JP6773495B2 - エッチング装置、基板処理装置、エッチング方法および基板処理方法 - Google Patents
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Description
さらに、処理膜に対する有機溶剤の作用を阻害することなく、有機溶剤の揮発を容易に抑制することができる。
また、処理膜上の有機溶剤がリンス液で置換されることにより、処理膜のエッチング処理が停止される。リンス液として純水が用いられるので、装置の複雑化およびコストの増大が抑制される。
また、処理膜に対する有機溶剤の作用を阻害することなく、有機溶剤の揮発を容易に抑制することができる。
さらに、処理膜上の有機溶剤がリンス液で置換されることにより、処理膜のエッチング処理が停止される。リンス液として純水が用いられるので、装置の複雑化およびコストの増大が抑制される。
また、処理膜に対する有機溶剤の作用を阻害することなく、有機溶剤の揮発を容易に抑制することができる。
さらに、処理膜上の有機溶剤がリンス液で置換されることにより、処理膜のエッチング処理が停止される。リンス液として純水が用いられるので、装置の複雑化およびコストの増大が抑制される。
また、処理膜に対する有機溶剤の作用を阻害することなく、有機溶剤の揮発を容易に抑制することができる。
さらに、処理膜上の有機溶剤がリンス液で置換されることにより、処理膜のエッチング処理が停止される。リンス液として純水が用いられるので、装置の複雑化およびコストの増大が抑制される。
図1は本発明の一実施の形態に係るエッチング装置の構成を示す模式的断面図である。図1に示すように、エッチング装置500は、スピンチャック510、ガード515、有機溶剤供給部520および純水供給部530を含む。
図2は図1のエッチング装置500の制御系統の構成を示すブロック図である。図2には、エッチングコントローラ590の機能的な構成が示される。エッチングコントローラ590は、ノズル制御部591、回転制御部592、低揮発液供給制御部593、有機溶剤供給制御部594、リンス液供給制御部595および時間計測部596を含む。図2のエッチングコントローラ590の各部の機能は、CPUが制御プログラムを実行することにより実現される。
図3は後述の熱処理装置300を用いた基板処理方法の一例を示す模式的断面図である。図3(a)〜(d)の工程のうち図3(d)の工程が図1のエッチング装置500により行われる。本例では、微細なホールパターンの形成方法が示される。
図4は、図1のエッチング装置500の動作例を示すタイムチャートである。図4において、横軸は時間を表し、縦軸は、低揮発液、有機溶剤およびリンス液の吐出流量、ならびに基板Wの回転速度を表す。図5は、エッチング装置500の動作について説明するための模式的断面図である。以下、図1、図2、図4および図5を参照しながら図1のエッチング装置500の動作を説明する。
図6は図1のエッチング装置500を備えた基板処理装置の模式的平面図である。図6および図7以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。
基板処理装置100の動作について説明する。まず、インデクサブロック11のキャリア載置部40(図6)に、初期状態(図3(a))の基板Wが収容されたキャリアCが載置される。搬送機構115は、キャリアCから基板載置部PASS1および基板載置部PASS3(図9)に交互に初期状態の基板Wを搬送する。
本実施の形態に係るエッチング装置500においては、基板W上のDSA膜L3に低揮発液が供給された後、DSA膜L3上に低揮発液が残留する状態で、DSA膜L3に有機溶剤が供給される。そのため、DSA膜L3上で有機溶剤が低揮発液と混ざり合う。低揮発液は有機溶剤よりも低い揮発性を有するので、低揮発液によって有機溶剤の揮発が抑制される。それにより、有機溶剤の使用量を抑制しつつDSA膜L3の全体に有機溶剤を均一に供給することができる。したがって、コストの増大を抑制しつつDSA膜L3におけるエッチング処理のばらつきを抑制することができる。
図10は、図1のエッチング装置500の他の動作例について説明するための図である。図10の例について、図4および図5の例と異なる点を説明する。図4および図5の例では、基板W上に低揮発液Q1が供給された後に有機溶剤Q2が供給される。一方、図10の例では、純水ノズル531から基板W上に低揮発液Q1が供給されつつ、有機溶剤ノズル521から基板W上に有機溶剤Q2が供給される。なお、低揮発液Q1の供給期間と有機溶剤Q2の供給期間とが完全に一致していなくてもよい。すなわち、低揮発液Q1の供給の開始時点と有機溶剤Q2の供給の開始時点とが互いにずれていてもよく、あるいは低揮発液Q1の供給の終了時点と有機溶剤Q2の供給の終了時点とが互いにずれていてもよい。また、純水ノズル531および有機溶剤ノズル521の少なくも一方が、基板Wの上方で移動しながら基板W上に低揮発液または有機溶剤を吐出してもよい。
図11は、エッチング装置500の他の構成例を示す模式的断面図である。図11のエッチング装置500について、図1のエッチング装置500と異なる点を説明する。図11のエッチング装置500は、混合部550をさらに含む。有機溶剤ノズル521は、供給管521aを介して混合部550に接続される。混合部550は、供給管521bを介して有機溶剤供給源G1に接続され、かつ供給管521cを介して純水供給源G2に接続される。供給管521bにはバルブV4が介挿され、供給管521cにはバルブV5が介挿される。
上記実施の形態では、共通の純水供給部530により低揮発液およびリンス液として純水が供給されるが、低揮発液を供給する低揮発液供給部とリンス液を供給するリンス液供給部とが別個に設けられてもよい。また、低揮発液およびリンス液として、異なる液体が用いられてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
139 塗布装置
250 露光装置
300 熱処理装置
500 エッチング装置
510 スピンチャック
515 ガード
520 有機溶剤供給部
521 有機溶剤ノズル
522,523 ノズル支持部
524 ノズル駆動部
530 純水供給部
531 純水ノズル
532,533 ノズル支持部
534 ノズル駆動部
590 エッチングコントローラ
591 ノズル制御部
592 回転制御部
593 低揮発液供給制御部
594 有機溶剤供給制御部
595 リンス液供給制御部
596 時間計測部
Claims (9)
- 基板上に形成された誘導自己組織化材料からなる処理膜に有機溶剤によるエッチング処理を行うエッチング装置であって、
純水のみを前記処理膜に供給する純水供給部と、
前記純水供給部により前記処理膜に純水が供給された後、純水が前記処理膜上に残留する状態で前記処理膜に前記有機溶剤を供給する有機溶剤供給部と、
前記有機溶剤供給部による有機溶剤の供給後、有機溶剤が前記処理膜上に残留する状態で前記処理膜にリンス液として純水を供給するリンス液供給部とを備える、エッチング装置。 - 前記処理膜上で前記有機溶剤供給部により供給された有機溶剤が前記純水供給部により供給された純水によって予め定められた濃度範囲に希釈されるように、前記純水供給部による純水の供給量および前記有機溶剤供給部による有機溶剤の供給量がそれぞれ調整される、請求項1記載のエッチング装置。
- 基板上に形成された誘導自己組織化材料からなる処理膜に有機溶剤によるエッチング処理を行うエッチング装置であって、
前記有機溶剤を前記処理膜に供給する有機溶剤供給部と、
前記有機溶剤供給部により前記処理膜に有機溶剤が供給される期間に、純水を前記処理膜に供給する純水供給部と、
前記有機溶剤供給部による有機溶剤の供給後、有機溶剤が前記処理膜上に残留する状態で前記処理膜にリンス液として純水を供給するリンス液供給部とを備える、エッチング装置。 - 前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、メチルアルコール、エチルアルコール、アセトンまたは酢酸を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載のエッチング装置。
- 前記有機溶剤供給部により前記処理膜に有機溶剤が供給される期間に、前記処理膜が形成された基板を保持して回転させる回転保持部をさらに備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載のエッチング装置。
- 基板に誘導自己組織化材料を塗布することにより前記基板上に処理膜を形成する塗布装置と、
前記塗布装置により基板上に形成された処理膜に熱処理を行う熱処理装置と、
前記熱処理装置による熱処理後の処理膜に露光処理を行う露光装置と、
前記露光装置による露光処理後の処理膜にエッチング処理を行う請求項1〜5のいずれか一項に記載のエッチング装置とを備えた、基板処理装置。 - 基板上に形成された誘導自己組織化材料からなる処理膜に有機溶剤によるエッチング処理を行うエッチング方法であって、
純水供給部により純水のみを前記処理膜に供給する工程と、
前記処理膜に純水が供給された後、純水が前記処理膜上に残留する状態で有機溶剤供給部により前記処理膜に前記有機溶剤を供給する工程と、
前記有機溶剤の供給後、有機溶剤が前記処理膜上に残留する状態でリンス液供給部により前記処理膜にリンス液として純水を供給する工程とを含む、エッチング方法。 - 基板上に形成された誘導自己組織化材料からなる処理膜に有機溶剤によるエッチング処理を行うエッチング方法であって、
有機溶剤供給部により前記有機溶剤を前記処理膜に供給する工程と、
前記処理膜に有機溶剤が供給される期間に、純水を純水供給部により前記処理膜に供給する工程と、
前記有機溶剤の供給後、有機溶剤が前記処理膜上に残留する状態でリンス液供給部により前記処理膜にリンス液として純水を供給する工程とを含む、エッチング方法。 - 塗布装置において、基板に誘導自己組織化材料を塗布することにより前記基板上に処理膜を形成する工程と、
熱処理装置において、基板上に形成された処理膜に熱処理を行う工程と、
露光装置において、熱処理後の処理膜に露光処理を行う工程と、
エッチング装置において、露光処理後の処理膜に請求項7または8記載のエッチング方法によりエッチング処理を行う工程とを含む、基板処理方法。
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