JP6118404B2 - 電子部材の剥離方法 - Google Patents
電子部材の剥離方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6118404B2 JP6118404B2 JP2015519820A JP2015519820A JP6118404B2 JP 6118404 B2 JP6118404 B2 JP 6118404B2 JP 2015519820 A JP2015519820 A JP 2015519820A JP 2015519820 A JP2015519820 A JP 2015519820A JP 6118404 B2 JP6118404 B2 JP 6118404B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- peeling
- electronic member
- film
- support substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
- B32B43/006—Delaminating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
- C09J2301/416—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
- C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本発明は、エネルギーを与えることにより電子部材を損傷することなく容易に剥がすことができる電子部材の剥離方法に関する。
従来、例えばICチップの製造工程において、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研磨して薄膜ウエハとする場合に、厚膜ウエハを支持基板に接着して補強することにより、効率よく作業を進めることが提案されている。厚膜ウエハと支持板は、研磨工程中には強固に接着している必要がある一方で、研磨工程終了後には得られた薄膜ウエハを損傷することなく支持基板から剥がせることが求められる。
このように、板状物質どうしを接着し、かつ後から板状物質を損傷することなく容易に剥離できることが求められている。
このように、板状物質どうしを接着し、かつ後から板状物質を損傷することなく容易に剥離できることが求められている。
剥離する方法としては、例えば、物理的な力を加えて引き剥がすことが考えられる。しかしながら、この方法では被着体が軟弱な場合には重大な損傷を与えてしまうことがあった。
また、接着剤を溶解する溶剤を用いて剥離する方法も考えられる。しかしながら、この方法も被着体が溶剤によって侵されるものである場合には用いることができない。
このように、いったん接着に用いた接着剤は、接着力が強固であるほど、被着体を損傷することなく剥がすことが困難であるという問題点があった。
このように、いったん接着に用いた接着剤は、接着力が強固であるほど、被着体を損傷することなく剥がすことが困難であるという問題点があった。
板状物質同士を接着し、かつ後から板状物質を損傷することなく容易に剥離するために、熱、光、振動、超音波などのエネルギーを与えることで接着力が低下ないし喪失する接着剤を用いることが提案されている。エネルギーを与えることで接着力が低下ないし喪失する接着剤としては、気体発生成分を含むもの、熱膨張性の微小球を含むもの、エネルギーによって接着剤成分が架橋反応することで接着力が低下するものなどが提案されている(特許文献1〜8参照)。
しかし、エネルギーを与えることで接着力が低下する自己剥離型の接着剤を用いても、接着力の低下の度合いが小さいため、被着体を十分に剥離できなかったり、被着体を剥離するのに大きなエネルギーが必要となり、製造工程の進行スピードが遅くなったり、剥離するために与えた熱や光等のエネルギーによって被着体が影響を受けるといった問題があった。
本発明は、上記現状に鑑み、エネルギーを与えることにより電子部材を損傷することなく容易に剥がすことができる電子部材の剥離方法および当該方法に用いることができる積層体を提供することを目的とするものである。
本発明は以下に記載される。
[1] 支持基板(a)上に接着フィルム(b)を介して電子部材(c)が貼着された積層体から、前記電子部材(c)を剥離する方法であって、
前記接着フィルム(b)は、前記支持基板(a)側に自己剥離型接着層を備えるとともに、前記電子部材(c)の外縁全体に沿って存在する前記電子部材(c)側の面の少なくとも一部が露出した領域を備え、
前記領域にエネルギーを付与し、該領域の前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層との接着力を低下させる工程と、
さらに熱エネルギーを付与し、接着力が低下した、前記領域の前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層との界面を起点として、前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層の接着力を低下させて前記支持基板(a)を除去する工程と、
前記電子部材(c)から前記接着フィルム(b)を除去し、前記電子部材(c)を剥離する工程と、
を含み、
前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層との接着力を低下させる前記工程は、前記領域における前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層との接触面積100%のうち、10%以上の面積を剥離する工程である、電子部材の剥離方法。
[2] 前記エネルギーが、熱、光、振動、応力および超音波から選ばれるいずれかである、[1]に記載の電子部材の剥離方法。
[3] 前記電子部材(c)は、シリコンウエハ、セラミックコンデンサまたは半導体パッケージである、[1]または[2]に記載の電子部材の剥離方法。
[1] 支持基板(a)上に接着フィルム(b)を介して電子部材(c)が貼着された積層体から、前記電子部材(c)を剥離する方法であって、
前記接着フィルム(b)は、前記支持基板(a)側に自己剥離型接着層を備えるとともに、前記電子部材(c)の外縁全体に沿って存在する前記電子部材(c)側の面の少なくとも一部が露出した領域を備え、
前記領域にエネルギーを付与し、該領域の前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層との接着力を低下させる工程と、
さらに熱エネルギーを付与し、接着力が低下した、前記領域の前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層との界面を起点として、前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層の接着力を低下させて前記支持基板(a)を除去する工程と、
前記電子部材(c)から前記接着フィルム(b)を除去し、前記電子部材(c)を剥離する工程と、
を含み、
前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層との接着力を低下させる前記工程は、前記領域における前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層との接触面積100%のうち、10%以上の面積を剥離する工程である、電子部材の剥離方法。
[2] 前記エネルギーが、熱、光、振動、応力および超音波から選ばれるいずれかである、[1]に記載の電子部材の剥離方法。
[3] 前記電子部材(c)は、シリコンウエハ、セラミックコンデンサまたは半導体パッケージである、[1]または[2]に記載の電子部材の剥離方法。
本発明によれば、熱、光、振動、応力、超音波等のエネルギーを与えることにより被着体である電子部材を損傷することなく、支持基板から容易に剥がすことができる電子部材の剥離方法および当該方法に用いることができる積層体を提供することできる。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
以下、本発明の実施の形態について、適宜図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
本実施形態の電子部材の剥離方法は、支持基板(a)上に接着フィルム(b)を介して電子部材(c)が貼着された積層体から、電子部材(c)を剥離する方法である。本実施形態の電子部材の剥離方法は、図1(a)に示す積層体10を用いた方法として説明することができる。まず、本実施形態の積層体について説明する。
<積層体>
本実施形態の積層体は、図1(a)に示すように、支持基板12上に接着フィルム14を介して電子部材16が貼着されている。接着フィルム14は、支持基板12側に自己剥離型接着層17を備えるとともに、電子部材16側の面14aが露出した領域Aを備える。
本実施形態の積層体は、図1(a)に示すように、支持基板12上に接着フィルム14を介して電子部材16が貼着されている。接着フィルム14は、支持基板12側に自己剥離型接着層17を備えるとともに、電子部材16側の面14aが露出した領域Aを備える。
本実施形態において領域Aは、電子部材16の外縁の全体に沿って存在する。領域Aにおいて、接着フィルム14の面14aは、面積が大きいほど、剥離に要する総エネルギーが小さくなる。
領域Aにおける接着フィルム14と支持基板12との接触面の面積(面14aの面積と等しい)は、接着フィルム14と支持基板12との接触面の全体の面積100%に対して0.01〜30%が好ましく、より好ましくは0.01〜20%であり、さらに好ましくは0.01〜10%である。
領域Aにおける接着フィルム14と支持基板12との接触面の面積(面14aの面積と等しい)は、接着フィルム14と支持基板12との接触面の全体の面積100%に対して0.01〜30%が好ましく、より好ましくは0.01〜20%であり、さらに好ましくは0.01〜10%である。
例えば、半導体製造工程において、e−WLB(embedded Wafer-Level Ball Grid Array)の樹脂封止プロセスでは、直径300mmの電子部材16に対して、接着フィルム14の端部は電子部材16の端部よりも5mm程度外側になるように積層することが好ましい。また、直径450mmの電子部材16に対して、接着フィルム14の端部は電子部材16の端部よりも5mm程度外側になるように積層することが好ましい。この樹脂封止プロセスにおいて、好ましくは中心からの距離に対して、接着フィルム14の端部が電子部材16の端部よりも2%以上外側にあるとよく、さらに好ましくは中心からの距離に対して、3%以上外側にあるとよい。
[電子部材16、支持基板12]
本実施形態において、電子部材16と支持基板12との組み合わせは、本実施形態の電子部材の剥離方法を用いる対象により適宜選択される。
本実施形態において、電子部材16と支持基板12との組み合わせは、本実施形態の電子部材の剥離方法を用いる対象により適宜選択される。
例えば、本実施形態の電子部材の剥離方法をウエハサポートシステムに用いる場合、支持基板12はガラス、SUS等の硬質基板であり、電子部材16はシリコン基板(シリコンウエハ)である。
本実施形態の電子部材の剥離方法をセラミックコンデンサ製造に用いる場合、支持基板12はプラスチックフィルム等であり、電子部材16はセラミックコンデンサである。
本実施形態の電子部材の剥離方法をe−WLBの樹脂封止プロセスに用いる場合は、支持基板12は石英基板、ガラス基板等であり、電子部材16は半導体パッケージである。
本実施形態の電子部材の剥離方法をセラミックコンデンサ製造に用いる場合、支持基板12はプラスチックフィルム等であり、電子部材16はセラミックコンデンサである。
本実施形態の電子部材の剥離方法をe−WLBの樹脂封止プロセスに用いる場合は、支持基板12は石英基板、ガラス基板等であり、電子部材16は半導体パッケージである。
[接着フィルム14]
本実施形態における接着フィルム14は、両面に接着性を有するフィルムであり、片面にエネルギーを与えることで接着力が低下ないし喪失する自己剥離型接着層17(以下単に接着層17)を備える。
本実施形態における接着フィルム14は、両面に接着性を有するフィルムであり、片面にエネルギーを与えることで接着力が低下ないし喪失する自己剥離型接着層17(以下単に接着層17)を備える。
エネルギーとしては、光、熱、振動、応力、超音波等を挙げることができる。エネルギーの種類は、接着層17を構成する接着剤および/または剥離工程にあわせて適宜選択することができる。
接着層17を構成する接着剤としては、エネルギーによって気体が発生する接着剤、エネルギーによって膨張する微小粒子を含む接着剤、エネルギーによって架橋反応が進行する接着剤、等を挙げることができる。
本実施形態において、接着フィルム14は、図示しない基材フィルムの片面に接着層17を備え、他方の面に図示しない接着層を備える。このように、接着フィルム14は、電子部材16と接する面と、支持基板12と接する面とで、性能の異なる接着層を設けることができる。
接着フィルム14に用いる接着剤、基材フィルムは、用途によって様々な材料から構成することができる。
接着フィルム14に用いる接着剤、基材フィルムは、用途によって様々な材料から構成することができる。
接着フィルム14を構成する基材フィルムは、可とう性を有し、エネルギー付与や剥離工程で機械的物性を損なわない程度の耐熱性や耐光性を有するものであれば特に限定されない。このような基材フィルムとして、一般には紙;金属;ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、オレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル、アクリル、ABS、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の樹脂からなるプラスチックフィルムやシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、接着層17に光が到達するのを防ぎたい場合には、カーボンブラック等を配合して不透明にしてもよい。
接着層17との密着性や保持性などを高めるため、基材フィルムの表面を酸化させる化学的又は物理的処理であるクロム酸処理やオゾン暴露、火炎暴露や高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の表面処理を施したものを用いてもよい。
基材フィルムの厚さは特に限定されないが、通常500μm以下(例えば、1〜500μm)を選択し、好ましくは1〜300μm程度、より好ましくは5〜250μm程度である。基材フィルムは単層であってもよく多層体であってもよい。
接着層17に含まれる接着剤は、エネルギーを与えることで接着力が低下ないし喪失する接着剤である。このような接着剤としては、特許文献1〜8に開示されているような、気体発生成分を含むもの、熱膨張性の微小球を含むもの、エネルギーによって接着剤成分が架橋反応することで接着力が低下するものなどが好ましい。
例えば、気体発生成分としては、アゾ化合物、アジド化合物、メルドラム酸誘導体などが好適に用いられる。また、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム等の無機系発泡剤や、塩フッ化アルカン、ヒドラジン系化合物、セミカルバジド系化合物、トリアゾール系化合物、N−ニトロソ系化合物等の有機系発泡剤を含むものも用いられる。熱膨張性の微小球としては、ガス化して熱膨張性を示す物質を殻形成物質内に内包させたものを用いることができる。エネルギーによって架橋反応し接着力が低下するものとしては、重合性オリゴマーを含有し、これが重合架橋することによって接着力が低下するもの等が使用できる。
なお、ウエハサポートシステムやセラミックコンデンサや半導体装置の製造に用いる場合、支持基板12を再利用する観点から糊残りが少ない接着剤が好ましい。
なお、ウエハサポートシステムやセラミックコンデンサや半導体装置の製造に用いる場合、支持基板12を再利用する観点から糊残りが少ない接着剤が好ましい。
接着フィルム14の、電子部材16と接する側に用いる接着剤としては、従来公知の接着剤が使用できる。特に、感圧接着剤を用いると、接着工程や剥離工程の作業性に優れ、さらに糊残りが少ないことから、電子部材16の歩留まりを向上させることができる。
感圧接着剤の例として、天然ゴムやポリイソブチレンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体ゴム、再生ゴム、ブチルゴム、ポリイソブチレンゴム、NBRなどのゴム系ポリマーをベースポリマーに用いたゴム系感圧接着剤;シリコーン系感圧接着剤;ウレタン系感圧接着剤;アクリル系感圧接着剤等を挙げることができる。母剤は1種、又は2種以上の成分で構成してもよい。特に好ましくは、アクリル系感圧接着剤である。
アクリル系感圧接着剤の製造は、溶液重合、塊状重合、乳化重合及び各種ラジカル重合などの公知の製造方法を適宜選択できる。また、得られる接着性樹脂は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体などいずれでもよい。
<電子部材の剥離方法>
本実施形態において、図1(a)の積層体10を用いて、電子部材16の剥離を行う。
本実施形態の電子部材の剥離方法は、以下の工程を含む。
工程1:積層体10の領域Aにエネルギーを付与し、領域Aの支持基板12と自己剥離型接着層17との接着力を低下させる(図1(b))。
工程2:さらにエネルギーを付与し、接着力が低下した、領域Aの支持基板12と自己剥離型接着層17との界面を起点として、支持基板12と自己剥離型接着層17の接着力を低下させて支持基板12を除去する(図1(c))。
工程3:電子部材16から接着フィルム14を除去し、電子部材16を剥離する(図1(d))。
以下、各工程順に説明する。
本実施形態において、図1(a)の積層体10を用いて、電子部材16の剥離を行う。
本実施形態の電子部材の剥離方法は、以下の工程を含む。
工程1:積層体10の領域Aにエネルギーを付与し、領域Aの支持基板12と自己剥離型接着層17との接着力を低下させる(図1(b))。
工程2:さらにエネルギーを付与し、接着力が低下した、領域Aの支持基板12と自己剥離型接着層17との界面を起点として、支持基板12と自己剥離型接着層17の接着力を低下させて支持基板12を除去する(図1(c))。
工程3:電子部材16から接着フィルム14を除去し、電子部材16を剥離する(図1(d))。
以下、各工程順に説明する。
[工程1]
まず、図1(a)に示す積層体10の領域Aに、光、熱、振動、応力、超音波等のエネルギーを与えることで、領域Aにおいて、接着フィルム14の接着層17と支持基板12との界面の接着力を低下ないし喪失させる(図1(b))。該当箇所の接着力が、初期値の5分の1以下に低下していればよい。領域Aにおいて接着フィルム14全体が支持基板12から剥離した状態でも、一部が剥離した状態でも、剥離はせずに接着力が低下した状態でもよい。図1(b)は、領域Aにおいて、接着フィルム14全体が支持基板12から剥離した状態を示す。
まず、図1(a)に示す積層体10の領域Aに、光、熱、振動、応力、超音波等のエネルギーを与えることで、領域Aにおいて、接着フィルム14の接着層17と支持基板12との界面の接着力を低下ないし喪失させる(図1(b))。該当箇所の接着力が、初期値の5分の1以下に低下していればよい。領域Aにおいて接着フィルム14全体が支持基板12から剥離した状態でも、一部が剥離した状態でも、剥離はせずに接着力が低下した状態でもよい。図1(b)は、領域Aにおいて、接着フィルム14全体が支持基板12から剥離した状態を示す。
領域Aにおいて、接着フィルム14の一部でも支持基板12から剥離または接着力が低下した状態となっていればよい。領域Aにおける、接着層17と支持基板12との接触面積100%に対し、面積比で10%以上が剥離または接着力が低下していることが好ましい。なお、上限は面積比で100%である。剥離または接着力が低下している領域は、領域Aの特定の位置に限定されず、端部から均等な範囲でもよいし、局所的な範囲でもよい。
[工程2]
図1(c)に示すように、さらにエネルギーを付与し、工程1により接着力が低下した領域Aの支持基板12と自己剥離型接着層17との界面を起点として、支持基板12と接着層17の接着力を低下させて支持基板12を接着フィルム14から剥離する。これにより、支持基板12と接着フィルム14を完全に分離する。
接着フィルム14において、支持基板12と接する面は自己剥離性を有する接着層17であることから、工程2におけるエネルギーは、工程1と同様であってもよく異なっていてもよい。
図1(c)に示すように、さらにエネルギーを付与し、工程1により接着力が低下した領域Aの支持基板12と自己剥離型接着層17との界面を起点として、支持基板12と接着層17の接着力を低下させて支持基板12を接着フィルム14から剥離する。これにより、支持基板12と接着フィルム14を完全に分離する。
接着フィルム14において、支持基板12と接する面は自己剥離性を有する接着層17であることから、工程2におけるエネルギーは、工程1と同様であってもよく異なっていてもよい。
工程2の後、接着フィルム14が付着した電子部材16が得られる。
[工程3]
電子部材16から接着フィルム14を除去することで、電子部材16を剥離することができる。
接着フィルム14の、電子部材16を接着する面に用いる接着剤は、電子部材16の材料や、製造工程の条件にあわせて、一般的に用いられている接着剤を用いることができるが、接着層17に用いる接着剤のように、エネルギーによって接着力が低下する自己剥離性の接着剤を用いてもよい。自己剥離性の接着剤を用いる場合、支持基板12を接着する面に用いる接着剤と同じ強さのエネルギーもしくはより大きなエネルギーで接着力を低下させることができる。
[工程3]
電子部材16から接着フィルム14を除去することで、電子部材16を剥離することができる。
接着フィルム14の、電子部材16を接着する面に用いる接着剤は、電子部材16の材料や、製造工程の条件にあわせて、一般的に用いられている接着剤を用いることができるが、接着層17に用いる接着剤のように、エネルギーによって接着力が低下する自己剥離性の接着剤を用いてもよい。自己剥離性の接着剤を用いる場合、支持基板12を接着する面に用いる接着剤と同じ強さのエネルギーもしくはより大きなエネルギーで接着力を低下させることができる。
電子部材16から接着フィルム14を除去する方法は、接着フィルム14の、電子部材16を接着する面に用いた接着剤にあわせて適宜選択できる。機械的に剥離してもよいし、接着剤の接着力を低下させて剥離してもよい。
本実施形態の積層体10の構成において、この工程1,2を経ることにより、接着層17の接着力が十分に低下し、小さなエネルギーで支持基板12から完全に剥離することができる。そのため、電子部材16の損傷を抑制することができる。
これは、工程1において領域Aに予めエネルギーを付与することにより、領域Aの支持基板12と接着層17の界面で接着層17の接着力を低下させ、剥離起点が生成されるためであると推定される。例えば、工程1において領域Aの接着フィルム14の端部の接着力が低下した場合、その端部(剥離起点)から支持基板12と接着層17の界面に空気や雰囲気ガス等が侵入し易くなるため、工程2における剥離エネルギーが少なくなると考えられる。その結果、全体として剥離に要するエネルギーが低減されることになる。
これは、工程1において領域Aに予めエネルギーを付与することにより、領域Aの支持基板12と接着層17の界面で接着層17の接着力を低下させ、剥離起点が生成されるためであると推定される。例えば、工程1において領域Aの接着フィルム14の端部の接着力が低下した場合、その端部(剥離起点)から支持基板12と接着層17の界面に空気や雰囲気ガス等が侵入し易くなるため、工程2における剥離エネルギーが少なくなると考えられる。その結果、全体として剥離に要するエネルギーが低減されることになる。
本実施形態の積層体10の構成を採用したとしても、工程1、2を経ることなく、支持基板12と接着フィルム14との界面で剥離するには(図2(a)(b))、工程1、2を経て剥離するのに必要な総エネルギーよりも大きなエネルギーが必要となる。
図3(i)〜(iii)の各々の積層体は、本実施形態のように領域Aを備えておらず、電子部材16と支持基板12とを接着フィルム14で接着したとしても、工程1、2を経ることができない。図3(i)の積層体の場合、図2と同様、剥離するために大きなエネルギーを必要とする。図3(ii)の積層体の場合、接着フィルム14の端部と、電子部材16の端部を一致させる必要があり、製造工程上困難であるため好ましくない上、工程1,2を経ることができない。図3(iii)の積層体の場合、接着面積が小さくなるため、十分な初期接着強度が得られない場合がある。また、半導体製造工程において、樹脂封止プロセスに用いる場合、図3(iii)の状態にすると、封止用樹脂の漏れが発生するため好ましくない。
本実施形態の剥離方法は、セラミックコンデンサ、発振子、抵抗の如き電気部品や、液晶セル、プラズマディスプレイの如き表示デバイス、あるいは太陽電池、サーマルヘッド、プリント基板(フレキシブルタイプを含む)、半導体チップの如き電子部品などの種々の物品を製造する際に適した方法である。部品ないし物品や材料等を被着体として仮止めしたり、固定したりした後、被着体を損傷することなく剥離することができる。あるいは、キャリヤテープなどとしての用途も挙げられる。キャリヤテープとしての用途では、加工工程や出荷等の際に、剥離層で半導体や電子部品等の被着体を所定の間隔で接着保持した形態となっているため、これらの被着体を剥離する際に有効な方法である。
特に、半導体プロセスにおける保護フィルムの接着層や、ウエハの固定に適しており、WSS(Wafer Support System)やe−WLP(Embedded Wafer Level Packages)等に好適に用いることができる。
目的や製造条件に合わせて、接着層17の材料を選択し、与えるエネルギーを適宜選択することができる。支持基板12が光を透過する材料の場合、光によるエネルギーを与えることが有効であり、工程中に不用意に振動が加わらないのであれば、振動によるエネルギーを与えることが有効である。好ましくは、熱によるエネルギーを与えることが有効である。熱によるエネルギーによって接着力が低下ないし喪失する接着剤を用いる場合、製造工程中にかかる熱よりも高い温度で接着力が低下する接着剤を用いる。また、複数のエネルギーを与えてもよい。
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。
本実施形態において領域Aは、電子部材16の外縁の一部に沿って存在していればよい。
本実施形態においては、支持基板12と接する接着フィルム14の全面に自己剥離型接着層17を備える例により説明したが、領域Aの接着フィルム14に自己剥離型接着層17を備えていればよい。
本実施形態においては、支持基板12と接する接着フィルム14の全体が、自己剥離型接着層17から形成されていてもよい。
本実施形態において領域Aは、電子部材16の外縁の一部に沿って存在していればよい。
本実施形態においては、支持基板12と接する接着フィルム14の全面に自己剥離型接着層17を備える例により説明したが、領域Aの接着フィルム14に自己剥離型接着層17を備えていればよい。
本実施形態においては、支持基板12と接する接着フィルム14の全体が、自己剥離型接着層17から形成されていてもよい。
以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。
(剥離性評価方法)
支持基板12として、100mm正方の角板(SUS304)、接着フィルム14として後述の製造例で得られた接着フィルム、電子部材16として直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)からなる積層体を用い、支持基板12の剥離性評価を行った。
100mm正方の角板(SUS304)(支持基板12)に、接着フィルム14の、エネルギーを与えることにより接着力が低下する接着層17面側を貼り付けた。そして、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)(電子部材16)を両面接着テープ(接着フィルム14)の別の接着層に貼り付け、積層体とした。この積層体に測定用治具を取り付け、支持基板12の剥離性評価を行った。なお、実施例においては、支持基板12と接着フィルム14との界面の剥離強度測定中に、電子部材16と接着フィルム14との界面で剥離が生じるのを防ぐため、測定用として補強用両面テープ(製品名:P-223、日東電工製)を用いた。
測定用サンプルをヒーターブロックの上に設置し、所定の時間加熱した後、引張試験機にて剥離性評価を行った。
(剥離性評価方法)
支持基板12として、100mm正方の角板(SUS304)、接着フィルム14として後述の製造例で得られた接着フィルム、電子部材16として直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)からなる積層体を用い、支持基板12の剥離性評価を行った。
100mm正方の角板(SUS304)(支持基板12)に、接着フィルム14の、エネルギーを与えることにより接着力が低下する接着層17面側を貼り付けた。そして、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)(電子部材16)を両面接着テープ(接着フィルム14)の別の接着層に貼り付け、積層体とした。この積層体に測定用治具を取り付け、支持基板12の剥離性評価を行った。なお、実施例においては、支持基板12と接着フィルム14との界面の剥離強度測定中に、電子部材16と接着フィルム14との界面で剥離が生じるのを防ぐため、測定用として補強用両面テープ(製品名:P-223、日東電工製)を用いた。
測定用サンプルをヒーターブロックの上に設置し、所定の時間加熱した後、引張試験機にて剥離性評価を行った。
図4のように治具を用いて積層体を固定し、実施例に記載の処理を施した後、引張試験機にてフックを上方へ引っ張ることで剥離性の評価を行った。引張試験機は磁石付きL字治具を用いており、引張強度が50N以上で磁石が外れる構造である。磁石が外れた場合は、剥離しないと評価した。
(製造例1)
500mLの4口フラスコにメチルマロン酸(東京化成工業(株)製)100g及び無水酢酸100gを装入した。98%硫酸0.5gを続けて装入した後、滴下漏斗にてメチルエチルケトン75gを1時間かけて滴下した。室温にて24時間攪拌した後、酢酸エチル200g及び蒸留水300gを加えて分液ロートで有機層の抽出を行った。得られた有機層をエバポレーターで溶媒を留去することで、2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオンが75g得られた。H1NMR(300MHz)を測定したところ、以下のようなピークが得られた。
δ=1.04−1.12(m,3H),1.57−1.61(m,3H),1.71(s,1.12H),1.77(s,1.92H),1.95−2.16(m,2H),3.53−5.65(m,1H)
500mLの4口フラスコにメチルマロン酸(東京化成工業(株)製)100g及び無水酢酸100gを装入した。98%硫酸0.5gを続けて装入した後、滴下漏斗にてメチルエチルケトン75gを1時間かけて滴下した。室温にて24時間攪拌した後、酢酸エチル200g及び蒸留水300gを加えて分液ロートで有機層の抽出を行った。得られた有機層をエバポレーターで溶媒を留去することで、2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオンが75g得られた。H1NMR(300MHz)を測定したところ、以下のようなピークが得られた。
δ=1.04−1.12(m,3H),1.57−1.61(m,3H),1.71(s,1.12H),1.77(s,1.92H),1.95−2.16(m,2H),3.53−5.65(m,1H)
(製造例2)
500mLの4口フラスコに製造例1で合成した2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオン92g及びジメチルホルムアミド100gを装入した。炭酸カリウム95gを続けて装入した後、滴下漏斗にて4−クロロメチルスチレン97gを1時間かけて滴下した。40℃にて24時間攪拌した後、酢酸エチル400gを加えヌッチェで生成した固体を濾別した。蒸留水300mLを用いて、分液ロートで2回洗浄を行った後、エバポレーターで溶媒を留去することで、5−(p−スチリルメチル)−2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオンが132g得られた。H1NMR(300MHz)を測定したところ、以下のようなピークが得られた。
δ=0.43(t,8.1Hz,1.6H),0.83(s,1.3H),0.94(t,8.1Hz,1.4H),1.27(q,8.1Hz,1.2H),1.57(s,1.7H),1.75(s,3H),1.80(q,8.1Hz,0.8H),3.31(s,2H),5.22(d,12.0Hz,1H),5.70(d,19.5Hz,1H),6.65(dd,12.0,19.5Hz,1H),7.16(d,9.0Hz,2H),7.31(d,9.0Hz,2H)
500mLの4口フラスコに製造例1で合成した2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオン92g及びジメチルホルムアミド100gを装入した。炭酸カリウム95gを続けて装入した後、滴下漏斗にて4−クロロメチルスチレン97gを1時間かけて滴下した。40℃にて24時間攪拌した後、酢酸エチル400gを加えヌッチェで生成した固体を濾別した。蒸留水300mLを用いて、分液ロートで2回洗浄を行った後、エバポレーターで溶媒を留去することで、5−(p−スチリルメチル)−2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオンが132g得られた。H1NMR(300MHz)を測定したところ、以下のようなピークが得られた。
δ=0.43(t,8.1Hz,1.6H),0.83(s,1.3H),0.94(t,8.1Hz,1.4H),1.27(q,8.1Hz,1.2H),1.57(s,1.7H),1.75(s,3H),1.80(q,8.1Hz,0.8H),3.31(s,2H),5.22(d,12.0Hz,1H),5.70(d,19.5Hz,1H),6.65(dd,12.0,19.5Hz,1H),7.16(d,9.0Hz,2H),7.31(d,9.0Hz,2H)
(製造例3)
重合反応機に脱イオン水150重量部、重合開始剤として4,4'−アゾビス−4−シアノバレリックアシッド(大塚化学(株)製、商品名:ACVA)を0.625重量部、アクリル酸−2−エチルヘキシル62.25重量部、アクリル酸−n−ブチル18重量部、及びメタクリル酸メチル12重量部、メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル3重量部、メタクリル酸2重量部、及びアクリルアミド1重量部、ポリテトラメチレングリコールジアクリレート〔日本油脂(株)製、商品名:ADT−250〕1重量部、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル(エチレンオキサイドの付加モル数の平均値:約20)の硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の1−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬(株)製、商品名:アクアロンHS−10〕0.75重量部を装入し、攪拌下で70〜72℃において8時間乳化重合を実施し、アクリル系樹脂エマルションを得た。これを9重量%アンモニア水で中和(pH=7.0)し、固形分42.5重量%のアクリル系接着剤Sとした(アクリル系接着剤Sは感圧接着剤)。
重合反応機に脱イオン水150重量部、重合開始剤として4,4'−アゾビス−4−シアノバレリックアシッド(大塚化学(株)製、商品名:ACVA)を0.625重量部、アクリル酸−2−エチルヘキシル62.25重量部、アクリル酸−n−ブチル18重量部、及びメタクリル酸メチル12重量部、メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル3重量部、メタクリル酸2重量部、及びアクリルアミド1重量部、ポリテトラメチレングリコールジアクリレート〔日本油脂(株)製、商品名:ADT−250〕1重量部、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル(エチレンオキサイドの付加モル数の平均値:約20)の硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の1−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬(株)製、商品名:アクアロンHS−10〕0.75重量部を装入し、攪拌下で70〜72℃において8時間乳化重合を実施し、アクリル系樹脂エマルションを得た。これを9重量%アンモニア水で中和(pH=7.0)し、固形分42.5重量%のアクリル系接着剤Sとした(アクリル系接着剤Sは感圧接着剤)。
(製造例4)
500mLの4口フラスコに、製造例2で合成した5−(p−スチリルメチル)−2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオン15g、アクリル酸ブチル20g、アクリル酸2−エチルヘキシル63g、メタクリル酸2g及び酢酸エチル100gを加えて室温にて混合した。さらに、2,2'−アゾビスバレロニトリル0.2gを加えて、75℃まで昇温した後、10時間攪拌を続けることで、分子量30万のアクリル系接着剤Aを得た(アクリル系接着剤Aは自己剥離性の接着剤)。示差走査熱量分析((株)島津製作所製、DSC−60)によりガラス転移点を測定したところ、14℃であった。
500mLの4口フラスコに、製造例2で合成した5−(p−スチリルメチル)−2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオン15g、アクリル酸ブチル20g、アクリル酸2−エチルヘキシル63g、メタクリル酸2g及び酢酸エチル100gを加えて室温にて混合した。さらに、2,2'−アゾビスバレロニトリル0.2gを加えて、75℃まで昇温した後、10時間攪拌を続けることで、分子量30万のアクリル系接着剤Aを得た(アクリル系接着剤Aは自己剥離性の接着剤)。示差走査熱量分析((株)島津製作所製、DSC−60)によりガラス転移点を測定したところ、14℃であった。
(製造例5)
製造例3で得られたアクリル系接着剤S100重量部を採取し、さらに9重量%アンモニア水を加えてpH9.5に調整した。次いで、エポキシ系架橋剤〔日本触媒化学工業(株)製、商品名:ケミタイトPz−33〕0.8重量部を添加して接着剤塗工液を得た。
製造例3で得られたアクリル系接着剤S100重量部を採取し、さらに9重量%アンモニア水を加えてpH9.5に調整した。次いで、エポキシ系架橋剤〔日本触媒化学工業(株)製、商品名:ケミタイトPz−33〕0.8重量部を添加して接着剤塗工液を得た。
得られた接着剤塗工液を、表面が離形処理されたPETフィルム上にアプリケータを用いて乾燥皮膜の厚さが10μmの厚みになるように塗工した後、120℃で5分間加熱して塗工液を乾燥させた。次いで、基材フィルムであるPETフィルムの両面に貼り付けた。
さらに60℃にて3日間養生することで両面接着フィルム1とした(感圧接着剤/基材フィルム/感圧接着剤)。
さらに60℃にて3日間養生することで両面接着フィルム1とした(感圧接着剤/基材フィルム/感圧接着剤)。
(製造例6)
製造例4で得られたアクリル系接着剤A 100重量部及びエポキシ化合物(三菱ガス化学(株)製、TETRAD−C)2重量部、酢酸エチル50重量部を加えて接着剤塗工液とした。
得られた接着剤塗工液を、表面が離形処理されたPET上にアプリケータを用いて乾燥皮膜の厚さが10μmの厚みになるように塗工した後、120℃で5分間加熱して塗工液を乾燥させた。次いで、基材フィルムであるPETフィルム上に貼り付けた。
さらに、製造例3で得られたアクリル系接着剤S 100重量部を採取し、さらに9重量%アンモニア水を加えてpH9.5に調整した。次いで、エポキシ系架橋剤〔日本触媒化学工業(株)製、商品名:ケミタイトPz−33〕0.8重量部を添加して接着剤塗工液を得た。
得られた接着剤塗工液を、表面が離形処理されたPETフィルム上にアプリケータを用いて乾燥皮膜の厚さが10μmの厚みになるように塗工した後、120℃で5分間加熱して塗工液を乾燥させた。次いで、基材フィルムであるPETフィルム上の、アクリル系接着剤Aの膜を貼り付けた面の反対側の面に貼り付けた。
さらに60℃にて3日間養生することで両面接着フィルム2とした(自己剥離性接着剤/基材フィルム/感圧接着剤)。
製造例4で得られたアクリル系接着剤A 100重量部及びエポキシ化合物(三菱ガス化学(株)製、TETRAD−C)2重量部、酢酸エチル50重量部を加えて接着剤塗工液とした。
得られた接着剤塗工液を、表面が離形処理されたPET上にアプリケータを用いて乾燥皮膜の厚さが10μmの厚みになるように塗工した後、120℃で5分間加熱して塗工液を乾燥させた。次いで、基材フィルムであるPETフィルム上に貼り付けた。
さらに、製造例3で得られたアクリル系接着剤S 100重量部を採取し、さらに9重量%アンモニア水を加えてpH9.5に調整した。次いで、エポキシ系架橋剤〔日本触媒化学工業(株)製、商品名:ケミタイトPz−33〕0.8重量部を添加して接着剤塗工液を得た。
得られた接着剤塗工液を、表面が離形処理されたPETフィルム上にアプリケータを用いて乾燥皮膜の厚さが10μmの厚みになるように塗工した後、120℃で5分間加熱して塗工液を乾燥させた。次いで、基材フィルムであるPETフィルム上の、アクリル系接着剤Aの膜を貼り付けた面の反対側の面に貼り付けた。
さらに60℃にて3日間養生することで両面接着フィルム2とした(自己剥離性接着剤/基材フィルム/感圧接着剤)。
(実施例1)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム2のアクリル系接着剤A側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム2の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルムの領域Aにおいて、アクリル系接着剤Aと100mm正方の角板とが接着している部分を、面積比で100%へらで剥離した後、図4のようにヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表1に示す。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム2のアクリル系接着剤A側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム2の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルムの領域Aにおいて、アクリル系接着剤Aと100mm正方の角板とが接着している部分を、面積比で100%へらで剥離した後、図4のようにヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表1に示す。
(実施例2)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径86mmの円形に切った両面接着フィルム2のアクリル系接着剤A側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム2の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルムの領域Aにおいて、アクリル系接着剤Aと100mm正方の角板とが接着している部分を、面積比で100%へらで剥離した後、図4のようにヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表1に示す。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径86mmの円形に切った両面接着フィルム2のアクリル系接着剤A側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム2の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルムの領域Aにおいて、アクリル系接着剤Aと100mm正方の角板とが接着している部分を、面積比で100%へらで剥離した後、図4のようにヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表1に示す。
(比較例1)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム1のアクリル系接着剤S側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム1の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け測定用サンプルとした。
測定用サンプルを図4のようにヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表1に示す。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム1のアクリル系接着剤S側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム1の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け測定用サンプルとした。
測定用サンプルを図4のようにヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表1に示す。
