [화학식 23]
    Figure 112019128077874-pat00251

    [화학식 24]
    Figure 112019128077874-pat00252

    상기 화학식 21 내지 24에 있어서,
    R", R1, R2, R5, R5', R6, R7 및 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 50의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기, 탄소수 1 내지 50의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이고, k는 0 내지 3의 정수이며, b, e 및 p는 각각 0 내지 4의 정수이며, f는 0 내지 8의 정수이고, g 및 h는 각각 0 내지 5의 정수이며, b, e, k, p, f, g 및 h가 각각 2 이상인 경우 괄호내의 치환기는 서로 같거나 상이하고,
    Figure 112019128077874-pat00253
    는 L1 내지 L3 중 하나에 결합되는 부위이며,
    [화학식 2-1]
    Figure 112019128077874-pat00254

    [화학식 2-2]
    Figure 112019128077874-pat00255

    [화학식 2-3]
    Figure 112019128077874-pat00256

    상기 화학식 2-1 내지 2-3에 있어서,
    Figure 112019128077874-pat00257
    는 L1 내지 L3 중 하나와 결합되는 부위이고,
    X는 O, S, Se, Ge, NR, PR, 또는 SiRR'이고,
    Y는 X와 같거나 상이하고, 직접결합, O, S, Se, Ge, NR, PR, SiRR' 또는 CRR'이며, n은 0 또는 1이고, n이 0인 경우 Y가 결합된 2개의 위치에 수소가 각각 결합되고,
    R, R', R1, R2, R2' 및 R2"는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 50의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 탄화수소고리, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리를 형성하고, a는 0 내지 3의 정수이며, b, b' 및 b"는 0 내지 4의 정수이고, a가 2 이상인 경우 R1은 서로 같거나 상이하고, b, b', 또는 b"가 2 이상인 경우 R2, R2' 또는 R2"는 서로 같거나 상이하다.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 화학식 2-1 내지 2-3은 각각 하기 화학식 2-4 내지 2-7 중 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 2-4]
    Figure 112018092837204-pat00258

    [화학식 2-5]
    Figure 112018092837204-pat00259

    [화학식 2-6]
    Figure 112018092837204-pat00260

    [화학식 2-7]
    Figure 112018092837204-pat00261

    상기 화학식 2-4 내지 2-7에 있어서, 치환기 설명은 화학식 2-1 내지 2-3과 같다.
  7. 청구항 5에 있어서, 상기 화학식 2-1은 하기 화학식 3 내지 5 중 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 3]
    Figure 112019128077874-pat00262

    [화학식 4]
    Figure 112019128077874-pat00263

    [화학식 5]
    Figure 112019128077874-pat00264

    상기 화학식 3 내지 5에 있어서,
    Figure 112019128077874-pat00265
    는 L1 내지 L3 중 하나와 결합되는 부위이고,
    X, R1, R2, a, b는 화학식 2-1에서 정의한 바와 같고, X'는 X와 같거나 상이하고 O, S, Se, Ge, NR, PR, 또는 SiRR'이고,
    R, R', R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 50의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 탄화수소고리, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리를 형성한다.
  8. 청구항 5에 있어서, 상기 화학식 2-2는 하기 화학식 13 또는 14로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 13]
    Figure 112019128077874-pat00266

    [화학식 14]
    Figure 112019128077874-pat00267

    상기 화학식 13 및 14에 있어서,
    Figure 112019128077874-pat00268
    는 L1 내지 L3 중 하나와 결합되는 부위이고,
    X, R1, R2, a 및 b는 화학식 2-2에서 정의한 바와 같고,
    R6 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 50의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이고, f는 0 내지 8의 정수이며, g 및 h는 각각 0 내지 5의 정수이고, f, g 및 h가 각각 2 이상의 정수인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
  9. 청구항 5에 있어서, 상기 화학식 2-2 및 2-3은 각각 하기 화학식 17 또는 18로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 17]
    Figure 112019128077874-pat00269

    [화학식 18]
    Figure 112019128077874-pat00270

    상기 화학식 17 및 18에 있어서,
    Figure 112019128077874-pat00271
    는 L1 내지 L3 중 하나와 결합되는 부위이고,
    R', R1, R2, R2', R2", Y, a, b, b', b", 및 n의 정의는 화학식 2-2 및 2-3과 같고,
    R1'는 수소, 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 50의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이며, a'는 0 내지 3의 정수이고, a'가 2 이상인 경우 R1'는 서로 같거나 상이하다.
  10. 삭제
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 A는 하기 화합물 중에서 선택된 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    Figure 112018092837204-pat00272

    Figure 112018092837204-pat00273

    Figure 112018092837204-pat00274

    Figure 112018092837204-pat00275

    Figure 112018092837204-pat00276

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    .
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 B에 있어서, 상기 L4 내지 L7은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 직접결합, 페닐렌기 또는 나프틸렌기인 것인 유기 발광 소자.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 B에 있어서, 상기 Ar4 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 탄소수 3 내지 50의 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기, 탄소수 1 내지 50의 알킬아민기, 탄소수 7 내지 50의 알킬아릴기 또는 탄소수 6 내지 50의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기; 또는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기인 것인 유기 발광 소자.
  14. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 B에 있어서, 상기 Ar4 및 Ar6 중 적어도 하나는 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기인 유기 발광 소자.
  15. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 B는 하기 화합물 중에서 선택된 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    Figure 112018092837204-pat00423

