JP6197335B2

JP6197335B2 - 非破壊検査の判定装置、判定方法及びプログラム

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Publication number: JP6197335B2
Application number: JP2013073142A
Authority: JP
Inventors: 植野　義則; 義則植野; 達聡中原
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Priority date: 2013-03-29
Filing date: 2013-03-29
Publication date: 2017-09-20
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Description

本発明は、非破壊検査の判定装置、判定方法及びプログラムに関する。

回路を配した基板上に部品を実装すると部品と回路との接合部分が部品で覆われる場合がある。そのため、この接合部分の接合が確実に行われているかどうか検査したい場合に確認が困難となる。部品を実装した後の電子部品の検査方法として、非破壊検査がある。非破壊検査の例として、Ｘ線を用いて電子部品の透視画像を撮影し、電子部品を検査する方法がある。特許文献１は、電子部品の非破壊検査を開示している。

特開２００７−１６３３７５号公報

しかし、近年は、基板両面に部品を実装することが一般化してきている。さらに、電子回路に対する部品の実装の高密度化が進んでいる。そうすると、通常のＸ線を用いた非破壊検査をすると、基板の一面側の回路に配置した回路及び部品と、基板の他面側に配置した回路及び部品とを一つのＸ線画像に同時に撮影することとなる。そのため、一面側の接合部と他面側の接合部が同じ画像に写った場合に、撮影対象となる一面側の接合部の状態が正確に検出できないという課題がある。特許文献１は基板両面に部品を実装する場合については開示していない。

本発明は、電子部品のＸ線検査をした場合でも基板上の部品の実装位置に起因する検出誤差を判定することが可能な、非破壊検査の判定装置、判定方法及びプログラムを提供することを目的とする。

一態様にかかる判定装置は、第１面側において電子部品の電極と第１の回路とが接合部で接合されており、第２面側に第２の回路を備える電子回路基板について、非破壊検査をしたとした場合にその検査結果の信頼度を判定する。そして、前記判定装置は、前記接合部内の観測点から一定角度で前記第２面側に射影される軌跡を演算する軌跡演算部と、前記軌跡と前記第２の回路との重複部分に基づいて前記非破壊検査の評価をする重複判定部と、を備える。

一態様にかかる判定方法は、第１面側において電子部品の電極と第１の回路とが接合部で接合されており、第２面側に第２の回路を備える電子回路基板について、非破壊検査をしたとした場合にその検査結果の信頼度を判定する。そして、前記判定方法は、前記接合部内の観測点から一定角度で前記第２面側に射影される軌跡を演算し、前記軌跡と前記第２の回路との重複部分に基づいて前記非破壊検査の評価をする。

一態様にかかるプログラムは、第１面側において電子部品の電極と第１の回路とが接合部で接合されており、第２面側に第２の回路を備える電子回路基板について、非破壊検査をしたとした場合にその検査結果の信頼度を判定する判定方法をコンピュータに実行させる。そして、前記判定方法は、前記接合部内の観測点から一定角度で前記第２面側に射影される軌跡を演算し、前記軌跡と前記第２の回路との重複部分に基づいて前記非破壊検査の評価をすることを含む。

本発明によると、電子部品のＸ線検査をした場合でも基板上の部品の実装位置に起因する検出誤差を少なくする事が可能な、判定装置、判定方法及びプログラムを提供することができる。

Ｘ線による非破壊検査の例を示した図である。Ｘ線による非破壊検査の他の例を示した図である。ラミノグラフィによるＸ線検査の例を示した図である。ラミノグラフィによるＸ線検査の他の例を示した図である。ラミノグラフィによるＸ線検査の他の例を示した図である。ラミノグラフィによるＸ線検査の他の例を示した図である。本発明の実施の形態１の判定装置２００の構成を示すブロック図である。本発明の実施の形態１の判定装置２００の内部構成を示すブロック図である。基板表面のランドパターンと基板厚を示した図である。判定装置２００がランド２１１のＸ線検査をシミュレーションする様子を示した図である。基板裏面におけるＸ線透過の軌跡を示した図である。判定装置２００により、軌跡ＣＲ１が演算される様子を示した図である。判定装置２００により、軌跡ＣＲ１が演算される様子を示した透視図である。基板裏面のランドパターンを示した図である。基板裏面のＸ線透過の軌跡を２値画像で示した図である。基板裏面のランドパターンを２値画像で示した図である。基板裏面のＸ線の軌跡とランドパターンの重複部を示した図である。重複部分の割合が大きい観測点を示した図である。本実施の形態１にかかる判定装置２００の処理を示したフローチャートである。本実施の形態１の各部の処理を示したフローチャートである。

まず、本発明を想到するまでに検討した事項について説明する。
ＩＣチップの表面実装タイプのパッケージ方法の一種で、ＢＧＡ（Ball Grid Array）がある。ＢＧＡ構造の電子部品は、樹脂製の平面形状を有する本体の裏面に小さいボール状の電極を多数配列した形状を備える。ＢＧＡ構造はこれらのボール状の電極を、半田の表面張力で半球状に形成している。

そして、ＢＧＡ構造の電子部品を用いると、リフロー炉等で加熱してこれらの多数の電極の半田を溶かし、基板上に形成した回路に一度にはんだ付けができる。このＢＧＡ構造の電子部品など、部品の裏面に多数の電極を有する電子部品は、電極と基板との接合部が部品に隠れて外側からは見えない。そのため、これらの部品の接合部分が確実に接合しているかどうか検査するためにＸ線等を用いて非破壊検査が行われている。

図１は、部品１１１を基板１１２に搭載した状態を示している。そして、この基板１１２に形成されたランド（部品１１１の接点と接合するために基板上１１２に設けたはんだ付け用の銅箔で、回路の一部）１１３上のある観測点ＰＦについて、接合部分が確実に接合しているかどうか検査を行う例を示す。検査方法は、Ｘ線源１０１とＸ線を検出する検出器１０２を用いたＸ線による非破壊検査である。ここで、Ｘ線源１０１は、Ｘ線を基板１１２の観測点ＰＦがある面に向けて、垂直方向から照射するように配置する。また、検出器１０２は基板１１２に対してＸ線源１０１と反対側に、かつ検出面を基板１１２の面と平行に配置する。

さらに、Ｘ線源１０１と検出器１０２を結ぶ直線が観測点ＰＦを通るように各々を配置する。Ｘ線源１０１から観測点ＰＦへＸ線を照射すると、Ｘ線はランド１１３及びはんだから成る接合部１１４において吸収される。Ｘ線の吸収率は物質の種類や厚さによって異なる。そして、ランド１１３や接合部１１４のＸ線の吸収率は既知であることから、検出器１０２にて検出されるＸ線量から、観測点ＰＦにおける接合部１１４の形状を得ることが出来る。そして、この結果より接合部分が確実に接合しているかどうか等の非破壊検査をすることができる。

図２に、Ｘ線による非破壊検査を行う例で、図１とは異なる例を示す。このように、Ｘ線源１０１と観測点ＰＦ及び検出器１０２を結ぶ直線と、基板１１２の観測点ＰＦがある面の裏面との交点ＰＲにもランド１２３が存在すると、ランド１２３や、部品１２１が搭載されている場合は接合部１２４でもＸ線が吸収されるため、検出器１０２での検出結果が変化する。この場合、Ｘ線画像に表面と裏面の接合部の画像が同時に写り、検出器１０２での検出結果から算出される、観測点ＰＦにおける接合部１１４の形状に誤差が生じる可能性がある。

現在は、基板両面に部品を実装することが一般化しており、かつ実装の高密度化が進んでいる。そのため、このような問題が生じやすく、接合部の形状が正確に検出できない場合がある。

このような問題に対する方法として、物体の限定した角度方向の投影データで断面画像を得るラミノグラフィによるＸ線検査方法がある。図３及び図４に、ラミノグラフィによる観測点ＰＦの検査例を示す。ただし、説明を簡略化するため、部品及び接合部は図示していない。図３に示すように、ラミノグラフィは、Ｘ線源１０１を基板１１２においてＸ線検査を行う面に対してθだけ傾け、検出器１０２は検出面と基板１１２の面を平行に、かつＸ線源１０１と観測点ＰＦを結ぶ直線の延長上に配置する。

Ｘ線源１０１が放射するＸ線は一定のビーム角を持ち、検出器は一定の幅を持ってＸ線を検出し、一定の幅の画像を出力することができる。そして、検査時は、Ｘ線を基板１１２へ照射すると共に、回転軸１３１に沿ってＸ線源１０１と検出器１０２とを、相対的な位置関係を変えずに回転させる。ただし、出力する画像は回転させない。

回転軸１３１は、基板１１２の面に対して垂直かつ観測点ＰＦを通る線である。ここで、Ｘ線源１０１から照射されて観測点ＰＦを透過するＸ線については、Ｘ線源１０１の位置によらず検出器１０２で検出される位置が同じである。それに対し、点ＰＲを透過するＸ線が検出器１０２で検出される位置は、Ｘ線源１０１の位置により異なる。例えば、Ｘ線源１０１が図３に示す位置にある場合、点ＰＲを透過するＸ線は検出器１０２の右端近くで検出される。

図４は、図３からＸ線源１０１及び検出器１０２が回転軸１３１を中心とする回転で１８０度移動した状態を示している。そして、Ｘ線源１０１が図４に示す位置にある場合、点ＰＲを透過するＸ線は検出器１０２の左端近くで検出される。Ｘ線が観測点ＰＦを透過して撮影した点を中心位置とし、上記２つの画像を比較すると観測点ＰＦの画像は移動しないのに対して、点ＰＲを透過して撮影した画像は位置が異なる。この結果を用いると、検出器１０２は、Ｘ線の撮影画像から観測点ＰＦと点ＰＲを画像処理により分離することが可能となる。そして、検出器１０２は、観測点ＰＦにおける図示していない接合部の形状を得ることが出来る。

一方、図５及び図６は、図３及び図４とランドパターンが異なるサンプルのラミノグラフィによる観測点ＰＦの検査例を示している。この例は、観測点ＰＦの裏面にやや幅が広いランド１３３がある。ここで、Ｘ線源１０１から照射されて観測点ＰＦを透過するＸ線と、基板１１２で観測点ＰＦが存在する面の裏面との交点をＰＲａとすると、Ｘ線源１０１が図５及び図６に示す位置にある場合、共に点ＰＲａがランド１３３上に存在する。このため、観測点ＰＦを透過するＸ線はランド１３３や図示していない接合部でも吸収される。

そうすると、図５及び図６観測点ＰＦの撮影画像におけるランド１３３の画像は共に同じような画像となる。その結果、この場合観測点ＰＦの撮影画像からランド１３３の画像を分離できない。このように観測点ＰＦの撮影画像がランド１３３の領域の一部と重複する場合に、検出器１０２で得られた結果から観測点ＰＦにおける図示していない接合部の形状を算出する際に誤差が生じる可能性がある。

実施の形態１
本実施の形態にかかる判定装置２００は、事前に得た回路基板の設計データを用いて、基板両面に部品を実装した電子部品の非破壊検査の結果をシミュレーションし、その信頼度を判定する装置である。

図７は、本実施の形態１にかかる判定装置２００の基本構成を示したブロック図である。判定装置２００は、軌跡演算部２０１と、重複判定部２０２とを備える。図８は、判定装置２００の各部の内部構成を示したブロック図である。軌跡演算部２０１は、ランド抽出手段１と、軌跡算出手段２とを備える。重複判定部２０２は、重複部算出手段３と、判定手段４とを備える。

各部の説明
以下、判定装置２００の各部の説明をする。
ランド抽出手段１は、事前に得た回路基板の設計データを用いて、基板１１２の第１面である一面側（以下、表面と記す）における全てのランド（接合部）を抽出する。ランド抽出手段１は、ランドを抽出する処理が完了したら、抽出したランドの位置及び形状情報を、軌跡算出手段２へ出力する。

軌跡算出手段２は、抽出したランドの位置及び形状情報と、Ｘ線源１０１から照射されたＸ線と基板１１２の面の角度と、基板１１２の厚さに基づいて、ラミノグラフィによるＸ線検査時に抽出したランド（接合部）を透過したＸ線と基板１１２の第２面である他面側（以下、裏面と記す）との交点の集合を演算する。即ち接合部から一定角度で他面側に射影される軌跡を算出する。算出が完了したら、軌跡情報を重複部算出手段３へ出力する。

重複部算出手段３は、軌跡情報と、事前に得た回路基板の設計データを用いて、基板１１２裏面におけるランドパターンを計算し、軌跡と裏面のランドパターンが重複する部分を算出する。重複部算出手段３は、算出が完了した後、重複部分の情報を判定手段４へ出力する。

判定手段４は、軌跡情報と、重複部分の情報から、軌跡に対する重複部分の割合を算出し、この割合を用いてＸ線検査をシミュレーションする。そして、判定手段４は、Ｘ線検査の信頼度を判定する。具体的には、判定手段４は、Ｘ線検査による誤差が大きくなる可能性を判定し、誤差が大きくなる可能性ありと判定したら、外部へ警告を行う。

次に具体的な回路基板の例を用いて本実施の形態の判定方法を説明する。
図９に、基板１１２表面に形成したランドパターンの例を示す。ここで、図中の灰色部分がランドパターンを示すものとする。図１０は、判定装置２００がランド２１１のＸ線検査をシミュレーションする様子を示した斜視図である。

ランド２１１は、Ｘ線検査における誤差の可能性について判定の対象となるランドパターンの一部である。観測点ＰＦ１はランド２１１内の点である。また、基板の厚さをＴとする。ランド抽出手段１は、基板１１２表面のランドパターンから、判定の対象となるランドを抽出する。検査対象となるランドは、Ｘ線による検査を行う基板上の全てのランドである。

ここでランドの抽出方法として、以下のものが考えられる。Ｘ線による検査対象となる部品を部品の形状情報を用いて抽出する。そして、抽出した部品の実装位置と事前に得た回路基板の設計データを用いて得たランドパターンを照合した後、Ｘ線による検査のシミュレーションを行い、ランドを抽出する方法である。また、ランドパターンを図示して手動で抽出する方法である。しかし、ランドを抽出できればどのような手法を用いてもよく、これらの方法に限定するものではない。ランド抽出手段１は、上記の処理により、基板１１２表面のランドパターンから、ランド２１１を抽出する。

軌跡算出手段２は、抽出したランド内の点を透過したＸ線と基板１１２の裏面との交点の集合、即ちＸ線の通り道となる直線が裏面に射影する交点の軌跡を算出する。基板１１２表面と基板１１２に照射するＸ線との角度をθとする。Ｘ線による検査を行う場合、基板１１２に垂直な回転軸１３１の回りをＸ線が回転する必要が有るところ、この回転軸１３１が観測点ＰＦ１を通るものとする。そうすると、基板１１２表面の観測点ＰＦ１を透過したＸ線と基板１１２裏面との交点は、回転軸と基板１１２裏面との交点ＰＲ１からＴ／ｔａｎθだけ離れた点になる。

このことから、Ｘ線源１０１及び検出器１０２を回転させた際の交点の軌跡は、点ＰＲ１を中心とした半径Ｔ／ｔａｎθで表される円となる。図１１、図１２は、判定装置２００により、軌跡ＣＲ１が演算される様子を示した図である。図１１は、基板１１２の裏面に算出された軌跡ＣＲ１を示している。図１２は、軌跡ＣＲ１が算出される様子を示したシミュレーションである。図１３は、判定装置２００により、軌跡ＣＲ１が演算される様子を透視図で示している。

点ＰＲ１は、基板１１２の表面及び裏面におけるランドパターンの設計情報を用いてあらかじめ容易に求めることが出来る。また、交点の軌跡も、基板１１２の厚さＴ及び基板１１２とＸ線の角度θは、基板の設計及び検査の設定情報から得ることが出来るため、半径Ｔ／ｔａｎθの円を容易に算出することが出来る。

これにより、判定装置２００は、図１１、図１２に示すようなランド２１１内の観測点ＰＦ１に対する裏面の点ＰＲ１と、点ＰＲ１を中心とする半径Ｔ／ｔａｎθの円ＣＲ１を算出する。重複部算出手段３では、交点の軌跡と、基板１１２裏面に配置したランドパターンとの重複部分を求める。重複部分を求める方法としては、交点の軌跡及び裏面のランドパターンを画像として表し、画像間の位置を合わせた後に画像間での演算を行うことで求める方法がある。

また、交点の軌跡及び裏面のランドパターンを同一座標上における数式で記述し、数式から算出する方法が考えられる。本実施の形態の重複部分を求める方法は、これらの方法に限定するものではなく、重複部分が求められればどのような手法を用いてもよい。

以下に、画像間の演算により求める例を示す。図１４に、基板１１２裏面のランドパターンの例を示す。ここで、図中の灰色部分がランドパターンであるものとする。まず、軌跡算出手段２で求めた軌跡について、軌跡の部分を「１」、それ以外の部分を「０」とした２値画像を作成する。同様に、基板１１２裏面のランドパターンについて、ランドパターン部分を「１」、それ以外の部分を「０」とした２値画像を作成する。

基板１１２裏面のランドパターンは、基板の設計情報を用いてあらかじめ容易に得ることが出来る。２値画像を作成したら、画像間の位置を合わせた後、各画素の論理積を求めることで、重複部分を示す２値画像を得ることが出来る。重複部分ができる様子は図１２及び図１３にも示している。

図１５及び図１６に、軌跡の２値画像及び基板１１２裏面のランドパターンの２値画像を示す。また、図１７に、図１５及び図１６から得た２値画像を示す。ここで、図中の白色部分が「１」、灰色部分が「０」であるものとする。円ＣＲ１は一部がランドパターンと重なっていることから、円ＣＲ１とランドパターンの重複部分であるＣＲ１ａが得られる。

同様にして、ランド２１１内の、所定の間隔で観測する全ての複数の観測点について、軌跡算出手段２及び重複部分算出手段３により、重複部分を求める。判定手段４では、まず、ランド２１１におけるそれぞれの観測点について、軌跡と、重複部分から、軌跡に対する重複部分の割合（第１の判定値）を算出する。そして、全ての観測点の中から割合（第１の判定値）が予め設定した第１の基準比率（基準値）以上である観測点を抽出する。算出方法としては、重複部算出手段３と同様に、画像による方法や数式による方法が考えられる。

画像による方法では、軌跡の２値画像における「１」の画素数に対する重複部分の２値画像における「１」の画素数の割合を算出することで、重複部分の割合を得ることが出来る。図１５及び図１７に示す例では、観測点ＰＦ１における重複部分の割合は１／２となる。一例として、第１の基準比率を１／３とした場合、観測点ＰＦ１は基準比率以上の点（警告点）であるとして抽出する。

さらに、ランド２１１内の、全ての複数の観測点に対して上記の重複部分の比率を計算する。そして、基準比率以上となった観測点（警告点）を全て抽出する。次に、ランド２１１内の全ての観測点に対する、上記の抽出した点（警告点）の割合から、ランド２１１に対するＸ線検査による誤差が大きくなる可能性を判定する。図１８に、ランド２１１内で抽出した点を示す。図の灰色部分が抽出した点である。即ち、灰色部分は第１の基準比率に基づいて抽出された点（警告点）の集合である。

ここで、ランド２１１の非破壊検査の誤差が発生するかどうかの判定として、ランド２１１に対する灰色部分の割合（第２の判定値）が、予め設定した第２の基準比率（基準値）以上である場合、Ｘ線検査による誤差が大きくなる可能性ありとする方法が考えられる。

第２の基準比率を１／４とした場合、図１８に示す例は、判定装置２００は、Ｘ線検査による誤差が大きくなる可能性があると判定する。このようにして判定装置２００は、事前の設計段階で、Ｘ線検査に誤差が生じる可能性があると判定して警告を行うことができる。そして、設計者は、この警告を元に基板上に生成するランドパターンの配置や設計を変更してもよい。

判定装置２００は、軌跡算出、及び重複部算出、及び判定を、抽出した他のランド内において所定の間隔で複数の観測点に対して行う。この様にして判定装置２００は、抽出した全てのランド内の領域で観測点が警告点となるかどうかを判定する。また、判定装置２００は、基板１１２裏面についても、基板１１２表面と同様にして判定を行う。そして、判定装置２００は裏面のランドパターンについても、抽出した全てのランド内の領域で観測点が警告点となるかどうかを判定する。

処理の説明
次に、判定装置２００の処理の流れを説明する。
図１９は本実施の形態１にかかる判定装置２００の処理を示したフローチャートである。判定装置２００の軌跡演算部２０１は、前記接合部から一定角度で前記他面側に射影される軌跡を演算する（Ｓ１０）。次に、判定装置２００の重複判定部２０２は、前記軌跡と前記第２のランドパターンとの重複部分と、前記軌跡とに基づいて非破壊検査の評価をする（Ｓ１１）。

以下は、各部の処理を図２０に基づいて詳細に説明する。図２０は各部の処理を示したフローチャートである。まず、ランド抽出手段１がランドパターンからＸ線検査で誤差が発生する可能性があるかどうか判定を行うべきランドを抽出する（Ｓ１００）。軌跡算出手段２は、抽出したランドの位置及び形状情報と、基板情報と、測定条件とに基づいて基板１１２の他面側の交点の軌跡を算出する（Ｓ１０１）。

重複部算出手段３は、軌跡情報と、基板１１２裏面におけるランドパターン情報に基づいて、軌跡と裏面のランドパターンが重複する部分を算出する（Ｓ１０２）。判定手段４は、軌跡情報と、重複部分の情報に基づいて、軌跡に対する重複部分の割合を算出し、この割合に基づいてＸ線検査による誤差が大きくなる可能性を判定し（Ｓ１０３）、誤差が大きくなる可能性ありと判定した場合（Ｓ１０３：Yes）、外部へ警告を行う。判定手段４は、誤差が大きくなる可能性なしと判定した場合（Ｓ１０３：No）、処理を終了する。

実施の形態２
他の実施の形態として、軌跡の算出、及び重複部算出、及び判定を、ランド上の中心点の他に一定間隔をおいた点で実施する方法が考えられる。また、軌跡算出、及び重複部算出に用いる情報として、基板１１２裏面のランドパターン情報に加えて、基板１１２裏面に実装する部品の外部電極部や、部品の内部電極等の情報を用い、軌跡算出、及び重複部算出を行う方法が考えられる。さらに、基板１１２裏面のランドパターンを得る方法として、基板の設計情報の他に、外観検査をして実際に測定した情報を用いる方法が考えられる。

本発明の効果
基板１１２のランド１１３内にある観測点ＰＦに対してラミノグラフィによるＸ線検査を行う場合、判定装置２００は、観測点ＰＦを透過するＸ線と観測点ＰＦが存在する基板面の裏面との交点ＰＲａが描く軌跡と、裏面のランドパターンを基板設計の時点で比較する。このような非破壊検査のシミュレーションを行うことにより、判定装置２００は、事前の設計段階でＸ線検査に誤差が生じる可能性があると判定して警告を行うことができる。そのため、設計者は基板の設計を変更するなどして、より信頼性を高めた製品の設計に反映することができる。

その他の実施の形態
上記で説明した判定方法は、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）を含む半導体処理装置を用いて実現されてもよい。また、これらの処理は、少なくとも１つのプロセッサ（e.g. マイクロプロセッサ、ＭＰＵ、ＤＳＰ（Digital Signal Processor））を含むコンピュータシステムにプログラムを実行させることによって実現されてもよい。具体的には、これらの送信信号処理又は受信信号処理に関するアルゴリズムをコンピュータシステムに行わせるための命令群を含む１又は複数のプログラムを作成し、当該プログラムをコンピュータに供給すればよい。

これらのプログラムは、様々なタイプの非一時的なコンピュータ可読媒体（non-transitory computer readable medium）を用いて格納され、コンピュータに供給することができる。非一時的なコンピュータ可読媒体は、様々なタイプの実体のある記録媒体（tangible storage medium）を含む。

非一時的なコンピュータ可読媒体の例は、磁気記録媒体（例えばフレキシブルディスク、磁気テープ、ハードディスクドライブ）、光磁気記録媒体（例えば光磁気ディスク）、ＣＤ−ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−Ｒ／Ｗ、半導体メモリ（例えば、マスクＲＯＭ、ＰＲＯＭ（Programmable ROM）、ＥＰＲＯＭ（Erasable PROM）、フラッシュＲＯＭ、ＲＡＭ（random access memory））を含む。

また、プログラムは、様々なタイプの一時的なコンピュータ可読媒体（transitory computer readable medium）によってコンピュータに供給されてもよい。一時的なコンピュータ可読媒体の例は、電気信号、光信号、及び電磁波を含む。一時的なコンピュータ可読媒体は、電線及び光ファイバ等の有線通信路、又は無線通信路を介して、プログラムをコンピュータに供給できる。

さらに、上述した実施の形態は本件発明者により得られた技術思想の適用に関する例に過ぎない。すなわち、当該技術思想は、上述した実施の形態のみに限定されるものではなく、種々の変更が可能であることは勿論である。

例えば、上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
（付記１）
第１面側において電子部品の電極と第１の回路とが接合部で接合されており、第２面側に第２の回路を備える電子回路基板について、非破壊検査をしたとした場合にその検査結果の信頼度を判定する判定装置であって、
前記接合部内の観測点から一定角度で前記第２面側に射影される軌跡を演算する軌跡演算部と、
前記軌跡と前記第２の回路との重複部分に基づいて前記非破壊検査の評価をする重複判定部と、
を備える非破壊検査の信頼度を判定する判定装置。
（付記２）
前記軌跡演算部が前記接合部内の複数の観測点からの前記軌跡を演算する場合に、
前記重複判定部は、前記重複部分と、前記軌跡とに基づいて第１の判定値を演算し、前記第１の判定値が第１の基準値を超えた観測点の数と全観測点数とに基づいて第２の判定値を演算し、前記第２の判定値と第２の基準値と比較する、
付記１に記載の判定装置。
（付記３）
前記第２の判定値と第２の基準値と比較する場合に、
前記第２の判定値が前記第２の基準値を超えた場合に警告をする、
付記２に記載の判定装置。
（付記４）
前記重複部分の判定をする場合に、
前記第２の回路の画像と、前記軌跡の画像とに基づいて前記軌跡と前記第２の回路との重複する部分の画素数と、前記軌跡の画素数とを比較して前記重複部分を演算する、
付記１から３いずれか１項に記載の判定装置。
（付記５）
前記重複部分の判定をする場合に、
第２の回路の位置を表す回路数値データと、演算に基づいて求めた前記軌跡の軌跡数値データとに基づいて前記重複部分を演算する、
付記１から３いずれか１項に記載の判定装置。
（付記６）
第１面側において電子部品の電極と第１の回路とが接合部で接合されており、第２面側に第２の回路を備える電子回路基板について、非破壊検査をしたとした場合にその検査結果の信頼度を判定する判定方法であって、
前記接合部内の観測点から一定角度で前記第２面側に射影される軌跡を演算し、
前記軌跡と前記第２の回路との重複部分に基づいて前記非破壊検査の評価をする、
非破壊検査の信頼度を判定する判定方法。
（付記７）
前記接合部内の複数の観測点からの前記軌跡を演算する場合に、
前記重複部分と、前記軌跡とに基づいて第１の判定値を演算し、前記第１の判定値が第１の基準値を超えた観測点の数と全観測点数とに基づいて第２の判定値を演算し、前記第２の判定値と第２の基準値と比較する、
付記６に記載の判定方法。
（付記８）
前記第２の判定値と第２の基準値と比較する場合に、
前記第２の判定値が前記第２の基準値を超えた場合に警告をする、
付記７に記載の判定方法。
（付記９）
前記重複部分の判定をする場合に、
前記第２の回路の画像と、前記軌跡の画像とに基づいて前記軌跡と前記第２の回路との重複する部分の画素数と、前記軌跡の画素数とを比較して前記重複部分を演算する、
付記６から８いずれか１項に記載の判定方法。
（付記１０）
前記重複部分の判定をする場合に、
第２の回路の位置を表す回路数値データと、演算に基づいて求めた前記軌跡の軌跡数値データとに基づいて前記重複部分を演算する、
付記６から８いずれか１項に記載の判定方法。
（付記１１）
第１面側において電子部品の電極と第１の回路とが接合部で接合されており、第２面側に第２の回路を備える電子回路基板について、非破壊検査をしたとした場合にその検査結果の信頼度を判定する判定方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記判定方法は、前記接合部内の観測点から一定角度で前記第２面側に射影される軌跡を演算し、
前記軌跡と前記第２の回路との重複部分に基づいて前記非破壊検査の評価をすることを含む。
（付記１２）
前記判定することは、前記接合部内の複数の観測点からの前記軌跡を演算する場合に、
前記重複部分と、前記軌跡とに基づいて第１の判定値を演算し、前記第１の判定値が第１の基準値を超えた観測点の数と全観測点数とに基づいて第２の判定値を演算し、前記第２の判定値と第２の基準値と比較することを含む、
付記１１に記載のプログラム。
（付記１３）
前記判定することは、前記第２の判定値と第２の基準値と比較する場合に、
前記第２の判定値が前記第２の基準値を超えた場合に警告をすることを含む、
付記１２に記載のプログラム。
（付記１４）
前記判定することは、前記重複部分の判定をする場合に、
前記第２の回路の画像と、前記軌跡の画像とに基づいて前記軌跡と前記第２の回路との重複する部分の画素数と、前記軌跡の画素数とを比較して前記重複部分を演算することを含む、
付記１１から１３いずれか１項に記載のプログラム。
（付記１５）
前記判定することは、前記重複部分の判定をする場合に、
第２の回路の位置を表す回路数値データと、演算に基づいて求めた前記軌跡の軌跡数値データとに基づいて前記重複部分を演算することを含む、
付記１１から１３いずれか１項に記載のプログラム。

１ランド抽出手段
２軌跡算出手段
３重複部算出手段
４判定手段
１０１Ｘ線源
１０２検出器
１１１部品
１１２基板
１１３ランド
１１４接合部
１２１部品
１２３ランド
１２４接合部
１３１回転軸
２００判定装置
２０１軌跡演算部
２０２重複判定部
２１１ランド
３１１ランド
ＣＲ１軌跡
ＣＲ１ａ円ＣＲ１とランドパターンの重複部分
ＰＦランド１１３上の観測点
ＰＦ１ランド２１１内の観測点
ＰＲ観測点ＰＦがある面の裏面との交点
ＰＲ１観測点ＰＦ１に対する裏面の点
ＰＲａ観測点ＰＦから裏面への射影の交点

Claims

第１面側において電子部品の電極と第１の回路とが接合部で接合されており、第２面側に第２の回路を備える電子回路基板について、非破壊検査をしたとした場合にその検査結果の信頼度を判定する判定装置であって、
事前に得た前記電子回路基板の設計データを用いて、前記電子回路基板の前記第１面側におけるランドの位置及び形状情報を抽出するランド抽出手段と、
前記抽出したランドの位置及び形状情報と、前記非破壊検査で使用するＸ線と前記電子回路基板の前記第１面との角度と、前記電子回路基板の厚さと、を用いて、前記Ｘ線が前記接合部内の観測点を前記角度で透過した際に前記第２面側に射影される軌跡を演算する軌跡算出手段と、
前記軌跡と前記第２の回路との重複部分に基づいて前記非破壊検査の評価をする重複判定部と、
を備える非破壊検査の信頼度を判定する判定装置。
前記軌跡算出手段が前記接合部内の複数の観測点からの前記軌跡を演算する場合に、
前記重複判定部は、前記重複部分と、前記軌跡とに基づいて第１の判定値を演算し、前記第１の判定値が第１の基準値を超えた観測点の数と全観測点数とに基づいて第２の判定値を演算し、前記第２の判定値と第２の基準値とを比較する、
請求項１に記載の判定装置。
前記第２の判定値と第２の基準値とを比較する場合に、
前記第２の判定値が前記第２の基準値を超えた場合に警告をする、
請求項２に記載の判定装置。
前記重複部分の判定をする場合に、
前記第２の回路の画像と、前記軌跡の画像とに基づいて前記軌跡と前記第２の回路との重複する部分の画素数と、前記軌跡の画素数とを比較して前記重複部分を演算する、
請求項１から３いずれか１項に記載の判定装置。
前記重複部分の判定をする場合に、
第２の回路の位置を表す回路数値データと、演算に基づいて求めた前記軌跡の軌跡数値データとに基づいて前記重複部分を演算する、
請求項１から３いずれか１項に記載の判定装置。
第１面側において電子部品の電極と第１の回路とが接合部で接合されており、第２面側に第２の回路を備える電子回路基板について、非破壊検査をしたとした場合にその検査結果の信頼度を判定する判定方法であって、
事前に得た前記電子回路基板の設計データを用いて、前記電子回路基板の前記第１面側におけるランドの位置及び形状情報を抽出し、
前記抽出したランドの位置及び形状情報と、前記非破壊検査で使用するＸ線と前記電子回路基板の前記第１面との角度と、前記電子回路基板の厚さと、を用いて、前記Ｘ線が前記接合部内の観測点を前記角度で透過した際に前記第２面側に射影される軌跡を演算し、
前記軌跡と前記第２の回路との重複部分に基づいて前記非破壊検査の評価をする、
非破壊検査の信頼度を判定する判定方法。
前記接合部内の複数の観測点からの前記軌跡を演算する場合に、
前記重複部分と、前記軌跡とに基づいて第１の判定値を演算し、前記第１の判定値が第１の基準値を超えた観測点の数と全観測点数とに基づいて第２の判定値を演算し、前記第２の判定値と第２の基準値とを比較する、
請求項６に記載の判定方法。
前記第２の判定値と第２の基準値とを比較する場合に、
前記第２の判定値が前記第２の基準値を超えた場合に警告をする、
請求項７に記載の判定方法。
前記重複部分の判定をする場合に、
前記第２の回路の画像と、前記軌跡の画像とに基づいて前記軌跡と前記第２の回路との重複する部分の画素数と、前記軌跡の画素数とを比較して前記重複部分を演算する、
請求項６から８いずれか１項に記載の判定方法。
第１面側において電子部品の電極と第１の回路とが接合部で接合されており、第２面側に第２の回路を備える電子回路基板について、非破壊検査をしたとした場合にその検査結果の信頼度を判定する判定方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記判定方法は、事前に得た前記電子回路基板の設計データを用いて、前記電子回路基板の前記第１面側におけるランドの位置及び形状情報を抽出し、
前記抽出したランドの位置及び形状情報と、前記非破壊検査で使用するＸ線と前記電子回路基板の前記第１面との角度と、前記電子回路基板の厚さと、を用いて、前記Ｘ線が前記接合部内の観測点を前記角度で透過した際に前記第２面側に射影される軌跡を演算し、
前記軌跡と前記第２の回路との重複部分に基づいて前記非破壊検査の評価をすることを含む。