JP6164504B2 - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6164504B2 JP6164504B2 JP2015176471A JP2015176471A JP6164504B2 JP 6164504 B2 JP6164504 B2 JP 6164504B2 JP 2015176471 A JP2015176471 A JP 2015176471A JP 2015176471 A JP2015176471 A JP 2015176471A JP 6164504 B2 JP6164504 B2 JP 6164504B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detection
- mark
- stage
- measurement
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67727—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using a general scheme of a conveying path within a factory
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Public Health (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Transform (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
Description
ΔL2=ΔYo×(1+cosθ)+ΔZo×sinθ …(2)
従って、式(1)、(2)からΔZo及びΔYoは次式(3)、(4)で求められる。
ΔYo=(ΔL1+ΔL2)/{2(1+cosθ)} …(4)
Δθy≒(ΔZoL−ΔZoR)/D …(6)
従って、主制御装置20は、上記式(3)〜式(6)を用いることで、Z干渉計43A、43Bの計測結果に基づいて、ウエハステージWSTの4自由度の変位ΔZo、ΔYo、Δθz、Δθyを算出することができる。
+2KΔZ(cosθb1+cosθb0−cosθa1−cosθa0)…(7)
ここで、KΔLは、2つの光束LB1,LB2の光路差ΔLに起因する位相差、ΔYは、反射型回折格子RGの+Y方向の変位、ΔZは、反射型回折格子RGの+Z方向の変位、pは回折格子のピッチ、nb,naは上述の各回折光の回折次数である。
その場合、式(7)の右辺第3項の括弧内は零になり、同時にnb=−na(=n)を満たすので、次式(9)が得られる。
上式(9)より、位相差φsymは光の波長に依存しないことがわかる。
Δx=g(z,θy,θz)=θy(z−c)+θz(z−d) ……(11)
上式(10)において、aは、図12のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、bは、Yエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。また、上式(11)において、cは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにローリング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、dは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。
Claims (44)
- 投影光学系を介して照明光で物体を露光する露光装置であって、
前記投影光学系を支持するフレーム部材と、
前記投影光学系の上方に配置され、前記照明光で照明されるマスクを保持する第1ステージと、
前記投影光学系から離れて前記フレーム部材に設けられ、前記投影光学系の光軸と直交する所定面内の第1方向に関して位置が異なる3以上の所定数の検出領域でそれぞれ前記物体のマークを検出可能なマーク検出系と、
前記投影光学系および前記マーク検出系の下方に配置され、前記物体を保持するとともに、上面に基準マークおよびスリットパターンを有する第2ステージと、
前記投影光学系を介して投影される、前記照明光で照明される前記マスクのマーク像を、前記スリットパターンを介して検出する空間像検出部と、
前記第2ステージを駆動するモータを有し、前記物体が前記投影光学系および前記マーク検出系とそれぞれ対向して配置されるように前記第2ステージを移動する駆動系と、
前記第2ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、かつ前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記投影光学系および前記マーク検出系の下端側に配置されるように前記フレーム部材に設けられるとともに、前記ヘッドを介して前記格子部に計測ビームを照射し、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって、前記第2ステージの位置情報を計測する計測装置と、
前記計測装置で計測される位置情報に基づいて前記駆動系を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記マーク検出系による前記物体のマークおよび前記基準マークの検出動作において、前記所定面内で前記第1方向と交差する第2方向に関して位置が異なる前記物体の複数のマークを前記所定数の検出領域の少なくとも一部で検出するために、前記所定数の検出領域に対して前記物体が前記第2方向に相対移動されるように前記駆動系を制御するとともに、前記基準マークが前記所定数の検出領域の1つに配置されるように前記駆動系を制御し、前記空間像検出部による前記マーク像の検出動作において、前記マーク像が前記スリットパターン上に投影されるように前記駆動系を制御し、前記物体の露光動作において、前記マーク検出系による前記物体のマークおよび前記基準マークの検出情報と、前記空間像検出部による前記マーク像の検出情報と、を用いて前記駆動系を制御し、
前記マーク検出系および前記空間像検出部による検出動作と前記露光動作でそれぞれ、前記計測装置によって前記ステージの位置情報が計測され、
前記第2ステージの移動中、前記計測装置で計測に用いられる前記複数のヘッドの1つが別のヘッドに切り換えられ、
前記切換後、前記複数のヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残りのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む複数のヘッドによって前記第2ステージの位置情報が計測され、
前記切換前、前記格子部と対向する3つの前記ヘッドによって前記第2ステージの位置情報が計測されるとともに、前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く2つのヘッドと、前記3つのヘッドと異なる前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって前記第2ステージの位置情報が計測され、
前記格子部は、それぞれ反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドがそれぞれ前記4つのスケール部材と対向している間に行われ、
前記計測装置は、少なくとも前記露光動作において、前記4つのスケール部材の3つ又は4つとそれぞれ対向して配置される3つ又は4つの前記ヘッドによって前記第2ステージの位置情報を計測可能であり、
前記計測装置は、前記第2ステージの移動によって、前記格子部と対向するヘッドが前記3つのヘッドと前記4つのヘッドとの一方から他方に変更される露光装置。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記第2ステージは、前記基準マークおよび前記スリットパターンが形成される計測部材を有する露光装置。 - 請求項2に記載の露光装置において、
前記計測部材は、前記第2ステージの上面の開口内に配置される露光装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記空間像検出部はその一部が前記第2ステージに設けられる露光装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第2ステージは、前記上面の凹部内に配置され、前記物体を保持するホルダを有し、前記凹部内で前記物体を保持する露光装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、少なくとも前記第1方向に関して前記所定数の検出領域の間隔又は相対位置関係が可変である露光装置。 - 請求項6に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記第2方向に関して前記所定数の検出領域の間隔又は相対位置関係が可変である露光装置。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記所定数の検出領域の一部が移動可能であり、前記所定数の検出領域の間隔又は相対位置関係が変更されるように、前記所定数の検出領域のうち残りの検出領域に対して前記一部の検出領域が相対移動される露光装置。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記所定数の検出領域にそれぞれ検出光を照射する前記所定数の光学系と、前記所定数の検出領域の間隔又は相対位置関係が変更されるように前記所定数の光学系の一部を移動する駆動部とを有する露光装置。 - 請求項9に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記駆動部によって移動される前記光学系の位置情報を計測するセンサを有する露光装置。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記第2方向に関して前記投影光学系から離れて配置される露光装置。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記所定数の検出領域に対して前記物体を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置で、前記マークの検出に用いられる前記マーク検出系の検出領域の数が異なる露光装置。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記所定数の検出領域に対して前記物体を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置で、前記マーク検出系によって検出される前記マークの数が異なる露光装置。 - 請求項1〜13のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記所定数の検出領域に対して前記物体を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置でそれぞれ、個数が異なる複数の前記マークが検出される露光装置。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系から離れて前記フレーム部材に支持され、前記第1、第2方向と直交する第3方向に関する前記物体の位置情報を検出する検出装置を、さらに備え、
前記検出装置による前記物体の検出動作において、前記計測装置によって前記第2ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項15に記載の露光装置において、