(実施例3)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径90mmの円形に切った両面接着フィルムリバアルファ3195V(日東電工株式会社製、自己剥離性接着フィルム)の熱膨張球含有粘着層側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)をリバアルファの熱膨張球含有粘着層とは反対側の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け測定用サンプルとした。
測定用サンプルをヒーターブロックにて210℃で20秒間加熱を行った。両面接着フィルムの領域Aにおいて、熱膨張球含有粘着層と100mm正方の角板とが接着している部分が、面積比で100%剥離しているのを確認した。その後、さらに210℃で10秒加熱後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表1に示す。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径90mmの円形に切った両面接着フィルムリバアルファ3195V(日東電工株式会社製、自己剥離性接着フィルム)の熱膨張球含有粘着層側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)をリバアルファの熱膨張球含有粘着層とは反対側の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け測定用サンプルとした。
測定用サンプルをヒーターブロックにて210℃で20秒間加熱を行った。両面接着フィルムの領域Aにおいて、熱膨張球含有粘着層と100mm正方の角板とが接着している部分が、面積比で100%剥離しているのを確認した。その後、さらに210℃で10秒加熱後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表1に示す。
(製造例7)
500mLの4口フラスコに、製造例2で合成した5−(p−スチリルメチル)−2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオン10g、アクリル酸ブチル20g、アクリル酸2−エチルヘキシル68g、メタクリル酸2g及び酢酸エチル100gを加えて室温にて混合した。さらに、2,2'−アゾビスバレロニトリル0.2gを加えて、75℃まで昇温した後、10時間攪拌を続けることで、分子量30万のアクリル系接着剤Bを得た(アクリル系接着剤Bは自己剥離性接着剤)。示差走査熱量分析((株)島津製作所製、DSC−60)によりガラス転移点を測定したところ、−5℃であった。
500mLの4口フラスコに、製造例2で合成した5−(p−スチリルメチル)−2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオン10g、アクリル酸ブチル20g、アクリル酸2−エチルヘキシル68g、メタクリル酸2g及び酢酸エチル100gを加えて室温にて混合した。さらに、2,2'−アゾビスバレロニトリル0.2gを加えて、75℃まで昇温した後、10時間攪拌を続けることで、分子量30万のアクリル系接着剤Bを得た(アクリル系接着剤Bは自己剥離性接着剤)。示差走査熱量分析((株)島津製作所製、DSC−60)によりガラス転移点を測定したところ、−5℃であった。
(製造例8)
製造例7で得られたアクリル系接着剤B 100重量部及びエポキシ化合物(三菱ガス化学(株)製、TETRAD−C)2重量部、酢酸エチル50重量部及び製造例2で合成した5−(p−スチリルメチル)−2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオン10部を加えて接着剤塗工液とした。
得られた接着剤塗工液を、表面が離形処理されたPETフィルム上にアプリケータを用いて乾燥皮膜の厚さが10μmの厚みになるように塗工した後、120℃で5分間加熱して塗工液を乾燥させた。次いで、基材フィルムであるPETフィルム上に貼り付けた。
さらに、製造例3で得られたアクリル系接着剤S 100重量部を採取し、さらに9重量%アンモニア水を加えてpH9.5に調整した。次いで、エポキシ系架橋剤〔日本触媒化学工業(株)製、商品名:ケミタイトPz−33〕0.8重量部を添加して接着剤塗工液を得た。
得られた接着剤塗工液を、表面が離形処理されたPETフィルム上にアプリケータを用いて乾燥皮膜の厚さが10μmの厚みになるように塗工した後、120℃で5分間加熱して塗工液を乾燥させた。次いで、基材フィルムであるPETフィルム上の、アクリル系接着剤Bの膜を貼り付けた面の反対側の面に貼り付けた。さらに60℃にて3日間養生することで両面接着フィルム3とした(自己剥離性接着剤/基材フィルム/感圧接着剤)。
製造例7で得られたアクリル系接着剤B 100重量部及びエポキシ化合物(三菱ガス化学(株)製、TETRAD−C)2重量部、酢酸エチル50重量部及び製造例2で合成した5−(p−スチリルメチル)−2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオン10部を加えて接着剤塗工液とした。
得られた接着剤塗工液を、表面が離形処理されたPETフィルム上にアプリケータを用いて乾燥皮膜の厚さが10μmの厚みになるように塗工した後、120℃で5分間加熱して塗工液を乾燥させた。次いで、基材フィルムであるPETフィルム上に貼り付けた。
さらに、製造例3で得られたアクリル系接着剤S 100重量部を採取し、さらに9重量%アンモニア水を加えてpH9.5に調整した。次いで、エポキシ系架橋剤〔日本触媒化学工業(株)製、商品名:ケミタイトPz−33〕0.8重量部を添加して接着剤塗工液を得た。
得られた接着剤塗工液を、表面が離形処理されたPETフィルム上にアプリケータを用いて乾燥皮膜の厚さが10μmの厚みになるように塗工した後、120℃で5分間加熱して塗工液を乾燥させた。次いで、基材フィルムであるPETフィルム上の、アクリル系接着剤Bの膜を貼り付けた面の反対側の面に貼り付けた。さらに60℃にて3日間養生することで両面接着フィルム3とした(自己剥離性接着剤/基材フィルム/感圧接着剤)。
(実施例4)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径82mmの円形に切った両面接着フィルム3のアクリル系接着剤B側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム3の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルム3の領域Aにおいて、アクリル系接着剤Bと100mm正方の角板とが接着している部分のうち、面積比100%を5.15Nの力でへらで剥離した後、ヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱し後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表2に示す。
なお、へらで剥離する際の「5.15N」の応力は、以下のように算出された。
両面接着フィルム3のアクリル系接着剤Bと100mm正方の角板(SUS304)間の剥離強度:0.5N/25mm
両面接着フィルム3の外周:82π mm
0.5/25×82π=5.15N
剥離に要した総剥離強度(N)は、領域Aを剥離するのに要した強度、つまり、へらで剥離した際の応力と、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度の和とした。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径82mmの円形に切った両面接着フィルム3のアクリル系接着剤B側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム3の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルム3の領域Aにおいて、アクリル系接着剤Bと100mm正方の角板とが接着している部分のうち、面積比100%を5.15Nの力でへらで剥離した後、ヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱し後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表2に示す。
なお、へらで剥離する際の「5.15N」の応力は、以下のように算出された。
両面接着フィルム3のアクリル系接着剤Bと100mm正方の角板(SUS304)間の剥離強度:0.5N/25mm
両面接着フィルム3の外周:82π mm
0.5/25×82π=5.15N
剥離に要した総剥離強度(N)は、領域Aを剥離するのに要した強度、つまり、へらで剥離した際の応力と、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度の和とした。
(比較例2)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径82mmの円形に切った両面接着フィルム3のアクリル系接着剤B側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム3の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け測定用サンプルとした。
測定用サンプルをヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行ったが、剥離できず、磁石が外れた。評価結果を表2に示す。
剥離性評価で剥離できず磁石が外れたため、剥離に要する総剥離強度(N)は50(N)以上と推定された。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径82mmの円形に切った両面接着フィルム3のアクリル系接着剤B側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム3の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け測定用サンプルとした。
測定用サンプルをヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行ったが、剥離できず、磁石が外れた。評価結果を表2に示す。
剥離性評価で剥離できず磁石が外れたため、剥離に要する総剥離強度(N)は50(N)以上と推定された。
(比較例3)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径82mmの円形に切った両面接着フィルム3のアクリル系接着剤B側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム3の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に測定用治具を取り付け測定用サンプルとした。
測定用サンプルをヒーターブロックにて240℃で120秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表2に示す。
実施例4と異なり、領域Aを剥離しなかったため、剥離に要した総剥離強度(N)は、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度となる。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径82mmの円形に切った両面接着フィルム3のアクリル系接着剤B側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム3の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に測定用治具を取り付け測定用サンプルとした。
測定用サンプルをヒーターブロックにて240℃で120秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表2に示す。
実施例4と異なり、領域Aを剥離しなかったため、剥離に要した総剥離強度(N)は、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度となる。
表2の実施例4の結果から、工程1、工程2を経ると少ないエネルギーで剥離できるが、比較例2および3のように、1工程で剥離するには、多くのエネルギーを要することが明らかとなった。
(製造例9)
500mLの4口フラスコに、製造例2で合成した5−(p−スチリルメチル)−2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオン15g、アクリル酸ブチル18g、アクリル酸2−エチルヘキシル64g、メタクリル酸2g、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル1g及び酢酸エチル100gを加えて室温にて混合した。さらに、2,2'−アゾビスバレロニトリル0.2gを加えて、75℃まで昇温した後、10時間攪拌を続けることで、分子量30万のアクリル系接着剤Cを得た(アクリル系接着剤Cは自己剥離性接着剤)。示差走査熱量分析((株)島津製作所製、DSC−60)によりガラス転移点を測定したところ、5℃であった。
500mLの4口フラスコに、製造例2で合成した5−(p−スチリルメチル)−2−エチル−2,5−ジメチル−1,3−ジオキサン−4,6−ジオン15g、アクリル酸ブチル18g、アクリル酸2−エチルヘキシル64g、メタクリル酸2g、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル1g及び酢酸エチル100gを加えて室温にて混合した。さらに、2,2'−アゾビスバレロニトリル0.2gを加えて、75℃まで昇温した後、10時間攪拌を続けることで、分子量30万のアクリル系接着剤Cを得た(アクリル系接着剤Cは自己剥離性接着剤)。示差走査熱量分析((株)島津製作所製、DSC−60)によりガラス転移点を測定したところ、5℃であった。
(製造例10)
製造例9で得られたアクリル系接着剤C 100重量部及びエポキシ化合物(三菱ガス化学(株)製、TETRAD−C)1重量部、酢酸エチル50重量部及びトルエン50重量部を加えて接着剤塗工液とした。
得られた接着剤塗工液を、表面が離形処理されたPETフィルム上にアプリケータを用いて乾燥皮膜の厚さが10μmの厚みになるように塗工した後、120℃で5分間加熱して塗工液を乾燥させた。次いで、基材フィルムであるPETフィルム上に貼り付けた。
さらに、製造例3で得られたアクリル系接着剤S 100重量部を採取し、さらに9重量%アンモニア水を加えてpH9.5に調整した。次いで、エポキシ系架橋剤〔日本触媒化学工業(株)製、商品名:ケミタイトPz−33〕0.8重量部を添加して接着剤塗工液を得た。
得られた接着剤塗工液を、表面が離形処理されたPETフィルム上にアプリケータを用いて乾燥皮膜の厚さが10μmの厚みになるように塗工した後、120℃で5分間加熱して塗工液を乾燥させた。次いで、基材フィルムであるPETフィルム上の、アクリル系接着剤Cの膜を貼り付けた面の反対側の面に貼り付けた。さらに60℃にて3日間養生することで両面接着フィルム4とした(自己剥離性接着剤/基材フィルム/感圧接着剤)。
製造例9で得られたアクリル系接着剤C 100重量部及びエポキシ化合物(三菱ガス化学(株)製、TETRAD−C)1重量部、酢酸エチル50重量部及びトルエン50重量部を加えて接着剤塗工液とした。
得られた接着剤塗工液を、表面が離形処理されたPETフィルム上にアプリケータを用いて乾燥皮膜の厚さが10μmの厚みになるように塗工した後、120℃で5分間加熱して塗工液を乾燥させた。次いで、基材フィルムであるPETフィルム上に貼り付けた。
さらに、製造例3で得られたアクリル系接着剤S 100重量部を採取し、さらに9重量%アンモニア水を加えてpH9.5に調整した。次いで、エポキシ系架橋剤〔日本触媒化学工業(株)製、商品名:ケミタイトPz−33〕0.8重量部を添加して接着剤塗工液を得た。
得られた接着剤塗工液を、表面が離形処理されたPETフィルム上にアプリケータを用いて乾燥皮膜の厚さが10μmの厚みになるように塗工した後、120℃で5分間加熱して塗工液を乾燥させた。次いで、基材フィルムであるPETフィルム上の、アクリル系接着剤Cの膜を貼り付けた面の反対側の面に貼り付けた。さらに60℃にて3日間養生することで両面接着フィルム4とした(自己剥離性接着剤/基材フィルム/感圧接着剤)。
(実施例5)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルム4の領域Aにおいて、アクリル系接着剤Cと100mm正方の角板とが接着している部分のうち、面積比100%を5.28Nの力でへらで剥離した後、ヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱した後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
なお、へらで剥離する際の「5.28N」の応力は、以下のように算出された。
両面接着フィルム4のアクリル系接着剤Cと100mm正方の角板(SUS304)間の剥離強度:0.5N/25mm
両面接着フィルム3の外周:84π mm
0.5/25×84π=5.28N
剥離に要した総剥離強度(N)は、領域Aを剥離するのに要した強度、つまり、へらで剥離した際の応力と、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度の和とした。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルム4の領域Aにおいて、アクリル系接着剤Cと100mm正方の角板とが接着している部分のうち、面積比100%を5.28Nの力でへらで剥離した後、ヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱した後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
なお、へらで剥離する際の「5.28N」の応力は、以下のように算出された。
両面接着フィルム4のアクリル系接着剤Cと100mm正方の角板(SUS304)間の剥離強度:0.5N/25mm
両面接着フィルム3の外周:84π mm
0.5/25×84π=5.28N
剥離に要した総剥離強度(N)は、領域Aを剥離するのに要した強度、つまり、へらで剥離した際の応力と、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度の和とした。
(実施例6)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルム4の領域Aにおいて、アクリル系接着剤Cと100mm正方の角板とが接着している部分のうち、面積比75%を5Nの力でへらで剥離した。尚、両面接着フィルム4の領域Aの外縁のうち、引張試験機で引っ張る箇所は剥離せず、それ以外の部分を剥離した。その後、ヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱した後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
なお、へらで剥離する際の応力は、実施例5と同様の方法で算出した。剥離に要した総剥離強度(N)は、領域Aを剥離するのに要した強度、つまり、へらで剥離した際の応力と、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度の和とした。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルム4の領域Aにおいて、アクリル系接着剤Cと100mm正方の角板とが接着している部分のうち、面積比75%を5Nの力でへらで剥離した。尚、両面接着フィルム4の領域Aの外縁のうち、引張試験機で引っ張る箇所は剥離せず、それ以外の部分を剥離した。その後、ヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱した後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
なお、へらで剥離する際の応力は、実施例5と同様の方法で算出した。剥離に要した総剥離強度(N)は、領域Aを剥離するのに要した強度、つまり、へらで剥離した際の応力と、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度の和とした。
(実施例7)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルム4の領域Aにおいて、アクリル系接着剤Cと100mm正方の角板とが接着している部分のうち、面積比50%を5Nの力でへらで剥離した。尚、両面接着フィルム4の領域Aの外縁のうち、引張試験機で引っ張る箇所を中心として、その周辺を剥離した。その後、ヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱した後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
なお、へらで剥離する際の応力は、実施例5と同様の方法で算出した。剥離に要した総剥離強度(N)は、領域Aを剥離するのに要した強度、つまり、へらで剥離した際の応力と、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度の和とした。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルム4の領域Aにおいて、アクリル系接着剤Cと100mm正方の角板とが接着している部分のうち、面積比50%を5Nの力でへらで剥離した。尚、両面接着フィルム4の領域Aの外縁のうち、引張試験機で引っ張る箇所を中心として、その周辺を剥離した。その後、ヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱した後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
なお、へらで剥離する際の応力は、実施例5と同様の方法で算出した。剥離に要した総剥離強度(N)は、領域Aを剥離するのに要した強度、つまり、へらで剥離した際の応力と、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度の和とした。
(実施例8)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルム4の領域Aにおいて、アクリル系接着剤Cと100mm正方の角板とが接着している部分のうち、面積比25%を5Nの力でへらで剥離した。尚、両面接着フィルム4の領域Aの外縁のうち、引張試験機で引っ張る箇所を中心としてその周辺を剥離した。その後、ヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱した後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
なお、へらで剥離する際の応力は、実施例5と同様の方法で算出した。剥離に要した総剥離強度(N)は、領域Aを剥離するのに要した強度、つまり、へらで剥離した際の応力と、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度の和とした。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルム4の領域Aにおいて、アクリル系接着剤Cと100mm正方の角板とが接着している部分のうち、面積比25%を5Nの力でへらで剥離した。尚、両面接着フィルム4の領域Aの外縁のうち、引張試験機で引っ張る箇所を中心としてその周辺を剥離した。その後、ヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱した後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
なお、へらで剥離する際の応力は、実施例5と同様の方法で算出した。剥離に要した総剥離強度(N)は、領域Aを剥離するのに要した強度、つまり、へらで剥離した際の応力と、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度の和とした。
(実施例9)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルム4の領域Aにおいて、アクリル系接着剤Cと100mm正方の角板とが接着している部分のうち、面積比12.5%を5Nの力でへらで剥離した。尚、両面接着フィルム4の領域Aの外縁のうち、引張試験機で引っ張る箇所を中心としてその周辺を剥離した。その後、ヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱した後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
なお、へらで剥離する際の応力は、実施例5と同様の方法で算出した。剥離に要した総剥離強度(N)は、領域Aを剥離するのに要した強度、つまり、へらで剥離した際の応力と、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度の和とした。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け、測定用サンプルとした。
両面接着フィルム4の領域Aにおいて、アクリル系接着剤Cと100mm正方の角板とが接着している部分のうち、面積比12.5%を5Nの力でへらで剥離した。尚、両面接着フィルム4の領域Aの外縁のうち、引張試験機で引っ張る箇所を中心としてその周辺を剥離した。その後、ヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱した後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
なお、へらで剥離する際の応力は、実施例5と同様の方法で算出した。剥離に要した総剥離強度(N)は、領域Aを剥離するのに要した強度、つまり、へらで剥離した際の応力と、ヒーターブロックにて加熱後に引張試験機にて測定した剥離強度の和とした。
(比較例4)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け測定用サンプルとした。
測定用サンプルをヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に図4のように測定用治具を取り付け測定用サンプルとした。
測定用サンプルをヒーターブロックにて210℃で60秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
(比較例5)
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に測定用治具を取り付け測定用サンプルとした。
測定用サンプルをヒーターブロックにて240℃で120秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
100mm正方の角板(SUS304)に、直径84mmの円形に切った両面接着フィルム4のアクリル系接着剤C側を貼り付けた。その後、直径80mmの円板(Niメッキ付鉄製)を両面接着フィルム4の別の面に貼り付け、積層体とした。
この積層体に測定用治具を取り付け測定用サンプルとした。
測定用サンプルをヒーターブロックにて240℃で120秒間加熱を行った後、引張試験機にて剥離性評価を行った。評価結果を表3に示す。
表3の実施例5〜9の結果から、工程1で領域Aの接着層17が所定の面積比で剥離していると少ないエネルギーで剥離できるが、比較例4および5のように、工程1を行うことなく接着層17が剥離していない場合には、多くのエネルギーを要することが明らかとなった。
この出願は、2013年5月31日に出願された日本出願特願2013−115704号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
Claims (3)
- 支持基板(a)上に接着フィルム(b)を介して電子部材(c)が貼着された積層体から、前記電子部材(c)を剥離する方法であって、
前記接着フィルム(b)は、前記支持基板(a)側に自己剥離型接着層を備えるとともに、前記電子部材(c)の外縁全体に沿って存在する前記電子部材(c)側の面の少なくとも一部が露出した領域を備え、
前記領域にエネルギーを付与し、該領域の前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層との接着力を低下させる工程と、
さらに熱エネルギーを付与し、接着力が低下した、前記領域の前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層との界面を起点として、前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層の接着力を低下させて前記支持基板(a)を除去する工程と、
前記電子部材(c)から前記接着フィルム(b)を除去し、前記電子部材(c)を剥離する工程と、
を含み、
前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層との接着力を低下させる前記工程は、前記領域における前記支持基板(a)と前記自己剥離型接着層との接触面積100%のうち、10%以上の面積を剥離する工程である、電子部材の剥離方法。 - 前記エネルギーが、熱、光、振動、応力および超音波から選ばれるいずれかである、請求項1に記載の電子部材の剥離方法。
- 前記電子部材(c)は、シリコンウエハ、セラミックコンデンサまたは半導体パッケージである、請求項1または2に記載の電子部材の剥離方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013115704 | 2013-05-31 | ||
JP2013115704 | 2013-05-31 | ||
PCT/JP2014/063578 WO2014192631A1 (ja) | 2013-05-31 | 2014-05-22 | 電子部材の剥離方法および積層体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014192631A1 JPWO2014192631A1 (ja) | 2017-02-23 |
JP6118404B2 true JP6118404B2 (ja) | 2017-04-19 |
Family
ID=51988664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015519820A Active JP6118404B2 (ja) | 2013-05-31 | 2014-05-22 | 電子部材の剥離方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160141197A1 (ja) |
EP (1) | EP3007211A4 (ja) |
JP (1) | JP6118404B2 (ja) |
KR (1) | KR101772787B1 (ja) |
CN (1) | CN105264645B (ja) |
SG (1) | SG11201509300PA (ja) |
TW (1) | TWI626152B (ja) |
WO (1) | WO2014192631A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113423489B (zh) * | 2019-10-16 | 2023-07-04 | DWI莱布尼茨互动材料研究所e.V. | 膜***、用于制造所述膜***的喷丝头、包括所述喷丝头的装置及用于形成所述膜***的方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI681232B (zh) * | 2017-09-26 | 2020-01-01 | 達邁科技股份有限公司 | 用於軟性顯示器之透明聚醯亞胺複合膜及其製造方法 |
TWI633816B (zh) * | 2017-11-08 | 2018-08-21 | 欣興電子股份有限公司 | 電路板的製造方法 |
CN108615700A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-10-02 | 上海空间电源研究所 | 一种薄型太阳电池刚性-柔性衬底有机键合转移工艺方法 |
TWI728915B (zh) * | 2018-09-28 | 2021-05-21 | 景碩科技股份有限公司 | 起膜機構 |
TWI714890B (zh) * | 2018-09-28 | 2021-01-01 | 景碩科技股份有限公司 | 起膜機構 |
KR102552258B1 (ko) * | 2018-10-05 | 2023-07-06 | 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 | 점착성 필름 및 전자 장치의 제조 방법 |
CN113135436B (zh) * | 2020-01-20 | 2023-02-17 | 上海广矩自动化设备有限公司 | 一种粘性片剥离方法 |
JP2023101951A (ja) * | 2022-01-11 | 2023-07-24 | トヨタ自動車株式会社 | 電極の製造方法、電極集電体および電極 |
CN114639635B (zh) * | 2022-03-17 | 2023-03-21 | 电子科技大学 | 一种单晶薄膜的剥离方法、单晶薄膜以及电子元器件 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04238037A (ja) | 1991-01-21 | 1992-08-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | クリーム半田の印刷装置 |
JP3076090B2 (ja) | 1991-06-27 | 2000-08-14 | 国際電気株式会社 | 自動車用警報装置 |
JP2970963B2 (ja) | 1991-08-14 | 1999-11-02 | 日東電工株式会社 | 剥離性感圧接着剤及びその粘着部材 |
JPH0831778A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3438369B2 (ja) * | 1995-01-17 | 2003-08-18 | ソニー株式会社 | 部材の製造方法 |
JP3810911B2 (ja) | 1997-12-01 | 2006-08-16 | 日東電工株式会社 | 加熱剥離型粘着シート |
JP3526802B2 (ja) | 2000-01-21 | 2004-05-17 | 旭化成ケミカルズ株式会社 | 半導体ウエハー固定用の粘着剤ならびに加工方法 |
JP5006497B2 (ja) | 2001-08-03 | 2012-08-22 | 積水化学工業株式会社 | 両面粘着テープ及び両面粘着テープの剥離方法 |
JP2003173989A (ja) | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Sekisui Chem Co Ltd | Icチップの製造方法 |
JP4238037B2 (ja) | 2001-11-15 | 2009-03-11 | 積水化学工業株式会社 | 接着性物質、接着性物質の剥離方法及び粘着テープ |
JP2003151940A (ja) | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Sekisui Chem Co Ltd | バックグラインドテープ及び半導体ウエハの研磨方法 |
JP2003173993A (ja) | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Sekisui Chem Co Ltd | バックグラインドテープ及び半導体ウエハの研磨方法 |
DE60325669D1 (de) * | 2002-05-17 | 2009-02-26 | Semiconductor Energy Lab | Verfahren zum Transferieren eines Objekts und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
JP2003338474A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Lintec Corp | 脆質部材の加工方法 |
JP4060641B2 (ja) * | 2002-05-22 | 2008-03-12 | 株式会社ディスコ | テープ剥離方法 |
JP4565804B2 (ja) * | 2002-06-03 | 2010-10-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置 |
JP2004253482A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 機能性素子の製造方法 |
JP4592270B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2010-12-01 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置 |
JP4208856B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
EP1783820A1 (en) * | 2004-08-02 | 2007-05-09 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Process for producing ic chip |
JP4704828B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2011-06-22 | 積水化学工業株式会社 | ウエハ貼着用粘着シート及びダイ接着用接着剤層付きicチップの製造方法 |
US8114766B1 (en) | 2005-09-19 | 2012-02-14 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2011040419A (ja) * | 2008-05-22 | 2011-02-24 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置の製造方法及びそのための装置 |
JP5252283B2 (ja) * | 2008-10-15 | 2013-07-31 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法及びそのための装置 |
US8950459B2 (en) * | 2009-04-16 | 2015-02-10 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Debonding temporarily bonded semiconductor wafers |
JP2010283098A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Lintec Corp | 板状部材の支持部材 |
US9847243B2 (en) * | 2009-08-27 | 2017-12-19 | Corning Incorporated | Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave |
-
2014
- 2014-05-22 CN CN201480028844.5A patent/CN105264645B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-22 EP EP14803829.2A patent/EP3007211A4/en not_active Withdrawn
- 2014-05-22 US US14/891,865 patent/US20160141197A1/en not_active Abandoned
- 2014-05-22 JP JP2015519820A patent/JP6118404B2/ja active Active
- 2014-05-22 SG SG11201509300PA patent/SG11201509300PA/en unknown
- 2014-05-22 WO PCT/JP2014/063578 patent/WO2014192631A1/ja active Application Filing
- 2014-05-22 KR KR1020157032145A patent/KR101772787B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-28 TW TW103118655A patent/TWI626152B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113423489B (zh) * | 2019-10-16 | 2023-07-04 | DWI莱布尼茨互动材料研究所e.V. | 膜***、用于制造所述膜***的喷丝头、包括所述喷丝头的装置及用于形成所述膜***的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI626152B (zh) | 2018-06-11 |
KR20150140801A (ko) | 2015-12-16 |
SG11201509300PA (en) | 2015-12-30 |
US20160141197A1 (en) | 2016-05-19 |
JPWO2014192631A1 (ja) | 2017-02-23 |
EP3007211A4 (en) | 2016-12-14 |
CN105264645A (zh) | 2016-01-20 |
WO2014192631A1 (ja) | 2014-12-04 |
CN105264645B (zh) | 2018-05-01 |
KR101772787B1 (ko) | 2017-08-29 |
EP3007211A1 (en) | 2016-04-13 |
TW201444679A (zh) | 2014-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6118404B2 (ja) | 電子部材の剥離方法 | |
JP6138259B2 (ja) | 接着フィルムおよび半導体装置の製造方法 | |
KR101817411B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 보호용 필름 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
TWI806973B (zh) | 背面研磨用黏著膠布 | |
WO2004065510A1 (ja) | 粘着シート、半導体ウエハの表面保護方法およびワークの加工方法 | |
JP2005116610A (ja) | 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート | |
KR20170093907A (ko) | 웨이퍼 고정 테이프, 반도체 웨이퍼의 처리 방법 및 반도체 칩 | |
JP2009064975A (ja) | ダイシング用粘着シート及びダイシング方法 | |
JP2010053346A (ja) | 再剥離型粘着剤及び再剥離型粘着シート | |
JP2011091220A (ja) | 再剥離性粘着シート | |
JP2007284666A (ja) | 加熱剥離性粘着テープ | |
JP2008066336A (ja) | ウエハ加工用シート | |
TWI226084B (en) | Adhesive film for protection of semiconductor wafer surface and method of protecting semiconductor wafer with the adhesive film | |
JP2005277297A (ja) | 半導体デバイスの製造方法及びダイシング用粘着テープ | |
JP5351458B2 (ja) | ウェハ加工用接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5314308B2 (ja) | レーザーダイシング・ダイボンド兼用シートおよびチップ複合体の製造方法 | |
JP2019145575A (ja) | マスキング材 | |
TWI817969B (zh) | 切晶黏晶膜 | |
JP5565174B2 (ja) | 耐熱仮着用粘着テープ | |
JP2005101628A (ja) | 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品 | |
JP5314307B2 (ja) | レーザーダイシング・ダイボンド兼用シートおよびチップ複合体の製造方法 | |
JP2005322724A (ja) | 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置 | |
TWI681232B (zh) | 用於軟性顯示器之透明聚醯亞胺複合膜及其製造方法 | |
JP2023055187A (ja) | 電子部品装置の製造方法 | |
TW202223046A (zh) | 半導體加工用黏著薄片及半導體裝置之製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170324 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6118404 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |