JP6161018B2 - 撮像装置 - Google Patents

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Description

本願は、積層型の撮像装置に関する。
近年、光電変換素子が半導体基板上に設けられた積層型イメージセンサが実現されている。積層型イメージセンサでは、半導体基板と異なる材料によって光電変換素子の光電変換層を形成することができる。このため、シリコンなどの従来の半導体材料とは異なる無機材料または有機材料によって光電変換層を形成することが可能であり、従来とは異なる波長帯域に感度を有する等、従来のイメージセンサとは異なる物性または機能を有するイメージセンサが実現し得る。例えば、特許文献１は、２以上の異なる波長帯域にそれぞれ感度を有する光電変換層を備えることにより、高い光の利用効率を有するイメージセンサを開示している。
特開２００３−２３４４６０号公報
新規な積層型撮像装置を提供する。
本願の限定的ではないある例示的な実施形態による撮像装置は、１次元または２次元に配列された複数の画素を備えた撮像装置であって、各画素は、複数の画素間で電気的に接続された電極と、画素ごとに区画された電荷捕集部と、電極と電荷捕集部との間に位置し、複数の画素間でつながっている光電変換層とを備え、光電変換層は、半導体型カーボンナノチューブと、半導体型カーボンナノチューブよりも大きな電子親和力を持つ第1の物質および半導体型カーボンナノチューブよりも小さなイオン化ポテンシャルを持つ第２の物質のうちの一方と、を含む。
本開示の一態様によれば、カーボンナノチューブを光電変換材料として備えた撮像装置が提供される。
図１は、本開示の第１の実施形態による撮像装置の回路の一例を示す図である。 図２は、図１に示す撮像装置の単位画素セルにおけるデバイス構造の一例を示す模式的な断面図である。 図３Ａは、図１に示す撮像装置の光電変換部の構造の一例を示す模式的な断面図である。 図３Ｂは、図１に示す撮像装置の光電変換部の構造の他の例を示す模式的な断面図である。 図４Ａは、カーボンナノチューブの構造の一例を示す模式図である。 図４Ｂは、カーボンナノチューブのカイラリティを説明するための模式図である。 図５は、カーボンナノチューブのカイラリティと、第１および第２共鳴波長との関係を示す図である。 図６Ａは、本開示の実施形態による撮像装置における半導体型カーボンナノチューブおよび電荷分離材料の電子親和力の大小関係を示す模式図である。 図６Ｂは、第１の実施形態による撮像装置における半導体型カーボンナノチューブおよび電荷分離材料のイオン化ポテンシャルの大小関係を示す模式図である。 図７は、本開示の実施形態による撮像装置の光電変換部における電荷の移動を説明する模式図である。 図８は、カーボンナノチューブにおける電荷の移動を説明する模式図である。 図９は、第２の実施形態の撮像装置における光電変換部の構造の一例を示す模式的な断面図である。 図１０は、第２の実施形態による撮像装置の光電変換部における電荷の移動を説明する模式図である。
車載カメラ、監視用カメラ等に用いるため、近赤外領域に感度を有する撮像装置が求められている。このために、近赤外領域に感度を有する有機半導体材料を光電変換素子の光電変換材料として用いることが検討されている。本願発明者は、近赤外領域に吸収を有する材料としてカーボンナノチューブに着目した。
カーボンナノチューブの分子は一般に、数十ｎｍから数ｍｍ程度の長さを有するチューブ形状を有しており、種々の従来の有機材料および無機材料には見られないユニークな特徴を備えている。特に、カーボンナノチューブの電子および正孔の移動度が非常に大きいことが知られている。
本願発明者は、カーボンナノチューブのこのような特徴を利用し、高速動作が可能な、新規な撮像装置を想到した。本開示の一態様の概要は以下のとおりである。
［項目１］
１次元または２次元に配列された複数の画素を備えた撮像装置であって、
各画素は、前記複数の画素間で電気的に接続された電極と、前記画素ごとに区画された電荷捕集部と、前記電極と前記電荷捕集部との間に位置し、前記複数の画素間でつながっている光電変換層と、を備え、前記光電変換層は、半導体型カーボンナノチューブと、前記半導体型カーボンナノチューブよりも大きな電子親和力を持つ第１の物質および前記半導体型カーボンナノチューブよりも小さなイオン化ポテンシャルを持つ第２の物質のうちの一方と、を含む、撮像装置。この構成によれば、カーボンナノチューブを光電変換材料として備えた撮像装置が実得する。また、半導体型カーボンナノチューブよりも大きな電子親和力を持つ物質、または、半導体型カーボンナノチューブよりも小さなイオン化ポテンシャルを持つ物質を含むことにより、画素間での検出電荷の混合を抑制し、高精細な画像を取得し得る撮像装置、または、微小な画素サイズの撮像装置が実現し得る。
［項目２］
前記光電変換層は、前記第１の物質を含み、前記電荷捕集部は、負電荷を捕集する項目１に記載の撮像装置。この構成によれば、負電荷を信号電荷として検出することができる。
［項目３］
前記光電変換層は、前記第２の物質を含み、前記電荷捕集部は、正電荷を捕集する項目１に記載の撮像装置。この構成によれば、正電荷を信号電荷として検出することができる。
［項目４］
前記光電変換層を支持する半導体基板を更に備え、前記各画素は前記半導体基板に設けられており、前記電荷捕集部と電気的に接続された電荷検出用トランジスタをさらに含む、項目１から３のいずれかに記載の撮像装置。この構成によれば、積層型の撮像装置を実現し得る。
［項目５］
前記光電変換層において、前記半導体型カーボンナノチューブと、前記第１の物質および前記第２の物質のうちの一方とは互いに分散している項目１から４のいずれかに記載の撮像装置。この構成によれば、より確実に画素間の電荷の混合が抑制される。
［項目６］
前記電荷捕集部は、前記半導体基板に形成された不純物拡散領域である項目４に記載の撮像装置。
［項目７］
前記電荷捕集部は、前記半導体基板上に位置する電極である、項目４に記載の撮像装置。
［項目８］
前記第１の物質は、フラーレン骨格を有する分子である項目２に記載の撮像装置。この構成によれば、負電荷を信号電荷として検出することができる。
［項目９］
前記電極と電気的に接続され、前記電荷捕集部の電位が前記電極の電位よりも高くなるように決定されたバイアス電圧を生成する電圧供給回路をさらに含む項目３に記載の撮像装置。
［項目１０］
前記電極と電気的に接続され、前記電荷捕集部の電位が前記電極の電位よりも低くなるように決定されたバイアス電圧を生成する電圧供給回路をさらに含む項目２に記載の撮像装置。
［項目１１］
１次元または２次元に配列された複数の画素を備えた撮像装置であって、各画素は、前記複数の画素間で電気的に接続された電極、前記画素ごとに区画された電荷捕集部、および半導体型カーボンナノチューブと、前記半導体型カーボンナノチューブよりも大きな電子親和力を持つ第１の物質および前記半導体型カーボンナノチューブよりも小さなイオン化ポテンシャルを持つ第２の物質のうちの一方とを含み、前記電極および前記電荷捕集部に挟まれた光電変換層を含み、前記半導体型カーボンナノチューブの少なくとも一部は前記電荷捕集部と電気的に接続されている、撮像装置。この構成によれば、キャリア移動度の高い半導体型カーボンナノチューブを含み、半導体型カーボンナノチューブ中を移動する電荷を画素電極で捕集する。このため、高速動作、高フレームレートで撮影が可能な撮像装置を実現することができる。
［項目１２］
前記光電変換層は、前記第１の物質を含み、前記電荷捕集部は、正電荷を捕集する項目１１に記載の撮像装置。この構成によれば、正電荷を信号電荷として検出することができる。
［項目１３］
前記光電変換層は、前記第２の物質を含み、前記電荷捕集部は、負電荷を捕集する項目１１に記載の撮像装置。この構成によれば、負電荷を信号電荷として検出することができる。
［項目１４］
前記光電変換層を支持する半導体基板を更に備え、前記各画素は前記半導体基板に設けられており、前記電荷捕集部と電気的に接続された電荷検出用トランジスタをさらに含む、項目１１から１３のいずれか記載の撮像装置。この構成によれば、積層型の撮像装置を実現し得る。
［項目１５］
前記電荷捕集部は、前記半導体基板に形成された不純物拡散領域である項目１４に記載の撮像装置。
［項目１６］
前記電荷捕集部は、前記半導体基板上に位置する電極である、項目１４に記載の撮像装置。
［項目１７］
前記第１の物質は、フラーレン骨格を有する分子である項目１２に記載の撮像装置。この構成によれば、正電荷を信号電荷として検出することができる。
［項目１８］
前記電極と電気的に接続され、前記電荷捕集部の電位が前記電極の電位よりも低くなるように決定されたバイアス電圧を生成する電圧供給回路をさらに含む項目１２に記載の撮像装置。
［項目１９］
前記電極と電気的に接続され、前記電荷捕集部の電位が前記電極の電位よりも高くなるように決定されたバイアス電圧を生成する電圧供給回路をさらに含む項目１３に記載の撮像装置。
以下、本開示の実施形態を詳細に説明する。なお、以下で説明する実施形態は、いずれも包括的または具体的な例を示す。以下の実施形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本開示を限定する主旨ではない。本明細書において説明される種々の態様は、矛盾が生じない限り互いに組み合わせることが可能である。また、以下の実施形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。