前記検出装置による前記物体の検出動作はその少なくとも一部が、前記マーク検出系による前記マークの検出動作と並行して実行される露光装置。 - 請求項15又は16に記載の露光装置において、
前記検出装置は、前記第1方向に関して位置が異なる複数の検出点でそれぞれ、前記第3方向に関する前記物体の位置情報を検出可能である露光装置。 - 請求項15〜17のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記検出装置によって前記第2ステージの上面に配置される計測部材が検出されるように前記駆動系を制御し、
前記検出装置による前記計測部材の検出動作と、前記空間像検出部による前記マスクのマークの像の検出動作とでそれぞれ、前記計測装置によって前記第3方向に関する前記第2ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項1〜18のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記フレーム部材から支持部材を介して支持される露光装置。 - 請求項1〜19のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記格子部は反射型格子を有し、前記反射型格子が前記所定面と実質的に平行となるように配置され、
前記第2ステージは、前記ヘッドが設けられ、前記露光動作において前記格子部の下方で移動される露光装置。 - 請求項1〜20のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に行われる露光装置。 - デバイス製造方法であって、
請求項1〜21のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 投影光学系を介して照明光で物体を露光する露光方法であって、
前記投影光学系の上方に配置される第1ステージで、前記照明光で照明されるマスクを保持することと、
前記投影光学系から離れて、前記投影光学系を支持するフレーム部材に設けられ、前記投影光学系の光軸と直交する所定面内の第1方向に関して位置が異なる3以上の所定数の検出領域でそれぞれ前記物体のマークを検出可能なマーク検出系の下方に、前記物体を保持するとともに、上面に基準マークおよびスリットパターンが設けられる第2ステージを配置することと、
前記所定面内で前記第1方向と交差する第2方向に関して位置が異なる前記物体の複数のマークを、前記所定数の検出領域の少なくとも一部で検出するために、前記所定数の検出領域に対して前記物体が前記第2方向に相対移動されるとともに、前記マーク検出系によって前記基準マークを検出するために、前記基準マークが前記所定数の検出領域の1つに配置されるように、前記第2ステージを移動することと、
前記マーク検出系による前記物体のマークおよび前記基準マークの検出動作において、前記第2ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記投影光学系および前記マーク検出系の下端側に配置されるように前記フレーム部材に設けられるとともに、前記ヘッドを介して前記格子部に計測ビームを照射する計測装置の、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって、前記第2ステージの位置情報を計測することと、
前記投影光学系を介して投影される、前記照明光で照明される前記マスクのマーク像を、前記スリットパターンを介して空間像検出部で検出するために、前記計測装置によって計測される前記第2ステージの位置情報に基づき、前記マーク像が前記スリットパターン上に投影されるように前記第2ステージを移動することと、を含み、
前記物体の露光動作において、前記計測装置によって計測される前記第2ステージの位置情報と、前記マーク検出系による前記物体のマークおよび前記基準マークの検出情報と、前記空間像検出部による前記マーク像の検出情報と、に基づいて前記第2ステージが移動され、
前記第2ステージの移動中、前記計測装置で計測に用いられる前記複数のヘッドの1つが別のヘッドに切り換えられ、
前記切換後、前記複数のヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残りのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む複数のヘッドによって前記第2ステージの位置情報が計測され、
前記切換前、前記格子部と対向する3つの前記ヘッドによって前記第2ステージの位置情報が計測され、
前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く2つのヘッドと、前記3つのヘッドと異なる前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって前記第2ステージの位置情報が計測され、
前記格子部は、それぞれ反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドがそれぞれ前記4つのスケール部材と対向している間に行われ、
少なくとも前記露光動作において、前記4つのスケール部材の3つ又は4つとそれぞれ対向して配置される3つ又は4つの前記ヘッドによって前記第2ステージの位置情報が計測され、
前記第2ステージの移動によって、前記格子部と対向するヘッドが前記3つのヘッドと前記4つのヘッドとの一方から他方に変更される露光方法。 - 請求項23に記載の露光方法において、
前記第2ステージは、前記基準マークおよび前記スリットパターンが形成される計測部材を有する露光方法。 - 請求項24に記載の露光方法において、
前記計測部材は、前記第2ステージの上面の開口内に配置される露光方法。 - 請求項23〜25のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記空間像検出部はその一部が前記第2ステージに設けられる露光方法。 - 請求項23〜26のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記物体は、前記第2ステージの上面の凹部内に配置されるホルダで保持される露光方法。 - 請求項23〜27のいずれか一項に記載の露光方法において、
少なくとも前記第1方向に関して前記マーク検出系の前記所定数の検出領域の間隔又は相対位置関係が調整される露光方法。 - 請求項28に記載の露光方法において、
前記第2方向に関して前記マーク検出系の前記所定数の検出領域の間隔又は相対位置関係が調整される露光方法。 - 請求項23〜29のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記マーク検出系の前記所定数の検出領域の間隔又は相対位置関係が変更されるように、前記所定数の検出領域の一部が残りの検出領域に対して相対移動される露光方法。 - 請求項23〜30のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記マーク検出系の前記所定数の検出領域の間隔又は相対位置関係が変更されるように、前記所定数の検出領域にそれぞれ検出光を照射する前記所定数の光学系の一部が移動される露光方法。 - 請求項31に記載の露光方法において、
前記間隔又は相対位置関係の変更のために、前記一部の光学系の位置情報が計測される露光方法。 - 請求項23〜32のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第2方向に関して前記投影光学系から離れて配置される前記マーク検出系によって前記物体のマークおよび前記基準マークが検出される露光方法。 - 請求項23〜33のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記所定数の検出領域に対して前記物体を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置で、前記マークの検出に用いられる前記マーク検出系の検出領域の数が異なる露光方法。 - 請求項23〜34のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記所定数の検出領域に対して前記物体を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置で、前記マーク検出系によって検出される前記マークの数が異なる露光方法。 - 請求項23〜35のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記所定数の検出領域に対して前記物体を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置でそれぞれ、個数が異なる複数の前記マークが検出される露光方法。 - 請求項23〜36のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系から離れて前記フレーム部材に支持される検出装置によって、前記第1、第2方向と直交する第3方向に関する前記物体の位置情報が検出され、
前記検出装置による前記物体の検出動作において、前記計測装置によって前記第2ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項37に記載の露光方法において、
前記検出装置による前記物体の検出動作はその少なくとも一部が、前記マーク検出系による前記マークの検出動作と並行して実行される露光方法。 - 請求項37又は38に記載の露光方法において、
前記検出装置の、前記第1方向に関して位置が異なる複数の検出点でそれぞれ、前記第3方向に関する前記物体の位置情報が検出される露光方法。 - 請求項37〜39のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第2ステージは、前記検出装置によって前記第2ステージの上面に配置される計測部材が検出されるように移動され、
前記検出装置による前記計測部材の検出動作と、前記空間像検出部による前記マスクのマークの像の検出動作とでそれぞれ、前記計測装置によって前記第3方向に関する前記第2ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項23〜40のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記フレーム部材から支持部材を介して支持される露光方法。 - 請求項23〜41のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記格子部は反射型格子を有し、前記反射型格子が前記所定面と実質的に平行となるように配置され、
前記第2ステージは、前記ヘッドが設けられ、前記露光動作において前記格子部の下方で移動される露光方法。 - 請求項1〜42のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に行われる露光方法。 - デバイス製造方法であって、
請求項23〜43のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015176471A JP6164504B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006236783 | 2006-08-31 | ||
JP2006236783 | 2006-08-31 | ||
JP2015176471A JP6164504B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015127320A Division JP6016203B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-06-25 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015232731A JP2015232731A (ja) | 2015-12-24 |
JP6164504B2 true JP6164504B2 (ja) | 2017-07-19 |
Family
ID=39136013
Family Applications (14)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008532135A Pending JPWO2008026732A1 (ja) | 2006-08-31 | 2007-08-31 | 移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、デバイス製造方法、並びに決定方法 |
JP2012079012A Expired - Fee Related JP5545314B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-03-30 | 移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2012245004A Expired - Fee Related JP5582368B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-11-07 | 移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、デバイス製造方法、並びに決定方法 |
JP2014000952A Expired - Fee Related JP5700365B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-01-07 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014160338A Expired - Fee Related JP5850108B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-08-06 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002357A Active JP5907397B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-01-08 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015127320A Expired - Fee Related JP6016203B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-06-25 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015176470A Expired - Fee Related JP6160934B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015176472A Expired - Fee Related JP6041112B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015176471A Expired - Fee Related JP6164504B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004040A Expired - Fee Related JP6172547B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016123836A Expired - Fee Related JP6218126B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-06-22 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016238958A Expired - Fee Related JP6331235B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-12-09 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018075897A Active JP6536861B2 (ja) | 2006-08-31 | 2018-04-11 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications Before (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008532135A Pending JPWO2008026732A1 (ja) | 2006-08-31 | 2007-08-31 | 移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、デバイス製造方法、並びに決定方法 |
JP2012079012A Expired - Fee Related JP5545314B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-03-30 | 移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2012245004A Expired - Fee Related JP5582368B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-11-07 | 移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、デバイス製造方法、並びに決定方法 |
JP2014000952A Expired - Fee Related JP5700365B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-01-07 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014160338A Expired - Fee Related JP5850108B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-08-06 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002357A Active JP5907397B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-01-08 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015127320A Expired - Fee Related JP6016203B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-06-25 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015176470A Expired - Fee Related JP6160934B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015176472A Expired - Fee Related JP6041112B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-09-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016004040A Expired - Fee Related JP6172547B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016123836A Expired - Fee Related JP6218126B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-06-22 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016238958A Expired - Fee Related JP6331235B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-12-09 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018075897A Active JP6536861B2 (ja) | 2006-08-31 | 2018-04-11 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US8675171B2 (ja) |
EP (2) | EP2071611B1 (ja) |
JP (14) | JPWO2008026732A1 (ja) |
KR (15) | KR101612685B1 (ja) |
CN (5) | CN101405839B (ja) |
HK (5) | HK1192949A1 (ja) |
SG (2) | SG10201407478PA (ja) |
TW (6) | TWI609252B (ja) |
WO (1) | WO2008026732A1 (ja) |
Families Citing this family (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5992770A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
TW201738667A (zh) | 2006-08-31 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光方法及曝光裝置、以及元件製造方法 |
TWI609252B (zh) | 2006-08-31 | 2017-12-21 | Nikon Corp | Moving body driving system and moving body driving method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, element manufacturing method, and determination method |
US20080094592A1 (en) | 2006-08-31 | 2008-04-24 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
KR101323530B1 (ko) | 2006-09-01 | 2013-10-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
JP5486189B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2014-05-07 | 株式会社ニコン | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US7619207B2 (en) * | 2006-11-08 | 2009-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8237919B2 (en) * | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
US9013681B2 (en) * | 2007-11-06 | 2015-04-21 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9256140B2 (en) * | 2007-11-07 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction |
US8665455B2 (en) * | 2007-11-08 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8422015B2 (en) * | 2007-11-09 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8711327B2 (en) * | 2007-12-14 | 2014-04-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
TWI547769B (zh) | 2007-12-28 | 2016-09-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, a moving body driving system, a pattern forming apparatus, and an exposure method, and an element manufacturing method |
US8792079B2 (en) * | 2007-12-28 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method having encoders to measure displacement between optical member and measurement mount and between measurement mount and movable body |
US8269945B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
NL1036742A1 (nl) * | 2008-04-18 | 2009-10-20 | Asml Netherlands Bv | Stage system calibration method, stage system and lithographic apparatus comprising such stage system. |
WO2009133702A1 (ja) | 2008-04-30 | 2009-11-05 | 株式会社ニコン | ステージ装置、パターン形成装置、露光装置、ステージ駆動方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US8786829B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8228482B2 (en) * | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8817236B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8149420B2 (en) * | 2008-07-25 | 2012-04-03 | Agilent Technologies, Inc. | Interferometer calibration system and method |
JP5262455B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2013-08-14 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US8325325B2 (en) | 2008-09-22 | 2012-12-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8994923B2 (en) * | 2008-09-22 | 2015-03-31 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8508735B2 (en) | 2008-09-22 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
US8902402B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
TWI383152B (zh) * | 2009-04-03 | 2013-01-21 | Mjc Probe Inc | Detection device |
US8553204B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-10-08 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8970820B2 (en) * | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
NL2005013A (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-02 | Asml Netherlands Bv | Positioning system, lithographic apparatus and method. |
US8488109B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20110075120A1 (en) | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110123913A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
US8488106B2 (en) * | 2009-12-28 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101914101B1 (ko) * | 2011-06-28 | 2018-11-02 | 삼성전자 주식회사 | 척의 제어 장치 및 방법, 노광 장치 및 그 제어 방법 |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
CN102679911A (zh) * | 2012-05-10 | 2012-09-19 | 山西力天世纪刀具有限公司 | 一种用于测量的无损测量设备 |
JP6479309B2 (ja) * | 2012-08-20 | 2019-03-06 | Dmg森精機株式会社 | スケール装置、位置情報生成方法及び多軸ステージ装置 |
CN102866593B (zh) * | 2012-09-17 | 2015-02-11 | 上海华力微电子有限公司 | 一种监控光刻设备光路稳定性的装置 |
KR20230055404A (ko) | 2012-11-30 | 2023-04-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 반송 시스템, 노광 장치, 반송 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조방법, 및 흡인 장치 |
EP2935342B1 (en) | 2012-12-20 | 2021-03-31 | Arlanxeo Singapore Pte. Ltd. | Ionomer comprising pendant vinyl groups and processes for preparing same |
US8842273B2 (en) | 2013-02-14 | 2014-09-23 | United Sciences, Llc | Optical measurement of drilled holes |
EP4194953A1 (en) | 2013-06-28 | 2023-06-14 | Nikon Corporation | Mobile body apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9188775B2 (en) * | 2013-08-28 | 2015-11-17 | United Sciences, Llc | Optical scanning and measurement |
CN111812949A (zh) | 2015-09-30 | 2020-10-23 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法 |
US10268121B2 (en) * | 2015-09-30 | 2019-04-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and flat panel display manufacturing method |
KR20180059814A (ko) * | 2015-09-30 | 2018-06-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
DE102016212477A1 (de) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messverfahren und Messsystem zur interferometrischen Vermessung der Abbildungsqualität eines optischen Abbildungssystems |
CN113641082B (zh) | 2016-09-30 | 2023-10-24 | 株式会社尼康 | 移动体装置、移动方法、曝光装置、曝光方法、平板显示器的制造方法、以及器件制造方法 |
CN107883884B (zh) * | 2016-09-30 | 2019-10-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种光学测量装置和方法 |
JP7296448B2 (ja) * | 2018-09-12 | 2023-06-22 | サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー | ガス放電ステージの本体のためのメトロロジ |
KR20200094498A (ko) | 2019-01-30 | 2020-08-07 | 삼성전자주식회사 | 마스크를 포함하는 마이크로 엘이디 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 전사 방법 |
US11626305B2 (en) * | 2019-06-25 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Sensor-based correction of robot-held object |
JP7328809B2 (ja) * | 2019-07-01 | 2023-08-17 | キヤノン株式会社 | 検出装置、露光装置、および物品製造方法 |
JP7301695B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2023-07-03 | キヤノン株式会社 | 制御装置、制御方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
CN111128277A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-05-08 | 广东紫晶信息存储技术股份有限公司 | 一种卡式全息存储介质中全息图的定位方法和装置 |
KR20210103438A (ko) | 2021-08-03 | 2021-08-23 | 전대연 | 스마트 지하철 알리미 시스템 |
CN115112047B (zh) * | 2022-08-19 | 2022-12-20 | 南京木木西里科技有限公司 | 激光往复扫描***及其方法 |
Family Cites Families (182)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4215938A (en) | 1978-09-28 | 1980-08-05 | Farrand Industries, Inc. | Method and apparatus for correcting the error of a position measuring interferometer |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPS60119407A (ja) | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 比較検査装置 |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS63292005A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nikon Corp | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 |
US5489986A (en) * | 1989-02-28 | 1996-02-06 | Nikon Corporation | Position detecting apparatus |
US5070250A (en) * | 1989-02-28 | 1991-12-03 | Nikon Corporation | Position detection apparatus with adjustable beam and interference fringe positions |
US5021649A (en) | 1989-03-28 | 1991-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Relief diffraction grating encoder |
JP2784225B2 (ja) * | 1989-11-28 | 1998-08-06 | 双葉電子工業株式会社 | 相対移動量測定装置 |
JP3077149B2 (ja) * | 1990-01-22 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 測定装置、測定方法、及び露光装置、露光方法、及び回路パターンチップ |
US5523843A (en) * | 1990-07-09 | 1996-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting system |
DE4033556A1 (de) * | 1990-10-22 | 1992-04-23 | Suess Kg Karl | Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
US5506684A (en) | 1991-04-04 | 1996-04-09 | Nikon Corporation | Projection scanning exposure apparatus with synchronous mask/wafer alignment system |
JP3149472B2 (ja) * | 1991-08-30 | 2001-03-26 | 株式会社ニコン | 走査露光装置および物体の移動測定装置 |
DE4219311C2 (de) | 1991-06-13 | 1996-03-07 | Sony Magnescale Inc | Verschiebungsdetektor |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH05129184A (ja) | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3303386B2 (ja) | 1993-02-03 | 2002-07-22 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
US5461237A (en) | 1993-03-26 | 1995-10-24 | Nikon Corporation | Surface-position setting apparatus |
US5583609A (en) * | 1993-04-23 | 1996-12-10 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3375076B2 (ja) | 1993-04-27 | 2003-02-10 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
US5581324A (en) | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
JPH09223650A (ja) | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Nikon Corp | 露光装置 |
US6122036A (en) | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US5625453A (en) | 1993-10-26 | 1997-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for detecting the relative positional deviation between diffraction gratings and for measuring the width of a line constituting a diffraction grating |
JPH07190741A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
JPH0883753A (ja) | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH09318321A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 測長装置 |
JPH1063011A (ja) | 1996-08-14 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
US5917580A (en) | 1996-08-29 | 1999-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan exposure method and apparatus |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
DE69738910D1 (de) | 1996-11-28 | 2008-09-25 | Nikon Corp | Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren |
JP4029180B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH10223528A (ja) | 1996-12-30 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置合わせ方法 |
JP3626504B2 (ja) | 1997-03-10 | 2005-03-09 | アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ | 2個の物品ホルダを有する位置決め装置 |
JPH10270535A (ja) | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
US6020964A (en) * | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3809268B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2006-08-16 | キヤノン株式会社 | デバイス製造方法 |
JPH11191585A (ja) | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Canon Inc | ステージ装置、およびこれを用いた露光装置、ならびにデバイス製造方法 |
JPH11233420A (ja) | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置検出方法 |
CN100578876C (zh) | 1998-03-11 | 2010-01-06 | 株式会社尼康 | 紫外激光装置以及使用该紫外激光装置的曝光装置和曝光方法 |
US6008610A (en) | 1998-03-20 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Position control apparatus for fine stages carried by a coarse stage on a high-precision scanning positioning system |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
WO1999060361A1 (fr) | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Nikon Corporation | Instrument et procede de mesure d'aberrations, appareil et procede de sensibilisation par projection incorporant cet instrument, et procede de fabrication de dispositifs associe |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2000068192A (ja) | 1998-08-18 | 2000-03-03 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及び位置検出方法 |
US6144118A (en) * | 1998-09-18 | 2000-11-07 | General Scanning, Inc. | High-speed precision positioning apparatus |
EP1014199B1 (en) * | 1998-12-24 | 2011-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage control apparatus, exposure apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
TW490596B (en) | 1999-03-08 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus |
US6924884B2 (en) * | 1999-03-08 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Off-axis leveling in lithographic projection apparatus |
JP2001035782A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-09 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 露光装置及び露光方法、光源装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2001085316A (ja) | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法およびステージ装置 |
US6381004B1 (en) | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP4428781B2 (ja) | 1999-12-28 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 光学式ロータリエンコーダ及びモータ制御装置 |
CA2396259A1 (en) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Electro Scientific Industries, Inc. | Abbe error correction system and method |
JP2001308003A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
SG124257A1 (en) | 2000-02-25 | 2006-08-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
US6639686B1 (en) | 2000-04-13 | 2003-10-28 | Nanowave, Inc. | Method of and apparatus for real-time continual nanometer scale position measurement by beam probing as by laser beams and the like of atomic and other undulating surfaces such as gratings or the like relatively moving with respect to the probing beams |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
JP2002090114A (ja) | 2000-07-10 | 2002-03-27 | Mitsutoyo Corp | 光スポット位置センサ及び変位測定装置 |
EP1182509B1 (en) * | 2000-08-24 | 2009-04-08 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, calibration method thereof and device manufacturing method |
US7289212B2 (en) | 2000-08-24 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby |
TW527526B (en) | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7561270B2 (en) | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
JP2002198299A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6611316B2 (en) | 2001-02-27 | 2003-08-26 | Asml Holding N.V. | Method and system for dual reticle image exposure |
WO2002078388A2 (en) | 2001-03-27 | 2002-10-03 | 1... Limited | Method and apparatus to create a sound field |
JP2002340667A (ja) | 2001-05-15 | 2002-11-27 | Nikon Corp | 照度計測装置および露光装置 |
JP2003022948A (ja) | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JP4198338B2 (ja) | 2001-07-09 | 2008-12-17 | 株式会社 東北テクノアーチ | ステージ装置 |
JP2003031474A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 露光装置および露光方法 |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
JP2003249443A (ja) | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
KR100927560B1 (ko) | 2002-01-29 | 2009-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 이미지 형성 상태 조정 시스템, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 프로그램 및 정보 기록 매체 |
US6987555B2 (en) | 2002-04-23 | 2006-01-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4168665B2 (ja) | 2002-05-22 | 2008-10-22 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
JP2004101362A (ja) | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Canon Inc | ステージ位置計測および位置決め装置 |
EP1420299B1 (en) * | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101424881B (zh) | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
EP2495613B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
CN101607209B (zh) * | 2002-11-18 | 2014-07-02 | 优美科触媒日本有限公司 | 废气净化用催化剂的制备方法与废气净化方法 |
KR20130010039A (ko) | 2002-12-10 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101409565B1 (ko) | 2003-04-10 | 2014-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
EP2672307A3 (en) | 2003-05-06 | 2014-07-23 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US7025498B2 (en) | 2003-05-30 | 2006-04-11 | Asml Holding N.V. | System and method of measuring thermal expansion |
JP2005005295A (ja) | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US20050027487A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-02-03 | Supriya Iyer | Product defect analysis and resolution system |
KR101599649B1 (ko) | 2003-07-28 | 2016-03-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법 |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP4515209B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
TWI295408B (en) | 2003-10-22 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system |
JP4478435B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2010-06-09 | キヤノン株式会社 | 露光装置、およびデバイス製造方法 |
US7423722B2 (en) * | 2004-01-29 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7102729B2 (en) * | 2004-02-03 | 2006-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method |
US20070058146A1 (en) | 2004-02-04 | 2007-03-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, position control method, and method for producing device |
JP2005252246A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置及び方法、位置制御方法、並びにデバイス製造方法 |
JP4479911B2 (ja) | 2004-02-18 | 2010-06-09 | 株式会社ニコン | 駆動方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP4429037B2 (ja) | 2004-02-27 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | ステージ装置及びその制御方法 |
JP2005249452A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | リニアエンコーダ、画像読取装置及び画像記録装置 |
JP4622340B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005268608A (ja) | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ装置 |
JP4418699B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2010-02-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4751032B2 (ja) | 2004-04-22 | 2011-08-17 | 株式会社森精機製作所 | 変位検出装置 |
US20050241694A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Red Flame Hot Tap Services Ltd. | Hot tapping method, system and apparatus |
US7545478B2 (en) * | 2004-05-05 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, thermal conditioning system, and method for manufacturing a device |
US7126109B2 (en) | 2004-06-14 | 2006-10-24 | Gsi Group Corporation | Encoder scale error compensation employing comparison among multiple detectors |
WO2005124834A1 (ja) | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Nikon Corporation | ベストフォーカス検出方法及び露光方法、並びに露光装置 |
CN1252542C (zh) * | 2004-06-25 | 2006-04-19 | 清华大学 | 带有平衡块消振装置的超精密硅片定位*** |
TWI396225B (zh) * | 2004-07-23 | 2013-05-11 | 尼康股份有限公司 | 成像面測量方法、曝光方法、元件製造方法以及曝光裝置 |
US7256871B2 (en) | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
JP3870207B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1804278A4 (en) | 2004-09-14 | 2011-03-02 | Nikon Corp | CORRECTION METHOD AND EXPOSURE DEVICE |
TWI508136B (zh) | 2004-09-17 | 2015-11-11 | 尼康股份有限公司 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP4852951B2 (ja) | 2004-09-17 | 2012-01-11 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
EP1794650A4 (en) | 2004-09-30 | 2008-09-10 | Nikon Corp | OPTICAL PROJECTION DEVICE AND EXPOSURE DEVICE |
JP4424739B2 (ja) | 2004-10-19 | 2010-03-03 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
US7388663B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
EP1840943A4 (en) | 2004-11-25 | 2010-04-21 | Nikon Corp | MOBILE BODY SYSTEM, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS |
US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060139595A1 (en) | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
JP2006192521A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | クランプ装置及び画像形成装置 |
US7450217B2 (en) * | 2005-01-12 | 2008-11-11 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4450739B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2010-04-14 | 富士フイルム株式会社 | 露光装置 |
JP2006210570A (ja) | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Nikon Corp | 調整方法、露光装置 |
US7161659B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7515281B2 (en) | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7349069B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7405811B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7348574B2 (en) | 2005-09-02 | 2008-03-25 | Asml Netherlands, B.V. | Position measurement system and lithographic apparatus |
US7362446B2 (en) | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
JP2007093546A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nikon Corp | エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置 |
US7978339B2 (en) | 2005-10-04 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus temperature compensation |
EP2963498B8 (en) | 2006-01-19 | 2017-07-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP2003680B1 (en) | 2006-02-21 | 2013-05-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
CN101385122B (zh) | 2006-02-21 | 2010-12-08 | 株式会社尼康 | 图案形成装置、标记检测装置、曝光装置、图案形成方法、曝光方法及组件制造方法 |
SG170010A1 (en) | 2006-02-21 | 2011-04-29 | Nikon Corp | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure appararus and method, and device manufacturing method |
US7602489B2 (en) | 2006-02-22 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7253875B1 (en) | 2006-03-03 | 2007-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7636165B2 (en) | 2006-03-21 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7576832B2 (en) | 2006-05-04 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7483120B2 (en) | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
JP4393540B2 (ja) | 2006-08-01 | 2010-01-06 | シャープ株式会社 | 樹脂含有粒子の凝集体の製造方法、トナー、現像剤、現像装置および画像形成装置 |
TW201738667A (zh) | 2006-08-31 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光方法及曝光裝置、以及元件製造方法 |
US20080094592A1 (en) | 2006-08-31 | 2008-04-24 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
TWI609252B (zh) | 2006-08-31 | 2017-12-21 | Nikon Corp | Moving body driving system and moving body driving method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, element manufacturing method, and determination method |
KR101323530B1 (ko) | 2006-09-01 | 2013-10-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
US7619207B2 (en) | 2006-11-08 | 2009-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7903866B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
US7710540B2 (en) | 2007-04-05 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8547527B2 (en) | 2007-07-24 | 2013-10-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
TWI547769B (zh) | 2007-12-28 | 2016-09-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, a moving body driving system, a pattern forming apparatus, and an exposure method, and an element manufacturing method |
-
2007
- 2007-08-31 TW TW105117941A patent/TWI609252B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 CN CN200780009923.1A patent/CN101405839B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 EP EP07806512.5A patent/EP2071611B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 KR KR1020157014242A patent/KR101612685B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 US US11/896,411 patent/US8675171B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 CN CN201410747849.5A patent/CN104460241B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 WO PCT/JP2007/067039 patent/WO2008026732A1/ja active Application Filing
- 2007-08-31 KR KR1020177017146A patent/KR101862528B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020147000327A patent/KR101555793B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 TW TW096132467A patent/TWI442191B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 KR KR1020167008616A patent/KR101706027B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020147035542A patent/KR101648289B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 TW TW103102630A patent/TWI534561B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 KR KR1020157034939A patent/KR101669788B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 EP EP15184458.6A patent/EP2988320B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 TW TW105117940A patent/TWI610149B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 KR KR1020167000306A patent/KR101638306B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020147036519A patent/KR101556493B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020087026014A patent/KR101479347B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 JP JP2008532135A patent/JPWO2008026732A1/ja active Pending
- 2007-08-31 CN CN201410748646.8A patent/CN104656377B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 CN CN201310529253.3A patent/CN103645608B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 KR KR1020147000328A patent/KR101477465B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 TW TW106140209A patent/TWI655517B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 TW TW103102629A patent/TWI547771B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 CN CN201410749307.1A patent/CN104375390B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 KR KR1020157022526A patent/KR101669785B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 SG SG10201407478PA patent/SG10201407478PA/en unknown
- 2007-08-31 KR KR1020187014460A patent/KR20180056819A/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 SG SG2011061686A patent/SG174744A1/en unknown
- 2007-08-31 KR KR1020167008617A patent/KR101780614B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020147014596A patent/KR101585359B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020147036520A patent/KR101604246B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012079012A patent/JP5545314B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-07 JP JP2012245004A patent/JP5582368B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-01-07 JP JP2014000952A patent/JP5700365B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-01-30 US US14/168,299 patent/US9568844B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-22 HK HK14104791.7A patent/HK1192949A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-08-06 JP JP2014160338A patent/JP5850108B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-08 JP JP2015002357A patent/JP5907397B2/ja active Active
- 2015-04-01 HK HK15103333.3A patent/HK1202932A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2015-05-11 HK HK15104424.1A patent/HK1204089A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2015-06-25 JP JP2015127320A patent/JP6016203B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-08-05 HK HK15107531.4A patent/HK1207160A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2015-09-08 JP JP2015176470A patent/JP6160934B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-09-08 JP JP2015176472A patent/JP6041112B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-09-08 JP JP2015176471A patent/JP6164504B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-13 JP JP2016004040A patent/JP6172547B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-05-31 HK HK16106135.5A patent/HK1218186A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-06-22 JP JP2016123836A patent/JP6218126B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-12-09 JP JP2016238958A patent/JP6331235B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-12-19 US US15/382,825 patent/US10073359B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-12-20 US US15/384,489 patent/US10067428B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-04-11 JP JP2018075897A patent/JP6536861B2/ja active Active
- 2018-08-03 US US16/054,251 patent/US20180373169A1/en not_active Abandoned
- 2018-08-06 US US16/055,467 patent/US20180341187A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6331235B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP6429050B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP6056992B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160519 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161108 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170525 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170607 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6164504 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |