JP6080877B2 - スピンウェーハ検査システムおよび高周波高速オートフォーカス機構 - Google Patents
スピンウェーハ検査システムおよび高周波高速オートフォーカス機構 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6080877B2 JP6080877B2 JP2015032427A JP2015032427A JP6080877B2 JP 6080877 B2 JP6080877 B2 JP 6080877B2 JP 2015032427 A JP2015032427 A JP 2015032427A JP 2015032427 A JP2015032427 A JP 2015032427A JP 6080877 B2 JP6080877 B2 JP 6080877B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inspection system
- spin
- wafer
- wafer surface
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 61
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 15
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0938—Using specific optical elements
- G02B27/095—Refractive optical elements
- G02B27/0972—Prisms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/061—Sources
- G01N2201/06113—Coherent sources; lasers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/063—Illuminating optical parts
- G01N2201/0633—Directed, collimated illumination
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Description
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
[形態1]
ウェーハ表面を検査するスピンウェーハ検査システムであって、高周波オートフォーカス機構を備えるスピンウェーハ検査システム。
[形態2]
前記オートフォーカス機構は、前記ウェーハ表面上に入射するレーザービームであって焦点スポットを有するレーザービーム、の入射角を動的に変化させることによって、前記ウェーハ表面上に前記焦点スポットを導くと共に維持する手段を備える、形態1に記載の検査システム。
[形態3]
形態2に記載の検査システムであって、
前記ウェーハ表面上に入射するレーザービームであって焦点スポットを有するレーザービーム、の入射角を動的に変化させることによって、前記ウェーハ表面上に前記焦点スポットを導くと共に維持する前記手段は、動的に傾斜するように構成された小型の光軸オフセットのオートフォーカス(AF)鏡を、前記入射レーザービームの経路に備える、検査システム。
[形態4]
前記AF鏡は、高電圧増幅器を有する高剛性ピアゾアクチュエータに取り付けられることによって、動的に傾斜するように構成された、形態3に記載の検査システム。
[形態5]
前記オートフォーカスは、100ms未満の応答時間を達成する、形態2に記載の検査システム。
[形態6]
更に、前記オートフォーカス機構を制御する制御システムを備える形態2に記載の検査システム。
[形態7]
形態6に記載の検査システムであって、
前記制御システムは、前記ウェーハ表面上に入射するレーザービームの入射角を動的に変化させる前記手段に接続するように構成されると共に、更に、入射ビーム位置感応検出器からのフィードバックを使用するように構成された、検査システム。
[形態8]
前記高周波オートフォーカス機構は、前記ウェーハ表面の低周波Z方向運動を生じさせるアクチュエータに結合された、形態2に記載の検査システム。
[形態9]
高周波オートフォーカス機構であって、
スピンウェーハ検査システム上での使用に適応すると共に、
前記ウェーハの表面上に入射するレーザービームであって焦点スポットを有するレーザービーム、の入射角を動的に変化させることによって、前記ウェーハ表面上に前記焦点スポットを導くと共に維持する手段を備える高周波オートフォーカス機構。
[形態10]
スピンウェーハ検査システムであって、単一のビーム形成/指向モジュールによってビーム形成およびビーム指向を実現するビーム指向・形成機構を備えるスピンウェーハ検査システム。
[形態11]
前記ビーム形成/指向モジュールは、前記ビームの位置、角度、サイズおよびスポットサイズの調節を可能にする、形態10に記載の検査システム。
[形態12]
形態11に記載の検査システムであって、
前記ビーム形成/指向モジュールは、少なくとも第1プリズムおよび第2プリズムを含む少なくとも1つのプリズム群を経由する前記ビームを備え、
前記第1プリズムおよび前記第2プリズムのうちの一方は回転可能であると共に、前記第1プリズムおよび前記第2プリズムのうちの他方は回転可能かつ平行移動可能であり、
前記プリズム群の各々は、ナモルフィックな拡大と、前記ビームのビーム方向/ずれとの両方に対して、1つの方向において影響を与える、形態11に記載の検査システム。
[形態13]
前記少なくとも1つのプリズム群はプリズム対である、形態12に記載の検査システム。
[形態14]
前記少なくとも1つのプリズム群は3つ以上のプリズムを備える、形態12に記載の検査システム。
[形態15]
形態12に記載の検査システムであって、
前記ビーム形成/指向モジュールは、連続して配置された2つのプリズム群を経由する前記ビームを備え、
前記2つのプリズム群は、互いに対して直交するよう配向され、その結果、前記2つのプリズム群は、アナモルフィックな拡大と、ビーム方向/ずれとの両方に対して、2つの直交する方向において独立的に影響を与える、検査システム。
[形態16]
ビーム成形/指向モジュールであって、
スピンウェーハ検査システム上で使用に適応すると共に、
少なくとも第1プリズムおよび第2プリズムを含む少なくとも1つのプリズム群を経由する前記ビームを備え、
前記第1プリズムおよび前記第2プリズムのうちの一方は回転可能であると共に、前記第1プリズムおよび前記第2プリズムのうちの他方は回転可能かつ平行移動可能であり、
前記プリズム群の各々は、ナモルフィックな拡大と、前記ビームのビーム方向/ずれとの両方に対して、1つの方向において影響を与える、ビーム成形/指向モジュール。
[形態17]
二重検出器モジュールにビーム位置/サイズ・角度計測機構を備えるスピンウェーハ検査システム。
[形態18]
形態17に記載の検査システムであって、
前記ビーム位置/サイズ・角度計測機構は、
前記ビームの1部分を2つの経路に分割する手段と、
前記経路の各々に1つずつ配置された2つのセンサと
を含み、
前記2つのセンサの一方は、前記ビームの傾斜の計測に最適化されると共に、前記2つのセンサの他方は、前記ビームのずれの計測に最適化された、検査システム。
[形態19]
形態18に記載の検査システムであって、
前記ビームの1部分を2つの経路に分割する前記手段は、
前記ビームの第1部分を通過させて漏洩させるように配置された部分反射折り返しミラーと、
前記ビームの前記漏洩した第1部分を前記2つの経路に分割するように配置された無極性ビームスプリッタと
を含む、検査システム。
[形態20]
更に、二重検出器モジュールにビーム位置/サイズ・角度計測機構を備える形態11に記載の検査システム。
[形態21]
ウェーハ表面を検査するスピンウェーハ検査システムであって、
高周波高速オートフォーカス機構を備え、
前記高周波高速オートフォーカス機構は、前記ウェーハ表面上にレーザービームの焦点スポットを導くと共に維持する回転可能な鏡の傾きを動的に調整し、
前記鏡と前記ウェーハ表面との間のレーザービームの経路には、フォーカス用の光学的要素は無く、
前記高周波高速オートフォーカス機構は、制御システムを有し、
前記制御システムは、位置感応検出器からのフィードバックを利用して、実際のビーム位置と、前記ウェーハ表面の実際の位置と、レーザービームと前記ウェーハ表面との間の交差点と、を任意のサンプリングタイミングで動的に計算する、スピンウェーハ検査システム。
[形態22]
高周波高速オートフォーカス機構であって、
スピンウェーハ検査システム上での使用に適応し、
前記スピンウェーハ検査システムは、交差点においてウェーハ表面に入射するレーザービームを用いて、前記ウェーハ表面を有するウェーハを検査し、
前記高周波高速オートフォーカス機構は、前記ウェーハ表面上にレーザービームの焦点を導くと共に維持する回転可能な鏡の傾きを動的に調整し、
前記鏡と前記ウェーハ表面との間のレーザービームの経路には、フォーカス用の光学的要素は無く、
前記高周波高速オートフォーカス機構は、制御システムを有し、
前記制御システムは、位置感応検出器からのフィードバックを利用して、実際のビーム位置と、前記ウェーハ表面の実際の位置と、レーザービームと前記ウェーハ表面との間の交差点と、を任意のサンプリングタイミングで動的に計算する、高周波高速オートフォーカス機構。
Claims (8)
- ウェーハ表面を検査するスピンウェーハ検査システムであって、
高周波高速オートフォーカス機構を備え、
前記高周波高速オートフォーカス機構は、前記ウェーハ表面上にレーザービームの焦点スポットを導くと共に維持する回転可能な鏡の傾きを動的に調整し、
前記鏡と前記ウェーハ表面との間のレーザービームの経路には、フォーカス用の光学的要素は無く、
前記高周波高速オートフォーカス機構は、制御システムを有し、
前記制御システムは、位置感応検出器からのフィードバックを利用して、実際のビーム位置と、前記ウェーハ表面の実際の位置と、レーザービームと前記ウェーハ表面との間の交差点と、を任意のサンプリングタイミングで動的に計算する、スピンウェーハ検査システム。 - 請求項1に記載のスピンウェーハ検査システムにおいて、
前記鏡は、動的に傾斜されることにより、前記ウェーハ表面上に入射するレーザービームであって焦点スポットを有するレーザービーム、の入射角を動的に変化させて、前記ウェーハ表面上に前記焦点スポットを導くと共に維持し、
前記鏡は、小型の光軸オフセットのオートフォーカス(AF)鏡を、前記入射するレーザービームの経路に備える、スピンウェーハ検査システム。 - 請求項2に記載のスピンウェーハ検査システムにおいて、
前記AF鏡は、高電圧増幅器を有する高剛性ピアゾアクチュエータに取り付けられることによって、動的に傾斜するように構成されている、スピンウェーハ検査システム。 - 請求項1に記載のスピンウェーハ検査システムにおいて、
前記オートフォーカスは、100ms未満の応答時間を達成する、スピンウェーハ検査システム。 - 請求項1に記載のスピンウェーハ検査システムにおいて、
前記制御システムは、前記ウェーハ表面上に入射するレーザービームの入射角を動的に変化させる前記鏡に接続するように構成されると共に、更に、入射ビーム位置感応検出器からのフィードバックを使用するように構成された、スピンウェーハ検査システム。 - 請求項1に記載のスピンウェーハ検査システムにおいて、
前記高周波高速オートフォーカス機構は、前記ウェーハ表面の低周波Z方向運動を生じさせるアクチュエータに結合されている、スピンウェーハ検査システム。 - 請求項4に記載のスピンウェーハ検査システムにおいて、
前記オートフォーカスは、10ms未満の応答時間を達成する、スピンウェーハ検査システム。 - 高周波高速オートフォーカス機構であって、
スピンウェーハ検査システム上での使用に適応し、
前記スピンウェーハ検査システムは、交差点においてウェーハ表面に入射するレーザービームを用いて、前記ウェーハ表面を有するウェーハを検査し、
前記高周波高速オートフォーカス機構は、前記ウェーハ表面上にレーザービームの焦点を導くと共に維持する回転可能な鏡の傾きを動的に調整し、
前記鏡と前記ウェーハ表面との間のレーザービームの経路には、フォーカス用の光学的要素は無く、
前記高周波高速オートフォーカス機構は、制御システムを有し、
前記制御システムは、位置感応検出器からのフィードバックを利用して、実際のビーム位置と、前記ウェーハ表面の実際の位置と、レーザービームと前記ウェーハ表面との間の交差点と、を任意のサンプリングタイミングで動的に計算する、高周波高速オートフォーカス機構。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/584,294 US9068952B2 (en) | 2009-09-02 | 2009-09-02 | Method and apparatus for producing and measuring dynamically focussed, steered, and shaped oblique laser illumination for spinning wafer inspection system |
US12/584,294 | 2009-09-02 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012527987A Division JP5868854B2 (ja) | 2009-09-02 | 2010-09-01 | スピンウェーハ検査システム、高周波オートフォーカス機構、および、ビーム成形/指向モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015111148A JP2015111148A (ja) | 2015-06-18 |
JP6080877B2 true JP6080877B2 (ja) | 2017-02-15 |
Family
ID=43624468
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012527987A Active JP5868854B2 (ja) | 2009-09-02 | 2010-09-01 | スピンウェーハ検査システム、高周波オートフォーカス機構、および、ビーム成形/指向モジュール |
JP2015032427A Active JP6080877B2 (ja) | 2009-09-02 | 2015-02-23 | スピンウェーハ検査システムおよび高周波高速オートフォーカス機構 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012527987A Active JP5868854B2 (ja) | 2009-09-02 | 2010-09-01 | スピンウェーハ検査システム、高周波オートフォーカス機構、および、ビーム成形/指向モジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9068952B2 (ja) |
JP (2) | JP5868854B2 (ja) |
WO (1) | WO2011028748A2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110132871A1 (en) * | 2008-04-03 | 2011-06-09 | Tufts University | Shear sensors and uses thereof |
US9068952B2 (en) * | 2009-09-02 | 2015-06-30 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for producing and measuring dynamically focussed, steered, and shaped oblique laser illumination for spinning wafer inspection system |
US8559008B2 (en) * | 2011-04-07 | 2013-10-15 | Nanometrics Incorporated | Ellipsometer focusing system |
US9097645B2 (en) * | 2013-08-23 | 2015-08-04 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for high speed height control of a substrate surface within a wafer inspection system |
US10495579B2 (en) * | 2016-05-02 | 2019-12-03 | Kla-Tencor Corporation | System and method for compensation of illumination beam misalignment |
CN106017362B (zh) * | 2016-08-07 | 2019-01-29 | 哈尔滨工业大学 | 一种便携式高动态精度大工作距自准直装置与方法 |
CN106017361B (zh) * | 2016-08-07 | 2019-01-29 | 哈尔滨工业大学 | 阵列调零高频响大工作距自准直装置与方法 |
JP6890797B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2021-06-18 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 測定装置、光学式センサ、測定方法及びプログラム |
US10481101B2 (en) * | 2017-01-23 | 2019-11-19 | Applied Materials Israel Ltd. | Asymmetrical magnification inspection system and illumination module |
US10365211B2 (en) * | 2017-09-26 | 2019-07-30 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for metrology beam stabilization |
US10884108B2 (en) * | 2017-11-28 | 2021-01-05 | National Chung Shan Institute Of Science And Technology | Light detection and ranging system |
US10732424B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Kla Corporation | Inspection-beam shaping on a sample surface at an oblique angle of incidence |
WO2020255282A1 (ja) * | 2019-06-19 | 2020-12-24 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検査装置及び欠陥検査装置の較正方法 |
US11385167B2 (en) | 2019-10-01 | 2022-07-12 | Onto Innovation Inc. | Beamsplitter based ellipsometer focusing system |
KR20210145566A (ko) | 2020-05-25 | 2021-12-02 | 삼성전자주식회사 | 입사광의 입사각, 입사각 스프레드, 및 방위각을 조절할 수 있는 계측 시스템 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62238445A (ja) | 1986-04-10 | 1987-10-19 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 表面検査装置 |
US4987303A (en) * | 1989-04-07 | 1991-01-22 | Olympus Optical Co., Inc. | Micro-displacement detector device, piezo-actuator provided with the micro-displacement detector device and scanning probe microscope provided with the piezo-actuator |
US6734967B1 (en) * | 1995-01-19 | 2004-05-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system |
US5672885A (en) * | 1995-07-10 | 1997-09-30 | Qc Optics, Inc. | Surface displacement detection and adjustment system |
JPH09295178A (ja) | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Mitsubishi Chem Corp | レーザテキスチャ装置 |
JPH10242233A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法 |
US6201601B1 (en) * | 1997-09-19 | 2001-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Sample inspection system |
IL126949A (en) * | 1998-11-08 | 2004-03-28 | Nova Measuring Instr Ltd | Apparatus for integrated monitoring of wafers and for process control in semiconductor manufacturing and a method for use thereof |
US6888638B1 (en) * | 1999-05-05 | 2005-05-03 | Zygo Corporation | Interferometry system having a dynamic beam steering assembly for measuring angle and distance |
KR20000074978A (ko) | 1999-05-27 | 2000-12-15 | 윤종용 | 웨이퍼의 자동 포커싱 및 레벨링을 위한 슬릿센서들의 배치간격을 가변적으로 조절할 수 있는 방법 및 장치 |
US6429982B2 (en) * | 1999-07-30 | 2002-08-06 | Applied Materials, Inc. | Counter-rotating anamorphic prism assembly with variable spacing |
US6853446B1 (en) * | 1999-08-16 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Variable angle illumination wafer inspection system |
JP3630624B2 (ja) * | 2000-09-18 | 2005-03-16 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
US20030178641A1 (en) * | 2002-01-23 | 2003-09-25 | Blair Steven M. | Microfluidic platforms for use with specific binding assays, specific binding assays that employ microfluidics, and methods |
GB0203530D0 (en) * | 2002-02-14 | 2002-04-03 | Lettington Alan H | Scanning apparatus |
US7339661B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-03-04 | Doron Korngut | Dark field inspection system |
JP4244156B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2009-03-25 | 富士フイルム株式会社 | 投影露光装置 |
US7037005B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-05-02 | Northrop Grumman Corporation | Pan and tilt apparatus using achromatic prisms |
US7471450B2 (en) * | 2004-10-06 | 2008-12-30 | Northeastern University | Confocal reflectance microscope system with dual rotating wedge scanner assembly |
JP2006156782A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | National Institute Of Information & Communication Technology | レーザ発振器 |
US7489396B1 (en) * | 2005-05-18 | 2009-02-10 | Vie Group, Llc | Spectrophotometric camera |
JP4908925B2 (ja) * | 2006-02-08 | 2012-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ウェハ表面欠陥検査装置およびその方法 |
US7619720B1 (en) * | 2007-12-04 | 2009-11-17 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Sequentially addressable radius measurements of an optical surface using a range finder |
US9068952B2 (en) * | 2009-09-02 | 2015-06-30 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for producing and measuring dynamically focussed, steered, and shaped oblique laser illumination for spinning wafer inspection system |
US9587804B2 (en) * | 2012-05-07 | 2017-03-07 | Chia Ming Chen | Light control systems and methods |
US10758308B2 (en) * | 2013-03-14 | 2020-09-01 | The Spectranetics Corporation | Controller to select optical channel parameters in a catheter |
WO2015168218A2 (en) * | 2014-04-29 | 2015-11-05 | Chia Ming Chen | Light control systems and methods |
-
2009
- 2009-09-02 US US12/584,294 patent/US9068952B2/en active Active
-
2010
- 2010-09-01 JP JP2012527987A patent/JP5868854B2/ja active Active
- 2010-09-01 WO PCT/US2010/047442 patent/WO2011028748A2/en active Application Filing
-
2014
- 2014-11-30 US US14/556,231 patent/US10215712B2/en active Active
-
2015
- 2015-02-23 JP JP2015032427A patent/JP6080877B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011028748A2 (en) | 2011-03-10 |
US20150330907A1 (en) | 2015-11-19 |
WO2011028748A3 (en) | 2011-08-04 |
US9068952B2 (en) | 2015-06-30 |
JP2015111148A (ja) | 2015-06-18 |
JP2013504206A (ja) | 2013-02-04 |
JP5868854B2 (ja) | 2016-02-24 |
US20110051132A1 (en) | 2011-03-03 |
US10215712B2 (en) | 2019-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6080877B2 (ja) | スピンウェーハ検査システムおよび高周波高速オートフォーカス機構 | |
JP3181050B2 (ja) | 投影露光方法およびその装置 | |
US6563565B2 (en) | Apparatus and method for projection exposure | |
US11249294B2 (en) | Optical system and method for correcting mask defects using the system | |
JP2020535445A (ja) | 計測ビーム安定化のためのシステムおよび方法 | |
KR102144989B1 (ko) | 저 잡음, 높은 안정성, 심 자외선, 연속파 레이저 | |
US9074911B2 (en) | Measurement system and method utilizing high contrast encoder head for measuring relative movement between objects | |
US20060007554A1 (en) | Method and apparatus for maintaining focus and magnification of a projected image | |
TW201719784A (zh) | 使用用於半導體檢查及度量之差分偵測技術而改善高度感測器之橫向解析度之方法 | |
JPH10318718A (ja) | 光学式高さ検出装置 | |
KR101826127B1 (ko) | 광학적 웨이퍼 검사 장치 | |
JP3279979B2 (ja) | ウエハとマスクとの位置検出装置及び変形誤差検出方法 | |
JP2020163466A (ja) | アフォーカル光学系、レーザ加工装置及び亀裂検出装置 | |
JP4681821B2 (ja) | レーザ集光光学系及びレーザ加工装置 | |
CN114509923A (zh) | 一种深紫外物镜设计中的调焦调平装置及其应用 | |
CN220252272U (zh) | 一种光学***及检测装置 | |
WO2022162881A1 (ja) | 欠陥検査装置 | |
JP3352280B2 (ja) | 投影露光装置の調整方法及び露光方法 | |
JP4528023B2 (ja) | レーザ集光光学系 | |
JPH0645228A (ja) | 投影露光装置 | |
JP5241093B2 (ja) | 光ヘッド調整方法 | |
CN114675514A (zh) | 调平调焦装置 | |
JP2006243273A (ja) | 自動焦点顕微鏡 | |
JP2005322728A (ja) | 露光装置 | |
JP2000065526A (ja) | 位置検出方法、位置検出装置、収差補正部材の製造方法、及び投影光学装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150323 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160120 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160719 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6080877 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |