JP2994501B2 - パターン形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、パターン形成方法に係
り、特に半導体装置の製造工程のリソグラフィにおける
レジストパタ−ン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の製造においては、半導
体薄膜等の被加工膜上に微細なパターンを形成し、この
パターンをマスクとして該被加工膜をエッチングする方
法というがとられる。

【０００３】このパターンの形成工程は、通常次のよう
な操作により構成される。

【０００４】すなわち、まず半導体薄膜等の被加工膜上
に樹脂及び感光剤を含む溶液を塗布し、それを乾燥して
レジスト膜（感光性樹脂膜）を形成する。

【０００５】次いで該レジスト膜に対し選択的に光等の
エネルギー線を照射する露光処理を行う。

【０００６】この後、現像処理によって基板上にマスク
パターン（レジストパターン）を形成する。

【０００７】このようなパターン形成に際しては、露光
光に対する感度およびドライエッチング耐性に優れたフ
ェノール系樹脂を用いたレジスト材料が多く用いられ
る。

【０００８】ところで現在、半導体集積回路の集積度は
２〜３年で４倍というスピードで高集積化しているが、
これに伴ない、回路素子のパターンの寸法も年々微細化
し、このため寸法精度の厳密なコントロールが必要にな
ってきている。

【０００９】現在はフェノール系樹脂のレジストとし
て、例えばノボラック樹脂とＯ−キノンジアジド化合物
からなるポジ型レジストがよく用いられるが、高い寸法
精度の要求と感度向上の面から最近では酸の触媒反応を
利用する化学増幅型のレジスト（特にネガ型）への期待
が強くなってきている。この化学増幅型のネガ型レジス
ト材料は、樹脂と架橋剤と酸発生剤（ＰＡＧ：フォトア
シッドジェネレーター）とから構成される。このレジス
トに露光を行うとＰＡＧから酸が発生し、この酸がレジ
スト中を拡散し架橋剤に触媒として作用しこの中に活性
点を作り出す。この活性点を介して樹脂の架橋が進みそ
の結果、架橋された領域は、現像液に対して難溶性とな
ってパターンを形成する。

【００１０】この化学増幅型のネガ型レジストでは、露
光により発生する酸の量が露光量にはあまり依存しない
ので、露光量の小さい部分でも難溶化がある程度進む。
従って、従来のポジ型レジスト材料のように露光量に大
きく依存してパターンが形成されてしまうものと比較す
ると、側壁の垂直性が良く寸法精度のすぐれたパターン
を形成しやすいという利点がある。

【００１１】ところで化学増幅型レジストは、前述した
ように、露光によって発生した酸がレジストマトリック
ス中を拡散して活性点の形成にあずかるが、この拡散速
度をポストエクスポージャベークと呼ばれる露光後の熱
処理が支配している。従ってポストエクスポージャベー
クを厳密に制御することがパターン形成とその寸法制御
に対して極めて重要である。

【００１２】例えば露光からポストエクスポージャベー
クまでの時間を一定に管理することは留意すべき点であ
る。そしてポストエクスポージャベークは温度が高く、
時間が長い程高感度化に働く。

【００１３】しかしながら、熱を用いた工程であるポス
トエクスポージャベークの条件を一定に管理するのは極
めて困難であり、解像力にバラツキが出て微細なパター
ンを精度よく加工するのは困難であった。このように、
特に化学増幅型レジストの場合パターンの線幅制御が困
難であった。

【００１４】また、化学増幅型のネガ型レジスト等のレ
ジストを用いるリソグラフィープロセスには、さらに以
下に述べるような問題がある。

【００１５】その第１はレジスト特性が周辺環境、とり
わけ温度や湿度の影響を受け易く、環境の変化に応じて
レジストパターンの仕上り寸法が変動してしまうという
問題である。

【００１６】また第２は、露光後に行なう加熱処理の際
にレジスト膜の表面近傍に比べて底部の方が架橋反応が
進みやすいため、レジストパターン上部で所望の寸法を
得ようとするとどうしても底部付近のレジストが現像さ
れずに残り、十分な解像度を得ることができないという
問題である。この問題は層間絶縁膜を介して配線間をつ
なぐホールパターンを形成する際に特に深刻となり、化
学増幅型のネガ型レジスト材料でホールパターンを形成
しようとすると、高解像性が期待されるエキシマレーザ
を露光光源に用いたとしてもせいぜい０．５μｍ程度の
解像力しか得られないのが実情である。

