JP6244307B2 - 表面下欠陥検査用のサンプル作製のためのシステム及び方法 - Google Patents
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Description
本願は、2011年11月29日に提出された米国仮特許出願第61/564,733号の「表面下欠陥検査用の新規なサンプル作製方法」の権利を請求するものであり、その開示を引用により本文書に組み込む。
その他の実施形態、側面、特徴も開示する。
上記開示は、表面下欠陥検査用のサンプル作成のための革新的なシステムおよび方法を提供する。サンプルは半導体ウェハまたはレチクルのサンプルとすることができる。
Claims (16)
- 走査型電子顕微鏡装置を用いる表面下検査用の基板サンプルの作製方法であって、
第1の結果ファイルを試験装置から取得し、前記第1の結果ファイルが前記試験装置によって製造される素子で検出される欠陥位置を含むことと、
前記第1の結果ファイルに示される位置で欠陥を再検出することと、
前記欠陥位置をマーキング点でマーキングするに当たり、明暗交互のマーキング領域を形成し、明領域を明多角形領域とするとともに暗領域を暗多角形領域とし、その多角形の頂点を前記マーキング点の中心位置とするマーキングを行うことと、
前記素子の設計データを有する設計ファイルを受け取ることと、
前記素子の設計データに対する前記欠陥位置を判定することと、
前記素子の設計データを用いて少なくとも部分的に自動化された方法で切断位置および切断角度を確定することと、
前記第1の結果ファイルを修正して、前記切断位置および前記切断角度を含む第2の結果ファイルを生成することと、
を備える方法。 - 集束イオンビーム装置を使用することと、前記切断位置および前記切断角度で切断を実行することと、をさらに備える請求項1の方法。
- 前記基板を移送して、前記走査型電子顕微鏡装置から前記集束イオンビーム装置へ前記第2の結果ファイルを通信し、前記走査型電子顕微鏡装置と前記集束イオンビーム装置とが別々のシステムであることと、
前記切断位置および前記切断角度の確定前にダイ隅と位置合わせ部位の位置および画像を用いて、前記集束イオンビーム装置の座標系と前記走査型電子顕微鏡装置の座標系を整合することと、
をさらに備える請求項2の方法。 - 前記走査型電子顕微鏡装置と前記集束イオンビーム装置とが単独システムに一体化される請求項2の方法。
- 前記切断の実行後、前記欠陥画像を撮像し取得することと、
前記欠陥画像を含む第3の結果ファイルを生成することと、
をさらに備える請求項2の方法。 - 透過型電子顕微鏡装置を使用することと、
前記第3の結果ファイルを取得することと、
前記透過型電子顕微鏡装置によって撮像し、前記欠陥の断面画像を取得することと、
をさらに備える請求項5の方法。 - 前記欠陥がアレイに存在し、前記アレイの1隅を含む視野の外に位置する請求項1の方法。
- 前記欠陥が電圧コントラスト欠陥を備える請求項7の方法。
- 表面下検査用サンプルの作製システムであって、
欠陥に関して素子を試験し、表面下検査用の欠陥を選択し、前記選択された欠陥に関するデータを第1の結果ファイルに出力する試験装置と、
前記第1の結果ファイルで示される位置で欠陥を再検出し、再検出された欠陥位置をマーキング点でマーキングするに当たり、明暗交互のマーキング領域を形成し、明領域を明多角形領域とするとともに暗領域を暗多角形領域とし、その多角形の頂点を前記マーキング点の中心位置とするマーキングを行い、前記素子の設計データを有する設計ファイルを受け取り、前記素子の設計データを用いて少なくとも部分的に自動化された方法で切断位置と切断角度を確定し、前記第1の結果ファイルを修正して前記切断位置と前記切断角度を含む第2の結果ファイルを生成する走査型電子顕微鏡装置と、
を備えるシステム。 - 前記欠陥のマークに対して前記切断位置および前記切断角度で切断を実行するように構成される集束イオンビーム装置をさらに備える請求項9のシステム。
- 前記走査型電子顕微鏡装置と前記集束イオンビーム装置とが別々のシステムであり、
前記基板と前記第2の結果ファイルが前記走査型電子顕微鏡装置から前記集束イオンビーム装置に移送され、前記切断位置および前記切断角度の確定前にダイ隅と位置合わせ部位の位置および画像を用いて、前記集束イオンビーム装置の座標系が前記走査型電子顕微鏡装置の座標系と整合される請求項10のシステム。 - 前記走査型電子顕微鏡装置と前記集束イオンビーム装置とが単独装置に一体化される請求項10のシステム。
- 対象基板に検査用欠陥をマーキングする方法であって、
試験装置から第1の結果ファイルを取得し、前記第1の結果ファイルが前記試験装置によって前記対象基板において検出された欠陥の位置を含み、前記検出された欠陥が検査用の欠陥を含むことと、
前記第1の結果ファイルに示される位置で前記検査用欠陥を再検出することと、再検出された欠陥位置をマーキング点でマーキングするに当たり、明暗交互のマーキング領域を形成し、明領域を明多角形領域とするとともに暗領域を暗多角形領域とし、その多角形の頂点を前記マーキング点の中心位置とするマーキングを行うことと、を備える方法。 - 前記個別のマーキング点が幾何学的パターンを備える請求項13の方法。
- 前記マーキングが炭素焼きマーキングと、ガス支援エッチングと、集束イオンビームエッチングとからなる技術群のいずれかの技術によって実行される請求項13の方法。
- 前記マーキングが炭素焼きマーキングと、ガス支援エッチングと、集束イオンビームエッチングとからなる技術群のいずれかの技術によって実行される請求項1の方法。
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