（第１の実施形態）
［１．撮像装置の全体構成］
図１を参照しながら、本開示の撮像装置の構成の概略を説明する。図１は、本開示の実施形態による撮像装置の回路構成の一例を示す。図１に示す撮像装置１００は、複数の単位画素セル２０と、周辺回路とを有する。周辺回路は、単位画素セル２０の各々に所定の電圧を供給する電圧供給回路１０を含む。
単位画素セル２０は、半導体基板に１次元または２次元に配置されることにより、感光領域（画素領域）を形成する。図１に例示する構成では、単位画素セル２０が、行方向および列方向に配列されている。本明細書において、行方向および列方向は、それぞれ、行および列が延びる方向を意味する。つまり、図１の紙面における鉛直方向が列方向であり、水平方向が行方向である。図１では、２×２のマトリクス状に配置された４つの単位画素セル２０が示されている。図１に示す単位画素セル２０の個数はあくまでも説明のための例示であり、単位画素セル２０の個数は４つに限定されない。単位画素セル２０が１次元に配置される場合、撮像装置１００はラインセンサである。
単位画素セル２０の各々は、光電変換部３０と、光電変換部３０によって生成された信号を検出する信号検出回路４０とを有する。光電変換部３０は、画素電極（電荷捕集部）３２および対向電極３８と、これらの間に配置された光電変換層３９とを含む。図示するように、対向電極（電極）３８は、蓄積制御線２２を介して電圧供給回路１０に接続されている。撮像装置１００の動作時、蓄積制御線２２を介して対向電極３８に所定のバイアス電圧が印加される。
以下において詳細に説明するように、光電変換層３９は半導体型カーボンナノチューブを含み、光電変換によって生じた正孔−電子対のうち、信号電荷として正孔（正電荷）または電子（負電荷）のいずれかを画素電極３２で捕集するように構成されている。電圧供給回路１０が生成するバイアス電圧を用いて対向電極３８の電位を制御することにより、正孔および電子のいずれか一方を画素電極３２によって捕集することができる。例えば信号電荷として正孔を利用する場合、画素電極３２よりも対向電極３８の電位が高くなるように、蓄積制御線２２に例えば１０Ｖ程度の電圧が印加される。
図１に例示する構成において、信号検出回路４０は、増幅トランジスタ（電荷検出用トランジスタ）４２と、アドレストランジスタ（行選択トランジスタ）４４と、リセットトランジスタ４６を含む。典型的には、増幅トランジスタ４２およびアドレストランジスタ４４は、半導体基板に形成された電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である。以下、特に断りの無い限り、トランジスタとしてＮチャンネルＭＯＳを用いる例を説明する。なお、本明細書における「半導体基板」は、その全体が半導体である基板に限定されず、感光領域が形成される側の表面に半導体層が設けられた絶縁基板などであってもよい。半導体基板の例は、ｐ型シリコン基板である。
図示するように、増幅トランジスタ４２の入力端子および出力端子のうちの一方（典型的にはソース）と、アドレストランジスタ４４の入力端子および出力端子のうちの一方（典型的にはドレイン）とが接続されている。増幅トランジスタ４２の制御端子（ゲート）は、光電変換部３０の画素電極３２に電気的に接続されている。画素電極３２によって集められた信号電荷（例えば正孔）は、画素電極３２と増幅トランジスタ４２のゲートとの間の電荷蓄積ノード（「フローティングディフュージョンノード」とも呼ばれる）４１に蓄積される。
増幅トランジスタ４２のゲートには、電荷蓄積ノード４１に蓄積された信号電荷に応じた電圧が印加される。増幅トランジスタ４２は、この電圧を増幅する。すなわち、増幅トランジスタ４２は、光電変換部３０によって生成された信号を増幅する。増幅トランジスタ４２によって増幅された電圧は、信号電圧として、アドレストランジスタ４４を介して選択的に読み出される。
リセットトランジスタ４６のソースおよびドレインの一方は、電荷蓄積ノード４１に接続されており、リセットトランジスタ４６のソースおよびドレインの一方は、画素電極３２との電気的な接続を有する。
リセットトランジスタ４６は、電荷蓄積ノード４１に蓄積された信号電荷をリセットする。換言すると、リセットトランジスタ４６は、増幅トランジスタ４２のゲートおよび画素電極３２の電位をリセットする。
図示するように、撮像装置１００は、電源線２３と、垂直信号線２４と、アドレス信号線２５と、リセット信号線２６とを含む。これらの線は、各単位画素セル２０に接続されている。電源線（ソースフォロア電源）２３は、増幅トランジスタ４２のソースおよびドレインの一方に接続されており、各単位画素セル２０に所定の電源電圧を供給する。垂直信号線２４は、アドレストランジスタ４４のソースおよびドレインのうち、増幅トランジスタ４２のソースまたはドレインと接続されていない側に接続されている。アドレス信号線２５は、アドレストランジスタ４４のゲート電極に接続されている。リセット信号線２６は、リセットトランジスタ４６のゲートに接続されている。
撮像装置１００の周辺回路は、垂直走査回路（「行走査回路」とも呼ばれる）５２と、水平信号読出し回路（「列走査回路」とも呼ばれる）５４と、複数のカラム信号処理回路（「行信号蓄積回路」とも呼ばれる）５６と、複数の負荷回路５８と、複数の反転増幅器５９とを含む。カラム信号処理回路５６、負荷回路５８および反転増幅器５９は、行方向および列方向に配列された複数の単位画素セル２０の各列に対応して設けられている。カラム信号処理回路５６の各々は、複数の単位画素セル２０の各列に対応した垂直信号線２４を介して、各列に配置された単位画素セル２０に電気的に接続されている。複数のカラム信号処理回路５６は、水平信号読出し回路５４に電気的に接続されている。負荷回路５８の各々は、各垂直信号線２４に電気的に接続されており、負荷回路５８と増幅トランジスタ４２とによってソースフォロア回路が形成されている。
垂直走査回路５２は、アドレス信号線２５およびリセット信号線２６に接続されている。垂直走査回路５２は、アドレス信号線２５を介して、アドレストランジスタ４４のオンおよびオフを制御するための行選択信号をアドレストランジスタ４４のゲートに印加する。アドレス信号線２５毎に行選択信号が送出されることにより、読出し対象の行が走査および選択される。選択された行の単位画素セル２０から垂直信号線２４に信号電圧が読み出される。また、垂直走査回路５２は、リセット信号線２６を介して、リセットトランジスタ４６のオンおよびオフを制御するためのリセット信号をリセットトランジスタ４６のゲートに印加する。リセット信号線２６毎に行選択信号が送出されることにより、リセット動作の対象となる単位画素セル２０の行が選択される。このように、垂直走査回路５２は、複数の単位画素セル２０を行単位で選択し、信号電圧の読出しおよび画素電極３２の電位のリセットを行う。
垂直走査回路５２によって選択された単位画素セル２０から読み出された信号電圧は、垂直信号線２４を介して、カラム信号処理回路５６へ送られる。カラム信号処理回路５６は、相関二重サンプリングに代表される雑音抑圧信号処理およびアナログ−デジタル変換（ＡＤ変換）などを行う。水平信号読出し回路５４は、複数のカラム信号処理回路５６から水平共通信号線（不図示）に信号を順次読み出す。
なお、垂直走査回路５２は、上述の電圧供給回路１０を一部に含んでいてもよい。あるいは、電圧供給回路１０が垂直走査回路５２との電気的接続を有していてもよい。言い換えれば、垂直走査回路５２を介して、対向電極３８にバイアス電圧が印加されてもよい。
図１に例示する構成では、複数の反転増幅器５９が、各列に対応して設けられている。反転増幅器５９の負側の入力端子は、対応する垂直信号線２４に接続されている。反転増幅器５９の出力端子は、各列に対応して設けられたフィードバック線２７を介して、対応する列の各単位画素セル２０に接続されている。
図示するように、フィードバック線２７は、リセットトランジスタ４６のソースおよびドレインのうち、電荷蓄積ノード４１と接続されていない側（ドレイン）に接続されている。したがって、反転増幅器５９は、アドレストランジスタ４４とリセットトランジスタ４６とが導通状態にあるときに、アドレストランジスタ４４の出力を負端子に受ける。一方、反転増幅器５９の正側の入力端子には、不図示の電源からリセットにおける基準電圧が印加される。反転増幅器５９は、増幅トランジスタ４２のゲート電圧が所定のフィードバック電圧となるようにフィードバック動作を行う。フィードバック電圧とは、反転増幅器５９の出力電圧を意味する。反転増幅器５９の出力電圧は、例えば０Ｖまたは０Ｖ近傍の正電圧である。反転増幅器５９を「フィードバックアンプ」と呼んでもよい。
［２．撮像装置のデバイス構造］
図２は、本開示の実施形態による撮像装置１００中の単位画素セル２０のデバイス構造の断面を模式的に示している。図２に例示する構成において、単位画素セル２０は、光電変換部３０を支持する半導体基板６２（例えばシリコン基板）を含む。図示するように、光電変換部３０は、半導体基板６２の上方に配置される。この例では、半導体基板６２上に層間絶縁層６３Ａ、６３Ｂおよび６３Ｃが積層されており、層間絶縁層６３Ｃ上に、画素電極３２、光電変換層３９および対向電極３８の積層体が配置されている。画素電極３２は画素ごとに区画されており、隣接する２つの単位画素セル２０間において画素電極３２が空間的に分離して形成されることにより、隣接する２つの画素電極３２は、電気的に分離されている。また、光電変換層３９および対向電極３８は、複数の単位画素セル２０に跨るように形成されている。対向電極３８は、たとえば、ＩＴＯまたはＺｎＯ等の金属酸化物、数層グラフェン、金属ナノワイヤーなどによって形成される。
半導体基板６２には、増幅トランジスタ４２、アドレストランジスタ４４およびリセットトランジスタ４６が形成されている。
増幅トランジスタ４２は、半導体基板６２に形成された不純物領域６２ａおよび６２ｂと、半導体基板６２上に位置するゲート絶縁層４２ｇと、ゲート絶縁層４２ｇ上に位置するゲート電極４２ｅとを含む。不純物領域（ｎ型不純物領域）６２ａおよび６２ｂは、増幅トランジスタ４２のドレインまたはソースとして機能する。
アドレストランジスタ４４は、半導体基板６２に形成された不純物領域６２ａおよび６２ｃと、半導体基板６２上に位置するゲート絶縁層４４ｇと、ゲート絶縁層４４ｇ上に位置するゲート電極４４ｅとを含む。不純物領域（ｎ型不純物領域）６２ａおよび６２ｃは、アドレストランジスタ４４のドレインまたはソースとして機能する。この例では、増幅トランジスタ４２とアドレストランジスタ４４が不純物領域６２ａを共有することにより、増幅トランジスタ４２のソース（またはドレイン）と、アドレストランジスタ４４のドレイン（またはソース）とが電気的に接続されている。
リセットトランジスタ４６は、半導体基板６２内に形成された不純物領域６２ｄおよび６２ｅと、半導体基板６２上に位置するゲート絶縁層４６ｇと、ゲート絶縁層４６ｇ上に位置するゲート電極４６ｅとを含む。不純物領域（ｎ型不純物領域）６２ｄおよび６２ｅは、リセットトランジスタ４６のドレインまたはソースとして機能する。
半導体基板６２において、互いに隣接する単位画素セル２０間、および、増幅トランジスタ４２とリセットトランジスタ４６との間には、素子分離領域６２ｓが設けられている。素子分離領域６２ｓにより、互いに隣接する単位画素セル２０が電気的に分離されている。また、互いに隣接する単位画素セル２０間に素子分離領域６２ｓが設けられることにより、電荷蓄積ノード４１に蓄積される信号電荷のリークが抑制される。
層間絶縁層６３Ａ内には、リセットトランジスタ４６の不純物領域６２ｄに接続されたコンタクトプラグ６５Ａ、増幅トランジスタ４２のゲート電極４２ｅに接続されたコンタクトプラグ６５Ｂ、および、コンタクトプラグ６５Ａとコンタクトプラグ６５Ｂとを接続する配線６６Ａが形成されている。これにより、リセットトランジスタ４６のｎ型不純物領域６２ｄ（例えばドレイン）が増幅トランジスタ４２のゲート電極４２ｅと電気的に接続されている。図２に例示する構成では、層間絶縁層６３Ａ内に、プラグ６７Ａおよび配線６８Ａがさらに形成されている。また、層間絶縁層６３Ｂ内にプラグ６７Ｂおよび配線６８Ｂが形成され、層間絶縁層６３Ｃ内にプラグ６７Ｃが形成されることにより、配線６６Ａと画素電極３２とが電気的に接続されている。コンタクトプラグ６５Ａ、コンタクトプラグ６５Ｂ、配線６６Ａ、プラグ６７Ａ、配線６８Ａ、プラグ６７Ｂ、配線６８Ｂ、および、プラグ６７Ｃは、典型的には金属から構成される。
図２に例示する構成では、対向電極３８上に保護層７２が設けられている。この保護層７２は、光電変換部３０を支持するために配置された基板ではない。図２に示すように、保護層７２上にマイクロレンズが配置されていてもよい。
［３．光電変換層の構成］
次に光電変換部３０の光電変換層３９を詳細に説明する。図３Ａは、単位画素セル２０における光電変換部３０の断面を模式的に示している。各単位画素セル２０において、光電変換部３０は、対向電極３８と、画素電極３２と、光電変換層３９とを含む。光電変換層３９は、対向電極３８と画素電極３２とに挟まれている。
光電変換層３９は、リーク電流の発生を抑制する観点から、画素ごとに分離されていない。すなわち、光電変換層３９は、複数の単位画素セル２０にまたがって形成されている。光電変換層３９は、半導体型カーボンナノチューブ１０５と、電荷分離材料１０６とを含む。
カーボンナノチューブについて詳細に説明する。カーボンナノチューブは、図４Ａに示すように、グラフェンと呼ばれる炭素原子が六角形の頂点の位置に配置された単層のグラファイトシートを円筒状に丸めた構造を有している。カーボンナノチューブには、シングルウォールカーボンナノチューブおよびマルチウォールカーボンナノチューブが存在する。本開示の撮像装置では、シングルウォールカーボンナノチューブおよびマルチウォールカーボンナノチューブのいずれを用いてもよい。ただし、以下に説明するカイラリティによってカーボンナノチューブの物性を制御する観点からは、シングルウォールカーボンナノチューブを用いることが望ましい。
グラフェンを丸めて円筒形状にする場合、どの程度の太さの円筒を構成するか、また、グラフェンのシートを長さ方向にどの程度ずらせてシートの両端辺を閉じるかによって、直径およびカーボンの配列が異なるカーボンナノチューブが構成できる。図４Ｂに示すように、６角形の頂点の位置に２次元に配置された炭素原子の配列において、基本格子ベクトルａ1およびａ2をとり、ＯＰおよびＯＱを２辺とする長方形を考える。点Ｏを原点にとると、点Ｐは、ベクトル（６，３）で示される。この長方形を、点Ｐが点Ｏと重なるように丸めたとき、得られるカーボンナノチューブをカイラリティ（６，３）のカーボンナノチューブという。
カイラリティを指定することによって、カーボンナノチューブにおける炭素原子の位置が特定される。よって、カイラリティにより、カーボンナノチューブの電子構造が特定され、カーボンナノチューブの物性が決まる。つまり、任意のカーボンナノチューブは、Ｃ＝ｎａ1＋ｍａ2（ｎ，ｍは整数）で示されるカイラルベクトルで指定される。このとき（ｎ，｜ｍ｜）をカイラルインデックスまたはカイラリティと呼ぶ。ただし、｜ｍ｜はｍの絶対値を表す。このカイラリティの表記において、カーボンナノチューブの右巻き、左巻きは区別されない。
カーボンナノチューブには、金属性を有するものおよび半導体性を有するものが存在する。カーボンナノチューブが金属性を有するものであるか半導体性を有するものであるかは、カイラリティに依存する。本開示の撮像装置では、半導体型のカーボンナノチューブを用いる。つまり、カーボンナノチューブを単なる電気伝導体としてではなく、光の検出、具体的には、光電変換による正孔-電子対の発生に用いる。光電変換層３９における金属型カーボンナノチューブの割合は少ない方が望ましい。金属型カーボンナノチューブを含まないことがより望ましい。金属型カーボンナノチューブ中では、生成した正孔−電子対が速やかに消失するからである。
半導体型カーボンナノチューブにおけるキャリア移動度は、カイラリティにそれほど依存しない。一般に、半導体型カーボンナノチューブの正孔移動度および電子移動度はいずれも数万ｃｍ2/Ｖｓであり、シリコンの電子移動度に比べて１０倍以上速い。
カーボンナノチューブの共鳴波長、つまり、吸収波長は、カイラリティに依存する。このため、カイラリティを変えることによって、カーボンナノチューブ吸収波長を調節することができる。
図５は、半導体型カーボンナノチューブのカイラリティと第１および第２共鳴波長との関係を示している。第１共鳴波長とは、共鳴が生じる最も長い波長であり、第２共鳴波長は共鳴が生じる２番目に長い波長である。図示しないが、半導体型カーボンナノチューブにはその他の波長の共鳴波長も存在しうる。
図５から分かるように、共鳴的に吸収可能な波長は、可視域から遠赤外領域にわたって分布している。特に量産が容易な直径１ｎｍ前後の半導体型カーボンナノチューブでは、共鳴波長は可視域から波長が１．６μｍ程度までの近赤外領域にかけて分布している。
たとえばカイラリティ（８,０）の半導体型カーボンナノチューブは、７８０ｎｍ程度の共鳴波長を持つ。また、カイラリティ（７,２）の半導体型カーボンナノチューブは、８２０ｎｍ程度の共鳴波長を持つ。波長７８０ｎｍにおいて、還元型ヘモグロビンは酸化型ヘモグロビンよりも高い吸収を示し、波長８２０ｎｍにおいて酸化型ヘモグロビンは還元型ヘモグロビンよりも高い吸収を示す。したがって、これらのカイラリティを有する半導体型カーボンナノチューブを光電変換層に用いることによって、血中酸素濃度を画像化することが可能な撮像装置が実現し得る。
また、たとえばカイラリティ（１２，４）、（１０,６）、（１３,０）等の半導体型カーボンナノチューブは１．４μｍ程度の近赤外光を共鳴的に吸収する。これは太陽光欠落波長域に対応する。したがって、これらのカイラリティを有する半導体型カーボンナノチューブを光電変換層に用い、１．４μｍ程度の波長の照明光を用いることによって、太陽光の影響を受けずに、撮影を行うことのできる撮像装置が実現し得る。
また、カイラリティ（８,７）の半導体型カーボンナノチューブは、１．３μｍ程度に共鳴波長を持つ。これは太陽光欠落波長域に近いが、あまり太陽光の減衰がみられない波長である。したがって、これらのカイラリティを有する半導体型カーボンナノチューブを光電変換層に用いることによって、太陽光欠落波長域近傍で太陽光による画像を撮影することが可能な撮像装置が実現し得る。