【００１７】また、化学増幅型のポジレジストのプロセ
スでは、露光からポストエクスポージャベークまでの経
過時間が長くなるとパターンにひさしを形成し、解像性
が著しく低下するという問題がある。この結果時間はレ
ジストの材料組成にもよるが、ポジレジストの場合、お
おむね１時間以内という短時間であり工程上制御しにく
いファクターとなっていた。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】このように化学増幅型
レジストを用いたパターン形成では、潜像の形成が露光
およびポストエクスポージャベークの２ステップでなさ
れ、特にポストエクスポージャベークが熱という制御し
にくいエネルギーを利用するため、この工程管理が難し
く、感度、解像度にバラツキを生じ高精度パターンを安
定的に得ることができないという問題があった。

【００１９】また、レジスト特性が温度や湿度の影響を
受け易く、環境の変化に応じてレジストパターンの仕上
り寸法が変動する、あるいはレジスト膜の表面近傍に比
べて底部の方が架橋反応が進みやすいため、十分な解像
度を得ることができない等の問題があった。

【００２０】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、安定して高精度のパターンを得ることのできるレジ
ストパターン形成方法を提供することを目的としたもの
である。

【００２１】

【００２２】

【課題を解決するための手段】 そこで、本発明の第１
は、被処理基板上に、光酸発生剤を含有する化学増幅型
の感光性樹脂膜を塗布する感光性樹脂膜塗布工程と、前
記感光性樹脂膜をパターン露光する工程と、加熱に先立
ち前記感光性樹脂膜を水蒸気雰囲気中にさらして加熱す
るかまたは加熱中に前記感光性樹脂膜を水蒸気雰囲気中
にさらして加熱するポストエクスポージャベークを行う
工程と、前記感光性樹脂膜の現像を行い、パターン形成
する現像工程とを含むことを特徴とする。

【００２３】また、本発明の第２は、被処理基板上に、
化学増幅型の感光性樹脂膜を塗布する感光性樹脂膜塗布
工程と、前記感光性樹脂膜をパターン露光する工程と、
加熱に先立ち前記感光性樹脂膜を所定の溶剤蒸気雰囲気
中にさらして加熱するかまたは加熱中に前記感光性樹脂
膜を所定の溶剤蒸気雰囲気中にさらして加熱するポスト
エクスポージャベークを行う工程と、前記感光性樹脂膜
の現像を行い、パターン形成する現像工程とを含むこと
を特徴とする。

【００２４】

【００２５】

【００２６】ここで、基板としてはウェハあるいは該ウ
ェハ上に各種の半導体膜、絶縁膜、もしくは金属膜を被
覆したもの、あるいはマスク基板などを挙げることがで
きる。 また、レジストとしては紫外光、深紫外光、真
空紫外光、Ｘ線、電子線、あるいはイオンビームに感光
する感光性樹脂（特に化学増幅型材料）をあげることが
できる。さらに冷却制御開始時期はポストエクスポージ
ャベーク終了後直ちに行うことが望ましい。これは、時
間放置により自然放冷が進むと、それによる基板の面内
および、基板間の感度のバラツキが生じてしまう恐れが
あるからである。 さらにまた、この基板の冷却に用い
られる冷却材としては、レジストに対して実質的に溶解
又は反応を生じない気体として例えば任意の設定温度の
窒素ガスをあげることができる。さらに熱容量の大きな
制御用プレートに基板を接触もしくは近接させる場合、
プレートを冷却水、フロリナート等の冷媒を用いて所定
温度に冷却保持しておく方法があげられる。

【００２７】本発明の第１によれば、被処理基板上に形
成された光酸発生剤を含有する化学増幅型の感光性樹脂
膜をパターン露光後、ポストエクスポージャベークに先
立ちまたはポストエクスポージャベーク中に、水蒸気雰
囲気にさらすようにしているため、周辺環境の影響を受
けることなく安定した潜像を形成することができる。特
に、周辺環境を受けやすい化学増幅型のレジスト材料を
用いる場合にもこの方法を用いることにより現像後の仕
上がりパターン寸法を常に一定に保つことができる。特
に、化学増幅型レジスト膜を加熱する前、もしくは加熱
している間に水蒸気等の雰囲気中にさらすようにすれ
ば、レジスト膜表面近傍のみで加熱時の架橋反応を促進
することができる。すなわちレジスト膜表面近傍と底部
付近との現像液に対する溶解速度差を小さくすることが
でき、化学増幅型のネガ型レジスト材料を用いた場合に
パターン底部付近のレジストが現像されずに残り、解像
力が思うように上がらないというような問題を解消する
ことができる。

【００２８】また、本発明の第２によれば、化学増幅型
のレジスト膜を加熱する前、もしくは加熱している間に
前記反応容器中で所定の溶剤蒸気例えばアルコール等の
雰囲気中にさらすようにすれば、レジスト膜表面近傍の
みで加熱時の架橋反応を促進することができる。すなわ
ちレジスト膜表面近傍と底部付近との現像液に対する溶
解速度差を小さくすることができ、化学増幅型のネガ型
レジスト材料を用いた場合にパターン底部付近のレジス
トが現像されずに残り、解像力が思うように上がらない
というような問題を解消することができる。さらにポジ
型レジストでは、溶剤蒸気により表面層を処理し、現像
液に対する溶解性を高めることで特有のひさし形状を解
消することができる。

【００２９】

【００３０】

【実施例】以下本発明によるパターン形成方法の実施例
を図面を用いて詳細に説明する。 実施例１ 図１は、本発明のパターン形成方法の実施例を示す工程
断面図である。

【００３１】所定の素子領域の形成されたシリコン基板
１の表面を酸化し、膜厚０．８μｍの酸化シリコン膜２
を形成する。次いでシプレー社製ネガ型レジストＳＡＬ
−６０１ＥＲ７をスピンコートし、８５℃６０秒のホッ
トプレート処理によるプリベークを行い、厚さ０．５μ
ｍのレジスト膜３を形成した。

【００３２】次いで、クリプトン、フッ素、ヘリウムの
混合ガスを用いたエキシマレーザの２４８．４ｎｍの発
振線を用いた縮小投影露光装置により、シリコン基板１
上のレジスト膜３にマスク４を介してパターン露光を行
う。この時のエネルギー強度は５０〜１００ｍＪ／cm²
であった。

【００３３】その直後ホットプレート上で１１０℃で９
０秒のポストエクスポージャベークを行い、このポスト
エクスポージャベーク終了後、１５℃に設定したプレー
ト上に接触させ冷却し、１分後にアルカリ現像液として
シプレー社のメタルフリー現像液ＭＦ−３１２を脱イオ
ン水で１：１に稀釈した現像液（濃度０．２７Ｎ）を用
いて１００秒間浸漬法により現像した。連続して２４枚
処理した時のウェハ間の寸法バラツキを測定したとこ
ろ、極めて精度良く０．４μｍＬ／Ｓパターンを±０．
０２μｍ以下に制御することができた。

【００３４】比較例１ ポストエクスポージャベーク後に１５℃に設定したプレ
ートに接触させず自然放冷させる工程を除き、この工程
以外は実施例１と同様の処理を行って、寸法バラツキを
求めたところ０．４μｍＬ／Ｓパターンで±０．０３μ
ｍと本発明実施例１の結果に較べ寸法精度が大幅に劣っ
ていた。

【００３５】実施例２ 前記実施例では、ポストエクスポージャベーク終了後、
１５℃に設定したプレート上に接触させ冷却するように
したが、この例では低温の窒素ガスを吹きつけ強制的に
冷却させることを特徴とするものである。

【００３６】まず、回転台に載置されたクロムを蒸着し
たガラス基板上にスピン塗布法によって、ＳＡＬ６０１
−ＥＲ７を０．５μｍに塗布し、８５℃で２分間のプリ
ベーク後加速電圧２０ｋＶで電子線を選択的に照射し、
その後１００℃でポストエクスポージャベークした後、
低温の窒素ガスを吹きつけ強制的に冷却させた。

【００３７】この後アルカリ現像液で現像処理を行い、
得られたパターンの面内均一性を調べたところ最大偏差
値が０．１μｍ以下という高精度のパターンを得ること
ができた。

【００３８】比較例２ 比較のために、上記実施例２と同様であるがポストエク
スポージャベーク後の基板冷却を自然放冷させたものに
ついて同様にパターンの面内均一性を調べたところ、最
大偏差値が０．３μｍで実施例２に較べ明らかに劣った
結果となった。 実施例３ 次に本発明の第３の実施例として、水蒸気中でポストエ
クスポージャベークを行う方法について説明する。

【００３９】図２は本発明によるレジストパターンの形
成方法の実施例を示す工程断面図、また図３はホットプ
レートを内蔵し、かつガスの供給および排気機構を備え
た反応容器の断面構造を示す図である。

【００４０】まず、図２(a) に示すように、所定の素子
領域が形成されたシリコン被処理基板１１の表面にＣＶ
Ｄ法を用いて膜厚１２００nmのシリコン酸化膜（層間絶
縁膜）１２を堆積させる。

【００４１】そして、この上にポリーｐ−ヒドロキシス
チレン（ベースポリマー）、光酸発生剤および架橋剤を
含む化学増幅型のネガ型レジストをスピンコートし、ホ
ットプレート上で１００℃、６０秒の加熱処理（プリベ
ーク）を行ない、膜厚１０００nmのレジスト膜１３を形
成した（図２(b) ）。

【００４２】次いでフッ化クリプトンエキシマレーザの
２４８．４ｎｍの発振線１４を光源とする縮小投影露光
装置を用い、このレジスト膜にマスク１５を介してパタ
ーン露光を行なった（図２(c) ）。この時の露光エネル
ギーは３０〜５０ｍＪであった。

【００４３】その後、大気開放状態のホットプレート上
で１２５℃、６０秒の加熱処理（ポストエクスポージャ
ベーク）を行なったもの（従来法）と、図３に示す反応
容器中で水蒸気を流量２リットル／ｍｉｎで通しながら
１２５℃、６０秒の加熱処理（ポストエクスポージャベ
ーク）を行なったもの（本発明の方法）各々を、１．２
ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
中で９０秒間浸漬現像した（図２(d) ）。

【００４４】この反応容器は、ガス導入用継ぎ手部１６
から、シリンダー支持部１８で指示されたシリンダー１
７を介して、チャンバー密閉用カバー１９で覆われた領
域内にガス供給ノズル２０からガスを供給しつつ、ホッ
トプレート２４上に載置した被処理基板２１をポストエ
クスポージャベークするものである。ここで２２は基板
支持部、２３は排気穴、２５は容器内を密閉するための
Ｏリング、２６は排気用継ぎ手部である。

【００４５】図４に、従来法および本発明の方法で加熱
処理を行なった場合のレジストパターン（穴径０．４μ
ｍのホールパターン）の断面形状を示す。図４(b) に示
すように、従来法においてはパターン底部のレジスト１
３が現像されずに残っているのに対して、本発明の方法
においては図４(a) に示すように、パターン底部まで寸
法精度良く穴径０．４μｍのホールパターンが形成され
ている。

【００４６】本発明の方法においては、さらに穴径０．
３５μｍのホールパターンまで解像可能であった。また
この時の最適露光エネルギーは従来法では４０ｍＪ、本
発明の方法では３４ｍＪであった。

【００４７】このように、本発明の方法を用いた化学増
幅型ネガ型レジストのパターニングでは、従来法の時に
比べて解像性が大幅に向上するだけでなく、感度の面で
も高感度化することが可能となる。

【００４８】実施例４ 実施例３では、水蒸気中でポストエクスポージャベーク
を行う方法について説明したが、ここでは反応容器中に
窒素をキャリアガスとするエチルセロソルブアセテート
溶剤蒸気を導入したのちポストエクスポージャベークを
行う方法について説明する。

【００４９】まず、第３の実施例と同様の手法により、
シリコン酸化膜被処理基板の表面に膜厚１０００nmの化
学増幅型のネガ型レジスト膜を形成した。

【００５０】次に、フッ化クリプトンエキシマレーザの
２４８．４ｎｍの発振線を光源とする縮小投影露光装置
を用いて、前記レジスト膜にマスクを介してパターン露
光を行なった。この時の露光エネルギーは３０〜５０ｍ
Ｊであった。

【００５１】次いで前記被処理基板を実施例３で用いた
ものと同様の反応容器中に配置し、この反応容器中に窒
素をキャリアガスとするエチルセロソルブアセテート溶
剤蒸気を室温下、２リットル／ｍｉｎの流量で３０秒間
導入した後、前記反応容器中に内蔵されているホットプ
レート上で１２５℃、６０秒の加熱処理（ポストエクス
ポージャベーク）を行なった。

【００５２】その後前記レジスト膜を１．２ｗｔ％のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で９０秒
間浸漬現像した。

【００５３】この場合にも第３の実施例の時と同様、穴
径０．３５μｍのホールパターンが寸法精度良く形成で
き、従来法の時に比べて解像度が大幅に向上した。

【００５４】実施例５ 次に、本発明の第５の実施例として、化学増幅型ポジ型
レジストにおける”ひさし“除去にエタノールを用いて
行う方法について説明する。

【００５５】まず、化学増幅型ポジ型レジストをシリコ
ン基板上に膜厚１μmとなるように塗布し、９０℃、６
０秒の加熱処理を行った。この後、フッ化クリプトンエ
キシマレーザの２４８．４nmの発振線を光源とする縮小
投影露光装置を用いて、マスクを介してこのレジスト膜
にパターン露光を行った。

【００５６】このときの露光エネルギーは２４ mJ/cm²
であった。

【００５７】次に、前記被処理基板をエタノール雰囲気
にした反応容器の中に６０秒間さらし、次いで大気開放
状態のホットプレート上で９５℃、９０秒の加熱処理
（ポストエクスポージャーベーク）を行ったものを２．
０％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中
で１２０秒間浸漬現像した。

【００５８】この処理を行うことにより、図５にエタノ
ール雰囲気処理として示すように、“ひさし”が除去さ
れ、形状が改善されている。比較のために、未処理のも
のを未処理として示すように“ひさし”が残っている。

【００５９】さらにまた、露光エネルギーについても、
未処理のものに対しては露光エネルギーが３３ mJ/cm²
必要であったのに対し、エタノール処理を行ったもので
は前述したように２４ mJ/cm² ですみ、極めて高感度と
なっていることがわかる。

【００６０】実施例６ この例では、減圧下でポストエクスポージャベークを行
う方法について説明する。

【００６１】まず第３の実施例の時と同様の手法によ
り、シリコン酸化膜被処理基板の表面に膜厚１０００nm
の化学増幅型のポジ型レジスト膜を形成した。

【００６２】次にフッ化クリプトンエキシマレーザの２
４８．４ｎｍの発振線を光源とする縮小投影露光装置を
用いて、前記レジスト膜にマスクを介してパターン露光
を行なった。この時の露光エネルギーは３６ｍＪであっ
た。

【００６３】次いで前記被処理基板を実施例３で用いた
ものと同様の反応容器中に配置し、反応容器内の圧力を
３０Torrに減圧せしめた状態で１００℃、６０秒の加熱
処理（ポストエクスポージャベーク）を行なったもの
（本発明の方法）と、大気開放状態のホットプレート上
で１００℃、６０秒の加熱処理（ポストエクスポージャ
ベーク）を行なったもの（従来法）各々を、２．３８ｔ
％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で
９０秒間浸漬現像した。化学増幅型のポジ型レジストは
ネガ型レジスト以上に周辺環境の影響を受けやすいた
め、ポストエクスポージャベーク時の環境温度ならびに
環境湿度の変動にはとくに留意する必要がある。

【００６４】上述したような処理を温度ならびに湿度が
管理されたクリーンルーム内において、毎日２０回ずつ
７日間継続して行ない、周辺環境の変動がレジストパタ
ーンの仕上がり寸法に及ぼす影響を本発明の方法ならび
に従来法各々について調べた。なおこの７日の間のクリ
ーンルームの温度と湿度の変動量は、温度が設定値２４
℃に対して±０．５℃、湿度が設定値３０％に対して±
２．４％であった。

【００６５】図６に、設計寸法が０．５μｍのホールパ
ターンのレジスト仕上り寸法の平均値とばらつきを各日
付毎にプロットした結果を示す。この図からあきらかな
ように、本発明の方法においては１日当たりの仕上り寸
法のばらつきが±０．０１μｍ程度、また７日間通して
の寸法変動量が０．０２μｍ以下であるのに対して、従
来法においては１日当たりの仕上り寸法のばらつきが±
０．０２μｍ、７日間通しての寸法変動量が０．０４μ
ｍであった。この結果から、本発明の方法によればレジ
ストパターンの寸法制御性が従来法に比べて大幅に向上
することが実証された。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように本発明の第１によれ
ば、ポストエクスポージャベーク後ホトレジスト膜の温
度履歴を該基板の面内で均一かつ基板間で同一となるよ
う制御しながら基板を冷却せしめ、この後現像を行うよ
うにしているため、特に化学増幅型のプロセス上の欠点
であるポストエクスポージャベーク後の処置による感度
変化を克服することができ、結果的に均一で寸法精度の
高いパターンを形成することが可能となる。

【００６７】また、本発明の第２によれば、ポストエク
スポージャベーク前またはポストエクスポージャベーク
中に水蒸気中にさらすようにしているため、周辺環境の
影響を受けやすい化学増幅型のレジスト材料を用いる場
合にも現像後の仕上りパターン寸法を常に一定に保つこ
とが可能となり、また従来法に比べてレジストパターン
の解像性が大幅に向上する。

【００６８】本発明の第３によれば、化学増幅型のレジ
スト膜を加熱する前、もしくは加熱している間に前記反
応容器中で所定の溶剤蒸気例えばアルコール等の雰囲気
中にさらすことにより、本発明の第２と同様、解像性が
大幅に向上する。

【００６９】さらに本発明の第４によれば、このレジス
ト膜のポストエクスポージャー工程を減圧下あるいは不
活性ガス雰囲気下で行なうようにすれば、周辺環境の変
化、とりわけ空気中の水分の影響を極端に排除すること
が可能となり、高解像度を得る事が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるパターン形成方法の実施例を示す
工程断面図である。

【図２】本発明の第３の実施例に係るレジストパターン
の形成方法を示す工程断面図。

【図３】ホットプレートを内蔵し、かつガスの供給およ
び排気機構を備えた反応容器の断面構造を示す図。

【図４】従来法および本発明の方法で加熱処理を行なっ
た場合のレジストパターン（穴径０．４μｍのホールパ
ターン）の断面形状を示す図。

【図５】本発明の第５の実施例の方法で形成されたパタ
ーンと従来の方法で形成されたパターンとの比較図。

【図６】設計寸法が０．５μｍのホールパターンのレジ
スト仕上り寸法の平均値とばらつきを各日付毎にプロッ
トした図

【符号の説明】

１…シリコン基板 ２…酸化シリコン膜 ３…レジスト膜 ４…マスク ３ａ…露光部 １１…シリコン被処理基板 １２…シリコン酸化膜 １３…レジスト膜 １４…エキシマレーザ １５…マスク １６…ガス導入用継ぎ手部 １７…シリンダー １８…シリンダー支持部 １９…チャンバー密閉用カバー ２０…ガス供給ノズル ２２…基板支持部 ２３…排気穴 ２４…ホットプレート ２５…Ｏリング ２６…排気用継ぎ手部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−157223（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−15849（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−86519（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−157225（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−136231（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−127646（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−157527（ＪＰ，Ａ) 特公 平３−47493（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G03F 7/38 G03F 7/038

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板上に、光酸発生剤を含有する
   化学増幅型の感光性樹脂膜を塗布する感光性樹脂膜塗布
   工程と、 前記感光性樹脂膜をパターン露光する工程と、 加熱に先立ち前記感光性樹脂膜を水蒸気雰囲気中にさら
   して加熱するかまたは加熱中に前記感光性樹脂膜を水蒸
   気雰囲気中にさらして加熱するポストエクスポージャベ
   ークを行う工程と、 前記感光性樹脂膜の現像を行い、パターン形成する現像
   工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
2. 【請求項２】 被処理基板上に、化学増幅型の感光性樹
   脂膜を塗布する感光性樹脂膜塗布工程と、 前記感光性樹脂膜をパターン露光する工程と、 加熱に先立ち前記感光性樹脂膜を所定の溶剤蒸気雰囲気
   中にさらして加熱するかまたは加熱中に前記感光性樹脂
   膜を所定の溶剤蒸気雰囲気中にさらして加熱するポスト
   エクスポージャベークを行う工程と、 前記感光性樹脂膜の現像を行い、パターン形成する現像
   工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。