    Figure 112018092837204-pat00424

    Figure 112018092837204-pat00425

    Figure 112018092837204-pat00426

    Figure 112018092837204-pat00427

    Figure 112018092837204-pat00428

    Figure 112018092837204-pat00429

    Figure 112018092837204-pat00430

    Figure 112018092837204-pat00431

    Figure 112018092837204-pat00432

    Figure 112018092837204-pat00433

    Figure 112018092837204-pat00434

    Figure 112018092837204-pat00435

    Figure 112018092837204-pat00436

    Figure 112018092837204-pat00437

    Figure 112018092837204-pat00438

    Figure 112018092837204-pat00439

    Figure 112018092837204-pat00440

    Figure 112018092837204-pat00441
    .
  16. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 C에 있어서, 상기 La 내지 Lc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 바이페닐렌기; 또는 터페닐렌기인 것이 유기 발광 소자.
  17. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 C에 있어서, 상기 Ara는 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 탄소수 3 내지 50의 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기, 탄소수 1 내지 50의 알킬아민기, 탄소수 7 내지 50의 알킬아릴기 또는 탄소수 6 내지 50의 아릴기로 치환 또는 비치환된 1가 이상의 벤조플루오렌기; 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 탄소수 3 내지 50의 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기, 탄소수 1 내지 50의 알킬아민기, 탄소수 7 내지 50의 알킬아릴기 또는 탄소수 6 내지 50의 아릴기로 치환 또는 비치환된 1가 이상의 플루오란텐기; 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 탄소수 3 내지 50의 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기, 탄소수 1 내지 50의 알킬아민기, 탄소수 7 내지 50의 알킬아릴기 또는 탄소수 6 내지 50의 아릴기로 치환 또는 비치환된 1가 이상의 파이렌기; 또는 중수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 탄소수 3 내지 50의 시클로알킬기, 히드록시기, 실릴기, 니트릴기, 니트로기, 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기, 탄소수 1 내지 50의 알킬아민기, 탄소수 7 내지 50의 알킬아릴기 또는 탄소수 6 내지 50의 아릴기로 치환 또는 비치환된 1가 이상의 크리센기인 것인 유기 발광 소자.
  18. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 C에 있어서, 상기 Arb 및 Arc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기, tert-부틸기, 니트릴기, 페닐기, 트리메틸실릴기 또는 트리메틸게르마늄기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기, tert-부틸기, 니트릴기, 페닐기, 트리메틸실릴기 또는 트리메틸게르마늄기로 치환 또는 비치환된 비페닐기; 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기, tert-부틸기, 니트릴기, 페닐기, 트리메틸실릴기 또는 트리메틸게르마늄기로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 또는 중수소, 메틸기, 에틸기, iso-프로필기, tert-부틸기, 니트릴기, 페닐기, 트리메틸실릴기 또는 트리메틸게르마늄기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기인 것인 유기 발광 소자.
  19. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 C는 하기 화합물 중에서 선택된 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    Figure 112018092837204-pat00442
    .
  20. 삭제
  21. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 D-1에 있어서, 상기 R101 내지 R105는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 디시클로알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 12 내지 60의 디아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서, O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기인 것인 유기 발광 소자.
  22. 청구항 1에 있어서, 상기 발광층은 상기 화학식 C 또는 D-1로 표시되는 화합물을 포함하는 도펀트 물질을 상기 발광층에 포함되는 호스트 물질 및 도펀트 물질 전체를 기준으로 0.1중량% 내지 15중량% 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  23. 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 용액공정 유기 발광 소자(soluble OLED)로서,
    상기 발광층은 하기 화학식 A로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 호스트 물질, 하기 화학식 B로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 호스트 물질 및 하기 화학식 C 또는 D-1로 표시되는 화합물을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 것인 용액공정 유기 발광 소자:
    [화학식 A]
    Figure 112019128077874-pat00446

    상기 화학식 A에 있어서,
    Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이고,
    L1 내지 L3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 2가의 헤테로고리기이고,
    [화학식 B]
    Figure 112019128077874-pat00447

    상기 화학식 B에 있어서,
    Ar5 및 Ar7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이고,
    Ar4 및 Ar6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이고,
    L4 내지 L7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 2가의 헤테로고리기이고,
    [화학식 C]
    Figure 112019128077874-pat00448

    상기 화학식 C에 있어서,
    Ara 내지 Arc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이고,
    La 내지 Lc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 2가의 헤테로고리기이고,
    z는 1 내지 3의 정수이고, z가 2 이상의 정수인 경우 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
    [화학식 D-1]
    Figure 112019128077874-pat00449

    상기 화학식 D-1에 있어서,
    R101 내지 R105는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로원자로서 O, S, Se, Ge, N, P 및 Si 중 적어도 하나를 포함하는 탄소수 2 내지 50의 헤테로고리기이며,
    s1 및 s2는 각각 0 내지 4의 정수이고, s1 및 s2가 각각 2 이상인 경우 2 이상의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,
    s3는 0 내지 3의 정수이고, s3가 2 이상인 경우 2 이상의 R105는 서로 같거나 상이하다.
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