さらに、各半導体型カーボンナノチューブは、いくつかの共鳴波長を持っており、近赤外領域と可視域に共鳴波長が存在する場合がある。たとえば、カイラリティ（１０,６）の共鳴は、約１．４μｍの赤外域以外に、約７５０ｎｍの可視域にも存在する。したがって、これらのカイラリティを有する半導体型カーボンナノチューブを光電変換層に用い、光学フィルターなどと組み合わせることによって、マルチスペクトル撮影を行うことが可能な撮像装置が実現する。
光電変換層３９は、所定の１つのカイラリティを有する半導体型カーボンナノチューブ１０５を含んでいてもよいし、２以上の異なるカイラリティを有する半導体型カーボンナノチューブ１０５を含んでいてもよい。２以上の異なるカイラリティを有する半導体型カーボンナノチューブ１０５を含むことによって、撮像装置が検出できる光の波長帯域を広げることができる。
可視および近赤外領域に共鳴波長を有する半導体型カーボンナノチューブは、直径が１ｎｍ程度である。
次に、電荷分離材料１０６について詳細に説明する。電荷分離材料１０６は半導体性を有するもの、または半金属性を有するもの等である。電荷分離材料１０６は、半導体型カーボンナノチューブ１０５が光を受けて生成した正孔-電子対のうち、いずれか一方を半導体型カーボンナノチューブ１０５から引き抜く。本実施形態においては、電荷分離材料１０６は、信号電荷として検出しない方を、半導体型カーボンナノチューブ１０５から引き抜く。
例えば信号電荷として正孔を利用する場合、電圧供給回路１０は、画素電極３２の電位が対向電極３８の電位よりも低くなるように決定されたバイアス電圧を対向電極３８に供給する。また、その場合、電荷分離材料１０６として、半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも大きな電子親和力を持つ物質を用いることができる。
図６Ａに示すように、電子親和力は、半導体では、伝導帯１１０の底から真空準位１１３までのエネルギー差として定義される。半導体が有機半導体である場合、電子親和力はＬＵＭＯ準位と真空準位とのエネルギー差である。より一般的には、中性状態において過剰の１電子を受け取ることができるエネルギー準位と真空準位のエネルギー差の最大値である。電荷分離材料１０６が半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも大きな電子親和力を持つ物質である場合、半導体型カーボンナノチューブ１０５で生成した正孔−電子対のうち、電子は、より低いエネルギー準位にある電荷分離材料１０６の伝導帯１１０へ移動する。このため、半導体型カーボンナノチューブ１０５の価電子帯１１１に正孔が残る。
画素電極３２の電位が対向電極３８の電位よりも低くなるように決定されたバイアス電圧が供給されているため、正孔は、半導体型カーボンナノチューブ１０５から、画素電極３２に移動する。
可視および近赤外領域に共鳴波長を有する半導体型カーボンナノチューブの電子親和力は、概ね３ｅＶ〜４ｅＶである。半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも大きな電子親和力を持つ物質として、一般に、フラーレンおよびフラーレン誘導体が挙げられる。フラーレンおよびフラーレン誘導体を、フラーレン骨格を有する分子と呼ぶ。たとえば、Ｃ６０は４ｅＶ程度の電子親和力を有する。この他、Ｃ７０、Ｃ８０、これらのフラーレン骨格に修飾基が導入された、フェニルＣ６１酪酸メチルエステル（ＰＣＢＭ）、インデンＣ６０ビス付加物（ＩＣＢＡ）、インデンＣ６０モノ付加物（ＩＣＭＡ）なども３．７ｅＶから３．８ｅＶ程度の電子親和力を持つ。
また、例えば信号電荷として電子を利用する場合、電圧供給回路１０は、画素電極３２の電位が対向電極３８の電位よりも高くなるように決定されたバイアス電圧を対向電極３８に供給する。また、その場合、電荷分離材料１０６として、半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも小さなイオン化ポテンシャルを持つ物質を用いることができる。
図６Ｂに示すように、イオン化ポテンシャルは、半導体では、価電子帯１１１の底から真空準位１１３までのエネルギー差として定義される。半導体が有機半導体である場合、イオン化ポテンシャルはＨＯＭＯ準位と真空準位とのエネルギー差である。より一般的には、中性状態から１電子を真空準位まで持ち上げるために必用なエネルギーの最小値である。電荷分離材料１０６が半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも小さなイオン化ポテンシャルを持つ物質である場合、電荷分離材料１０６がプラスイオンになる方が安定化するため、半導体型カーボンナノチューブ１０５で生成した正孔−電子対のうち、正孔が電荷分離材料１０６の価電子帯１１１へ移動する。このため、半導体型カーボンナノチューブ１０５の伝導帯１１０に電子が残る。
画素電極３２の電位が対向電極３８の電位よりも高くなるように決定されたバイアス電圧が対向電極３８に供給されているため、電子は、半導体型カーボンナノチューブ１０５から、画素電極３２に移動する。
可視および近赤外領域に共鳴波長を有する半導体型カーボンナノチューブのイオン化ポテンシャルは概ね４ｅＶ〜５ｅＶである。半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも小さなイオン化ポテンシャルを持つ物質として、例えば、ポリ（３−ドデシルチオフェン−２，５−ジイル）（Ｐ３ＤＤＴ、イオン化ポテンシャル：４．６ｅＶ程度）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）（Ｐ３ＨＴ、イオン化ポテンシャル：５ｅＶ程度）などが挙げられる。
上述したように、半導体型カーボンナノチューブ１０５の電子構造は、カイラリティによって異なるため、半導体型カーボンナノチューブ１０５の電子親和力およびイオン化ポテンシャルもカイラリティによって異なる。このため、カイラリティも考慮した半導体型カーボンナノチューブ１０５の電子親和力およびイオン化ポテンシャルを算出し、上述した関係を満たすように電荷分離材料１０６を選択することが望ましい。
光電変換層３９において、半導体型カーボンナノチューブ１０５および電荷分離材料１０６は互いに分散していてもよい。この場合、半導体型カーボンナノチューブ１０５および電荷分離材料１０６の分布が均一でなくてもよく、例えば、光電変換層３９の厚さ方向において、分布に偏りがあってもよい。
半導体型カーボンナノチューブ１０５から画素電極３２へ信号電荷が移動可能であることが望ましい。換言すると、半導体型カーボンナノチューブ１０５と画素電極３２とは電気的に接続されていることが望ましい。たとえば、半導体型カーボンナノチューブ１０５の一部が、画素電極３２に直接接していてもよい。
図３Ｂに示すように、光電変換部３０は、正孔ブロック層１０３および電子ブロック層１０１を更に備えていてもよい。これらの層は、正孔および電子の移動を抑制したい位置に配置される。たとえば、画素電極３２が電子を捕集する場合には、正孔ブロック層１０３は、画素電極３２と光電変換層３９との間に設けられ、電子ブロック層１０１が対向電極３８と光電変換層３９との間に設けられる。
正孔ブロック層１０３は、光電変換層３９で発生した負電荷を画素電極３２に輸送し、画素電極３２から正電荷が光電変換層３９に侵入することを抑止する。光を照射していない状態でも流れる電流、いわゆる暗電流を抑制するためには正孔ブロック層１０３を設けた方が望ましい。たとえば、バトクプロイン（ＢＣＰ）を正孔ブロック層１０３に用いることができる。
電子ブロック層１０１は、光電変換層３９で発生した正電荷を対向電極３８に輸送する役割を果たすとともに、対向電極３８から負電荷が光電変換層３９に侵入することを抑止する。暗電流を抑制するためには電子ブロック層１０１を設けた方が望ましい。たとえば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホナート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を電子ブロック層１０１に用いることができる。
正孔ブロック層１０３および電子ブロック層１０１は、それぞれ、電子（負電荷）および正孔（正電荷）を輸送するため、電気伝導性を有している。このため、正孔ブロック層１０３が画素電極３２と光電変換層３９との間に設けられる場合、半導体型カーボンナノチューブ１０５の一部が正孔ブロック層１０３と接することにより、半導体型カーボンナノチューブ１０５の一部は正孔ブロック層１０３を介して画素電極３２と電気的に接続される。また、電子ブロック層１０１が画素電極３２と光電変換層３９との間に設けられる場合も、半導体型カーボンナノチューブ１０５の一部が電子ブロック層１０１と接することにより、半導体型カーボンナノチューブ１０５の一部は電子ブロック層１０１を介して画素電極３２と電気的に接続される。
光電変換層３９と画素電極３２の間に正孔ブロック層１０３が用いられる場合には、半導体型カーボンナノチューブ１０５と正孔ブロック層１０３との間、および正孔ブロック層１０３と画素電極３２との間で信号電荷が移動可能であれば良い。半導体型カーボンナノチューブ１０５の一部が直接正孔ブロック層１０３に接していてもよい。
信号電荷が移動可能であれば、半導体型カーボンナノチューブ１０５と画素電極３２または正孔ブロック層１０３とは直接接触していなくてもよい。信号電荷は別の電荷輸送材料を介して、あるいはトンネル現象などにより、移動し得るからである。ただし、これら別の電荷輸送材料およびトンネル現象による電荷輸送は、一般に、半導体型カーボンナノチューブ１０５内の電荷輸送よりも遅い。そのため、できる限り半導体型カーボンナノチューブ１０５の一部が、画素電極３２または正孔ブロック層１０３に直接接触しているか、画素電極３２または正孔ブロック層１０３の近傍にまで分布していることが望ましい。
なお、信号電荷として正孔を捕集する場合には、光電変換層３９と画素電極３２との間に電子ブロック層１０１を用いる。その場合、正孔ブロック層１０３を、すべて電子ブロック層１０１に置き換えることによって、半導体型カーボンナノチューブ１０５の配置が同様に説明される。
光電変換層３９において、半導体型カーボンナノチューブ１０５の分子は、できるだけ多く画素電極３２と接しているか、若しくはより多く画素電極３２に近く分布している方が望ましい。このために、光電変換層３９の厚さ方向における半導体型カーボンナノチューブ１０５の密度は、対向電極３８側において低く、画素電極３２側で高くなっていてもよい。この場合、光電変換層３９の厚さ方向における電荷分離材料１０６の密度は、対向電極３８側において高く、画素電極３２側で低くなっていることが望ましい。
また、図３Ａに示すように、光電変換層３９は、電荷分離材料１０６のみを含む層３９ａと半導体型カーボンナノチューブ１０５のみを含む層３９ｂとを含んでいてもよい。この場合、半導体型カーボンナノチューブ１０５のみを含む層３９ｂは画素電極３２と接しており、電荷分離材料１０６のみを含む層３９ａは対向電極３８と接している。
光電変換層３９の厚さは、例えば、数十ｎｍ以上数百ｎｍ以下である。また、光電変換層３９は、更に、ｎ型半導体またはｐ型半導体を含んでいてもよい。
［４．光電変換層３９における電荷の移動］
図７を参照しながら光電変換層３９における入射光の検出を説明する。図７は、光電変換層３９内の半導体型カーボンナノチューブ１０５および電荷分離材料１０６と、画素電極３２および対向電極３８との位置関係を示す模式図である。図７において、着目する半導体型カーボンナノチューブ１０５および電荷分離材料１０６のみ、実線で示している。以下の例では電子を信号電荷として用いている。また、電荷分離材料１０６は、半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも小さいイオン化ポテンシャルを持つ物質である。また、図７においては、画素電極３２の電位が対向電極３８の電位よりも高くなるように、バイアス電圧を対向電極３８に供給している。そのため、矢印５０２で示す方向に電場が生じている。
半導体型カーボンナノチューブ１０５により光子（図示せず）が吸収されると、ほぼその位置５０１において正電荷（正孔）ｈおよび負電荷（電子）ｅが生成する。生成した正電荷ｈおよび負電荷ｅは互いに引力を及ぼしあい、励起子と呼ばれる状態を作っている。励起子は巨視的には電気的に中性であるため、励起子の位置は印加電場の影響を受けず、拡散的に緩やかに移動するだけである。
励起子が電荷分離材料１０６に近接した位置に到達すると、励起子の電荷の分離が発生する。具体的には、電荷分離材料１０６は、半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも小さいイオン化ポテンシャルを持つため、半導体型カーボンナノチューブ１０５が正電荷ｈを保持し続けるより、電荷分離材料１０６が正電荷ｈを受け取った方がエネルギー的に安定である。このため電荷分離材料１０６による正電荷ｈの引き抜きが行われる。これにより、正電荷が電荷分離材料１０６の１つの分子に移動し、負電荷ｅが半導体型カーボンナノチューブ１０５に残る。
電荷の分離は、半導体型カーボンナノチューブ１０５と電荷分離材料１０６とが近接した位置で生じる。このため、１つの半導体型カーボンナノチューブ１０５の分子の周囲において、単位画素セル２０中に１以上の電荷分離材料１０６の分子が存在していれば、励起子が生成した画素において、電荷分離が生じる。励起子の生成と電荷分離とが同じ単位画素セルで生じるようにするためには、光電変換層３９中に含まれる電荷分離材料１０６の割合を高めればよい。
半導体型カーボンナノチューブ１０５に残った負電荷ｅおよび電荷分離材料１０６へ移動した正電荷ｈは、巨視的にも中性ではなくなる。よって、負電荷ｅおよび正電荷ｈは、それぞれ対向電極３８と画素電極３２との間に印加された電圧による矢印５０２で示す電場の影響を受け、移動を開始する。
半導体型カーボンナノチューブ１０５に残った負電荷ｅは、矢印５０２で示す電場の影響を受け、画素電極３２側まで半導体型カーボンナノチューブ１０５内を移動する。この移動は、非常に高速である。矢印５０４で示すように、半導体型カーボンナノチューブ１０５が画素電極３２と接している位置まで負電荷ｅが移動し、画素電極３２に捕集される。つまり、本開示の撮像装置において、光電変換によって生成した電荷は非常に短い時間で検出される。
一方、電荷分離材料１０６の１つの分子へ移動した正電荷ｈは、ホッピング伝導によって、隣接する電荷分離材料１０６の分子へ移動する。どの分子にホッピングするかは、分子間の距離と電場の方向と強度により定まる。分子間距離がほぼ等しければ、電場に平行な方向により近い方向にある分子がホッピング先に選ばれる。電場の強度が大きいと、分子間距離に差があっても電場に平行な方向により近い方向にある分子がホッピング先に選ばれる確率が高まる。そのため、電荷分離材料１０６の分子間距離の分布に極端な偏りがなく、光電変換層３９内で３次元に分布していれば、矢印５０３で示すように、正電荷ｈは、巨視的には電場の方向に移動し、対向電極３８に捕集される。分子間距離の分布に極端な偏りがある場合としては、例えば、電荷分離材料１０６の分子がある平面状にのみ配列されている場合である。
電荷分離材料１０６におけるキャリア移動度は、一般に半導体型カーボンナノチューブのキャリア移動度よりもかなり小さい。また、ホッピングによる電荷分離材料１０６の分子間の正電荷ｈの移動も、半導体型カーボンナノチューブ１０５内のキャリア移動よりも遅い。
図７では、画素電極３２に負電荷ｅが捕集される例を説明したが、画素電極３２に正電荷ｈが捕集される場合も同様に説明される。この場合、電荷分離材料１０６として半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも大きな電子親和力を持つ材料を用いることができる。それにより、電荷分離材料１０６は、励起子から負電荷ｅを引き抜く。半導体カーボンナノチューブ内の正電荷ｈは画素電極３２に移動する。
また、図７では、励起子が生成した半導体型カーボンナノチューブ１０５の分子から直接負電荷ｅが画素電極３２に捕集される例を示した。しかし、半導体型カーボンナノチューブ１０５の分子が画素電極３２と直接接している必要はない。光電変換層３９において、２以上の半導体型カーボンナノチューブ１０５が互いに近接あるいは接しており、少なくともいずれか１つが画素電極３２と接していれば、電荷は画素電極３２に捕集され得る。この場合、画素電極３２と直接接していない半導体型カーボンナノチューブ１０５の電荷は、以下のように移動する。まず、近接あるいは接している他の半導体型カーボンナノチューブ１０５へホッピングによって移る。これを繰り返すことによって、画素電極３２と直接接している半導体型カーボンナノチューブ１０５に電荷が移動する。最終的に、画素電極３２と直接接している半導体型カーボンナノチューブ１０５から電荷が画素電極３２に捕集される。
また、上述した説明から分かるように、光電変換層３９において、少しでも電荷分離材料１０６が含まれていれば、半導体型カーボンナノチューブ１０５から正孔−電子対の一方を引き抜くことができる。カーボンナノチューブ１０５に残った電荷は高速で半導体型カーボンナノチューブ１０５間を移動し、電極３２で捕集され得る。このため、本開示の撮像装置は、光電変換層３９における電荷分離材料１０６の含有量に応じて、上述した効果を奏することが可能である。
このように本実施形態の撮像装置によれば、キャリア移動度の高い半導体型カーボンナノチューブを含み、半導体型カーボンナノチューブ中を移動する電荷を画素電極で捕集する。このため、高速動作、高フレームレートで撮影が可能な撮像装置を実現することができる。例えば、距離画像(Ｔｉｍｅ-ｏｆ-Ｆｌｉｇｈｔ）イメージセンサを実現することが可能である。また、カーボンナノチューブは化学的に安定性が高く、特性が劣化しにくい。そのため、広い温度範囲で使用が可能であり、耐久性及び信頼性の高い撮像装置が実現し得る。さらに、カイラリティの違いにより波長感度特性の異なるカーボンナノチューブが存在する。そのため、波長感度特性の設計がしやすい。また、マルチ波長で画像を撮影することが可能な撮像装置を実現し得る。
特に、近赤外領域に吸収を持つ有機薄膜では、有機分子の運動のため、光電変換によって生成した正孔-電子対が失活したり、遷移準位に揺らぎが生じたりする。そのため、撮像装置において、検出した電荷による信号にノイズが生じやすい。これに対し、カーボンナノチューブは安定でリジッドな構造を有する。そのため、遷移準位に揺らぎが生じにくく、高いＳ/Ｎ比で検出した電荷による信号を得ることができる。
［５．撮像装置の製造方法］
撮像装置１００は、一般的な半導体製造プロセスを用いて製造することができる。特に、半導体基板６２としてシリコン基板を用いる場合には、種々のシリコン半導体プロセスを利用することによって撮像装置１００を製造することができる。
まず図２に示すように、種々の半導体製造技術を用いて、半導体基板６２に、増幅トランジスタ４２、アドレストランジスタ４４およびリセットトランジスタ４６を形成する。その後、層間絶縁層６３Ａ〜６３Ｃ、コンタクトプラグ６５Ａ、６５Ｂ、配線６６Ａ、６８Ａ、６８Ｂ、プラグ６７Ａ〜６７Ｃおよび画素電極３２を形成する。
その後、必要に応じて、画素電極３２が設けられた層間絶縁層６３Ｃ上に、正孔ブロック層１０３を形成する。ＢＣＰを正孔ブロック層１０３に用いる場合には、蒸着を利用して正孔ブロック層１０３を形成する。溶剤に可溶な材料によって正孔ブロック層１０３を形成する場合には、スピンコート法、インクジェット法等を用いることができる。
次に光電変換層３９を形成する。光電変換層３９は半導体型カーボンナノチューブ１０５および電荷分離材料１０６を含む。このうち、半導体型カーボンナノチューブ１０５を蒸着によって形成することは困難である。このため、半導体型カーボンナノチューブ１０５および電荷分離材料１０６をそれぞれ用意し、これらを溶媒中で混合し、スピンコート、ドクターブレード、あるいはインクジェットによる塗布で層間絶縁層６３Ｃ上に付着させる。あるいは、別々の溶媒中に分散させ、それぞれ塗布することによって層間絶縁層６３Ｃ上に付着させてもよい。また、半導体型カーボンナノチューブ１０５を塗布によって層間絶縁層６３Ｃ上に付着させ、電荷分離材料１０６を蒸着によって層間絶縁層６３Ｃ上に形成してもよい。半導体型カーボンナノチューブ１０５および電荷分離材料１０６を別々の工程によって層間絶縁層６３Ｃ上に配置する場合、半導体型カーボンナノチューブ１０５と電荷分離材料１０６とが互いに分散するように、電荷分離材料１０６および半導体型カーボンナノチューブ１０５の層間絶縁層６３Ｃ上に配置を交互に行い、かつ、いずれか一方の配置を少なくとも２回行ってもよい。
半導体型カーボンナノチューブ１０５を溶媒に分散させるために、可溶化剤としてポリマー、界面活性剤を用いてもよい。これらの可溶化剤は、イメージセンサの特性に悪影響を与えない限り、光電変換層３９に残留してもよい。あるいは、塗布工程の後に、可溶化剤だけを除去してもよい。
半導体型カーボンナノチューブ１０５は、大量に生産した型カーボンナノチューブから半導体型のものを選別することにより得ることができる。半導体型カーボンナノチューブを生産する方法としては、例えばＨｉＰＣＯ法、ＣｏＭｏＣＡＴ法、アルコールＣＶＤ法、アーク放電法が挙げられる。あるいは、望ましいカイラリティの構成比率が高まるように、カイラリティ選別操作を行ったうえで利用してもよい。これら、半導体型の選別、カイラリティ選別の方法は、たとえば、（１）Ｔ．Ｔａｎａｋａら著、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ ２００８年、ＶＯＬ．１、１１４００１頁、（２）Ｈ．Ｌｉｕら著、Ｎａｔｕｒｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ ２０１１年、ＤＯＩ：１０．１０３８／ｎｃｏｍｍｓ１３１３、（３）Ａ．Ｎｉｓｈら著、Ｎａｔｕｒｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ２００７年、ＶＯＬ．２、６４０−６４６頁等に記載されている。このようにカイラリティの選別を行った半導体型カーボンナノチューブを用いることにより、基板上で直接カーボンナノチューブを成長させる方法に比べて、金属型カーボンナノチューブの混在比率を低く抑えることができる。その結果、良好な特性の撮像装置を実現しやすくなる。特に上述の文献（３）に記載された方法によれば、直径がほぼ同じであり、かつ、カイラリティが異なる半導体型カーボンナノチューブを選別することが可能である。したがって、マルチスペクトル撮像などを所定の２以上の波長範囲で画像を取得する撮像装置を実現するためには、文献（３）等の方法によるカイラリティの選別された半導体型カーボンナノチューブを用いることが望ましい。
各画素における光電変換層３９の分光感度特性が同じ撮像装置を作製する場合には、スピンコート、ドクターブレード法などの大面積塗技術を用いることができる。画素ごとに異なる分光感度特性を有する撮像装置を作製する場合には、以下の方法を用いることができる。まず、１または２以上のカイラリティが異なる半導体型カーボンナノチューブが分散された分散液を用意する。次に、インクジェット法によりそれぞれの分散液を選択的に吐出する。それにより、マスクを用いず、画素ごとに異なる分光感度特性を有する光電変換層３９を形成することができる。スピンコート、ドクターブレード法等とマスクを併用することによって、画素ごとに異なる分光感度特性を有する光電変換層３９を形成してもよい。
たとえば、第１の画素として、カイラリティ（８，０）の比率が高い半導体型カーボンナノチューブを用い、第２の画素として、カイラリティ（７，２）の比率が高い半導体型カーボンナノチューブを用いることもできる。この場合、第１の画素は第２の画素に比べて７８０ｎｍの波長の光に対する感度が高くなり、第２の画素は第１の画素に比べて８２０ｎｍの波長の光に対する感度が高くなる。したがって、これら２種類の画素で構成されるそれぞれの画像を比較すれば、ヘモグロビンの酸化還元度をイメージ化することができる。また、第１の画素として、カイラリティ（１２，４）、（１０,６）、（１３,０）等の比率の高い半導体型カーボンナノチューブを用い、第２の画素として、カイラリティ（８，７）等の半導体型カーボンナノチューブを用いることもできる。この場合、太陽光欠落波長およびその近傍の欠落していない波長での画像を得ることが可能となる。
電荷分離材料１０６は、例えば、市販されているものを用いることができる。あるいは、蒸着により、層間絶縁層６３Ｃ上に配置してもよい。上述したように、画素電極３２側で電荷分離材料１０６の分布密度を高め、画素間のクロストークを抑制する場合には、まず、電荷分離材料１０６を層間絶縁層６３Ｃ上に配置し、その上に、半導体型カーボンナノチューブ１０５を配置することが望ましい。
次に、光電変換層３９上に、正孔ブロック層１０３と同様の方法により、電子ブロック層１０１を形成する。
次に対向電極３８を形成する。例えば、ＩＴＯをスパッタ法によって形成する。その後保護層７２およびマイクロレンズ７４を形成することにより、撮像装置が完成する。このように、本開示の撮像装置の製造方法によれば、光電変換部３０は、光電変換部３０を支持する支持体の表面の結晶性を利用せずに作製可能である。また、光電変換部３０の形成には、高温での処理が必要な工程を含まない。このため、信号検出回路が設けられた半導体基板と積層することが可能であり、積層型の撮像装置を実現することが可能である。
（第２の実施形態）
第２の実施形態では、カーボンナノチューブにおいて発生する正孔―電荷対から、信号電荷として用いる方を電荷分離材料が引き抜く点が、第１の実施形態と異なる。まず、発明者の知見を説明する。
カーボンナノチューブは一般に、数十ｎｍから数ｍｍ程度の長さを有する。これに対し、光電変換素子の光電変換層の厚さは、一般に数ｎｍから数百ｎｍである。このため、カーボンナノチューブを光電変換材料として光電変換素子に用いた場合、光電変換層内において、光電変換層に平行（厚さ方向に垂直な方向）に配置されるカーボンナノチューブの成分の方が厚さ方向に配置される成分よりも長くなる。
光電変換層に光を入射させ、生成した正孔−電子対のうち、いずれか一方を信号電荷として効率的に捕集するためには、光電変換層に電圧を印加することが望ましい。図８は、光電変換層内に位置するカーボンナノチューブ５００を模式的に示している。カーボンナノチューブ５００の位置５０１には正の電荷ｈが存在し、外部から電場が矢印５０２の方向に印加されている。電荷ｈが自由空間に存在する場合、矢印５０２に沿って平行に移動した位置５１１に電荷ｈは移動する。
しかし、カーボンナノチューブ５００中に電荷ｈが存在する場合、電荷ｈは、まず、カーボンナノチューブ５００から外部に出る必要がある。このためには、エネルギー障壁を乗り越える必要があり、確率的現象に従う。
一方、矢印５０２で示す電場はカーボンナノチューブ５００の長手方向５０３に電場成分を有する。カーボンナノチューブ５００において長手方向に沿った電荷移動は、ほとんど抵抗を受けないことが知られており、この方向の移動度は１万ｃｍ2/（Ｖ・ｓ）以上であることが報告されている。このため、電場のカーボンナノチューブ５００の長手方向に平行な成分がゼロでない限り、カーボンナノチューブ５００内を電荷ｈは容易に移動し、位置５２１へ移る。
撮像装置は、複数の画素によって構成され、各画素に入射する光の量に比例した信号を生成することにより、画像を形成する。光電変換層にカーボンナノチューブを用いる場合、上述した理由から、光電変換によって生成した電荷はカーボンナノチューブ内を移動する。このため、カーボンナノチューブの長さが、画素５０５のサイズよりも大きい場合において、カーボンナノチューブ内を光電変換によって生成した電荷が移動してしまうと、光が入射した画素と、入射した光を検出する画素とが異なってしまう可能性がある。カーボンナノチューブの長さが、画素５０５のサイズよりも小さくても、カーボンナノチューブが２つの画素に跨って位置する場合も同様である。その結果、画素間での検出信号のクロストークが発生し、得られる画像は、本来の光照射量分布を正しく反映せず、ぼやける可能性がある。
この課題は、撮像装置のサイズ（画角）が小さいこと、あるいは、撮像装置の解像度が高く画素数が多いことにより、画素のピッチが狭くなるほど顕著になる。本実施形態の撮像装置はこの課題を解決し、特に画素ピッチの狭い撮像装置に好適に用いられる。
本実施形態の撮像装置の全体の構成は、例えば、図１に示す第１の実施形態の撮像装置と同じである。また、本実施形態の撮像装置におけるデバイス構造も、例えば、図２に示す第１の実施形態の撮像装置と同じである。
次に本実施形態の撮像装置における光電変換部３０の光電変換層３９を詳細に説明する。図９は、複数の単位画素セル２０にまたがる光電変換部３０の断面を模式的に示している。各単位画素セル２０において、光電変換部３０は、対向電極３８と画素電極３２と、光電変換層３９とを含む。光電変換層３９は対向電極３８と画素電極３２とに挟まれている。
光電変換層３９は、リーク電流の発生を抑制する観点から、画素ごとに分離されておらず、複数の単位画素セル２０にまたがって形成されている。光電変換層３９は、半導体型カーボンナノチューブ１０５と、電荷分離材料１０６とを含む。カーボンナノチューブ１０の少なくとも一部は、複数の単位画素セル２０にまたがって位置している。
カーボンナノチューブ１０５の構造および物性等は第１の実施形態で説明した通りである。また、電荷分離材料１０６には第１の実施形態で説明した材料を用いることができる。つまり、電荷分離材料１０６は、半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも大きな電子親和力を持つ物質であってもよいし、半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも小さなイオン化ポテンシャルを持つ物質であってもよい。
ただし、カーボンナノチューブに残った電荷を画素電極に移動させ、信号電荷として用いた第１の実施形態とは異なり、第２の実施形態では、電荷分離材料がカーボンナノチューブから引き抜いた電荷を、画素電極に移動させる。例えば、負電荷である電子を信号電荷として利用する場合、電圧供給回路１０は、画素電極３２の電位が対向電極３８の電位よりも高くなるようにバイアス電圧を対向電極３８に供給する。また、その場合、電荷分離材料１０６として半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも大きな電子親和力を持つ物質を用いることができる。この場合、半導体型カーボンナノチューブ１０５で生成した正孔−電子対のうち、電子は、より低いエネルギー準位にある電荷分離材料１０６の伝導帯１１０へ移動する。このため、半導体型カーボンナノチューブの価電子帯に正孔が残る。
画素電極３２の電位が対向電極３８の電位よりも高くなるように決定されたバイアス電圧が供給されているため、電子は、電荷分離材料１０６から、画素電極３２に移動する。また、正電荷である正孔を信号電荷として用いる場合、電圧供給回路は、画素電極３２の電位が対向電極３８の電位よりも低くなるようにバイアス電圧を対向電極３８に供給する。また、その場合、電荷分離材料１０６として半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも小さなイオン化ポテンシャルを持つ物質を用いることができる。この場合、電荷分離材料１０６がプラスイオンになる方が安定化するため、半導体型カーボンナノチューブ１０５で生成した正孔―電子対のうち、正孔が電荷分離材料１０６の価電子帯に移動する。このため、半導体型カーボンナノチューブ１０５の伝導体に電子が残る。この正孔が画素電極に移動する。画素電極３２の電位が対向電極３８の電位よりも低くなるように決定されたバイアス電圧が供給されているため、正孔は、電荷分離材料１０６から、画素電極３２に移動する。
半導体型カーボンナノチューブ１０５における１次元の電荷移動による課題を抑制するため、電荷分離材料１０６は、内部での電荷移動が一次元的でないことが望ましい。たとえばフラーレン、フラーレン誘導体、およびほとんどの低分子では、電荷は分子軌道により制限されている。このため、外部から電場を印加することにより、分子内において電荷の偏りは生じるが、巨視的な電流を形成するような電荷移動は生じない。つまり、内部に巨視的な電荷移動自由度を持たない。この場合、内部の電荷移動は０次元である。また、多くの導電性高分子は、共有結合による１次元の鎖状の分子形状を有し、これらが複雑に絡まった構造を持つ。このような導電性高分子では、分子鎖に沿ったホッピング伝導による電荷移動と、絡まりにより空間的に近接した個所において分子鎖間を移動する電荷移動とが生じる。これら２種類の電荷移動の効率は、カーボンナノチューブほどの極端な差がない。このため導電性高分子では、３次元的に電荷が移動する。
光電変換層３９において、半導体型カーボンナノチューブ１０５および電荷分離材料１０６は、互いに分散していることが望ましい。相互に分散している限り、半導体型カーボンナノチューブ１０５および電荷分離材料１０６の分布が均一でなくてもよく、例えば、光電変換層３９の厚さ方向において、分布に偏りがあってもよい。具体的には、第１の実施形態とは異なり、光電変換層３９の厚さ方向における半導体型カーボンナノチューブ１０５の密度は、対向電極３８側において高く、画素電極３２側で低くてもよい。また、光電変換層３９の厚さ方向における電荷分離材料１０６の密度は、対向電極３８側において低く、画素電極３２側で高くてもよい。このような分布は、電荷分離材料１０６が画素電極３２で捕集する電荷を半導体型カーボンナノチューブから引き抜くため、逆の密度分布よりも望ましい。光電変換層３９の厚さは、例えば、数十ｎｍ以上数百ｎｍ以下である。また、光電変換層３９は、更に、ｎ型半導体やｐ型半導体を含んでいてもよい。
第１の実施形態と同様、光電変換部３０は、正孔ブロック層１０３および電子ブロック層１０１を更に備えていてもよい。正孔ブロック層１０３および電子ブロック層１０１には第１の実施形態で説明した材料を用いることができる。
図１０を参照しながら光電変換層３９における入射光の検出を説明する。図１０は、光電変換層３９内に位置する半導体型カーボンナノチューブ１０５および電荷分離材料１０６の配置と、単位画素セルの画素電極３２との位置関係を示す模式図である。半導体型カーボンナノチューブ１０５は２つの単位画素セル２０に跨って位置している。以下の例では、第１の実施形態と同様電子を信号電荷として用いているが、第１の実施形態とは異なり、電荷分離材料１０６は、半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも大きな電子親和力を持つ物質である。また、図１０においては、画素電極３２の電位が対向電極３８の電位よりも高くなるように、バイアス電圧を対向電極３８に供給している。そのため、矢印５０２で示す方向に電場が生じている。
第１の実施形態と同様、半導体型カーボンナノチューブ１０５により光子（図示せず）が吸収されると、ほぼその位置５０１において正電荷（正孔）ｈおよび負電荷（電子）ｅが生成する。生成した正電荷ｈおよび負電荷ｅは互いに引力を及ぼしあい、励起子と呼ばれる状態を作っている。励起子は巨視的には電気的に中性であるため、励起子の位置は印加電場の影響を受けず、拡散的に緩やかに移動するだけである。
励起子が電荷分離材料１０６に近接した位置に到達すると、励起子の電荷の分離が発生する。具体的には、電荷分離材料１０６による負電荷ｅの引き抜きが行われ、一方の電荷が電荷分離材料１０６の１つの分子に移動し、他方の電荷が半導体型カーボンナノチューブ１０５に残る。図７に示す例では、電荷分離材料１０６は、半導体型カーボンナノチューブ１０５よりも大きな電子親和力を有するため、負電荷ｅを引き抜く。その結果、半導体型カーボンナノチューブ１０５には正電荷が残る。
電荷の分離は、半導体型カーボンナノチューブ１０５と電荷分離材料１０６とが近接した位置で生じる。このため、１つの半導体型カーボンナノチューブ１０５の分子の周囲において、単位画素セル２０中に１以上の電荷分離材料１０６の分子が存在していれば、励起子が生成した画素において、電荷分離が生じる。励起子の生成と電荷分離とが同じ単位画素セルで生じるようにするためには、光電変換層３９中に含まれる電荷分離材料１０６の割合を高めればよい。
半導体型カーボンナノチューブ１０５に残った正電荷ｈおよび電荷分離材料１０６へ移動した負電荷ｅは、巨視的にも中性ではなくなる。よって、正電荷ｈおよび負電荷ｅは、それぞれ対向電極３８と画素電極３２との間に印加された電圧による矢印５０２で示す電場の影響を受け、移動を開始する。
半導体型カーボンナノチューブ１０５に残った正電荷ｈは、カーボンナノチューブの電気伝導の異方性により、矢印５０２の方向だけではなく、半導体型カーボンナノチューブ１０５の伸びる方向５０３に沿った電場成分の影響を強く受け移動する。その結果、正電荷ｈは、半導体型カーボンナノチューブ１０５の伸びる方向に移動し、位置５２１に到達する。この正電荷ｈは図示しない対向電極３８に捕集される。対向電極３８は複数の画素に跨って形成されているため、どの位置において正電荷ｈが捕集されてもよい。
一方、電荷分離材料１０６の１つの分子へ移動した負電荷ｅは、ホッピング伝導によって、隣接する電荷分離材料１０６の分子へ移動する。どの分子にホッピングするかは、分子間の距離と電場の方向と強度により定まる。分子間距離がほぼ等しければ、電場に平行な方向により近い方向にある分子がホッピング先に選ばれる。また、電場の強度が大きいと、分子間距離に差があっても電場に平行な方向により近い方向にある分子がホッピング先に選ばれる確率が高まる。
そのため、電荷分離材料１０６の分子間距離の分布に極端な偏りがなく、光電変換層３９内で３次元に分布しておれば、負電荷ｅは、巨視的には電場の方向に移動する。分子間距離の分布に極端な偏りがある場合としては、例えば、電荷分離材料１０６の分子がある平面状にのみ配列されている場合である。その結果、励起子が発生した単位画素セル２０内の画素電極３２に捕集される。つまり光が入射した画素と、入射した光を検出する画素とが一致する。
電荷分離材料１０６の内部の電荷移動が３次元的であっても巨視的には電場の方向に電荷が移動する。また、対向電極３８と画素電極３２との間に印加する電位差を大きくし、電場の強度を大きくすることにより、より確実に励起子が発生した画素で負電荷を検出することができる。
図１０では、画素電極３２に負電荷ｅが捕集される例を説明したが、画素電極３２に正電荷ｈが捕集される場合も同様に説明される。また、図１０では、１つの半導体型カーボンナノチューブ１０５を示しているが、光電変換層３９において、２以上の半導体型カーボンナノチューブ１０５が互いに近接し得る。この場合、上述した（ｉ）半導体型カーボンナノチューブ１０５と電荷分離材料１０６との間における電荷の分離、および、（ｉｉ）電荷分離材料１０６の分子間での電荷の移動に加え、（ｉｉｉ）２以上の半導体型カーボンナノチューブ１０５間における電荷の分離、（ｉＶ）半導体型カーボンナノチューブ１０５から電荷分離材料１０６への電荷の移動が生じ得る。しかし、カイラリティが同じである半導体型カーボンナノチューブ１０５間において、電子親和力およびイオン化ポテンシャルは等しい。また、電子親和力またはイオン化ポテンシャルの観点から、信号として検出すべき正電荷または負電荷は、半導体型カーボンナノチューブ１０５から電荷分離材料１０６へ移動するのがエネルギー的に有利である。そのため、電荷分離材料１０６から半導体型カーボンナノチューブ１０５へは、正電荷または負電荷が移動しにくい。このため、（ｉｉｉ）および（ｉＶ）に示す電荷の移動等は、（ｉ）および（ｉｉ）に比べてエネルギー的に不利であり、生じにくい。
また、上述した説明から分かるように、光電変換層３９において、少しでも電荷分離材料１０６が含まれていれば、半導体型カーボンナノチューブ１０５内での信号として検出すべき電荷を半導体型カーボンナノチューブ１０５から引き抜き、対向電極３８と画素電極３２との間に印加される電圧による電場に従い、信号として検出すべき電荷を画素電極３２に向けて移動させることができる。このため、本開示の撮像装置は、光電変換層３９における電荷分離材料１０６の含有量に応じて、上述した効果を奏することが可能である。
このように本実施形態によれば、第１の実施形態で説明した効果に加え、画素間での検出電荷の混合を抑制し、高精細な画像を取得し得る撮像装置、または、微小な画素サイズの撮像装置が実現し得る。
本実施形態の撮像装置は、第１の実施形態の撮像装置と同様、一般的な半導体製造プロセスを用いて製造することができる。特に、半導体基板６２としてシリコン基板を用いる場合には、種々のシリコン半導体プロセスを利用することによって撮像装置を製造することができる。
なお、上述の実施形態では、増幅トランジスタ４２、アドレストランジスタ４４およびリセットトランジスタ４６の各々がＮチャンネルＭＯＳである例を説明した。しかしながら、本開示の実施形態におけるトランジスタは、ＮチャンネルＭＯＳに限定されない。増幅トランジスタ４２、アドレストランジスタ４４およびリセットトランジスタ４６は、ＰチャンネルＭＯＳであってもよい。また、これらの全てがＮチャンネルＭＯＳまたはＰチャンネルＭＯＳのいずれかに統一されている必要はない。トランジスタとして、ＦＥＴのほか、バイポーラトランジスタも用い得る。
また、上述の実施形態では画素電極が検出すべき電荷を捕集する形態を有する撮像装置を説明した。しかし、撮像装置は、画素電極のかわりに半導体基板に設けられた不純物拡散領域を備え、不純物拡散領域が光電変換層で生成した正孔−電子対の一方を検出すべき電荷として捕集してもよい。
本開示の撮像装置は、可視領域および近赤外領域において画像を取得することが可能な種々の撮像装置に好適に用いることができる。特に、高速動作、高フレームレートの撮像装置および／または高精細で高画素数の撮像装置、微小な画素サイズの撮像装置に好適に用いることができる。
１０ 電圧供給回路
２０ 単位画素セル
２２ 蓄積制御線
２３ 電源線
２４ 垂直信号線
２５ アドレス信号線
２６ リセット信号線
２７ フィードバック線
３０ 光電変換部
３２ 画素電極
３８ 対向電極
３９ 光電変換層
４０ 信号検出回路
４１ 電荷蓄積ノード
４２ 増幅トランジスタ
４２ｇ，４４ｇ，４６ｇ ゲート絶縁層
４２ｅ，４４ｅ，４６ｅ ゲート電極
４４ アドレストランジスタ
４６ リセットトランジスタ
５２ 垂直走査回路
５４ 水平信号読出し回路
５６ カラム信号処理回路
５８ 負荷回路
５９ 反転増幅器
６１ 基板
６２ 半導体基板
６２ａ〜６２ｅ 不純物領域
６２ｓ 素子分離領域
６３Ａ〜６３Ｃ 層間絶縁層
６５Ａ，６５Ｂ コンタクトプラグ
６６Ａ，６８Ａ，６８Ｂ 配線
６７Ａ〜６７Ｃ プラグ
７２ 保護層
７４ マイクロレンズ
１００ 撮像装置
１０１ 電子ブロック層
１０３ 正孔ブロック層
１０５ 半導体型カーボンナノチューブ
１０６ 電荷分離材料
１１０ 伝導帯
１１１ 価電子帯
１１３ 真空準位
１５０ 半導体型カーボンナノチューブ
１９６ 電荷分離材料
５０１，５１１，５１２ 位置

Claims (13)

  1. １次元または２次元に配列された複数の画素を備えた撮像装置であって、
    各画素は、
    前記複数の画素間で電気的に接続された電極と、
    前記画素ごとに区画された電荷捕集部と、
    前記電極と前記電荷捕集部との間に位置し、前記複数の画素間でつながっている光電変換層と、を備え、
    前記光電変換層は、半導体型カーボンナノチューブと、前記半導体型カーボンナノチューブよりも大きな電子親和力を持つ第１の物質を含み、
    前記電荷捕集部は負電荷を捕集する、撮像装置。
  2. １次元または２次元に配列された複数の画素を備えた撮像装置であって、
    各画素は、
    前記複数の画素間で電気的に接続された電極と、
    前記画素ごとに区画された電荷捕集部と、
    前記電極と前記電荷捕集部との間に位置し、前記複数の画素間でつながっている光電変換層と、を備え、
    前記光電変換層は、半導体型カーボンナノチューブと、前記半導体型カーボンナノチューブよりも小さなイオン化ポテンシャルを持つ第１の物質を含み、
    前記電荷捕集部は正電荷を捕集する撮像装置。
  3. 前記光電変換層を支持する半導体基板を更に備え、
    前記各画素は前記半導体基板に設けられており、前記電荷捕集部と電気的に接続された電荷検出用トランジスタをさらに含む、請求項１または２に記載の撮像装置。
  4. 前記光電変換層において、前記半導体型カーボンナノチューブと、前記第１の物質とは互いに分散している、請求項１から３のいずれか一項に記載の撮像装置。
  5. 前記電荷捕集部は、前記半導体基板に形成された不純物拡散領域である請求項３に記載の撮像装置。
  6. 前記電荷捕集部は、前記半導体基板上に位置する電極である、請求項３に記載の撮像装置。
  7. 前記第１の物質は、フラーレン骨格を有する分子である請求項１に記載の撮像装置。
  8. 前記半導体型カーボンナノチューブの少なくとも一部は、前記複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にまたがっている、請求項１から７のいずれか一項に記載の撮像装置。
  9. 前記半導体型カーボンナノチューブのうちの少なくとも一部の長さは、前記複数の画素のそれぞれの平面視におけるサイズよりも大きい、請求項１から８のいずれか一項に記載の撮像装置。
  10. 前記第１の物質は、粒子として前記光電変換層に含まれ、
    前記粒子の径は、前記複数の画素のそれぞれの平面視におけるサイズよりも小さい、請求項１から９のいずれか一項に記載の撮像装置。
  11. 前記第１の物質は、粒子として前記光電変換層に含まれ、
    前記粒子の径は、前記半導体型カーボンナノチューブの長さよりも小さい、請求項１から１０のいずれか一項に記載の撮像装置。
  12. 前記光電変換層の厚さ方向における前記第１の物質の密度は、前記電極側よりも前記電荷捕集部側の方が高い、請求項１から１１のいずれか一項に記載の撮像装置。
  13. 前記半導体型カーボンナノチューブは、２以上の異なるカイラリティを有する半導体型カーボンナノチューブを含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の撮像装置。
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