JP6262845B2 - 画素ユニット回路及びその補償方法、並びに表示装置 - Google Patents

画素ユニット回路及びその補償方法、並びに表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6262845B2
JP6262845B2 JP2016509259A JP2016509259A JP6262845B2 JP 6262845 B2 JP6262845 B2 JP 6262845B2 JP 2016509259 A JP2016509259 A JP 2016509259A JP 2016509259 A JP2016509259 A JP 2016509259A JP 6262845 B2 JP6262845 B2 JP 6262845B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
light emitting
emitting device
voltage
control signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016509259A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016524174A (ja
Inventor
仲▲遠▼ ▲呉▼
仲▲遠▼ ▲呉▼
立▲業▼ 段
立▲業▼ 段
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of JP2016524174A publication Critical patent/JP2016524174A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6262845B2 publication Critical patent/JP6262845B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2003—Display of colours
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0248—Precharge or discharge of column electrodes before or after applying exact column voltages
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0251—Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0289—Details of voltage level shifters arranged for use in a driving circuit
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/029—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G09G2320/045—Compensation of drifts in the characteristics of light emitting or modulating elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、表示技術分野に関し、特に、画素ユニット回路及びその補償方法、並びに表示装置に関する。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、電流型発光デバイスとして、高性能の表示装置にますます多く応用されている。従来のパッシブマトリックス型有機発光ダイオード（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ）は、表示サイズの大きくなることに従って、１つの画素に対する駆動時間をさらに短くする必要があるため、過渡電流を大きくする必要があり、消費電力も多くなってしまう。それとともに、大電流の応用によって、ナノのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅｓ）の線路電圧降下が大きすぎるようになり、ＯＬＥＤデバイスは、作動電圧も高すぎるようになり、効率が低下してしまう。アクティブマトリクス型有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ、Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ）は、スイッチ管によって、ＯＬＥＤに入力する電流を行毎に走査するため、これらの問題をよく解決できる。
ＡＭＯＬＥＤのアレイ基板を設計する場合、主に、画素ユニット回路の間の輝度が不均一である問題を解決する必要がある。
まず、ＡＭＯＬＥＤは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）によって画素ユニットの回路を形成して、対応する電流をＯＬＥＤデバイスに供給する。従来技術では、主に、低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ又は酸化物薄膜トランジスタが採用される。低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ及び酸化物薄膜トランジスタは、普通のアモルファスシリコン薄膜トランジスタに比べて、さらに高い移動度及びさらに安定する特性を有し、ＡＭＯＬＥＤ表示にさらに適合に応用される。然し、結晶化技術の制約によって、大面積のガラス基板上に形成されたＬＴＰＳ ＴＦＴ（Ｌｏｗ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｉ Ｓｉｌｉｃｏｎ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）は、例えば、閾値電圧及び移動度等の電気学的なパラメータが不均一である場合が多い。このような不均一性によって、ＯＬＥＤ表示デバイスに電流差及び輝度差、即ち、ムラ現象が現れるようになり、人の目に感じられる。酸化物薄膜トランジスタは、技術的に均一性がよいが、アモルファスシリコン薄膜トランジスタと同じように、長時間に加圧される場合及び高温の場合に、閾値電圧がドリフトしてしまう。表示画面が異なるため、パネルの薄膜トランジスタ毎の閾値ドリフト量が異なり、表示の輝度の異なりが生じてしまう。このような異なりが直前の表示画像に関わるため、残像現象が現れる。
第二に、大きいサイズの表示では、アレイ基板の電源線に一定の抵抗があり、全ての画素の駆動電流がいずれも電源電圧（ＡＲＶＤＤ）によって提供されるため、アレイ基板では、ＡＲＶＤＤ電源の給電位置に近い領域の電源電圧が給電位置から離れる領域の電源電圧より高い。このような現象は、電源の電圧降下と呼ばれる。ＡＲＶＤＤの電圧が電流に関わるため、電源の電圧降下によって、異なる領域の電流も異なるようになり、表示する場合、ムラ現象が生じてしまう。Ｐ型ＴＦＴによって画素ユニットを形成する低温多結晶シリコン技術は、このような問題にさらに敏感である。これは、その蓄積容量がＡＲＶＤＤと駆動トランジスタＴＦＴのゲート電極との間に接続され、ＡＲＶＤＤの電圧の変わりによって、駆動トランジスタＴＦＴのゲート-ソース間電圧Ｖｇｓが直接に影響されるからである。
第三に、ＯＬＥＤデバイスを蒸着するとき、膜厚が不均一であることにより、電気学的な性能も不均一になる。Ｎ型ＴＦＴによって画素ユニットを形成するアモルファスシリコン又は酸化物薄膜トランジスタ技術は、蓄積容量が駆動ＴＦＴのゲート電極とＯＬＥＤのアノードとの間に接続され、データ電圧がゲート電極に伝送されるとき、画素毎のＯＬＥＤのアノードの電圧が異なると、駆動ＴＦＴに実際に印加されるゲート-ソース間電圧Ｖｇｓも異なるになって、駆動電流の異なりが表示輝度の異なりを生じてします。
ＡＭＯＬＥＤは、駆動のタイプによって、デジタル型、電流型及び電圧型という３つのタイプに分ける。デジタル型駆動方法は、ＴＦＴをスイッチとして駆動時間を制御することによってグレースケールを実現し、不均一性を補償する必要がない。然し、その作動頻度が表示サイズの増大に従って倍に上昇し、消費電力も大きくなり、且つ設計の物理的な限界がある範囲で達するため、大きいサイズの表示の応用に適しない。電流型駆動法は、大きさが異なる電流を直接に駆動トランジスタＴＦＴに提供することによって、グレースケールを実現し、駆動トランジスタＴＦＴの不均一性及び電源の電圧降下をよく補償できる。然し、ローグレースケール信号を書き入れるとき、小電流がデータラインにおける大きい寄生容量を充電することは、書き入れ時間の長すぎる問題をもたらしてしまう。この問題は、大きいサイズの表示で特に深刻であって克服し難い。電圧型駆動方法は、従来のアクティブマトリクス液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤ、Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の駆動方法に類似するように、駆動ＩＣによってグレースケールを示す電圧信号を提供する。この電圧信号は、画素回路の内部で駆動トランジスタＴＦＴの電流信号に変換され、ＯＬＥＤを駆動して輝度グレースケールを実現する。このような方法は、駆動速度が速くて簡単に実現できるメリットを有し、大きいサイズのパネルの駆動に適し、業界において広く応用されている。然し、駆動トランジスタＴＦＴの不均一性、電源の電圧降下及びＯＬＥＤの不均一性を補償するように、余計なＴＦＴ及びコンデンサーを設計する必要がある。
図１は、従来技術に係る画素ユニット回路である。図１に示すように、画素ユニット回路は、２つの薄膜トランジスタＴ２、Ｔ１、及び１つのコンデンサーＣを備える。図１に示す画素ユニット回路は、典型的な電圧駆動型画素回路構造（２Ｔ１Ｃ）である。ここで、薄膜トランジスタＴ２は、スイッチトランジスタとして、データラインの電圧を駆動トランジスタとしての薄膜トランジスタＴ１のゲート電極に伝送し、駆動トランジスタは、このデータ電圧を対応する電流に変換してＯＬＥＤデバイスに供給する。通常では、駆動トランジスタＴ１は、飽和領域にあり、１行の走査時間期間に定電流を提供すべきである。その電流は、
であり、ここで、μｎは、キャリアの移動度であり、Ｃｏｘはゲート酸化層の電気容量であり、Ｗ／Ｌはトランジスタの幅長比であり、ＶＤＡＴＡはデータラインの信号電圧であり、ＶＯＬＥＤはＯＬＥＤデバイスの作動電圧であり、Ｖｔｈｎは駆動トランジスタの閾値電圧である。増強型ＴＦＴにおいて、Ｖｔｈｎは正値であり、空乏型ＴＦＴにおいて、Ｖｔｈｎは負値である。上式から分かるように、Ｖｔｈｎが画素ユニットによって異なると、電流が異なるようになる。画素ユニットにおいて、駆動トランジスタＴＦＴのＶｔｈｎが時間によってドリフトすると、前後の電流が異なるようになり、残像が生じてしまう。ＯＬＥＤデバイスの不均一性により、ＯＬＥＤの作動電圧が異なるようになり、電流も異なるようになる。
Ｖｔｈｎの不均一性、Ｖｔｈｎのドリフト及びＯＬＥＤの不均一性を補償することに臨む画素構造が様々あり、一般的に、内部補償型及び外部補償型に分ける。内部補償は、画素の内部において、ＴＦＴ及びコンデンサーによって画素駆動トランジスタＴＦＴの閾値電圧の情報を記憶して、駆動トランジスタＴＦＴのＶｇｓバイアス電圧にフィードバックすることによって図る補償方式である。図２ａは従来技術に係る内部補償式の増強型ＴＦＴ画素ユニット回路であり、図２ｂは従来技術に係る内部補償式の空乏型ＴＦＴ画素ユニット回路である。図２ａ及び図２ｂに示すように、従来技術に係る内部補償式の画素ユニット回路は、１つの駆動トランジスタを備え、駆動トランジスタは薄膜トランジスタであり、駆動トランジスタのゲート電極がソース電極に接続され、駆動トランジスタのドレイン電極がＯＬＥＤのアノードに接続され、ＯＬＥＤのカソードは第２の電源電圧ＥＬＶＳＳに接続される。然し、このような構造は増強型ＴＦＴのみに適用され、空乏型ＴＦＴに対して、ＴＦＴのゲート電極の電圧が０であっても依然として導通することができるため、ＴＦＴに蓄積される電圧において、Ｖｔｈｎの電圧情報を備えなくなり、Ｖｔｈｎの不均一性を補償することができなくなる。
他の補償方式は外部補償であり、即ち、画素内部のＴＦＴによって駆動トランジスタのＩ−Ｖ特性及びＯＬＥＤデバイスのＩ−Ｖ特性を外部誘導回路に読取り、補償する必要がある駆動電圧値を計算して駆動パネルのチップにフィードバックして補償を図る方式である。図３は、従来技術に係る外部補償式の画素ユニット回路である。図３に示すように、従来技術に係る外部補償式の画素ユニット回路は、アクティブマトリクス式有機ＥＬ（ＡＭＯＬＥＤ）、ディスプレイ用行選択器（Ｄｉｓｐｌａｙ ｒｏｗ ｓｅｌｅｃｔｏｒ）、センサー用行選択器（Ｓｅｎｓｏｒ ｒｏｗ ｓｅｌｅｃｔｏｒ）、列読み出し器（Ｃｏｌｕｍｎ ｒｅａｄｏｕｔ）、画像処理用大規模集積回路（Ｉｍａｇｅ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ＬＳＩ）、アナログ・ディジタル変換器（ＡＤＣ）、特定用途向け集積回路プロセッサー（ＡＰ、ＡＳＩＣ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）を備え、前記特定用途向け集積回路ＡＰは、ディスプレイデータ（Ｄｉｓｐｌａｙ ＤＡＴＡ）を前記画像処理用大規模集積回路ＬＳＩに提供し、前記ＡＭＯＬＥＤは、画素ユニット回路のアレイを備え、画素ユニット回路毎の電流又は電圧を列読み出し器によって出力し、図３に示すように、列読み出し器とアナログ・ディジタル変換器との間の三角形は増幅補償回路を示し、データ電圧を参考電圧とすると、列読み出し器から流出する電圧が参考電圧より小さい場合、画素ユニット回路の電圧を補償する必要がありことを説明し、前記放大補償回路によって列読み出し器からの電圧を補償することによって、対応する画素ユニット回路の駆動トランジスタ及び／又はＯＬＥＤデバイスの電圧又は電流が補償された。
内部補償及び外部補償は利点及び欠点をそれぞれ有する。限られた空間及び回路構造により、一般的に、内部補償は、駆動トランジスタＴＦＴの閾値電圧の不均一性及びドリフトのみを補償することができ、外部補償は、外部の集積回路チップで複雑な算法をすることができるため、駆動トランジスタのＴＦＴ閾値電圧及び移動度の不均一性及びＯＬＥＤのエイジング等の望まない状況を補償することができる。然し、外部補償の補償範囲が限られるため、その補償電圧がデータライン（ＤＡＴＡ）電圧の最大範囲を超えてはできない。内部補償回路を介して得られる内部駆動電圧は外部ＤＡＴＡ電圧の最大範囲を超えてもよい。内部補償及び外部補償を組み合わせれば、両方のメリットを兼備することができる。
本発明は、従来技術に係る画素ユニット回路が内部補償及び外部補償を組み合わせられない問題、及び発光デバイス及び対応する画素ユニット回路を補償する場合に生じる駆動トランジスタの閾値電圧の不均一性問題を解決し、外部補償するように、駆動トランジスタ及び発光デバイスの回路特性の抽出機能を有し、表示装置のムラ現象を解消する目的を実現できる画素ユニット回路及びその補償方法、並びに表示装置を提供する。
本発明の実施形態は、画素ユニット回路を提供し、駆動トランジスタ、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、蓄積容量及び発光デバイスを備え、
前記駆動トランジスタは、ドレイン電極が前記第４のトランジスタのソース電極に接続され、ソース電極が前記第３のトランジスタのドレイン電極に接続され、ゲート電極が前記蓄積容量の第１の端子および前記第１のトランジスタのソース電極に接続され、
前記第１のトランジスタは、ドレイン電極が前記第４のトランジスタのソース電極に接続され、ソース電極が前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され、ゲート電極が走査制御信号線に接続され、
前記第２のトランジスタは、ドレイン電極がデータラインに接続され、ソース電極が前記駆動トランジスタのソース電極及び第３のトランジスタのドレイン電極に接続され、ゲート電極が前記走査制御信号線に接続され、
前記第３のトランジスタは、ドレイン電極が駆動トランジスタのソース電極に接続され、ソース電極が前記発光デバイスのアノードに接続され、ゲート電極が発光制御信号線に接続され、
前記第４のトランジスタは、ドレイン電極が第１の電源電圧に接続され、ソース電極が前記駆動トランジスタのドレイン電極及び第１のトランジスタのドレイン電極に接続され、ゲート電極がプリチャージ制御信号線に接続され、
前記蓄積容量は、第１の端子が前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され、第２の端子が前記第１の電源電圧に接続され、
前記発光デバイスのカソードが第２の電源電圧に接続される。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路では、前記発光デバイスは有機発光ダイオードデバイスである。
さらに、本発明の実施形態は、前記画素ユニット回路の補償方法を提供する。前記方法は、
発光デバイスの作動段階により、補償方式を選択し、前記補償方式は、内部補償方式及び外部補償方式を備えるステップと、
前記発光デバイスが通常に発光する作動段階にあると、内部補償方式によって前記発光デバイスを補償するステップと、
前記発光デバイスがパネルリセットの作動段階、或いは、前記発光デバイスがフレーム間、行間の表示空きの作動段階にあるとき、外部補償方式によって前記発光デバイスを補償するステップと、を備える。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法では、前記内部補償方式によって前記発光デバイスを補償するステップは、具体的に、
前記駆動トランジスタに対してプリチャージするステップと、
前記駆動トランジスタに対して電圧又は電流補償するステップと、
前記発光デバイスを常に発光させるように、前記発光デバイスに対して電圧又は電流補償するステップと、を備える。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法では、前記駆動トランジスタに対してプリチャージするステップは、具体的に、
発光制御信号をローレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオフにするステップと、プリチャージ制御信号をハイレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオンにするステップと、走査制御信号をハイレベルにさせ、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタをオンにするステップと、前記駆動トランジスタのソース電極の電圧をデータラインの電圧ＶＤａｔａにするステップと、を備える。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法では、前記駆動トランジスタに対して電圧又は電流補償するステップは、具体的に、
発光制御信号をローレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオフにするステップと、プリチャージ制御信号をローレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオフにするステップと、走査制御信号をハイレベルにさせ、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタをオンにするステップと、前記駆動トランジスタのゲート電極電圧をＶＤａｔａ＋Ｖｔｈｎ にさせ、ＶＤａｔａが前記データラインの電圧であり、Ｖｔｈｎが前記駆動トランジスタの閾値電圧であるステップと、を備える。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法では、前記発光デバイスを常に発光させるように、前記発光デバイスを電圧又は電流補償するステップは、具体的に、
発光制御信号をハイレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオンにするステップと、プリチャージ制御信号をハイレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオンにするステップと、走査制御信号をローレベルにさせ、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタをオフにするステップと、前記駆動トランジスタを介して前記発光デバイスに入力される電流ＩＯＬＥＤを、
にさせ、μｎがキャリアの移動度であり、Ｃｏｘが前記蓄積容量のゲート酸化層のコンデンサーであり、Ｗ／Ｌが前記駆動トランジスタの幅長比であり、ＶＤａｔａが前記データラインの電圧であり、ＶＯＬＥＤが前記発光デバイスのアノードの電圧であるステップと、を備える。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法では、前記外部補償方式によって前記発光デバイスを補償するステップは、具体的に、
前記駆動トランジスタに対して電流抽出を行うステップと、
前記発光デバイスに対して電流抽出を行うステップと、
前記駆動トランジスタ又は前記発光デバイスから抽出する電流を検出し、検出された電流値によって前記発光デバイスに対して電圧又は電流補償するステップと、を備える。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法では、前記駆動トランジスタに対して電流抽出するステップは、具体的に、
発光制御信号をローレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオフにするステップと、プリチャージ制御信号をハイレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオンにするステップと、走査制御信号をハイレベルにさせ、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタをオンにするステップと、前記駆動トランジスタの電流を前記データラインに入力させるとともに、前記発光デバイスからデータラインに流入する電流を遮断するステップと、を備える。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法では、前記発光デバイスに対して電流抽出するステップは、具体的に、
発光制御信号をハイレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオンにするステップと、プリチャージ制御信号をローレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオフにするステップと、走査制御信号をハイレベルにさせ、前記第２のトランジスタをオンにするステップと、前記発光デバイスの電流を前記データラインに入力させるとともに、前記駆動トランジスタから前記データラインに流入する電流を遮断するステップと、を備える。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法では、前記発光デバイスは有機発光ダイオードデバイスである。
本発明の実施形態は、本発明実施形態に係る画素ユニット回路を備える表示装置をさらに提供する。
本発明実施形態に係る画素ユニット回路及びその補償方法、並びに表示装置によれば、以下の有益な効果を実現することができる。
一、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路及びその補償方法は、内部補償及び外部補償を組み合わせてＯＬＥＤデバイスを補償することができるとともに、内部補償及び外部補償のメリットを兼備し、内部補償によって、Ｎ型空乏型又は増強型ＴＦＴ駆動トランジスタの閾値電圧の非均一性又はドリフトによるムラ現象が解消されて、表示効果が向上されるとともに、駆動ＴＦＴの特性及びＯＬＥＤ特性の抽出機能を有し、外部補償の駆動に効果的に応用されることができる。
二、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路及びその補償方法は、電源の電圧降下による異なる領域の電流差を補償することができ、表示効果を向上することができる。
三、本発明の実施形態に係る表示装置は、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路を採用するため、ムラ現象をさらに解消し、表示装置の表示効果をさらに向上することができる。
従来技術に係る画素ユニット回路である。 従来技術に係る内部補償式の画素ユニット回路である。 従来技術に係る外部補償式の画素ユニット回路である。 本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の回路図である。 本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法のフローチャートである。 本発明の実施形態に係る内部補償モードの画素ユニット回路の補償方法のフローチャートである。 本発明の実施形態に係る内部補償モードの画素ユニット回路の等価回路図である。 本発明の実施形態に係る内部補償モードの画素ユニット回路の補償方法の制御信号のシーケンス図である。 本発明の実施形態に係る外部補償モードの画素ユニット回路の補償方法のフローチャートである。 本発明の実施形態に係る外部補償モードの画素ユニット回路の等価回路図である。 本発明の実施形態に係る外部補償モードの画素ユニット回路の補償方法の制御信号のシーケンス図である。
以下、本発明をさらに理解するように、図面及び具体的な実施形態を組み合わせて、本発明をさらに説明する。
本発明の実施形態に係る画素ユニット回路は、主に、発光デバイスＯＬＥＤの駆動補償に用いられ、発光デバイス毎が１つの画素ユニット回路によって駆動補償され、画素ユニット回路毎が５つの薄膜トランジスタ及び１つのコンデンサーによって前記発光デバイスに接続されて構成される。この構造は、内部及び外部補償に兼用できる。内部補償の表示過程は、プリチャージ、補償及び表示という３つの過程に分ける。外部補償は、駆動トランジスタＴＦＴの電流抽出及び発光デバイスの電流抽出という２つの過程に分ける。従来の画素構造に対して、増強型又は空乏型駆動トランジスタＴＦＴの閾値電圧のドリフト及び非均一性、発光デバイスの電圧の非均一性及びエイジングを効果的に補償することができる。
本発明の実施形態に係る画素ユニット回路は、出力端子の発光デバイスがＡＭＯＬＥＤであってもよい。前記画素ユニット補償回路は、内部補償によってＮ型空乏型又は増強型駆動トランジスタＴＦＴの閾値電圧の非均一性を効果的に補償することができ、表示効果を向上することができるとともに、駆動トランジスタＴＦＴの特性、発光デバイス特性の抽出機能を有し、効果的に外部補償の駆動に用いられる。ここで、前記発光デバイスはＯＬＥＤデバイスであり、前記発光デバイス特性は、ＯＬＥＤデバイスの電圧、電流特性である。
図４は本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の回路図である。図４に示すように、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路は、駆動トランジスタＴ１、第１のトランジスタＴ２、第２のトランジスタＴ３、第３のトランジスタＴ４、第４のトランジスタＴ５、蓄積容量ＣＳＴ及び発光デバイスを備え、前記発光デバイスは有機発光ダイオードデバイスＯＬＥＤである。
駆動トランジスタＴ１は、前記発光デバイスを駆動するものであり、ドレイン電極が前記第４のトランジスタＴ５のソース電極に接続され、ソース電極が前記第３のトランジスタＴ４のドレイン電極に接続され、ゲート電極が前記蓄積容量ＣＳＴの第１の端子及び前記第１のトランジスタＴ２のソース電極に接続される。
第１のトランジスタＴ２は、走査制御信号の制御スイッチである。前記第１のトランジスタＴ２は、ドレイン電極が前記第４のトランジスタＴ５のソース電極に接続され、ソース電極が前記駆動トランジスタＴ１のゲート電極に接続され、ゲート電極が走査制御信号線ＳＣＡＮに接続される。
第２のトランジスタＴ３は走査制御信号の他の制御スイッチである。前記第２のトランジスタＴ３は、ドレイン電極がデータラインＤＡＴＡに接続され、ソース電極が前記駆動トランジスタＴ１のソース電極及び第３のトランジスタＴ４のドレイン電極に接続され、ゲート電極が前記走査制御信号線ＳＣＡＮに接続される。
第３のトランジスタＴ４は発光制御信号の制御スイッチである。前記第３のトランジスタＴ４は、ドレイン電極が駆動トランジスタＴ１のソース電極に接続され、ソース電極が前記発光デバイスＯＬＥＤのアノードに接続され、ゲート電極が発光制御信号線ＥＭに接続される。
第４のトランジスタＴ５はプリチャージ制御信号の制御スイッチである。前記第４のトランジスタＴ５は、ドレイン電極が第１の電源電圧ＥＬＶＤＤに接続され、ソース電極が前記駆動トランジスタＴ１のドレイン電極及び第１のトランジスタＴ２のドレイン電極に接続され、ゲート電極がプリチャージ制御信号線ＰＲに接続される。
蓄積容量ＣＳＴは、第１の端子が前記駆動トランジスタＴ１のゲート電極に接続され、第２の端子が前記第１の電源電圧ＥＬＶＤＤに接続される。
前記発光デバイスＯＬＥＤのカソードは第２の電源電圧ＥＬＶＳＳに接続される。
第２の電源電圧ＥＬＶＳＳは発光デバイスのカソードに供給される電圧であり、一般的に、−５Ｖ〜０Ｖであり、実際のデバッグによって得られる。
さらに、図５は本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法のフローチャートである。図５に示すように、前記方法は、
発光デバイスの作動段階により、内部補償及び外部補償を有する補償方式を選択するステップＳ１００と、
前記発光デバイスが通常に発光する作動段階にあると、内部補償によって前記発光デバイスを補償するステップＳ２００と、
有機発光ダイオードデバイスＯＬＥＤである前記発光デバイスが、パネルリセットの作動段階にあり、或いは、前記発光デバイスがフレーム間、行間の表示空きの作動段階にあると、外部補償によって前記発光デバイスを補償するステップＳ３００と、
を備える。
さらに、図６は本発明の実施形態の内部補償モードの画素ユニット回路の補償方法のフローチャートを示す。図６に示すように、前記内部補償によって前記発光デバイスを補償するステップ２００は、具体的に、
前記駆動トランジスタのドレイン電極にプリチャージを行うステップＳ２１０と、
前記駆動トランジスタのゲート電極に電圧又は電流補償を行うステップＳ２２０と、
前記発光デバイスを常に発光させるように、前記発光デバイスに電圧又は電流補償を行うステップＳ２３０と、
を備える。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法において、前記駆動トランジスタのドレイン電極にプリチャージを行うステップ２１０は、具体的に、
発光制御信号ＥＭをローレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオフにするステップと、プリチャージ制御信号ＰＲをハイレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオンにするステップと、走査制御信号をハイレベルにさせ、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタをオンにするステップと、前記駆動トランジスタのソース電極の電圧をデータラインの電圧ＶＤａｔａにするステップと、を備える。
図７は、本発明の実施形態に係る内部補償モードの画素ユニット回路の等価回路図である。図７（ａ）に示すように、プリチャージ段階では、駆動トランジスタＴ１、第１のトランジスタＴ２、第２のトランジスタＴ３及びトランジスタＴ５がオンされ、トランジスタＴ４がオフされ、データラインの電圧が今回のフレームのデータライン信号電圧ＶＤａｔａであり、コンデンサーＣＳＴに蓄積された電荷が解放され、駆動トランジスタＴ１のソース電極をハイレベル、即ち、データライン電圧ＶＤａｔａまでプリチャージする。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法において、前記駆動トランジスタのゲート電極に電圧又は電流補償を行うステップ２２０は、具体的に、
発光制御信号をローレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオフにするステップと、プリチャージ制御信号をローレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオフにするステップと、走査制御信号をハイレベルにさせ、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタをオンにするステップと、前記駆動トランジスタのゲート電極の電圧をＶＤａｔａ＋Ｖｔｈｎにさせ、ＶＤａｔａが前記データラインの電圧であり、Ｖｔｈｎが前記駆動トランジスタの閾値電圧であるステップと、を備える。
図７は、本発明の実施形態に係る内部補償モードの画素ユニット回路の等価回路図である。図７（ｂ）に示すように、補償段階では、駆動トランジスタＴ１、第１のトランジスタＴ２及び第２のトランジスタＴ３がオンされ、第３のトランジスタＴ４及び第４のトランジスタＴ５がオフされ、駆動トランジスタＴ１のゲート電極は、駆動トランジスタＴ１のゲート電極の電圧がＶＤａｔａ＋Ｖｔｈｎになるまで放電する。このとき、プリチャージされたトランジスタを補償し、蓄積容量ＣＳＴの両端に蓄積される電荷が(ＶＥＬＶＤＤ −Ｖｔｈｎ−ＶＤａｔａ)*ＣＳＴになり、ＶＥＬＶＤＤ が第１の電源電圧ＥＬＶＤＤの電圧であり、ＣＳＴ が蓄積容量ＣＳＴのゲート酸化層の容量値であり、Ｖｔｈｎが駆動トランジスタＴ１の閾値電圧であり、ＶＤａｔａがデータラインの信号電圧である。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法において、前記発光デバイスを常に発光させるように、前記発光デバイスに電圧又は電流補償を行うステップ２３０は、具体的に、
発光制御信号をハイレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオンにするステップと、プリチャージ制御信号をハイレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオンにするステップと、走査制御信号をローレベルにさせ、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタをオフにするステップと、前記駆動トランジスタを介して前記発光デバイスに入力される電流ＩＯＬＥＤを、
にさせ、μがキャリアの移動度であり、Ｃｏｘが前記蓄積容量のゲート酸化層のコンデンサーであり、Ｗ／Ｌが前記駆動トランジスタの幅長比であり、ＶＤａｔａが前記データラインの電圧であり、ＶＯＬＥＤが前記発光デバイスのアノードの電圧であるステップと、を備える。
図７は本発明の実施形態に係る内部補償モードの画素ユニット回路の等価回路図である。図７（ｃ）に示すように、前記発光デバイスはＯＬＥＤデバイスであり、発光段階では、駆動トランジスタＴ１、第３のトランジスタＴ４及び第４のトランジスタＴ５がオンされ、第１のトランジスタＴ２及び第２のトランジスタＴ３がオフされ、蓄積容量ＣＳＴが駆動トランジスタＴ１的ゲート電極と第１の電源電圧ＥＬＶＤＤとの間に接続され、駆動トランジスタＴ１のゲート電極電圧をＶＤａｔａ＋Ｖｔｈｎに保持させ、Ｖｔｈｎが薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧であり、ＶＤａｔａがデータラインの信号電圧である。このとき、データラインが画素ユニット回路から切断され、ＯＬＥＤデバイスの電流が安定されることに従って、駆動トランジスタＴ１のソース電極の電圧がＶＯＬＥＤになり、駆動トランジスタＴ１のゲート電極の電圧がＶＤａｔａ＋Ｖｔｈｎ維持し、このとき薄膜トランジスタＴ１を流す電流ＩＯＬＥＤは、
になり、
μｎがキャリアの移動度であり、Ｃｏｘが蓄積容量ＣＳＴのゲート酸化層の容量値であり、Ｗ／Ｌが駆動トランジスタＴ１の幅長比であり、ＶＤａｔａがデータラインの信号電圧であり、ＶＯＬＥＤがＯＬＥＤデバイスのアノードの電圧、即ち、ＯＬＥＤデバイスの作動電圧であり、Ｖｔｈｎが駆動トランジスタＴ１の閾値電圧であり、増強型ＴＦＴトランジスタに対しては、Ｖｔｈｎが正値であり、空乏型ＴＦＴトランジスタに対しては、Ｖｔｈｎが負値である。
上式から分かるように、駆動トランジスタを流す電流は、その閾値電圧Ｖｔｈｎに関わらないとともに、発光デバイスの両端の電圧にも関わらないため、駆動トランジスタの閾値電圧の非均一性及びドリフトの影響が基本的に解消される。本発明の実施形態に係る画素ユニット回路を採用すれば、増強型薄膜トランジスタであっても空乏型薄膜トランジスタであっても、駆動トランジスタの閾値電圧の非均一性の影響を解消することができるため、適用性が一層広くなった。
図８は本発明の実施形態に係る内部補償モードの画素ユニット回路の補償方法の制御信号のシーケンス図である。図８に示すように、内部補償の場合、前記発光制御信号ＥＭ、プリチャージ制御信号ＰＲおよび走査制御信号ＳＣＡＮの制御順序は、
前記ステップＳ２１０に対応し、発光制御信号ＥＭがローレベルであり、プリチャージ制御信号ＰＲおよび走査制御信号ＳＣＡＮがハイレベルであるプリチャージ段階と、
前記ステップＳ２２０に対応し、発光制御信号ＥＭ及びプリチャージ制御信号ＰＲがローレベルであり、走査制御信号ＳＣＡＮがハイレベルである補償段階と、
前記ステップＳ２３０に対応し、発光制御信号ＥＭ及びプリチャージ制御信号ＰＲがハイレベルであり、走査制御信号ＳＣＡＮがローレベルである発光段階と、である。
また、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法は、外部補償によって前記発光デバイスを補償してもよい。外部補償は、パネルリセット（ＰＡＮＥＬ ＲＥＳＥＴ）の作動段階、或いは、フレーム間、行間の表示空きの作動段階で行われる。例えば、起動の瞬間でパネルリセットを行ってもよい。外部補償の過程は、駆動トランジスタの電流抽出及び発光デバイスの電流抽出という２つの段階に分ける。
さらに、図９は本発明の実施形態に係る外部補償モードの画素ユニット回路の補償方法のフローチャートを示す。図９に示すように、外部補償方式を採用することによって前記発光デバイスを補償する前記ステップＳ３００は、具体的に、
前記駆動トランジスタに対して電流抽出を行うステップＳ３１０と、
前記発光デバイスに対して電流抽出を行うステップＳ３２０と、
前記駆動トランジスタ又は前記発光デバイスから抽出された電流を検出し、検出された電流値によって前記発光ダイオードに対して電圧又は電流補償するステップＳ３３０と、
を備える。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法では、前記駆動トランジスタに対して電流抽出を行うステップＳ３１０は、具体的に、
発光制御信号をローレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオフにするステップと、プリチャージ制御信号をハイレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオンにするステップと、走査制御信号をハイレベルにさせ、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタをオンにするステップと、前記駆動トランジスタの電流を前記データラインに入力させるとともに、前記発光デバイスからデータラインに流入する電流を遮断するステップと、を備える。前記データラインに接続される誘導チップによって前記駆動トランジスタを流す電流値を検出する。
データライン信号の電圧を参考電圧ＶＲＥＦとすると、ＶＲＥＦ＜ＶＥＬＶＤＤであり、ＶＥＬＶＤＤが電源ＥＬＶＤＤの電圧である。図１０は本発明の実施形態に係る外部補償モードの画素ユニット回路の等価回路図である。図１０（ａ）に示すように、前記発光デバイスはＯＬＥＤデバイスであり、駆動トランジスタＴ１、第１のトランジスタＴ２、第２のトランジスタＴ３及び第４のトランジスタＴ５がオンにされ、第３のトランジスタＴ４がオフにされる。このとき、ＯＬＥＤデバイスが駆動トランジスタＴ１から切断され、駆動トランジスタＴ１のゲート電極とソース電極との間の電圧がＶＥＬＶＤＤ−ＶＲＥＦにオフセットされ、駆動トランジスタＴ１の駆動電流が第２のトランジスタＴ３を介してデータラインに入り、データラインに接続される外部誘導チップを、この電流値を誘導できるようにさせて更なる処理を行う。
さらに、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路の補償方法によれば、前記発光デバイスに電流抽出を行うステップＳ３２０は、具体的に、
発光制御信号をハイレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオンにするステップと、プリチャージ制御信号をローレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオフにするステップと、走査制御信号をハイレベルにさせ、前記第２のトランジスタをオンにするステップと、前記発光デバイスの電流を前記データラインに入力させるとともに、前記駆動トランジスタから前記データラインに流入する電流を遮断するステップと、を備える。前記データラインに接続される誘導チップによって前記発光デバイスを流す電流値を検出する。
データラインの信号電圧を参考電圧ＶＲＥＦとすると、ＶＲＥＦ＞Ｖｔｈｎであり、Ｖｔｈｎが駆動トランジスタＴ１の閾値電圧である。図１０は本発明の実施形態に係る外部補償モードの画素ユニット回路の等価回路図である。図１０（ｂ）に示すように、前記発光デバイスはＯＬＥＤデバイスである。このとき、第１のトランジスタＴ２、第２のトランジスタＴ３及び第３のトランジスタＴ４がオンにされ、駆動トランジスタＴ１及び第４のトランジスタＴ５がオフにされ、ＯＬＥＤデバイスのアノードとカソードとの間の電圧差がＶＲＥＦ−ＶＥＬＶＳＳである。このとき、ＯＬＥＤデバイスを流す電流が第２のトランジスタＴ３を介してデータラインに入力され、データラインに接続される外部誘導チップは、この電流値を誘導できて、更なる処理を行う。
図１１は本発明の実施形態に係る外部補償モードの画素ユニット回路の補償方法の制御信号のシーケンス図である。図１１に示すように、前記発光制御信号ＥＭ、プリチャージ制御信号ＰＲ及び走査制御信号ＳＣＡＮの制御順序は、
前記駆動トランジスタＴ１の電流を抽出するステップＳ３１０に対応し、発光制御信号ＥＭをローレベルにさせ、プリチャージ制御信号ＰＲおよび走査制御信号ＳＣＡＮをハイレベルにさせる第１の段階と、
前記ＯＬＥＤデバイスの電流を抽出するステップＳ３２０に対応し、発光制御信号ＥＭおよび走査制御信号ＳＣＡＮをハイレベルにさせ、プリチャージ制御信号ＰＲをローレベルにさせる第２の段階と、である。
以上のように、この画素ユニット回路は、二つの作業モードである内部補償及び外部補償を同時に兼用することができるため、補償効果が両方のメリットを具備する。
本発明の実施形態は、さらに表示装置を提供する。前記表示装置は、本発明の実施形態に係る画素ユニット回路を備え、本発明の実施形態に係る補償方法によって前記画素ユニット回路を補償する。
以上は本発明の優れた実施形態に過ぎず、本発明は他の複数の実施形態を有してもよい。当業者は、本発明の精神及び趣旨から逸脱しなくて、様々な変化及び変形をすることができる。従って、その変化及び変形はいずれも本発明の特許請求の保護範囲に入る。
ＡＤＣ アナログ・ディジタル変換器
ＡＲＶＤＤ 電源電圧
Ｃ コンデンサー
ＤＡＴＡ データライン
ＥＬＶＤＤ 第１の電源電圧
ＥＬＶＳＳ 第２の電源電圧
ＥＭ 発光制御信号
ＰＲ プリチャージ制御信号
ＳＣＡＮ 走査制御信号
Ｔ１ 駆動トランジスタ
Ｔ２ 第１のトランジスタ
Ｔ３ 第２のトランジスタ
Ｔ４ 第３のトランジスタ
Ｔ５ 第４のトランジスタ

Claims (11)

  1. 画素ユニット回路であって、駆動トランジスタ、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、蓄積容量及び発光デバイスを備え、
    前記駆動トランジスタは、ドレイン電極が前記第４のトランジスタのソース電極に接続され、ソース電極が前記第３のトランジスタのドレイン電極に接続され、ゲート電極が前記蓄積容量の第１の端子及び前記第１のトランジスタのソース電極に接続され、
    前記第１のトランジスタは、ドレイン電極が前記第４のトランジスタのソース電極に接続され、ソース電極が前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され、ゲート電極が走査制御信号線に接続され、
    前記第２のトランジスタは、ドレイン電極がデータラインに接続され、ソース電極が前記駆動トランジスタのソース電極及び第３のトランジスタのドレイン電極に接続され、ゲート電極が前記走査制御信号線に接続され、
    前記第３のトランジスタは、ドレイン電極が駆動トランジスタのソース電極に接続され、ソース電極が前記発光デバイスのアノードに接続され、ゲート電極が発光制御信号線に接続され、
    前記第４のトランジスタは、ドレイン電極が第１の電源電圧に接続され、ソース電極が前記駆動トランジスタのドレイン電極及び第１のトランジスタのドレイン電極に接続され、ゲート電極がプリチャージ制御信号線に接続され、
    前記蓄積容量は、第１の端子が前記駆動トランジスタのゲート電極に接続され、第２の端子が前記第１の電源電圧に接続され、
    前記発光デバイスのカソードが第２の電源電圧に接続され、
    発光デバイスの作動段階によって、補償方式を選択し、前記補償方式は内部補償方式および外部補償方式を有し、
    前記発光デバイスが通常に発光する作動段階にあると、内部補償方式によって前記発光デバイスを補償し、
    前記発光デバイスがパネルリセットの作動段階にあり、或いは前記発光デバイスがフレーム間、行間の表示空きの作動段階にあると、外部補償方式によって前記発光デバイスを補償し、
    前記外部補償方式によって前記発光デバイスを補償する場合に、
    前記駆動トランジスタに対して電流抽出し、前記発光デバイスに対して電流抽出して、前記駆動トランジスタ又は前記発光デバイスから抽出した電流を検出し、検出された電流値によって前記発光デバイスに対して電圧又は電流補償することを特徴とする画素ユニット回路。
  2. 前記発光デバイスは有機発光ダイオードデバイスであることを特徴とする請求項１に記載の画素ユニット回路。
  3. 請求項１に記載の画素ユニット回路の補償方法であって、
    発光デバイスの作動段階によって、補償方式を選択し、前記補償方式は内部補償方式および外部補償方式を有するステップと、
    前記発光デバイスが通常に発光する作動段階にあると、内部補償方式によって前記発光デバイスを補償するステップと、
    前記発光デバイスがパネルリセットの作動段階にあり、或いは前記発光デバイスがフレーム間、行間の表示空きの作動段階にあると、外部補償方式によって前記発光デバイスを補償するステップと、を備え、
    前記外部補償方式によって前記発光デバイスを補償するステップは、具体的に、
    前記駆動トランジスタに対して電流抽出するステップと、
    前記発光デバイスに対して電流抽出するステップと、
    前記駆動トランジスタ又は前記発光デバイスから抽出した電流を検出し、検出された電流値によって前記発光デバイスに対して電圧又は電流補償するステップと、を備えることを特徴とする画素ユニット回路の補償方法。
  4. 前記内部補償方式によって前記発光デバイスを補償するステップは、具体的に、
    前記駆動トランジスタに対してプリチャージするステップと、前記駆動トランジスタに対して電圧又は電流補償するステップと、前記発光デバイスを常に発光させるように、前記発光デバイスに対して電圧又は電流補償するステップと、を備えることを特徴とする請求項３に記載の画素ユニット回路の補償方法。
  5. 前記駆動トランジスタに対してプリチャージするステップは、具体的に、
    発光制御信号をローレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオフにするステップと、プリチャージ制御信号をハイレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオンにするステップと、走査制御信号をハイレベルにさせ、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタをオンにするステップと、前記駆動トランジスタのソース電極の電圧をデータラインの電圧ＶＤａｔａにさせるステップと、を備えることを特徴とする請求項４に記載の画素ユニット回路の補償方法。
  6. 前記駆動トランジスタに対して電圧又は電流補償するステップは、具体的に、
    発光制御信号をローレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオフにするステップと、プリチャージ制御信号をローレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオフにするステップと、走査制御信号をハイレベルにさせ、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタをオンにするステップと、前記駆動トランジスタのゲート電極の電圧をＶＤａｔａ＋Ｖｔｈｎにさせ、ＶＤａｔａが前記データラインの電圧であり、Ｖｔｈｎが前記駆動トランジスタの閾値電圧であるステップと、を備えることを特徴とする請求項４に記載の画素ユニット回路の補償方法。
  7. 前記発光デバイスを常に発光させるように、前記発光デバイスに対して電圧又は電流補償するステップは、具体的に、
    発光制御信号をハイレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオンにするステップと、プリチャージ制御信号をハイレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオンにするステップと、走査制御信号をローレベルにさせ、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタをオフにするステップと、前記駆動トランジスタを介して前記発光デバイスに入力される電流ＩＯＬＥＤを、
    にさせ、
    μｎがキャリアの移動度であり、Ｃｏｘが前記蓄積容量のゲート酸化層のコンデンサーであり、Ｗ／Ｌが前記駆動トランジスタの幅長比であり、ＶＤａｔａが前記データラインの電圧であり、ＶＯＬＥＤが前記発光デバイスのアノード電圧であるステップと、を備えることを特徴とする請求項４に記載の画素ユニット回路の補償方法。
  8. 前記駆動トランジスタに対して電流抽出するステップは、具体的に、
    発光制御信号をローレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオフにするステップと、プリチャージ制御信号をハイレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオンにするステップと、走査制御信号をハイレベルにさせ、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタをオンにするステップと、前記駆動トランジスタの電流を前記データラインに入力させるとともに、前記発光デバイスからデータラインに流入する電流を遮断するステップと、を備えることを特徴とする請求項３に記載の画素ユニット回路の補償方法。
  9. 前記発光デバイスに対して電流抽出するステップは、具体的に、
    発光制御信号をハイレベルにさせ、前記第３のトランジスタをオンにするステップと、プリチャージ制御信号をローレベルにさせ、前記第４のトランジスタをオフにするステップと、走査制御信号をハイレベルにさせ、前記第２のトランジスタをオンにするステップと、前記発光デバイスの電流を前記データラインに入力させるとともに、前記駆動トランジスタから前記データラインに流入する電流を遮断するステップと、を備えることを特徴とする請求項８に記載の画素ユニット回路の補償方法。
  10. 前記発光デバイスは有機発光ダイオードデバイスであることを特徴とする請求項３〜９のいずれか１項に記載の画素ユニット回路の補償方法。
  11. 請求項１又は２に記載の画素ユニット回路を備えることを特徴とする表示装置。
JP2016509259A 2013-04-26 2013-06-26 画素ユニット回路及びその補償方法、並びに表示装置 Active JP6262845B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310150519.3A CN103236237B (zh) 2013-04-26 2013-04-26 一种像素单元电路及其补偿方法、以及显示装置
CN201310150519.3 2013-04-26
PCT/CN2013/077965 WO2014172992A1 (zh) 2013-04-26 2013-06-26 像素单元电路及其补偿方法和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016524174A JP2016524174A (ja) 2016-08-12
JP6262845B2 true JP6262845B2 (ja) 2018-01-17

Family

ID=48884273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016509259A Active JP6262845B2 (ja) 2013-04-26 2013-06-26 画素ユニット回路及びその補償方法、並びに表示装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9373281B2 (ja)
EP (1) EP2991065A4 (ja)
JP (1) JP6262845B2 (ja)
KR (1) KR101530500B1 (ja)
CN (1) CN103236237B (ja)
WO (1) WO2014172992A1 (ja)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6282823B2 (ja) * 2013-09-02 2018-02-21 株式会社ジャパンディスプレイ 駆動回路、表示装置、及び駆動方法
CN103500556B (zh) * 2013-10-09 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、薄膜晶体管背板
CN104778915B (zh) * 2014-01-15 2017-05-24 北京大学深圳研究生院 显示装置及其像素电路和显示驱动方法
CN104021757A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、显示装置
CN104505024B (zh) * 2015-01-05 2017-09-08 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示驱动方法、显示面板和显示装置
CN104658483B (zh) * 2015-03-16 2017-02-01 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
KR102120467B1 (ko) * 2015-06-30 2020-06-09 엘지디스플레이 주식회사 선택적 센싱을 구동하는 타이밍 컨트롤러 및 이를 포함하는 유기발광표시장치
CN106688030A (zh) * 2015-08-07 2017-05-17 深圳市柔宇科技有限公司 像素电路及其驱动方法、显示面板
CN105161051A (zh) * 2015-08-21 2015-12-16 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、阵列基板、显示面板及显示装置
US10482820B2 (en) 2016-06-21 2019-11-19 Novatek Microelectronics Corp. Method of compensating luminance of OLED and display system using the same
US10388207B2 (en) 2016-06-05 2019-08-20 Novatek Microelectronics Corp. External compensation method and driver IC using the same
TWI614741B (zh) * 2016-06-05 2018-02-11 聯詠科技股份有限公司 外部補償方法及其驅動積體電路
KR20180004370A (ko) 2016-07-01 2018-01-11 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 스테이지 회로와 이를 가지는 유기전계발광 표시장치
CN106297667B (zh) 2016-09-26 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、阵列基板以及显示装置
CN106328061B (zh) * 2016-10-14 2019-03-12 深圳市华星光电技术有限公司 Oled像素混合补偿电路及混合补偿方法
CN106504699B (zh) * 2016-10-14 2019-02-01 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及驱动方法
CN106486064A (zh) 2016-12-28 2017-03-08 武汉华星光电技术有限公司 Oled驱动电路及oled显示器
CN108269533B (zh) * 2017-01-03 2019-12-24 昆山国显光电有限公司 像素电路、像素及显示器件
CN106782333B (zh) * 2017-02-23 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 Oled像素的补偿方法和补偿装置、显示装置
CN108806599B (zh) 2017-05-05 2020-01-14 京东方科技集团股份有限公司 用于补偿oled像素电路的方法
JP6914732B2 (ja) * 2017-05-29 2021-08-04 キヤノン株式会社 発光装置及び撮像装置
CN109147669B (zh) * 2017-06-15 2020-04-10 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、其驱动方法及显示面板
US10198995B1 (en) * 2017-07-11 2019-02-05 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Pixel driving circuit and driving method
CN107393479B (zh) * 2017-08-29 2019-10-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及有机发光二极管显示器
CN107452334B (zh) * 2017-08-30 2020-01-03 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示基板及其驱动方法、显示装置
CN107424568B (zh) * 2017-09-29 2020-04-07 成都晶砂科技有限公司 包含发光二极管像素的显示装置和补偿装置、方法
CN110010075B (zh) * 2017-11-22 2024-03-05 伊格尼斯创新公司 显示器、像素电路和方法
CN107749280A (zh) * 2017-12-06 2018-03-02 京东方科技集团股份有限公司 显示装置的驱动方法及显示装置
CN108053793B (zh) * 2017-12-15 2020-02-04 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示基板及显示补偿方法和装置
CN108510945B (zh) * 2018-03-06 2020-04-21 福建华佳彩有限公司 Oled像素补偿电路
KR102484382B1 (ko) * 2018-03-09 2023-01-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108962138B (zh) * 2018-04-04 2020-10-23 信利（惠州）智能显示有限公司 像素电路的驱动方法
CN108682382A (zh) * 2018-05-25 2018-10-19 南京微芯华谱信息科技有限公司 带阈值补偿的电压型像素单元电路、阈值电压补偿的驱动方法、图像或者视频的显示方法
US11205382B2 (en) * 2018-11-22 2021-12-21 Novatek Microelectronics Corp. Sensing circuit for OLED driver and OLED driver using the same
CN109545133A (zh) * 2018-11-30 2019-03-29 昆山国显光电有限公司 显示面板及其发光补偿方法
CN109410842B (zh) * 2018-12-29 2020-03-27 云谷（固安）科技有限公司 一种像素驱动电路及显示装置
KR20200123694A (ko) 2019-04-22 2020-10-30 삼성전자주식회사 디스플레이 구동 회로 및 이의 동작 방법
CN110070803B (zh) * 2019-04-22 2020-12-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种像素驱动电路和显示装置
CN110415644B (zh) * 2019-08-02 2023-06-30 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其方法、显示面板
CN111261114A (zh) * 2020-03-25 2020-06-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及像素补偿电路
CN111383596A (zh) 2020-03-25 2020-07-07 昆山国显光电有限公司 像素电路、显示面板和像素电路的驱动方法
KR20210149960A (ko) 2020-06-02 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112002281B (zh) 2020-09-01 2022-08-09 云谷（固安）科技有限公司 像素电路驱动方法
CN112201207B (zh) * 2020-09-30 2021-11-12 合肥维信诺科技有限公司 像素电路的驱动方法、像素电路和显示装置
CN113160752A (zh) * 2021-04-25 2021-07-23 南华大学 像素电路及其驱动方法、显示设备
CN113284461B (zh) * 2021-05-31 2022-08-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的光学补偿方法及存储介质
CN113744683B (zh) * 2021-09-03 2023-06-27 北京京东方技术开发有限公司 像素电路、驱动方法和显示装置
CN115831979B (zh) * 2022-12-21 2023-09-08 惠科股份有限公司 阵列基板、制造方法、像素驱动电路及显示面板
CN116092432A (zh) * 2023-03-13 2023-05-09 无锡美科微电子技术有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示面板和显示装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100560780B1 (ko) * 2003-07-07 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 화소회로 및 그의 구동방법
JP2007528016A (ja) * 2003-07-09 2007-10-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ デューティーサイクル制御を有する電界発光表示装置
GB2411758A (en) 2004-03-04 2005-09-07 Seiko Epson Corp Pixel circuit
WO2006030994A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-23 Jin Jang Circuit and method for driving organic light emitting diode
JP5392963B2 (ja) 2005-04-19 2014-01-22 インテレクチュアル キーストーン テクノロジー エルエルシー 電気光学装置及び電子機器
KR20060109343A (ko) 2005-04-15 2006-10-19 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전자 회로, 그 구동 방법, 전기 광학 장치, 및 전자 기기
JP2008165159A (ja) * 2006-12-08 2008-07-17 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その駆動方法、及び電子機器
JP5342111B2 (ja) * 2007-03-09 2013-11-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR100893482B1 (ko) * 2007-08-23 2009-04-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR100939849B1 (ko) 2007-11-12 2010-01-29 네오뷰코오롱 주식회사 유기전계발광장치의 화소 회로
JP2009192854A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Casio Comput Co Ltd 表示駆動装置、並びに、表示装置及びその駆動制御方法
KR101040816B1 (ko) * 2009-02-27 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
CN101697268B (zh) * 2009-09-24 2012-05-23 友达光电股份有限公司 有机发光二极管显示器、像素电路及数据电流写入方法
KR101388286B1 (ko) * 2009-11-24 2014-04-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법
KR101706235B1 (ko) 2010-10-26 2017-02-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법
CN102708785B (zh) * 2011-05-18 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 像素单元电路及其工作方法、oled显示装置
TWI456553B (zh) * 2011-06-01 2014-10-11 Wintek Corp 有機發光二極體像素電路
CN102651194B (zh) * 2011-09-06 2014-02-19 京东方科技集团股份有限公司 电压驱动像素电路及其驱动方法、显示面板
CN102651196B (zh) 2011-09-30 2014-12-10 京东方科技集团股份有限公司 一种有源矩阵有机发光二极管的驱动电路及方法、显示装置
CN102956201B (zh) * 2012-11-08 2014-12-17 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、显示装置
CN103035202A (zh) * 2012-12-25 2013-04-10 友达光电股份有限公司 一种像素补偿电路
CN203179479U (zh) * 2013-04-26 2013-09-04 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元电路以及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20150339974A1 (en) 2015-11-26
WO2014172992A1 (zh) 2014-10-30
US9373281B2 (en) 2016-06-21
CN103236237B (zh) 2015-04-08
KR101530500B1 (ko) 2015-06-19
JP2016524174A (ja) 2016-08-12
KR20140136913A (ko) 2014-12-01
EP2991065A4 (en) 2016-12-07
EP2991065A1 (en) 2016-03-02
CN103236237A (zh) 2013-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6262845B2 (ja) 画素ユニット回路及びその補償方法、並びに表示装置
US9972248B2 (en) Pixel structure and driving method thereof, and display apparatus
CN110036435B (zh) 像素电路、主动矩阵有机发光二极管显示面板、显示设备和补偿驱动晶体管阈值电压的方法
US9875690B2 (en) Pixel circuit, display substrate and display panel
EP2887344B1 (en) Touch control display driving circuit, driving method thereof and display device
JP5107824B2 (ja) 表示装置およびその駆動制御方法
US9576525B2 (en) AMOLED pixel unit, method for driving the same, and display device
JP6084616B2 (ja) Ｏｌｅｄ画素構造及び駆動方法
US10032415B2 (en) Pixel circuit and driving method thereof, display device
JP5183336B2 (ja) 表示装置
US20170186782A1 (en) Pixel circuit of active-matrix light-emitting diode and display panel having the same
KR101576405B1 (ko) 외부 보상 감지 회로와 그 감지 방법 및 디스플레이 디바이스
WO2016011719A1 (zh) 像素驱动电路、驱动方法、阵列基板及显示装置
WO2015180344A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、有机发光显示面板及显示装置
US20150243203A1 (en) Display Having Selective Portions Driven with Adjustable Refresh Rate and Method of Driving the Same
WO2015188468A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、有机发光显示面板及显示装置
WO2015188533A1 (zh) 像素驱动电路、驱动方法、阵列基板及显示装置
WO2015188532A1 (zh) 像素驱动电路、驱动方法、阵列基板及显示装置
JP2016522434A (ja) 外部補償誘導回路及びその誘導方法、表示装置
JP2009265459A (ja) 画素回路および表示装置
CN105280141A (zh) 一种oled显示像素电路及驱动方法
WO2016078282A1 (zh) 像素单元驱动电路和方法、像素单元和显示装置
JP2010066331A (ja) 表示装置
JP2015004841A (ja) 画素回路及びその駆動方法
JP2010026209A (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160613

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170307

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170317

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170619

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6262845

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250