JP6182361B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、表示品質の劣化を減らすことができる液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、現在、最も幅広く使用されている平板表示装置の一つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極（ｆｉｅｌｄ ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）が形成されている二枚の表示パネルと、その間に挿入されている液晶層とを含む。
液晶表示装置は、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配列方向を決定して、入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。液晶表示装置の透過率は、液晶分子の制御がうまくできるほど高くなりうる。

一方、液晶表示装置の各画素電極は、ゲート線とデータ線などの信号線と接続されているスイッチング素子と接続されている。スイッチング素子は、薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、出力端子を通じてデータ電圧を画素電極に伝達する。
液晶表示装置において、液晶層に電界を生成する画素電極及び共通電極をスイッチング素子が形成されている一つの表示パネルに備えてもよい。このような液晶表示装置の画素電極及び共通電極のうちの一つは、複数の枝電極を含み、他の一つは面状に形成してもよい。液晶層に電界が生成されれば、液晶層の液晶分子は枝電極と面状電極の間のフリンジフィールドによって、その配列方向が定められる。

一方、最近の液晶表示装置は、表示する機能以外に、使用者との相互作用が可能なタッチ感知機能を含む場合が多く、タッチ感知センサーは、液晶表示装置の中に内蔵するか、又は液晶表示装置の表示パネルの上に付着してもよい。タッチ感知機能を有する液晶表示装置の場合、使用者が指やタッチペン（ｔｏｕｃｈ ｐｅｎ）などを表示パネルに接触すれば、表示パネルに圧力などが加われる。

このように色々な理由によって表示パネルに外部からの圧力などが加わると、液晶分子の配列が乱れて、圧力などが無くなっても液晶分子が元の状態に復元されなく、隣接する液晶分子の配列に影響を与えて、ムラ（ｂｒｕｉｓｉｎｇ）などの表示不良が生じうる。
液晶表示装置の軽量化のために薄い基板を有する表示パネルが要求され、高い携帯性のための小さいサイズと、高解像度の表示パネルが要求されることによって、外部圧力によるムラに対しさらにぜい弱になるおそれがあるという問題がある。

本発明は上記従来の液晶表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、同一の基板上に、二つの電界生成電極である画素電極と共通電極が形成され、二つの電極のうちの一つは面状であり、他の一つはこれと重なる複数の枝電極を含む液晶表示装置において、外部の圧力によるムラなどの表示不良を改善することのできる液晶表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層と、前記第１基板上に配置される第１電界生成電極と、前記第１基板上に配置され、前記第１電界生成電極と重畳する複数の枝電極を含む第２電界生成電極とを有し、前記第２電界生成電極は、前記複数の枝電極のうちの最外郭に位置する第１枝電極の端部に接続されている付加翼を含むことを特徴とする。

前記複数の枝電極間に形成されるスリットの中で、前記付加翼に最も近いスリットの辺と前記付加翼の外郭辺との間の長さである第１長さは、前記枝電極の幅に１．５μｍを加えた値以上であることが好ましい。
前記第２電界生成電極は、前記複数の枝電極の端部と接続する接続部をさらに含み、前記第１長さは、前記接続部の幅に２μｍを加えた値より長いことが好ましい。
前記スリットは、前記液晶層に含まれる液晶分子が初期配向されている方向である第１方向に対して、前記複数の枝電極の第１側に向かって傾いて斜角をなし、前記付加翼が接続されている前記第１枝電極は、前記複数の枝電極の内の前記第１側の最外郭に配置されることが好ましい。
前記スリットの前記第１方向の長さは、４０μｍより長く、前記接続部の幅（μｍ）と前記スリットの前記第１方向の長さ（μｍ）との積は、９０より大きいことが好ましい。

前記第１基板上に配置され、前記第２電界生成電極にデータ電圧を伝達する薄膜トランジスタと、前記第１電界生成電極と前記第２電界生成電極との間に配置される絶縁層とをさらに有し、前記第２電界生成電極は、前記第１電界生成電極の上部に配置され、前記絶縁層は、前記第２電界生成電極と前記薄膜トランジスタとを接続するためのコンタクトホールを含み、前記第１電界生成電極は、前記コンタクトホールを囲む開口部を含み、前記スリットの下端から前記開口部の辺の内の前記スリットの下端と最も近い第１辺までの距離は、１０μｍ以下であることが好ましい。
前記第２電界生成電極の前記第１側に位置する周縁辺から、前記開口部の辺の内の前記第２電界生成電極の前記第１側に位置する周縁辺に最も近い第２辺までの距離は、１０μｍ以下であることが好ましい。
前記スリットは、前記第１方向に対して第１角度をなすメイン領域と、前記第１方向に対して前記第１角度より大きい第２角度をなして、前記メイン領域より狭いエッジ領域とを含み、前記スリットの前記メイン領域の前記第１方向の長さが、４０μｍより長く、前記接続部の幅（μｍ）と、前記スリットの前記メイン領域の前記第１方向の長さ（μｍ）との積は、９０より大きいことが好ましい。
前記第１基板上に配置され、前記第２電界生成電極にデータ電圧を伝達する薄膜トランジスタと、前記第１電界生成電極と前記第２電界生成電極との間に配置する絶縁層とをさらに有し、前記第２電界生成電極は、前記第１電界生成電極の上部に配置され、前記絶縁層は、前記第２電界生成電極と前記薄膜トランジスタとを接続するためのコンタクトホールを含み、前記第１電界生成電極は、前記コンタクトホールを囲む開口部を含み、前記スリットの前記メイン領域と前記エッジ領域の間の屈曲点から、前記開口部の辺の内の前記屈曲点と最も近い第１辺までの距離は、１０μｍ以下であることが好ましい。
前記第２電界生成電極の前記第１側に位置する周縁辺から、前記開口部の辺の内の前記第２電界生成電極の前記第１側に位置する周縁辺に最も近い第２辺までの距離は、１０μｍ以下であることが好ましい。

本発明に係る液晶表示装置によれば、同一の基板上に、二つの電界生成電極である画素電極と共通電極が形成され、二つの電極のうちの一つは面状であり、他の一つはこれと重なる複数の枝電極を含む液晶表示装置において、外部の圧力によるムラなどの表示不良を改善することができるという効果がある。

本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図１の液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の液晶分子の動きを説明するための一画素に対する電子顕微鏡写真である。 本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の付加翼のサイズによる液晶分子の動きを示す電子顕微鏡写真である。 本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の電界生成電極の平面図であり。 本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の付加翼のサイズによる液晶分子の動きを示す電子顕微鏡写真である。 本発明の第４の実施形態による液晶表示装置の電界生成電極の平面図である。 本発明の第４の実施形態による液晶表示装置の電界生成電極の色々なパラメータの条件によるムラの発生有無を示す表である。 本発明の第５の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 本発明の第５の実施形態による液晶表示装置の共通電極の開口部の位置による液晶分子の動きを示す電子顕微鏡写真である。 本発明の第６の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図１２の液晶表示装置のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿った断面図である。 本発明の第７の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 本発明の第８の実施形態による液晶表示装置の電界生成電極の平面図である。 本発明の第９の実施形態による液晶表示装置の電界生成電極の平面図である。 本発明の第１０の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図１７の液晶表示装置のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線、及びＸＶＩＩＩ’−ＸＶＩＩＩ’’線に沿った断面図である。 本発明の第１１の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図１９の液晶表示装置のＸＸ−ＸＸ線に沿った断面図である。 本発明の第１２の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図２１の液晶表示装置のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿った断面図である。 本発明の第１３の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図２３の液晶表示装置のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿った断面図である。 本発明の第１４の実施形態による液晶表示装置の配置図である。

次に、本発明に係る液晶表示装置を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。

添付した図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は種々の異なる形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限られない。
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書の全体にわたって類似する部分に対しては同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるという時、これは他の部分の「すぐ上」にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「すぐ上」にあるという時には、中間に他の部分がないことを意味する。

まず、図１、図２、及び図３を参照して、本発明の第１の実施形態による液晶表示装置について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２は、図１の液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図であり、図３は、本発明の第１の実施形態による液晶表示装置の液晶分子の動きを説明するための一画素に対する電子顕微鏡写真である。

図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する下部表示パネル１００及び上部表示パネル２００と、その間に注入されている液晶層３とを含む。
ます、上部表示パネル２００について説明する。

透明なガラス又はプラスチックなどで形成した絶縁基板２１０の上に、遮光部材（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）２２０及びカラーフィルタ２３０が形成される。
遮光部材２２０は、ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）ともいい、画素ＰＸの間の光漏れを防止することができる。カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、及び青色の三原色など原色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示することができる。遮光部材２２０及びカラーフィルタ２３０のうちの少なくとも一つは、下部表示パネル１００に配置してもよい。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には蓋膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０を配置される。
液晶層３は、誘電率異方性を有する液晶分子３１を含む。
液晶分子３１は、液晶層３に電界がない状態で、その長軸が上下部表示パネル２００、１００に平行に配列されており、正の誘電率異方性を有することができる。液晶分子３１は、その長軸方向が下部表示パネル１００から上部表示パネル２００に至るまで螺旋状にねじれた構造を有するネマチック液晶分子であってもよい。

次に、下部表示パネル１００について説明する。
透明なガラス又はプラスチックなどからなる絶縁基板１１０の上に、複数のゲート線１２１を含むゲート導電体が形成される。ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向に延在する。各ゲート線１２１は、複数のゲート電極（ｇａｔｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４を含む。
ゲート線１２１の上にはゲート絶縁膜（ｇａｔｅ ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物などで形成してもよい。

ゲート絶縁膜１４０の上には半導体１５４が形成される。半導体１５４は、非晶質シリコン、多結晶シリコン、又は酸化物半導体を含んでもよい。
半導体１５４の上にはオーミックコンタクト部材１６３、１６５が形成される。
オーミックコンタクト部材１６３、１６５は、リン（ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）などのｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質、又はシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）で形成してもよい。オーミックコンタクト部材１６３、１６５は、対をなして半導体１５４の上に配置される。半導体１５４が酸化物半導体である場合、オーミックコンタクト部材１６３、１６５は省略してもよい。

オーミックコンタクト部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０の上には、ソース電極１７３を含むデータ線１７１と、ドレイン電極１７５を含むデータ導電体が形成される。
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向である第１方向（Ｄｉｒ１）に延在される。データ線１７１は、透過率の向上のために周期的に屈曲される。
例えば、図１に示すように、各データ線１７１は、一画素ＰＸの横中心線ＣＬに対応する部分で折れ曲がる。

データ線１７１が第１方向（Ｄｉｒ１）となす角は、ほぼ５度〜７度であってもよいが、これに限定されることではない。また、データ線１７１は、横中心線ＣＬ付近で少なくとももう一回折れ曲がってもよく、この場合、横中心線ＣＬ付近のデータ線１７１が第１方向（Ｄｉｒ１）となす角は、ほぼ７度〜１５度であってもよい。
データ線１７１はソース電極１７３を含む。
図１に示した実施形態では、ソース電極１７３はデータ線１７１から突出せずに、データ線１７１と同一線上に位置する。

ドレイン電極１７５は、ソース電極１７３と対向して、ソース電極１７３とほぼ平行に延在する棒状の部分と、その反対側の拡張部とを含む。
ゲート電極１２４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５は、半導体１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）Ｑを構成し、薄膜トランジスタのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の半導体１５４に形成される。
データ導電体、ゲート絶縁膜１４０、及び半導体１５４の露出した部分の上には、第１保護膜１８０ａを配置する。第１保護膜１８０ａは、有機絶縁物質又は無機絶縁物質などで形成してもよい。

第１保護膜１８０ａの上には第２保護膜１８０ｂがさらに配置される。
第２保護膜１８０ｂは、有機絶縁物質で形成してもよく、表面が平坦であり得る。第２保護膜１８０ｂは、位置によって異なる厚さを有し得る。
他の実施形態によれば、第２保護膜１８０ｂはカラーフィルタを含んでもよい。カラーフィルタは原色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを固有に表示することができ、原色の例としては赤色、緑色、及び青色など三原色、又は黄色（ｙｅｌｌｏｗ）、青緑色（ｃｙａｎ）、及び紫紅色（ｍａｇｅｎｔａ）などが挙げられる。

第２保護膜１８０ｂの上には共通電極（ｃｏｍｍｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３１を配置する。
共通電極１３１は面状で、絶縁基板１１０の全面の上に板形態に形成される。つまり、複数の画素ＰＸに位置する共通電極１３１は、互いに接続していて、同一の共通電圧Ｖｃｏｍを伝達することができる。しかし、共通電極１３１は、ドレイン電極１７５の拡張部に対応する開口部（ｈｏｌｅ）３５を含む。
共通電極１３１は、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な導電物質で形成される。

共通電極１３１の上には第３保護膜１８０ｃを配置する。
第３保護膜１８０ｃは、有機絶縁物質又は無機絶縁物質などで形成してもよい。第１保護膜１８０ａ、第２保護膜１８０ｂ、及び第３保護膜１８０ｃには、ドレイン電極１７５を露出させるコンタクトホール１８５が形成される。コンタクトホール１８５は、共通電極１３１の開口部３５の中に位置する。つまり、開口部３５はコンタクトホール１８５を囲む。

第３保護膜１８０ｃの上には画素電極１９１を配置する。
画素電極１９１は、共通電極１３１と重なる複数の枝電極１９２、枝電極１９２の端部を接続する接続部１９５、及び他の層との接続のための突出部１９３などを含む。
画素電極１９１の隣接する枝電極１９２の間は、電極が除去されたスリット９２が形成される。
画素電極１９１の枝電極１９２は、データ線１７１にほぼ平行に延在する。

具体的に、図１を参照して、画素電極１９１の形状の一例について説明する。
画素電極１９１の複数の枝電極１９２は、第１方向（Ｄｉｒ１）に対して斜角をなしながら傾いており、横中心線ＣＬで折れ曲がっている。
そのために、画素電極１９１は、画素ＰＸの横中心線ＣＬを基準に枝電極１９２の傾いた方向が異なる第１ドメインＤ１と第２ドメインＤ２に分れる。

例えば、横中心線ＣＬを基準として、上部の枝電極１９２は右上方向に延在し、下部の枝電極１９２は右下方向に延びている。枝電極１９２は、横中心線ＣＬを基準に互いに対称をなし得る。枝電極１９２が第１方向（Ｄｉｒ１）となす鋭角は、ほぼ５度〜７度であるが、これに限定されることではない。
枝電極１９２及びスリット９２は、各ドメインＤ１、Ｄ２で少なくとももう一回折れ曲がってもよく、折れ曲がった点を基準に各ドメインＤ１、Ｄ２で複数の領域に分れる。
図１は、枝電極１９２及びスリット９２が各ドメインＤ１、Ｄ２で二回折り曲がった例を示す。

図１を参照すれば、各ドメインＤ１、Ｄ２の枝電極１９２及びスリット９２は、横中心線ＣＬに隣接した第１エッジ領域ＥＳＡ１、横中心線ＣＬから遠い端部に位置する第２エッジ領域ＥＳＡ２、及び第１エッジ領域ＥＳＡ１と第２エッジ領域ＥＳＡ２の間に位置するメイン領域ＭＳＡに分れる。
メイン領域ＭＳＡの第１方向（Ｄｉｒ１）の長さは、各エッジ領域ＥＳＡ１、ＥＳＡ２の第１方向（Ｄｉｒ１）の長さより長い。
枝電極１９２及びスリット９２は、第１エッジ領域ＥＳＡ１とメイン領域ＭＳＡの間の境界線上で折れ曲がっており、スリット９２は、第２エッジ領域ＥＳＡ２とメイン領域ＭＳＡの間の境界線上でも折れ曲がっている。

第１エッジ領域ＥＳＡ１及び第２エッジ領域ＥＳＡ２の枝電極１９２、又はスリット９２が、第１方向（Ｄｉｒ１）となす鋭角は、互いに同じであり、メイン領域ＭＳＡの枝電極１９２及びスリット９２が、第１方向（Ｄｉｒ１）となす鋭角よりは大きい。
例えば、第２エッジ領域ＥＳＡ２のスリット９２、又は第１エッジ領域ＥＳＡ１の枝電極１９２、及びスリット９２が、第１方向（Ｄｉｒ１）となす鋭角は、ほぼ７度〜１５度であり、メイン領域ＭＳＡの枝電極１９２及びスリット９２が第１方向（Ｄｉｒ１）となす鋭角は、ほぼ７度である。

画素電極１９１の枝電極１９２の幅は、例えば、ほぼ２．５μｍ以上、ほぼ３．５μｍ以下であってもよく、スリット９２の幅は、ほぼ４．５μｍ以上５．５μｍ以下であってもよいが、これに限定されることではない。
本発明の一実施形態によれば、画素電極１９１の接続部１９５は、薄膜トランジスタＱが位置する側の枝電極１９２の端部、及び／又はその反対側の枝電極１９２の端部と接続する。
接続部１９５の第１方向（Ｄｉｒ１）の幅Ｗ１は、枝電極１９２の幅よりも大きく、ほぼ５μｍ以上である。
画素電極１９１の突出部１９３は、第１保護膜１８０ａ、第２保護膜１８０ｂ、及び第３保護膜１８０ｃのコンタクトホール１８５を通じて、ドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続し、ドレイン電極１７５から電圧の印加を受ける。
画素電極１９１は、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な導電物質で形成する。

本発明の一実施形態による液晶表示装置は、ほぼ２００ＰＰＩ以上の高解像度を有することができる。
つまり、横と縦がほぼ１インチ（ｉｎｃｈ）の上下部表示パネル２００、１００の領域内に、ほぼ２００個以上の画素ＰＸ又は画素電極１９１が含まれ得る。
また、本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素ＰＸの横ピッチは、ほぼ４０μｍ以下であり、縦ピッチはほぼ１２０μｍ以下であるが、これに限定されることではない。

下部及び上部の表示パネル１００、２００のうちの少なくとも一つの内側面の上には配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｌａｙｅｒ）（図示せず）が塗布されており、配向膜は水平配向膜である。
配向膜は、一定の方向、例えば、第１方向（Ｄｉｒ１）にラビングされるか、又は光配向されていてもよい。
したがって、液晶層３の液晶分子３１は、初期に第１方向（Ｄｉｒ１）にほぼ平行な方向に初期配向されている。

図示していないが、下部及び上部の表示パネル１００、２００のうちの少なくともいずれか一つには、タッチを感知できる少なくとも一つのタッチセンサ（図示せず）を備えてもよい。
タッチセンサは、抵抗膜方式（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）、静電容量方式（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）、電磁気誘導型（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｍａｇｎｅｔｉｃ ｔｙｐｅ、ＥＭ）、光感知方式（ｏｐｔｉｃａｌ ｔｙｐｅ）など多様な方式があり得る。
これとは異なって、タッチセンサは、下部及び上部の表示パネル１００、２００のいずれか一つの上に形成するか、又はタッチパネルの形態で下部及び上部の表示パネル１００、２００に付着してもよい。

薄膜トランジスタＱを通じてデータ電圧の印加を受けた画素電極１９１と、共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受けた共通電極１３１とは、二つの電界生成電極であって、共に液晶層３に電界を生成することによって、液晶層３の液晶分子３１の方向を決定して画像を表示する。
特に、画素電極１９１の枝電極１９２は、共通電極１３１と共に液晶層３にフリンジフィールドＦＦを形成して、液晶分子３１の配列方向を決定する。本発明の一実施形態のように、一画素電極１９１が、枝電極１９２の傾いた方向が互いに異なる複数のドメインＤ１、Ｄ２を含むので、液晶分子３１の傾く方向が多様になって、液晶表示装置の基準視野角を大きくすることができる。

また、本発明の一実施形態のように、画素電極１９１の枝電極１９２又はスリット９２が、メイン領域ＭＳＡと第１エッジ領域ＥＳＡ１又は第２エッジ領域ＥＳＡ２の境界でさらに折れ曲がっていれば、液晶分子３１が横中心線ＣＬ付近又は画素ＰＸの周縁付近で制御されずに、逆回転（ｒｅｖｅｒｓｅ ｔｗｉｓｔ）及び衝突して生じうる、テクスチャを減らすことができる。

画素電極１９１のスリット９２の端部と横中心線ＣＬ付近で、液晶分子３１はメイン領域ＭＳＡとは異なる方向に制御されることがあり、透過率を低下させてテクスチャとして認識される。このような透過率が低下した領域に相当する液晶表示部分をテクスチャ部分という。
特に、画像を表示している下部及び上部の表示パネル１００、２００に外部からの圧力などが加わると、液晶分子３１の配列方向が乱れて、外部の圧力などが除去された後にも液晶分子３１の方向が元の状態に復元されなく、ムラ（ｂｒｕｉｓｉｎｇ）と視認されうる。

この時、図３に示すように、テクスチャ部分がシード（ｓｅｅｄ）になって、隣接するテクスチャ部分の液晶分子３１の配列の乱れが画素ＰＸの内部に伝達されるか、又は離隔したテクスチャ部分が互いに連結されてムラが形成されやすい。
このようなテクスチャ部分をブルージングソース（ｂｒｕｉｓｉｎｇ ｓｏｕｒｃｅ）といい、主に画素電極１９１の角部付近に位置することがある。以降、ムラといえば、外部の圧力が除去された後にも残っているムラを意味する。

図３は、画素電極１９１の角部に位置するブルージングソース（ｂｒｕｉｓｉｎｇ ｓｏｕｒｃｅ１、ｂｒｕｉｓｉｎｇ ｓｏｕｒｃｅ２、ｂｒｕｉｓｉｎｇｓ ｏｕｒｃｅ３）を例として挙げて示す。
図３では、右側上端のブルージングソースと左側下端のブルージングソースがシードになって、黒い線に沿ってムラが発生しうる。
ムラを発生させる液晶分子３１は、図３で第２ドメインＤ２の左側の液晶分子３１と、第１ドメインＤ１の右側の液晶分子３１でありうる。

しかし、本発明の一実施形態のように、画素電極１９１の枝電極１９２の端部を接続する接続部１９５の第１方向（Ｄｉｒ１）の幅Ｗ１を枝電極１９２より大きく、例えば、ほぼ５μｍ以上となるようにすれば、ブルージングソースを除去することができる。
したがって、画素電極１９１の周縁のテクスチャ部分の液晶分子３１の配列の乱れが画素ＰＸの内部に伝達されるか、又は画素電極１９１の周縁のテクスチャ部分と横中心線ＣＬ付近のテクスチャ部分とが連結されて発生しうるムラの発生を防止することができる。

次に、上述した図と共に、図４及び図５を参照して、本発明の第２の実施形態による液晶表示装置について説明する。
上述した実施形態と同一の構成要素に対しては同一の図面符号を付け、同一の説明は省略して差異点を中心に説明する。
図４は、本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図５は、本発明の第２の実施形態による液晶表示装置の付加翼のサイズによる液晶分子の動きを示す電子顕微鏡写真である。

本実施形態による液晶表示装置は、上述した図１及び図２に示した実施形態と大部分同一であるが、画素電極１９１は、薄膜トランジスタＱと反対側の枝電極１９２を接続する接続部１９５、又は最右側の枝電極１９２の端部と接続されていて、枝電極１９２から突出した形態の付加翼（ａｄｄｅｄ ｗｉｎｇ）１９４をさらに含む。
付加翼１９４は、画素電極１９１の上側の二つの角部中、スリット９２が傾いた側、つまり、スリット９２の端部が向かう側の角部に位置する。例えば、図４に示すように、スリット９２が右側方向に傾斜をなしている時に、付加翼１９４は画素電極１９１の右側上端の角部に位置する。

付加翼１９４の横方向の長さＷ２は、接続部１９５の幅Ｗ１にほぼ２μｍを加えた値より大きくてもよい。
ここで付加翼１９４の横方向の長さＷ２は、図４に示したように、最右側のスリット９２、つまり、付加翼１９４と最も近いスリット９２の辺から付加翼１９４の右側辺までの長さと定義してもよい。
ここで、接続部１９５の幅Ｗ１は、枝電極１９２の幅より大きくてもよく、上述の実施形態とは異なって大きくなくてもよい。例えば、接続部１９５の幅Ｗ１は、枝電極１９２の幅と大体類似していてもよい。

図５の（ａ）は、付加翼１９４の横方向の長さＷ２が接続部１９５の幅Ｗ１よりほぼ０μｍ長い場合の液晶分子３１の配列を示し、図５の（ｂ）は、付加翼１９４の横方向の長さＷ２が接続部１９５の幅Ｗ１よりほぼ１．５μｍ長い場合の液晶分子３１の配列を示し、図５の（ｃ）は、付加翼１９４の横方向の長さＷ２が接続部１９５の幅Ｗ１よりほぼ２μｍ長い場合の液晶分子３１の配列を示す。

図５を参照すると、付加翼１９４の横方向の長さＷ２が長いほど、画素電極１９１のスリット９２が向かう側の角部で、液晶分子３１の配列の乱れが画素ＰＸの内部又は他の位置のテクスチャ部分と遠くなって、ムラの発生を減らすことができる。
特に、２００ＰＰＩ以上の高解像度では付加翼１９４の横方向の長さＷ２を、接続部１９５の幅Ｗ１にほぼ２μｍを加えた値より長くして、上述したような外部圧力によるムラの発生を無くすことができる。

次に、上述した図面と共に図６及び図７を参照して、本発明の第３の実施形態による液晶表示装置について説明する。
上述した実施形態と同一の構成要素に対しては同一の図面符号を付け、同一の説明は省略して相違点を中心に説明する。
図６は、本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の電界生成電極の平面図であり、図７は、本発明の第３の実施形態による液晶表示装置の付加翼のサイズによる液晶分子の動きを示す電子顕微鏡写真である。

本実施形態による液晶表示装置は、上述した実施形態と大部分同一であるが、画素電極１９１は、薄膜トランジスタＱと反対側の枝電極１９２の端部が互いに接続せずに分離されており、最右側の枝電極１９２の端部には付加翼１９４が接続されている。
枝電極１９２の端部の間の間隔Ｇ１は０μｍより大きく、その間隔Ｇ１は特に制限されない。
付加翼１９４の横方向の長さＷ２は、枝電極１９２の幅Ｗ３にほぼ１．５μｍを加えた値以上であってもよい。ここで、付加翼１９４の横方向の長さＷ２の定義は、上述した実施形態と同一である。

図７の（ａ）は、付加翼１９４の横方向の長さＷ２が枝電極１９２の幅Ｗ３よりほぼ０μｍ長い場合の液晶分子３１の配列を示し、図７の（ｂ）は、付加翼１９４の横方向の長さＷ２が枝電極１９２の幅Ｗ３よりほぼ０．５μｍ長い場合の液晶分子３１の配列を示し、図７の（ｃ）は、付加翼１９４の横方向の長さＷ２が枝電極１９２の幅Ｗ３よりほぼ１．０μｍ長い場合の液晶分子３１の配列を示し、図７の（ｄ）は、付加翼１９４の横方向の長さＷ２が枝電極１９２の幅Ｗ３よりほぼ１．５μｍ長い場合の液晶分子３１の配列を示す。

図７を参照すると、画素電極１９１の枝電極１９２の上側端部を接続する部分がない場合にも、付加翼１９４の横方向の長さＷ２が長いほど、画素電極１９１のスリット９２が向かう側の角部における液晶分子３１の配列の乱れが、画素ＰＸの内部又は他の位置のテクスチャ部分と遠くなるようにして、ムラの発生を減らせることが分かる。
特に、２００ＰＰＩ以上の高解像度では、付加翼１９４の横方向の長さＷ２を、枝電極１９２の幅Ｗ３にほぼ１．５μｍを加えた値より長くして、上述したような外部圧力によるムラの発生を無くすことができる。

次に、上述した図面と共に図８及び図９を参照して、本発明の第４の実施形態による液晶表示装置について説明する。
上述した実施形態と同一の構成要素に対しては同一の図面符号を付け、同一の説明は省略して相違点を中心に説明する。
図８は、本発明の第４の実施形態による液晶表示装置の電界生成電極の平面図であり、図９は、本発明の第４の実施形態による液晶表示装置の電界生成電極の種々のパラメータの条件によるムラの発生有無を示す表である。

本実施形態による液晶表示装置は、上述した図１及び図２に示した実施形態と大部分同一であるが、ムラの発生を防止するために、メイン領域ＭＳＡの長さが特に限定される。
ここで、接続部１９５の幅Ｗ１は、枝電極１９２の幅より大きくてもよく、上述した実施形態とは異なって大きくなくてもよい。例えば、接続部１９５の幅Ｗ１は、枝電極１９２の幅と大体類似していてもよい。
具体的には、本実施形態でメイン領域ＭＳＡの第１方向（Ｄｉｒ１）の長さＷ４は、ほぼ４０μｍより大きく、これと共に上端の接続部１９５の幅Ｗ１（μｍ）とメイン領域ＭＳＡの第１方向（Ｄｉｒ１）の長さＷ４（μｍ）との積は、ほぼ９０より大きい。

図９は、種々の解像度によって画素電極１９１の種々のパラメータの条件によるムラの発生現状を示す。
画素電極１９１のパラメータとして、メイン領域ＭＳＡの第１方向（Ｄｉｒ１）の長さＷ４、及び接続部１９５の幅Ｗ１が使用される。
図９を参照すると、メイン領域ＭＳＡの第１方向（Ｄｉｒ１）の長さＷ４はほぼ４０μｍより大きく、上端の接続部１９５の幅Ｗ１とメイン領域ＭＳＡの第１方向（Ｄｉｒ１）の長さＷ４との積がほぼ９０より大きい時、上述したようなムラの発生が無くなることを確認できる。

次に、上述した図面と共に図１０及び図１１を参照して、本発明の第５の実施形態による液晶表示装置について説明する。
上述した実施形態と同一の構成要素に対しては同一の図面符号を付け、同一の説明は省略して相違点を中心に説明する。
図１０は、本発明の第５の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図１１は、本発明の第５の実施形態による液晶表示装置の共通電極孔の位置による液晶分子の動きを示す電子顕微鏡写真である。

本実施形態による液晶表示装置は、上述した種々の実施形態と大部分同一であるが、ムラの発生を最小化するために、共通電極１３１の開口部３５のサイズ又は位置が特に限定される。
液晶層３に電界を生成する時、共通電極１３１の開口部３５と画素電極１９１は、液晶層３にフリンジフィールドを生成して、液晶分子３１の配列方向を制御することができる。

特に、図１０に示すように、画素電極１９１のスリット９２が、第１方向（Ｄｉｒ１）を基準として右側に傾いている実施形態の場合、画素電極１９１のスリット９２中、第２エッジ領域ＥＳＡ２とメイン領域ＭＳＡの間の屈曲点から、これと最も近い共通電極１３１の開口部３５の辺、つまり、開口部３５の上側辺までの距離Ｗ５をほぼ１０μｍ以下となるようにすれば、画素電極１９１の左側下端の角部のテクスチャ部分をシードにしたムラの発生を減らすことができる。
ここで、共通電極１３１の開口部３５の上側辺は、画素電極１９１のスリット９２中、第２エッジ領域ＥＳＡ２とメイン領域ＭＳＡの間の屈曲点より上に位置してもよい。

また、図１０に示すように、画素電極１９１のスリット９２が、第１方向（Ｄｉｒ１）を基準として右側に傾いている実施形態の場合、画素電極１９１の右側辺からこれと最も近い共通電極１３１の開口部３５の辺、つまり、開口部３５の右側辺までの距離Ｗ６が、ほぼ１０μｍ以下となるようにすれば、画素電極１９１の右側下端の角部のテクスチャ部分によるムラの発生を防止することができる。
ここで、共通電極１３１の開口部３５の右側辺は、画素ＰＸ内であれば画素電極１９１の右側辺より右側に位置してもよい。

図１１の（ａ）は、共通電極１３１の開口部３５の左側辺と画素電極１９１の左側周縁辺の間の距離がほぼ０μｍである場合の液晶分子３１の配列を示し、図１１の（ｂ）は、共通電極１３１の開口部３５の左側辺と画素電極１９１の左側周縁辺の間の距離がほぼ１．５μｍである場合の液晶分子３１の配列を示し、図１１の（ｃ）は、共通電極１３１の開口部３５の左側辺と画素電極１９１の左側周縁辺の間の距離がほぼ２．０μｍである場合の液晶分子３１の配列を示す。

このように、スリット９２が右側方向に傾いた場合、共通電極１３１の開口部３５の左側辺が、画素電極１９１の左側周縁辺よりほぼ２μｍ以上右側に位置するようにすれば、画素電極１９１の左側下端の角部のテクスチャ部分をシードとしたムラの発生を減らすことができる。
また、スリット９２が右側方向に傾いた場合、共通電極１３１の開口部３５の右側辺が、画素電極１９１の右側周縁辺と大体整列するか、又は右側に位置するようにすることによって、画素電極１９１の右側下端の角部のテクスチャ部分をシードとしたムラの発生を減らすことができる。

これまで上述した種々の実施形態は、画素電極１９１のスリット９２が右側方向に傾いた場合を例として挙げて説明したが、これとは異なってスリット９２は左に傾いてもよい。この場合、画素電極１９１の付加翼１９４又は共通電極１３１の開口部３５の位置は、上述したことと反対になる。
また、これまで説明した種々の実施形態の特徴のうちの少なくとも一つが、一つの液晶表示装置に同時に適用されることも可能である。

次に、上述した図面と共に図１２及び図１３を参照して、本発明の第６の実施形態による液晶表示装置について説明する。
図１２は、本発明の第６の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図１３は、図１２の液晶表示装置のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿った断面図である。
本実施形態による液晶表示装置は、前述した実施形態と大部分同一であるが、画素電極１９１と共通電極１３１の積層位置が異なる。ここでは、上述の実施形態との相違点を中心に説明する。

まず、下部表示パネル１００について説明すれば、絶縁基板１１０の上にゲート線１２１を含むゲート導電体を形成して、その上にゲート絶縁膜１４０を配置し、その上に半導体１５４を配置する。半導体１５４の上にはオーミックコンタクト部材１６３、１６５を配置してもよい。
オーミックコンタクト部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０の上には、ソース電極１７３を含むデータ線１７１と、ドレイン電極１７５を含むデータ導電体を配置する。
ドレイン電極１７５のすぐ上には画素電極１９１を配置する。画素電極１９１はドレイン電極１７５と直接接触してもよい。画素電極１９１は、上述した実施形態とは異なって面状、つまり、板形状を有して一画素ＰＸに配置される。

本発明の他の実施形態として、データ導電体と画素電極１９１の間に絶縁層（図示せず）をさらに配置してもよい。
この場合、画素電極１９１は、絶縁層のコンタクトホール（図示せず）によってドレイン電極１７５と電気的に接続される。
データ導電体、ゲート絶縁膜１４０、半導体１５４の露出した部分、及び画素電極１９１の上には保護膜１８０を配置する。
保護膜１８０の上には共通電極１３１を配置する。
複数の画素ＰＸに位置する共通電極１３１は、接続橋１３６などによって互いに接続して、同一の共通電圧Ｖｃｏｍを伝達することができる。

本実施形態による共通電極１３１は、面状の画素電極１９１と重なる複数の枝電極１３２、及び枝電極１３２の端部を接続する接続部１３５を含む。
共通電極１３１の隣接する枝電極１３２の間には、電極が除去されたスリット３２を配置する。
共通電極１３１の形状は、上述した図１〜図１１に示した実施形態の画素電極１９１の形状とほぼ類似しているので、ここで詳細な説明は省略する。
特に、本実施形態において、薄膜トランジスタＱが位置する側の枝電極１３２の端部又はその反対側の枝電極１３２の端部を接続する共通電極１３１の接続部１３５の第１方向（Ｄｉｒ１）の幅Ｗ１は、枝電極１３２の幅より大きくてもよく、ほぼ６μｍであってもよい。

薄膜トランジスタＱを通じてデータ電圧の印加を受けた画素電極１９１と、共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受けた共通電極１３１は、二つの電界生成電極として共に液晶層３に電界を生成することによって、液晶層３の液晶分子３１の方向を決定し、画像を表示する。
特に、共通電極１３１の枝電極１３２は、画素電極１９１と共に液晶層３にフリンジフィールドＦＦを形成して、液晶分子３１の配列方向を決定する。
本発明の一実施形態のように、一画素ＰＸに位置する共通電極１３１の枝電極１３２の傾いた方向が互いに異なる複数のドメインＤ１、Ｄ２を含むので、液晶分子３１の傾く方向が多様になって、液晶表示装置の基準視野角を大きくすることができる。

また、図１２に示すように、共通電極１３１の枝電極１３２の端部を接続する接続部１３５の第１方向（Ｄｉｒ１）の幅Ｗ１を枝電極１３２より大きく、例えば、ほぼ５μｍ以上となるようにすることによって、ムラの発生を防止することができる。
これに関連した説明は、上述した図１及び図２に示した実施形態と同一なので、詳細な説明は省略する。

次に、図１４を参照して、本発明の第７の実施形態による液晶表示装置について説明する。
図１４は、本発明の第７の実施形態による液晶表示装置の配置図である。
本実施形態による液晶表示装置は、上述した図１２及び図１３に示した実施形態と大部分同一であるが、図４及び図５に示した実施形態と類似して、共通電極１３１が、薄膜トランジスタＱと反対側の枝電極１３２を接続する接続部１３５、又は最右側の枝電極１３２の端部と接続されている付加翼１３４をさらに含む。
共通電極１３１の付加翼１３４の位置、大きさ、効果などの種々の特徴は、上述した図４及び図５に示した実施形態の画素電極１９１の付加翼１９４の特徴と同一なので、ここで詳細な説明は省略する。

次に、上述した図面と共に図１５を参照して、本発明の第８の実施形態による液晶表示装置について説明する。
図１５は、本発明の第８の実施形態による液晶表示装置の電界生成電極の平面図である。
本実施形態による液晶表示装置は、上述した図１２及び図１３に示した実施形態と大部分同一であるが、図６及び図７に示した実施形態と類似して、共通電極１３１は、薄膜トランジスタＱと反対側の枝電極１３２の端部が互いに接続せずに、分離されており、最右側の枝電極１３２の端部には付加翼１３４が接続されている。
共通電極１３１の付加翼１３４の位置、大きさ、効果など共通電極１３１の種々の特徴は、上述した図６及び図７に示した実施形態の画素電極１９１の特徴と同一なので、ここで詳細な説明は省略する。

次に、上述した図面と共に図１６を参照して、本発明の第９の実施形態による液晶表示装置について説明する。
図１６は、本発明の第９の実施形態による液晶表示装置の電界生成電極の平面図である。
本実施形態による液晶表示装置は、上述した図１２及び図１３に示した実施形態と大部分同一であるが、図８に示した実施形態と類似して、ムラの発生を防止するために、共通電極１３１のメイン領域ＭＳＡの長さが特に限定される。
また、接続部１３５の幅Ｗ１は、枝電極１３２の幅より大きくてもよく、上述した実施形態とは異なって、大きくなくてもよい。
例えば、接続部１３５の幅Ｗ１は、枝電極１９２の幅とほぼ同じであってもよい。具体的には、本実施形態でメイン領域ＭＳＡの第１方向Ｄｉｒ１の長さＷ４は、ほぼ４０μｍより大きく、これと同時に、上端の接続部１３５の幅Ｗ１と、メイン領域ＭＳＡの第１方向Ｄｉｒ１の長さＷ４との積は、ほぼ９０より大きい。これ以外に、図８に示した実施形態の種々の特徴が本実施形態にも適用される。

次に、図１７及び図１８を参照して、本発明の第１０の実施形態による液晶表示装置について説明する。
図１７は、本発明の第１０の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図１８は、図１７の液晶表示装置のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線、及びＸＶＩＩＩ’−ＸＶＩＩＩ’’線に沿った断面図である。

本実施形態による液晶表示装置は、上述した図１及び図２に示した実施形態と大部分同一であるが、共通電極１３１に共通電圧を伝達する共通電圧線１２５をさらに含む。
共通電圧線１２５は、ゲート線１２１と同一層に配置してもよく、ゲート線１２１と同一物質で形成してもよい。共通電圧線１２５は、ゲート線１２１とほぼ平行に延在してもよく、ゲート線１２１と隣接して形成してもよい。

図１８を参照すれば、ゲート絶縁膜１４０及びその上の保護膜１８０ａ、１８０ｂは、共通電圧線１２５を露出するコンタクトホール１８２を含む。
共通電極１３１は、コンタクトホール１８２によって共通電圧線１２５と電気的、物理的に接続して、共通電圧線１２５から共通電圧の伝達を受けることができる。コンタクトホール１８２は一つ以上の画素ＰＸごとに一つずつ配置してもよい。このように、共通電極１３１が抵抗の低い共通電圧線１２５を通じて共通電圧の印加を受ければ、共通電極１３１における電圧降下などによる表示不良を防止することができる。
このような共通電圧線１２５は、上述した図４〜図１６に示したの種々の実施形態による液晶表示装置にも適用できる。

次に、上述した図面と共に図１９及び図２０を参照して、本発明の第１１の実施形態による液晶表示装置について説明する。
図１９は、本発明の第１１の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２０は、図１９の液晶表示装置のＸＸ−ＸＸ線に沿った断面図である。
本実施形態による液晶表示装置は、上述した種々の実施形態と大部分同一であるが、データ線１７１が第１方向（Ｄｉｒ１）に沿って折れ曲がらない例を示す。ここでは、上述した種々の実施形態との相違点を中心に説明する。

まず、下部表示パネル１００について説明すれば、絶縁基板１１０の上にゲート電極１２４を含むゲート線１２１、及び拡張部１２６を含む共通電圧線１２５を含むゲート導電体を配置する。
その上には、ゲート絶縁膜１４０、半導体１５４を含む線状半導体１５１、及びオーミックコンタクト部材１６１、１６３、１６５を順次に配置する。
その上には、ソース電極１７３を含むデータ線１７１とドレイン電極１７５を含むデータ導電体を配置し、その上に画素電極１９１を配置する。
画素電極１９１は、ドレイン電極１７５の一部を覆って、直接接触してドレイン電極１７５からデータ電圧の伝達を受ける。
画素電極１９１の全体的な形状は、大体ゲート線１２１及びデータ線１７１にほぼ平行な四辺を有する長方形であってもよく、面状である。

画素電極１９１の上には第１保護膜１８０ａ及び第２保護膜１８０ｂを配置する。
第２保護膜１８０ｂは、データ線１７１を覆い、データ線１７１に沿って形成されている相対的に厚い部分を含んでもよい。第２保護膜１８０ｂの誘電定数は低いほど好ましく、ほぼ３．５以下であってもよい。第２保護膜１８０ｂの厚さは０．５μｍ以上３．０μｍ以下であってもよく、第２保護膜１８０ｂの誘電定数が低いほど、その厚さをさらに薄くすることができる。
第２保護膜１８０ｂの厚い部分は、データ線１７１と画素電極１９１の間のクロストークを減らし、データ線１７１と隣接する画素電極１９１の間の寄生静電容量による光漏れを減らすことができる。
また、データ線１７１と共通電極１３１の寄生静電容量を低くして、データ線１７１の信号遅延を減らすことができる。

ゲート絶縁膜１４０、第１保護膜１８０ａ及び第２保護膜１８０ｂには共通電圧線１２５の一部、例えば、拡張部１２６を露出するコンタクトホール１８２が形成されている。
第２保護膜１８０ｂの上には複数の共通電極１３１を配置する。
各画素ＰＸに位置する共通電極１３１は、データ線１７１を覆う縦部１３７、二つの縦部１３７の間に配置して、離隔している複数の枝電極１３２、及び複数の枝電極１３２の端部を接続する接続部１３５を含む。
共通電極１３１は、コンタクトホール１８２によって共通電圧線１２５から共通電圧など所定の電圧が印加される。

次に、上部表示パネル２００について説明すれば、絶縁基板２１０の上に遮光部材２２０及びカラーフィルタ２３０を配置し、その上には蓋膜２５０をさらに形成してもよい。
特に、共通電極１３１は、上述した図１２〜図１６に示した実施形態の共通電極１３１の色々な特徴が同時に適用された例を示すが、これに限定されず、少なくとも一つの特徴が一つの液晶表示装置に適用されてもよい。

具体的には、共通電極１３１の接続部１３５の第１方向（Ｄｉｒ１）の幅Ｗ１は、枝電極１３２の幅より大きくてもよく、ほぼ５μｍ以上であってもよい。また、付加翼１３４の横方向の長さＷ２は、接続部１３５の幅Ｗ１にほぼ２μｍを加えた値より大きくてもよい。
また、枝電極１３２の上端部が互いに接続していない場合、付加翼１３４の横方向の長さＷ２は、枝電極１３２の幅Ｗ３にほぼ１．５μｍを加えた値以上であってもよい。また、メイン領域ＭＳＡの第１方向（Ｄｉｒ１）の長さＷ４は、ほぼ４０μｍより大きく、これと同時に上端の接続部１３５の幅Ｗ１とメイン領域ＭＳＡの第１方向（Ｄｉｒ１）の長さＷ４との積は、ほぼ９０より大きくてもよい。
二つの表示パネル１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が塗布されている。

次に、上述した図面と共に図２１及び図２２を参照して、本発明の第１２の実施形態による液晶表示装置について説明する。
図２１は、本発明の第１２の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２２は、図２１の液晶表示装置のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿った断面図である。

本実施形態による液晶表示装置は、上述した図１９及び図２０などの種々の実施形態と大部分同一であるが、データ線１７１が第１方向（Ｄｉｒ１）に沿って周期的に折れ曲がっている。
また、データ導電体及び露出した半導体１５４の上に第１保護膜１８０ａを配置し、その上に画素電極１９１を配置する。画素電極１９１は、第１保護膜１８０ａのコンタクトホール１８１によってドレイン電極１７５と電気的に接続される。
画素電極１９１の縦辺は、上述した図１及び図２に示した実施形態のように、データ線１７１に沿って折れ曲がっていてもよい。
画素電極１９１の上には第２保護膜１８０ｂを配置し、その上に共通電極１３１を配置する。

次に、上述した図面と共に図２３及び図２４を参照して、本発明の第１３の実施形態による液晶表示装置について説明する。
図２３は、本発明の第１３の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２４は、図２３の液晶表示装置のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿った断面図である。

本実施形態による液晶表示装置は、上述した図２１及び図２２に示した実施形態と大部分同一であるが、共通電極１３１と画素電極１９１の積層順序が異なる。
具体的には、下部表示パネル１００の絶縁基板１１０の上に、ゲート線１２１、共通電圧線１２５、ゲート絶縁膜１４０、半導体１５１、１５４、オーミックコンタクト部材１６１、１６３、１６５、データ線１７１、及びドレイン電極１７５を順次に配置する。
データ線１７１の上に第１保護膜１８０ａを配置し、その上に共通電極１３１を配置する。

第１保護膜１８０ａ及びゲート絶縁膜１４０は、共通電圧線１２５の拡張部１２６を露出するコンタクトホール１８２を含み、共通電極１３１は、コンタクトホール１８２によって共通電圧線１２５と電気的に接続されている。共通電極１３１は面状であって、複数の画素ＰＸにわたって板で形成されている。
共通電極１３１の上には第２保護膜１８０ｂを配置し、その上に画素電極１９１を配置する。画素電極１９１は、第１保護膜１８０ａ及び第２保護膜１８０ｂのコンタクトホール１８５によってドレイン電極１７５と電気的に接続される。画素電極１９１は、複数の枝電極１９２と、枝電極１９２の端部を接続する接続部１９５を含む。

上述した種々の実施形態の特徴のうちの少なくとも一つを本実施形態にも適用することができる。
特に、画素電極１９１のスリット９２の下端から、これと最も近い共通電極１３１の開口部３５の辺、つまり、開口部３５の上側辺までの距離Ｗ５がほぼ１０μｍ以下となるようにするか、又は画素電極１９１の右側辺からこれと最も近い共通電極１３１の開口部３５の辺、つまり、開口部３５の右側辺までの距離Ｗ６をほぼ１０μｍ以下となるようにして、ムラの発生を減らすことができる。
図２３に示した実施形態では、共通電極１３１の開口部３５の上側辺が、これと対向する画素電極１９１のスリット９２の下端より上側に位置するので、距離Ｗ５が負（−）であるケースに該当する。
これによれば、画素電極１９１の左側下端の角部及び右側下端の角部のテクスチャの部分をシードにしたムラの発生を減らすことができる。

最後に、図２５を参照して、本発明の第１４の実施形態による液晶表示装置について説明する。
図２５は、本発明の第１４の実施形態による液晶表示装置の配置図である。
図２５に示す実施形態にも、上述した本発明の種々の実施形態による特徴を適用することができるが、画素電極１９１又は共通電極１３１の枝電極１９２、１３２が、第１方向（Ｄｉｒ１）に垂直な横方向、つまり、第２方向（Ｄｉｒ２）にほぼ平行に延在する例を示す。
この場合、配向膜のラビング方向又は光配向方向は、第２方向（Ｄｉｒ２）にほぼ平行してもよく、液晶分子３１は、電界がない時、第２方向（Ｄｉｒ２）にほぼ平行に初期配向されている。

本実施形態において、画素電極１９１は、面状の共通電極（図示せず）と重なる複数の枝電極１９２を含み、枝電極１９２の間はスリット９２を形成する。
枝電極１９２は、第２方向（Ｄｉｒ２）と斜角をなして傾いている。
横中心線ＣＬを基準に枝電極１９２が第２方向（Ｄｉｒ２）となす角は互いに異なる。
これによって、画素電極１９１は、液晶分子３１の配列方向が異なる第１ドメインＤ１及び第２ドメインＤ２に分れる。
また、各枝電極１９２及び各スリット９２は、左側周縁又は右側周縁付近で折れ曲がって、図２５に示すように一つのメイン領域ＭＳＡと、その左右側に位置するエッジ領域ＥＳＡ３に分れる。

枝電極１９２の左側端部及び右側端部は、接続部１９５によって接続される。接続部１９５の第２方向（Ｄｉｒ２）の幅Ｗ７は、枝電極１９２の幅より大きくてもよく、ほぼ５μｍ以上であってもよい。
また、画素電極１９１は、スリット９２の端部が向かっている右側上端の角部に接続されている付加翼１９４をさらに含む。
付加翼１９４の第１方向（Ｄｉｒ１）の長さＷ８は、接続部１９５の幅Ｗ７にほぼ２μｍを加えた値より大きくてもよい。
この時、接続部１９５の幅Ｗ７は枝電極１９２の幅より大きくてもよく、大きくなくてもよい。例えば、接続部１９５の幅Ｗ７は、枝電極１９２の幅とほぼ類似していてもよい。

また、画素電極１９１の左右側の接続部１９５のうちの一側の接続部１９５は省略され、画素電極１９１の右側上端の角部に付加翼１９４を接続してもよい。
この時、付加翼１９４の第１方向（Ｄｉｒ１）の長さＷ８は、枝電極１９２の幅Ｗ９にほぼ１．５μｍを加えた値以上であってもよい。
また、メイン領域ＭＳＡの第２方向（Ｄｉｒ２）の長さＷ１０は、ほぼ４０μｍより大きく、これと同時に、左右側の接続部１９５の幅Ｗ７と、メイン領域ＭＳＡの第２方向Ｄｉｒ１２の長さＷ１０との積は、ほぼ９０より大きくてもよい。

上記の色々な特徴は、図２５に示す実施形態のように同時に適用されてもよく、これとは異なって少なくとも一つだけが一つの液晶表示装置に適用されてもよい。
これ以外にも、種々の構造の液晶表示装置に本発明の種々の実施形態による特徴を適用することができる。

尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

３ 液晶層
１１、２１ 配向膜
３１ 液晶分子
３５ 開口部
３２、９２ スリット
１００ 下部表示パネル
１１０、２１０ 絶縁基板
１２１ ゲート線
１２４ ゲート電極
１３１ 共通電極
１３６ 接続橋
１４０ ゲート絶縁膜
１５１、１５４ （線状）半導体
１６１、１６３、１６５ オーミックコンタクト部材
１７１ データ線
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極
１８０、１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ （第１〜第３）保護膜
１８２、１８５ コンタクトホール
１９１ 画素電極
１３２、１９２ 枝電極
１９３ 突出部
１９４ 付加翼
１３５、１９５ 接続部
２００ 上部表示パネル
２２０ 遮光部材
２３０ カラーフィルタ
２５０ 蓋膜

Claims (2)

1. 互いに対向する第１基板及び第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層と、
   前記第１基板上に配置される第１電界生成電極と、
   前記第１基板上に配置され、前記第１電界生成電極と重畳する複数の枝電極を含む第２電界生成電極とを有し、
   前記第２電界生成電極は、前記複数の枝電極のうちの最外郭に位置する第１枝電極の端部に接続されている付加翼を含み、
   前記複数の枝電極間に形成されるスリットの中で、前記付加翼に最も近いスリットの辺と前記付加翼の外郭辺との間の長さである第１長さは、前記枝電極の幅に１．５μｍを加えた値以上であり、
   前記第２電界生成電極は、前記複数の枝電極の端部と接続する接続部をさらに含み、
   前記第１長さは、前記接続部の幅に２μｍを加えた値より長く、
   前記スリットは、前記液晶層に含まれる液晶分子が初期配向されている方向である第１方向に対して、前記複数の枝電極の第１側に向かって傾いて斜角をなし、
   前記付加翼が接続されている前記第１枝電極は、前記複数の枝電極の内の前記第１側の最外郭に配置され、
   前記スリットの前記第１方向の長さは、４０μｍより長く、
   前記接続部の幅（μｍ）と前記スリットの前記第１方向の長さ（μｍ）との積は、９０より大きく、
   前記第１基板上に配置され、前記第２電界生成電極にデータ電圧を伝達する薄膜トランジスタと、
   前記第１電界生成電極と前記第２電界生成電極との間に配置される絶縁層とをさらに有し、
   前記第２電界生成電極は、前記第１電界生成電極の上部に配置され、
   前記絶縁層は、前記第２電界生成電極と前記薄膜トランジスタとを接続するためのコンタクトホールを含み、
   前記第１電界生成電極は、前記コンタクトホールを囲む開口部を含み、
   前記スリットの下端から前記開口部の辺の内の前記スリットの下端と最も近い第１辺までの距離は、１０μｍ以下であり、
   前記第２電界生成電極の前記第１側に位置する周縁辺から、前記開口部の辺の内の前記第２電界生成電極の前記第１側に位置する周縁辺に最も近い第２辺までの距離は、１０μｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
2. 互いに対向する第１基板及び第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層と、
   前記第１基板上に配置される第１電界生成電極と、
   前記第１基板上に配置され、前記第１電界生成電極と重畳する複数の枝電極を含む第２電界生成電極とを有し、
   前記第２電界生成電極は、前記複数の枝電極のうちの最外郭に位置する第１枝電極の端部に接続されている付加翼を含み、
   前記複数の枝電極間に形成されるスリットの中で、前記付加翼に最も近いスリットの辺と前記付加翼の外郭辺との間の長さである第１長さは、前記枝電極の幅に１．５μｍを加えた値以上であり、
   前記第２電界生成電極は、前記複数の枝電極の端部と接続する接続部をさらに含み、
   前記第１長さは、前記接続部の幅に２μｍを加えた値より長く、
   前記スリットは、前記液晶層に含まれる液晶分子が初期配向されている方向である第１方向に対して、前記複数の枝電極の第１側に向かって傾いて斜角をなし、
   前記付加翼が接続されている前記第１枝電極は、前記複数の枝電極の内の前記第１側の最外郭に配置され、
   前記スリットは、前記第１方向に対して第１角度をなすメイン領域と、前記第１方向に対して前記第１角度より大きい第２角度をなして、前記メイン領域より狭いエッジ領域とを含み、
   前記スリットの前記メイン領域の前記第１方向の長さが、４０μｍより長く、
   前記接続部の幅（μｍ）と、前記スリットの前記メイン領域の前記第１方向の長さ（μｍ）との積は、９０より大きく、
   前記第１基板上に配置され、前記第２電界生成電極にデータ電圧を伝達する薄膜トランジスタと、前記第１電界生成電極と前記第２電界生成電極との間に配置する絶縁層とをさらに有し、
   前記第２電界生成電極は、前記第１電界生成電極の上部に配置され、
   前記絶縁層は、前記第２電界生成電極と前記薄膜トランジスタとを接続するためのコンタクトホールを含み、
   前記第１電界生成電極は、前記コンタクトホールを囲む開口部を含み、
   前記スリットの前記メイン領域と前記エッジ領域の間の屈曲点から、前記開口部の辺の内の前記屈曲点と最も近い第１辺までの距離は、１０μｍ以下であり、
   前記第２電界生成電極の前記第１側に位置する周縁辺から、前記開口部の辺の内の前記第２電界生成電極の前記第１側に位置する周縁辺に最も近い第２辺までの距離は、１０μｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。

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