CN113160752A - 像素电路及其驱动方法、显示设备 - Google Patents

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张立文
褚洪振
魏宁
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Abstract

本发明公开了一种像素电路及其驱动方法、显示设备。其中，像素电路包括：驱动晶体管、储能电容、发光器件和补偿晶体管，储能电容用于存储电源电压和数据电压，驱动晶体管基于储能电容存储的电压驱动发光器件发光，驱动晶体管包括控制端、第一端和第二端，驱动晶体管的控制端连接储能电容的一个极板，驱动晶体管的第一端用于接收电源电压，驱动晶体管的第二端连接发光器件；补偿晶体管设置在驱动晶体管的控制端与驱动控制器的第一端之间；补偿晶体管被配置为基于第一时序控制信号控制驱动晶体管的控制端的电压变化，以对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。

Description

像素电路及其驱动方法、显示设备
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路及其驱动方法、显示设备。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示具有对比度高、视角宽、响应时间快、刷新率高、尺寸薄、分辨率高、功耗低等优点，基于非晶态铟镓氧化锌(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵(AM)OLED显示是新一代OLED显示技术的热点。
但是，TFT工作时，处于电应力下，长时间受电应力的影响，TFT的阈值电压和迁移率会发生变化，导致驱动OLED的电流发生变化，OLED发光不均匀。
因此，需要一种新的像素电路，来解决上述问题。
发明内容
为此，本发明提供了一种像素电路及其驱动方法、显示设备和电子设备，以力图解决或至少缓解上面存在的至少一个问题。
根据本发明的一个方面，提供了一种像素电路，包括驱动晶体管、储能电容、发光器件和补偿晶体管，储能电容用于存储电源电压和数据电压，驱动晶体管基于储能电容存储的电压驱动发光器件发光，驱动晶体管包括控制端、第一端和第二端，驱动晶体管的控制端连接储能电容的一个极板，驱动晶体管的第一端用于接收电源电压，驱动晶体管的第二端连接发光器件，补偿晶体管设置在驱动晶体管的控制端与驱动控制器的第一端之间，其中，补偿晶体管被配置为基于第一时序控制信号控制驱动晶体管的控制端的电压变化，以对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。
可选地，在根据本发明的像素电路中，补偿晶体管包括：控制端、第一端和第二端，其中，补偿晶体管的控制端用于接收第一时序控制信号，补偿晶体管的第一端连接驱动晶体管的第一端，补偿晶体管的第二端连接驱动晶体管的控制端。
可选地，在根据本发明的像素电路中，还包括：数据电压晶体管，包括控制端、第一端和第二端；数据电压晶体管的控制端用于接收第二时序控制信号，数据电压晶体管的第一端用于接收数据电压，数据电压晶体管的第二端连接驱动晶体管的第二端；其中，数据电压晶体管被配置为基于第二时序控制信号控制数据电压的输入。
可选地，在根据本发明的像素电路中，还包括：发光晶体管，包括控制端、第一端和第二端；发光器件包括阳极和阴极，发光晶体管的控制端用于接收第三时序控制信号，发光晶体管的第一端连接驱动晶体管的第二端，发光晶体管的第二端连接发光器件的阳极，其中，发光晶体管被配置为基于第三时序控制信号控制驱动晶体管与发光器件之间的电信连接。
可选地，在根据本发明的像素电路中，还包括：发光晶体管，包括控制端、第一端和第二端，发光器件包括阳极和阴极，发光晶体管的控制端用于接收第三时序控制信号，发光晶体管的第一端连接驱动晶体管的第二端，发光晶体管的第二端连接发光器件的阴极；发光晶体管被配置为基于第三时序控制信号控制驱动晶体管与发光器件之间的电信连接。
可选地，在根据本发明的像素电路中，还包括：电源电压晶体管，包括控制端、第一端和第二端，电源电压晶体管的控制端用于接收第四时序控制信号，电源电压晶体管的第一端用于接收电源电压，电源电压晶体管的第二端连接驱动晶体管的第一端；其中，电源电压晶体管被配置为基于第四时序控制信号控制电源电压的输入。
可选地，在根据本发明的像素电路中，发光晶体管的第二端还用于接收数据电压。
可选地，在根据本发明的像素电路中，还包括：数据电压晶体管和导通晶体管，数据电压晶体管包括控制端、第一端和第二端，导通晶体管包括控制端、第一端和第二端，数据电压晶体管的控制端用于接收第二时序控制信号，数据电压晶体管的第一端用于接收数据电压，数据电压晶体管的第二端连接储能电容的另一极板，导通晶体管的控制端用于接收第五时序控制信号，导通晶体管的第一端连接储能电容的另一极板，导通晶体管的第二端连接驱动晶体管的第二端，其中，数据电压晶体管被配置为基于第二时序控制信号控制数据电压的输入，导通晶体管被配置为基于第五时序控制信号控制储能电容与驱动晶体管之间的电信连接。
根据本发明的又一方面，提供了一种像素电路的驱动方法，适于驱动前述的像素电路，该驱动方法包括：
电源电压对储能电容进行电源电压充电，使得驱动控制器的控制端具有第一电压；
停止电源电压充电，并基于第一时序控制信号导通补偿晶体管，来驱动晶体管在第一电压的作用下导通，存储电容在驱动晶体管的作用下进行放电，直至驱动晶体管再次关闭，以使得第一电压等于驱动晶体管的阈值电压；
数据电压对储能电容进行数据电压充电，使得第一电压等于驱动晶体管的阈值电压与数据电压之和，驱动晶体管再次导通，储能电容驱动晶体管的作用下再次放电某一预设时间；
基于第一时序控制信号关闭补偿晶体管，并将电源电压输入驱动晶体管，以便驱动晶体管基于经过某一预设时间放电后的第一电压值驱动发光器件发光。
根据本发明的又一方面，提供了一种显示设备，包括一个或多个前述提到的像素电路和时序控制器；
其中，所述时序控制器用于生成时序控制信号。
根据本发明提供的技术方案，在像素电路中增加一个补偿晶体管，并通过第一时序控制信号控制补偿晶体管，实现对驱动晶体管TD的栅极电压的补偿，进而实现同时补偿驱动晶体管TD阈值电压和迁移率的目的。该像素电路仅包含一个电容、电路结构简单，像素电路的尺寸小，更适用于高分辨率显示设备。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
为了实现上述以及相关目的，本文结合下面的描述和附图来描述某些说明性方面，这些方面指示了可以实践本文所公开的原理的各种方式，并且所有方面及其等效方面旨在落入所要求保护的主题的范围内。通过结合附图阅读下面的详细描述，本公开的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显。遍及本公开，相同的附图标记通常指代相同的部件或元素。
图1示出了现有技术中一种像素电路结构图；
图2示出了根据本发明一个实施例提供的像素电路结构图；
图3示出了根据本发明一个实施例提供的基于像素电路的时序控制图；
图4示出了根据本发明一个实施例的时序控制图下的驱动晶体管TD的栅极电压在各阶段的瞬态仿真图；
图5示出了根据本发明一个实施例的不同数据电压下，当驱动晶体管TD阈值电压变化±0.5V时，OLED的驱动电流的瞬态仿真以及电流的错误率；
图6示出了根据本发明一个实施例的不同数据电压下，驱动晶体管TD的迁移率μ变化±30％时，OLED的驱动电流的瞬态仿真以及电流的错误率；
图7示出了根据本发明一个实施例的发光晶体管T3在像素电路中的连接关系图；
图8示出了根据本发明一个实施例的发光晶体管T3在像素电路中的连接关系图；
图9示出了根据本发明一个实施例的电源电压晶体管T4在像素电路中的连接关系图；
图10示出了根据本发明另一个实施例提供的像素电路结构图；
图11示出了根据本发明再一个实施例提供的像素电路结构图；
图12示出了根据本发明另一个实施例提供的基于像素电路的时序控制图；以及
图13示出了根据本发明再一个实施例的像素电路驱动方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
以下术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含的包括一个或更多个该特征。在本发明的实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。此外，如在本发明书和所附的权利要求书中所使用的单数形式“一”和“该”也可以包括复数个指示物，除非所述内容明确说明并非如此。在本发明实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如，描写一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或存在电接触。又如，描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有物理接触或存在电信号通路，例如两个部件之间通过信号线导通，或者两个部件之间存在其他的电学原件或者电路，但两个部件通过其他电学元件之间存在信号通路。然而，术语“耦接”或“通信耦合”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
本文中，“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放或包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
本发明各实施例中的晶体管可以是任何结构的晶体管，比如双极型晶体管(BJT)或者场效应晶体管(FET)。当晶体管为双极型晶体管时，其控制端定义为双极型晶体管的基极，第一端可以定义为双极型晶体管的集电极或发射极，对应的第二端可以定义为双极型晶体管的发射极或集电极，在实际应用过程中，“发射极”和“集电极”可以依据信号流向而互换。当晶体管为场效应晶体管时，其控制端定义场效应晶体管的栅极，第一端可以定义为场效应晶体管的漏极或源极，对应的第二端可以定义为场效应晶体管的源极或漏极，在实际应用过程中，“源极”和“漏极”可以依据信号流向而互换。显示设备中的晶体管通常为薄膜晶体管(TFT)，是一种场效应晶体管。对于晶体管控制端、第一端和第二端的定义具体可以以电路工作时实现的电路功能来确定。
发光器件可以指有机发光二极管、无机发光二极管、量子点发光二极管等。发光器件的第一端可以定义为阳极或阴极，对应的第二端可以定义为阴极或阳极。对于发光器件的第一极和第二极的定义具体可以以电路工作时实现的电路功能来确定。
下面实施例中，晶体管和发光无件分别以N沟道a—IGZO TFT和OLED(有机发光二极管，Organic Light—Emitting Diode)为例进行说明。
图1示出现有技术中的一种像素电路，该像素电路由两个TFT晶体管，T、TD和一个电容C构成，其中，T是开关管、TD是驱动晶体管、C是存储电容。在初始阶段，扫描线控制开关管T打开，数据电压存储在存储电容C中；在发光阶段，扫描线控制开关管T断开，存储在存储电容C中的数据电压维持驱动晶体管TD导通，导通电流使OLED发光，导通电流的大小为IOLED＝k(Vgs-Vth)2，其中，k是驱动晶体管TD电流放大系数，k＝μ*COX*(W/L)，其中，μ为驱动晶体管TD的载流子迁移率，COX为驱动晶体管TD的栅极绝缘层电容，W和L分别为驱动晶体管TD的沟道宽度和长度。Vgs是驱动晶体管T2的栅源电压(栅极与源极之间的电压)，Vth是驱动晶体管TD的阈值电压。驱动晶体管TD在工作时，处于电应力下，长时间受电应力的影响，驱动晶体管TD的阈值电压和迁移率会发生变化，而导致驱动OLED的电流发生变化，使得OLED发光不均匀。
为解决上述存在的问题，本发明的一个实施例提供了一种像素电路，如图2所示，该像素电路包括：驱动晶体管TD、储能电容C、发光器件OLED、补偿晶体管T1以及数据电压晶体管T2，
其中，驱动晶体管TD的控制端栅极分别连接储能电容C的一个极板和补偿晶体管T1的源极，驱动晶体管TD的漏极分别连接外部电源输入端VDD和补偿晶体管T1的漏极，驱动晶体管TD的源极连接发光器件OLED的阳极，储能电容C的另一个极板和发光器件OLED的阴极均接地，数据电压晶体管T2的漏极连接数据信号端Vdate，数据电压晶体管T2的源极连接在驱动晶体管TD的源极和发光器件OLED的阳极之间，补偿晶体管T1的栅极连接扫描线Scan1，用于接收与补偿相关的第一时序控制信号，数据电压晶体管T2的栅极连接扫描线Scna2，用于接收与数据电压相关的第二时序控制信号。
需要说明的是，晶体管TD、T1和T2的源极和漏极仅仅起到信号导通的作用，将源极和漏极的位置进行调换后并不会影响晶体管TD或T1的使用，例如，该实施例中各器件连接关系也可描述为，驱动晶体管TD的栅极分别连接储能电容C的一个极板和补偿晶体管T1的漏极，驱动晶体管TD的漏极分别连接外部电源输入端VDD和补偿晶体管T1的源极，驱动晶体管TD的源极连接发光器件OLED的阳极，储能电容C的另一个极板和发光器件OLED的阴极均接地，数据电压晶体管T2的漏极连接数据信号端Vdate，数据电压晶体管T2的源极连接在驱动晶体管TD的源极和发光器件OLED的阳极之间，补偿晶体管T1的栅极连接扫描线Scan1，用于接收与补偿相关的第一时序控制信号，数据电压晶体管T2的栅极连接扫描线Scan2，用于接收与数据电压相关的第二时序控制信号。本申请的实施例对此不做限定。
在一个具体示例中，结合图3，图3示出本实施例提供的像素电路的时序控制图，为方便理解与叙述，以下将本实施例提供的像素电路的工作过程分为初始阶段(图3中S1部分)、阈值电压获取阶段(图3中S2部分)、补偿阶段(图3中S3部分)和发光阶段(图3中S4部分)，基于该对像素电容的工作过程的划分原则对该像素电路的工作原理进行如下阐述：
在初始阶段，外部电源输入端VDD输入电源电压、扫描线Scan1接收高电平，扫描线Scan2接收低电平，补偿晶体管T1导通，数据电压晶体管T2关闭，电源电压对储能电容C进行预充电，使得驱动晶体管的栅极电压(图2中a点)被初始化为特定值；
阈值电压获取阶段，停止外部电源供电，扫描线Scan1继续接收高电平，扫描线Scan2接收高电平，补偿晶体管T1导通，数据电压晶体管T2导通，此时，驱动晶体管TD的源极电压(图2中c点)等于数据电压Vdate，由于驱动晶体管TD的栅极、漏极通过补偿晶体管T1直接连接，驱动晶体管TD可等同于二极管连接结构。储能电容C通过驱动晶体管TD、补偿晶体管T1及数据电压晶体管T2形成的支路进行放电，使得驱动晶体管TD的栅极电压逐渐降低，直到驱动晶体管TD达到临界饱和状态(即驱动晶体管TD由导通转换为关闭)，则驱动晶体管TD的栅极电压、源极电压和阈值电压存在以下关系：
Va-Vc＝VTH (1)
其中，Va为驱动晶体管TD的栅极电压，Vc驱动晶体管TD的源极电压，VTH为驱动晶体管TD的阈值电压。
已知Vc等于Vdate，所以：
Va＝Vdate+VTH (2)
补偿阶段，扫描线Scan1在t0时刻之前继续接收高电平，在t0时刻之后接受低电平，扫描线Scan2接收高电平，但停止数据电压的输入，补偿晶体管在t0时刻之前导通，在t0时刻之后断开，数据电压晶体管T2导通。此时，在t0时刻下Va仍等于Vdate+VTH。
在t0时刻之后，由于补偿晶体管T1与数据电压晶体管T2导通，但是没有数据电压输入，所以在驱动晶体管TD的源极电压Vc＝Vref＝0。使得Va-Vc＞VTH，驱动晶体管TD不再处于临界饱和状态，驱动晶体管TD则继续导通，储能电容C继续放电，驱动晶体管TD的栅极电压在t0时刻之后的时间内逐渐减小了△Va，因此，在补偿阶段结束时，驱动晶体管TD的栅极电压为：
Va＝Vdate+VTH-△Va (3)
发光阶段，外部电源输入端VDD再次输入电源电压，扫描线Scan1接收低电平，扫描线Scan2接收低电平，补偿晶体管T1关闭，数据电压晶体管T2关闭，电源电压VDD使得驱动晶体管TD工作在饱和区，驱动晶体管TD为发光器件OLED提供的驱动电流为：
IOLED＝(1/2)k(Vgs-Vth)2 (4)
Vgs是驱动晶体管TD的栅源电压(栅极与源极之间的电压)，即a点电位与c点电位之间的差值。
a点电位保持不变，Va＝Vdate+VTH-△Va。
c点电位与发光器件OLED的阳极连接，故，Vc＝VOLED。
因此，Vgs＝Va-Vc＝Vdate+VTH-△Va-VOLED。
结合上述公式可知，驱动晶体管TD为发光器件OLED提供的驱动电流为：
IOLED＝(1/2)k(Vdate+VTH-△Va-VOLED-Vth)2 ＝(1/2)k(Vdate-△Va-VOLED)2 (5)
由公式(5)可知，流经发光器件OLED的电流只与数据电压Vdate、驱动晶体管TD栅极电压变量△Va、发光器件OLED的驱动电压VOLED及驱动晶体管TD电流放大系数相关，与驱动晶体管TD的阈值电压无关，即驱动晶体管TD的阈值电压发生漂移后不会对驱动OLED的电流产生影响，实现了对驱动晶体管TD的阈值电压的漂移进行了补偿的目的。
另外，驱动晶体管TD的迁移率μ与电压变量△Va成正相关，因此，能有效抵消迁移率μ对驱动OLED的电流的影响，从而实现对驱动晶体管TD的迁移率进行补偿的目的。
图4示出采用本实施例提供的像素电路，驱动晶体管TD的阈值电压变化±0.5V时，在图3的时序控制下，测得驱动晶体管TD的栅极电压在各个阶段的瞬态防仿真图。由图4可知，当驱动晶体管TD的阈值电压变化±0.5V时，瞬态波形表明A点电位(驱动晶体管TD的栅极电压)跟随变化了+0.54V以及-0.54V，这和理论上的变化±0.5V相似。
图5为不同数据电压Vdate下，当驱动晶体管TD阈值电压变化±0.5V时，发光器件OLED的驱动电流的瞬态仿真以及电流的错误率。由图8可知，当驱动晶体管TD阈值电压改变±0.5V时，其驱动电流基本不发生变化，且其错误率低于2％。所以，本实施例的像素电路结构能对驱动晶体管TD阈值电压的变化进行补偿，且补偿效果非常好。
图6为不同数据电压Vdate下，当驱动晶体管TD迁移率μ变化±30％时，OLED的驱动电流的瞬态仿真以及电流的错误率。由图6可知，当驱动晶体管TD迁移率μ变化±30％时，驱动电流的改变非常小，且其错误率低于8％。由此可证，本发明的像素电路结构及其驱动方法能很好的对驱动晶体管迁移率μ的变化进行补偿。
需要说明的是，本实施例中将像素电路的工作过程划分为上述四个阶段只是基于本像素电路最基本的功能得出的，对于不同的技术人员，也可能根据不同的主观理解划分为其他不同的工作阶段，因此，上述像素电路的工作过程的划分原则不应形成对本发明的限定。
本实施例提供的像素电路，在电路中增加了一个补偿晶体管，并通过第一时序控制信号控制补偿晶体管，实现对驱动晶体管TD的栅极电压的补偿，进而实现同时补偿驱动晶体管TD阈值电压和迁移率的目的。该像素电路仅包含一个电容、电路结构简单，像素电路的尺寸小，更适用于高分辨率显示设备。
另外，为防止发光器件OLED在非发光阶段(初始阶段、阈值电压获取阶段和补偿阶段)的漏光，在一些实施例中，该像素电路还包括控制驱动晶体管TD与发光器件OLED之间电信连接的发光晶体管T3。
具体的，如图7所示，该发光晶体管T3的栅极连接扫描线Scan3，用于接收与控制驱动晶体管TD与发光器件OLED之间电信连接相关的第三时序控制信号，该发光晶体管T3的源极接发光器件的阳极，该发光晶体管T3的漏极接驱动晶体管TD的源极。
需要说明的是，发光晶体管T3的源极与漏极可相互调换，本实施例对此不作限定。
继续前述示例，对于该发光晶体管T3而言，扫描线Scan3在初始阶段、阈值电压获取阶段及补偿阶段均接收低电平，发光晶体管T3关闭，使得，发光器件OLED在初始阶段、阈值电压获取阶段及补偿阶段与驱动晶体管TD之间断开，避免发光器件OLED在非发光阶段漏光。在发光阶段，扫描线Scan3接收高电平，发光晶体管T3导通，发光器件OLED与驱动晶体管TD之间导通。
当然，发光晶体管T3在该像素电路中并不仅限与以上一种连接方式，例如，如图8所示，该发光晶体管T3的栅极连接扫描线Scan3，用于接收与控制驱动晶体管TD与发光器件OLED之间电信连接相关的第三时序控制信号，该发光晶体管T3的源极接发光器件OLED的阳极，该发光晶体管T3的漏极接发光器件OLED的阴极。
与上述连接方式不同的是，对于该发光晶体管T3而言，扫描线Scan3在初始阶段、阈值电压获取阶段及补偿阶段均接收高电平，发光晶体管T3导通，使得发光器件OLED在初始阶段、阈值电压获取阶段及补偿阶段短路，与驱动晶体管TD之间断开，避免发光器件OLED在非发光阶段漏光。在发光阶段，扫描线Scan3接收低电平，发光晶体管T3关闭，发光器件OLED与驱动晶体管TD之间导通。
本实施例通过设置发光晶体管T3，使OLED在发光阶段发光，在非发光阶段不发光，提高了显示对比度，增加了OLED寿命。
另外，为实现对电源电压的有序控制，在一些实施例中，如图9所示，该像素电路还包括电源电压晶体管T4，该电源电压晶体管T4的栅极连接扫描线Scan4，用于接收与电源电压相关的第四时序控制信号，电源电压晶体管T4的漏极接电源电压输入端，电源电压晶体管T4的源极接驱动晶体管TD的漏极。
结合前述示例，该电源电压晶体管T4在像素电路需要输入电源电压时导通，即在初始阶段和发光阶段，扫描线Scan4接收高电平，电源电压晶体管T4导通，使得电源电压进入像素电路；在阈值电压获取阶段和补偿阶段，扫描线Scan4接收低电平，电源电压晶体管T4关闭，使得电源电压无法进入像素电路。
本申请的另一个实施例提供了一种像素电路，如图10所示，该实施例提供的像素电路包括：驱动晶体管TD、储能电容C、发光器件OLED、补偿晶体管T1和发光晶体管T3，
与前述实施例提供的像素电路不同之处在于，发光器件OLED的阴极不再接地，而是采用VSS端取代了发光器件的接地端，并将数据电压Vdate作为VSS的一部分时序输出电路，在此实施例中，发光晶体管T3除了控制驱动晶体管TD与发光器件OLED之间的电信连接之外，还起到控制数据电压输入的作用。
该实施例提供的像素电路与前述实施例提供的像素电路的工作原理与工作流程相似，相关之处不再赘述。
该实施例提供的像素电路较之前述实施例的像素电路，删除了数据电压晶体管T2，简化了电路结构，减低生产成本。
本申请的另一个实施例提供了一种像素电路，如图11所示，该实施例提供的像素电路包括：驱动晶体管TD、储能电容C、发光器件OLED、补偿晶体管T1、数据电压晶体管T2、发光晶体管T3和导通晶体管T5。
其中，驱动晶体管TD的栅极分别连接储能电容C的一个极板和补偿晶体管T1的源极，驱动晶体管TD的漏极分别连接外部电源输入端VDD和补偿晶体管T1的漏极，驱动晶体管TD的源极连接发光器件OLED的阳极，数据电压晶体管T2的漏极连接数据信号端Vdate，数据电压晶体管T2的源极连接储能电容C的另一个极板上，且该极板还连接导通晶体管T4的漏极，导通晶体管T4的源极与所述驱动晶体管TD的源极连接，发光器件OLED的阴极接地，发光晶体管T3的源极接发光器件OLED的阳极，该发光晶体管T3的漏极接发光器件OLED的阴极，补偿晶体管T1的栅极连接扫描线Scan1，用于接收与补偿相关的第一时序控制信号，数据电压晶体管T2的栅极连接扫描线Scna2，用于接收与数据电压相关的第二时序控制信号，发光晶体管T3的栅极连接扫描线Scan3，用于接收与控制驱动晶体管TD与发光器件OLED之间电信连接相关的第三时序控制信号，导通晶体管T5的栅极连接扫描线Scan5，用于接收与导通相关的第五时序控制信号。
在一个具体示例中，结合图12，图12示出本实施例提供的像素电路的时序控制图，同理，本实施例提供的像素电路的工作过程也分为初始阶段(图11中S1部分)、阈值电压获取阶段(图11中S2部分)、补偿阶段(图11中S3部分)和发光阶段(图11中S4部分)，基于该对像素电容的工作过程的划分原则对该像素电路的工作原理进行如下阐述：
在初始阶段，外部电源输入端VDD输入电源电压、扫描线Scan1接收高电平，扫描线Scan2接收高电平，扫描线Scan3接收高电平，扫描线Scan5接收低电平，补偿晶体管T1、数据电压晶体管T2、发光晶体管T3均导通，导通晶体管T5断开，值得注意的是，在此阶段，虽然数据电压晶体管T2处于导通状态，但是数据电压为0，电源电压对储能电容C进行预充电，使得驱动晶体管的栅极电压(图11中a点)被初始化为特定值；
阈值电压获取阶段，外部电源输入端VDD输入电源电压、扫描线Scan1接收高电平，扫描线Scan2接收高电平，扫描线Scan3接收高电平，扫描线Scan5接收低电平，补偿晶体管T1、数据电压晶体管T2、发光晶体管T3均导通，导通晶体管T5断开，此时，数据电压端输入较低数据电压Vdate-l，此时，驱动晶体管TD的源极电压(图11中c点)接地，等于0，由于驱动晶体管TD的栅极、漏极通过补偿晶体管T1直接连接，驱动晶体管TD可等同于二极管连接结构。储能电容C通过驱动晶体管TD、补偿晶体管T1及数据电压晶体管T2形成的支路进行放电，使得驱动晶体管TD的栅极电压逐渐降低，直到驱动晶体管TD达到临界饱和状态(即驱动晶体管TD由导通转换为关闭)，则驱动晶体管TD的栅极电压、源极电压和阈值电压存在以下关系：
Va-Vc＝VTH
由于，c点接地，Vc＝0，所以：
Va＝VTH
补偿阶段，扫描线Scan1在t0时刻之前继续接收高电平，在t0时刻之后接受低电平，扫描线Scan2接收高电平，扫描线Scan3接收高电平，扫描线Scan5接收低电平，数据电压端输入较高数据电压Vdate-h，补偿晶体管在t0时刻之前导通，在t0时刻之后断开，数据电压晶体管T2导通，发光晶体管T3导通，导通晶体管T3断开，由于数据电压由较低的Vdate-l跳转为较高的Vdate-h，可知在t0时刻下，Va＝Vdate-h-Vdate-l+VTH。
在t0时刻之后，由于Va-Vc＞VTH，使得驱动晶体管TD不再处于临界饱和状态，驱动晶体管TD则继续导通，储能电容C继续放电，驱动晶体管TD的栅极电压在t0时刻之后的时间内逐渐减小了△Va，因此，在补偿阶段结束时，驱动晶体管TD的栅极电压为：
Va＝Vdate-h-Vdate-l+VTH-△Va
发光阶段，外部电源输入端VDD再次输入电源电压，扫描线Scan1接收低电平，扫描线Scan2接收低电平，扫描线Scan3接收低电平，扫描线Scan5接收高电平，补偿晶体管T1、数据电压晶体管T2、发光晶体管T3均断开，导通晶体管T5导通，储能电容C的极板直接连接到驱动晶体管TD的源极，此时，驱动晶体管TD的栅源电压为：
Vgs＝Va-Vc＝Vdate-h-Vdate-l+VTH-△Va
最终求得发光器件OLED的驱动电流为：
IOLED＝(1/2)k(Vdate-h-Vdate-l-△Va)2
由此可知，该实施例对像素电路的补偿效果与前述实施例一致。
本申请的再一个实施例提供了一种像素电路的驱动方法，如图13所示，该驱动方法包括：
S10、电源电压对储能电容进行电源电压充电，使得驱动控制器的控制端具有第一电压；
S20、停止电源电压充电，并基于第一时序控制信号导通补偿晶体管，来驱动晶体管在第一电压的作用下导通，存储电容在驱动晶体管的作用下进行放电，直至驱动晶体管再次关闭，以使得第一电压等于驱动晶体管的阈值电压；
S30、数据电压对储能电容进行数据电压充电，使得第一电压等于驱动晶体管的阈值电压与数据电压之和，驱动晶体管再次导通，储能电容驱动晶体管的作用下再次放电某一预设时间；
S40、基于第一时序控制信号关闭补偿晶体管，并将电源电压输入驱动晶体管，以便驱动晶体管基于经过某一预设时间放电后的第一电压值驱动发光器件发光。
需要说明的是，该实施例提供的像素电路的驱动方法与前述任一实施例提供的像素电路的工作原理及流程相同，相关之处不再赘述。
本申请的再一个实施例提供了一种显示设备，该显示设备包括时序控制器和本发明在前提到的像素电路。其中，
时序控制器用于生成预设时序控制信号。
像素电路的工作原理请参见上述实施例。
另外，本实施例提供的显示设备可以应用于电子设备中，例如具有该显示设备的手机、平板电脑、电脑显示器、数字电视等。
尽管根据有限数量的实施例描述了本发明，但是受益于上面的描述，本技术领域内的技术人员明白，在由此描述的本发明的范围内，可以设想其它实施例。此外，应当注意，本说明书中使用的语言主要是为了可读性和教导的目的而选择的，而不是为了解释或者限定本发明的主题而选择的。因此，在不偏离所附权利要求书的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。对于本发明的范围，对本发明所做的公开是说明性的而非限制性的，本发明的范围由所附权利要求书限定。

Claims (10)

1.一种像素电路，包括驱动晶体管、储能电容、发光器件，所述储能电容用于存储电源电压和数据电压，所述驱动晶体管基于所述储能电容存储的电压驱动所述发光器件发光，其特征在于，还包括：补偿晶体管；
所述驱动晶体管包括控制端、第一端和第二端，所述驱动晶体管的控制端连接所述储能电容的一个极板，所述驱动晶体管的第一端用于接收电源电压，所述驱动晶体管的第二端连接所述发光器件；
所述补偿晶体管设置在所述驱动晶体管的控制端与所述驱动控制器的第一端之间；
其中，所述补偿晶体管被配置为基于第一时序控制信号控制所述驱动晶体管的控制端的电压变化，以对所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述补偿晶体管包括：控制端、第一端和第二端；
其中，所述补偿晶体管的控制端用于接收第一时序控制信号，所述补偿晶体管的第一端连接所述驱动晶体管的第一端，所述补偿晶体管的第二端连接所述驱动晶体管的控制端。
3.根据权利要求1或2所述的像素电路，其特征在于，还包括：
数据电压晶体管，包括控制端、第一端和第二端；
所述数据电压晶体管的控制端用于接收第二时序控制信号，所述数据电压晶体管的第一端用于接收数据电压，所述数据电压晶体管的第二端连接所述驱动晶体管的第二端；
其中，所述数据电压晶体管被配置为基于所述第二时序控制信号控制所述数据电压的输入。
4.根据权利要求1或2所述的像素电路，其特征在于，还包括：
发光晶体管，包括控制端、第一端和第二端；
所述发光器件包括阳极和阴极；
所述发光晶体管的控制端用于接收第三时序控制信号，所述发光晶体管的第一端连接所述驱动晶体管的第二端，所述发光晶体管的第二端连接所述发光器件的阳极；
其中，所述发光晶体管被配置为基于所述第三时序控制信号控制所述驱动晶体管与所述发光器件之间的电信连接。
5.根据权利要求1或2所述的像素电路，其特征在于，还包括：
发光晶体管，包括控制端、第一端和第二端；
所述发光器件包括阳极和阴极；
所述发光晶体管的控制端用于接收第三时序控制信号，所述发光晶体管的第一端连接所述驱动晶体管的第二端，所述发光晶体管的第二端连接所述发光器件的阴极；
所述发光晶体管被配置为基于所述第三时序控制信号控制所述驱动晶体管与所述发光器件之间的电信连接。
6.根据权利要求1或2所述的像素电路，其特征在于，还包括：
电源电压晶体管，包括控制端、第一端和第二端；
所述电源电压晶体管的控制端用于接收第四时序控制信号，所述电源电压晶体管的第一端用于接收电源电压，所述电源电压晶体管的第二端连接所述驱动晶体管的第一端；
其中，所述电源电压晶体管被配置为基于所述第四时序控制信号控制所述电源电压的输入。
7.根据权利要求5所述的像素电路，其特征在于，所述发光晶体管的第二端还用于接收数据电压。
8.根据权利要求1或2所述的像素电路，其特征在于，还包括：
数据电压晶体管和导通晶体管；
所述数据电压晶体管包括控制端、第一端和第二端；
所述导通晶体管包括控制端、第一端和第二端；
所述数据电压晶体管的控制端用于接收第二时序控制信号，所述数据电压晶体管的第一端用于接收数据电压，所述数据电压晶体管的第二端连接所述储能电容的另一极板；
所述导通晶体管的控制端用于接收第五时序控制信号，所述导通晶体管的第一端连接所述储能电容的另一极板，所述导通晶体管的第二端连接所述驱动晶体管的第二端；
其中，所述数据电压晶体管被配置为基于所述第二时序控制信号控制所述数据电压的输入，所述导通晶体管被配置为基于所述第五时序控制信号控制所述储能电容与所述驱动晶体管之间的电信连接。
9.一种像素电路的驱动方法，适于驱动如权利要求1-8中任一项所述的像素电路，其特征在于，包括：
电源电压对储能电容进行电源电压充电，使得驱动控制器的控制端具有第一电压；
停止电源电压充电，并基于第一时序控制信号导通补偿晶体管，来驱动晶体管在第一电压的作用下导通，存储电容在驱动晶体管的作用下进行放电，直至驱动晶体管再次关闭，以使得第一电压等于驱动晶体管的阈值电压；
数据电压对储能电容进行数据电压充电，使得第一电压等于驱动晶体管的阈值电压与数据电压之和，驱动晶体管再次导通，储能电容驱动晶体管的作用下再次放电某一预设时间；
基于第一时序控制信号关闭补偿晶体管，并将电源电压输入驱动晶体管，以便驱动晶体管基于经过某一预设时间放电后的第一电压值驱动发光器件发光。
10.一种显示设备，其特征在于，包括一个或多个如权利要求1至8任一项所述的像素电路和时序控制器；
其中，所述时序控制器用于生成时序控制信号。
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