JP4908925B2 - ウェハ表面欠陥検査装置およびその方法 - Google Patents
ウェハ表面欠陥検査装置およびその方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4908925B2 JP4908925B2 JP2006146567A JP2006146567A JP4908925B2 JP 4908925 B2 JP4908925 B2 JP 4908925B2 JP 2006146567 A JP2006146567 A JP 2006146567A JP 2006146567 A JP2006146567 A JP 2006146567A JP 4908925 B2 JP4908925 B2 JP 4908925B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beam spot
- wafer
- irradiation
- optical system
- oblique
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4704—Angular selective
- G01N2021/4711—Multiangle measurement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
- G01N2021/8861—Determining coordinates of flaws
Landscapes
- Immunology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
まず、本発明に係るウェハ表面欠陥検査装置の第1の実施の形態について図1乃至図9を用いて説明する。
次に、本発明に係る第2の実施の形態について図12を用いて説明する。第2の実施の形態において、第1の実施の形態との相違点は、ウェハ上に照射されたビームスポット像の位置や形状(照度分布も含む)を観察する観察光学系204〜207と、第1の光源101から射出した射出ビームの光軸に対するチルト(傾き:射出方向)及びシフト(ずれ:射出位置)を補正するビーム補正光学系202と、観察光学系204〜207で観察されたビームスポット像の位置や形状に基づいてビーム補正光学系202を制御するコントローラ208と、観察光学系204〜207で観察されたビームスポット像の位置や形状に基づいてズーム式のビームエキスパンダ(ビーム径拡大光学系)203を制御するコントローラ209とを設けたことにある。なお、図12においては、スライダコントローラ127の記載を省略する。
次に、本発明に係る第3の実施の形態について図18を用いて説明する。第3の実施の形態において、第2の実施の形態との相違点は、倍率可変ビーム整形光学系220、221と、ビームスポットのプロファイル補正素子901とを設けたことである。なお、図18においても、スライダコントローラ127の記載を省略する。
エキスパンダ、203…ズーム式ビームエキスパンダ(ビーム径拡大光学系)、103…
切換式ミラー、104…垂直照射用集光レンズ、105…ウェハ、501a、501b…
ウェハ面、106、107、210、211、212、301、401…ミラー、108
…斜方照射用集光レンズ、109、302、402…アクチュエータ、110a〜110
d…中角度受光光学系、111a〜111d…光電変換部、112a〜112d…信号処
理回路、115a〜115d…低角度受光光学系、116a〜116d…光電変換部、1
17a〜117d…信号処理回路、118…回転ステージ、119…一軸ステージ、12
0…第2の光源、121、122、701、702…レンズ、123…光センサ、124
、208、209…コントローラ、125…ステージコントローラ、126…一軸スライ
ダ、127…スライダコントローラ、130…信号処理部、140…全体制御部、141
…入力手段、142…表示装置、143…記憶装置、160…GUI表示画面、161…
ビームスポットモニタ画像、162…ビームモニタ画像、163…ウェハ外形図、200,201…ビーム整形光学系、202…ビーム補正光学系、204…ビームスプリッタ、205…結像レンズ、206…カメラ、207…テレビモニタ、213…カメラ(ビーム検出手段)、220,221…倍率可変ビーム整形光学系、601、602、603、606、607、608…加算回路、604、609…比較回路、605、610…大小比較回路、620…メモリ、630…判定処理部。711、712、713、714…プリズム、801、802、803…シリンドリカルレンズ、901…プロファイル補正素子。
Claims (20)
- ウェハを回転させるステージ手段と、
第1の光源から射出する射出ビームをほぼ垂直方向から前記ステージ手段によって回転
されるウェハの表面上に照射して垂直照射ビームスポットを形成し、前記射出ビームを切
り換えて垂直方向に対して傾斜した斜方方向から前記ステージ手段によって回転させて走
査されるウェハの表面上に照射して斜方照射ビームスポットを形成する照射光学系と、
該照射光学系によって前記ウェハの表面上に前記各ビームスポットを形成する際、該ウ
ェハの表面上に存在する異物等の欠陥から発生する散乱光を集光して受光して信号として
出力する検出光学系と、
第2の光源からの白色光または広帯域の光を前記照射光学系でウェハの表面上に形成さ
れる斜方照射ビームスポットの近傍に照射してその反射光を検出器で受光して前記斜方照
射ビームスポットの近傍でのウェハの表面高さを検出する高さ検出光学系と、
該高さ検出光学系で検出される前記斜方照射ビームスポットの近傍でのウェハの表面高
さ情報に基づいて前記照射光学系でウェハの表面上に形成される斜方照射ビームスポット
の位置を補正するビームスポット位置補正手段とを備えることを特徴とするウェハ表面欠
陥検査装置。 - 前記検出光学系において、前記異物等の欠陥から発生する散乱光を、前記各ビームスポ
ットを中心にして複数方向の各々で集光して受光して信号として出力する複数の受光光学
系で構成したことを特徴とする請求項1に記載のウェハ表面欠陥検査装置。 - 前記ビームスポット位置補正手段において、前記斜方方向から前記ウェハの表面上に照
射する射出ビームを偏向させて前記斜方照射ビームスポットの位置を補正する照射位置補
正光学系を有することを特徴とする請求項1または2に記載のウェハ表面欠陥検査装置。 - 前記ビームスポット位置補正手段において、前記高さ検出光学系で検出されるウェハの
表面高さ情報に基づいてウェハの表面上でのずれ補正値を算出し、該算出されたずれ補正
値で前記斜方照射ビームスポットの位置座標を補正するように構成したことを特徴とする
請求項1または2に記載のウェハ表面欠陥検査装置。 - 前記ビームスポット位置補正手段において、前記高さ検出光学系によって検出されたウ
ェハの一回転またはそれ以上前の高さ情報に基づくフィードフォワード制御で補正するこ
とを特徴とする請求項3に記載のウェハ表面欠陥検査装置。 - 前記ビームスポット位置補正手段において、前記高さ検出光学系によって検出されたリ
アルタイムの高さ情報に基づくフィードバック制御で補正することを特徴とする請求項3
に記載のウェハ表面欠陥検査装置。 - さらに、前記照射光学系によって前記ウェハの表面上に形成される垂直照射ビームスポ
ットまたは斜方照射ビームスポットの位置ずれおよび寸法を検出するビームスポット検出
手段と、
前記照射光学系に備えられた前記第1の光源から射出された射出ビームの射出方向およ
び射出位置を補正する射出ビーム補正光学系と、
該射出ビーム補正光学系の直後でのビーム位置をモニタするビーム検出手段とを有して
おり、
前記射出ビーム補正光学系は、前記ビームスポット検出手段で検出された垂直照射ビー
ムスポットまたは斜方照射ビームスポットの少なくとも位置ずれの情報と、前記ビーム検
出手段で検出された第1の光源からの射出ビームの少なくとも位置ずれの情報とから、前
記第1の光源から射出された射出ビームの射出方向および射出位置を補正することを特徴
とする請求項1乃至4の何れか一つに記載のウェハ表面欠陥検査装置。 - 前記照射光学系には、前記ビームスポット検出手段で検出された垂直照射ビームスポッ
トまたは斜方照射ビームスポットの少なくとも寸法の情報に基づいて前記射出ビームの拡
大倍率を補正して射出するビーム径拡大光学系を有することを特徴とする請求項7に記載
のウェハ表面欠陥検査装置。 - 前記ビームスポット検出手段において、ウェハの表面上または該ウェハの表面と等価な
面上に直接形成されたビームスポット像を観察する観察光学系を有して構成されることを
特徴とする請求項7または8に記載のウェハ表面欠陥検査装置。 - 前記検出光学系には、低角度受光光学系と中角度受光光学系とを有することを特徴とす
る請求項2に記載のウェハ表面欠陥検査装置。 - ウェハを回転させるステージ手段と、
第1の光源から射出する射出ビームを垂直方向に対して傾斜した斜方方向から前記ステ
ージ手段によって回転されるウェハの表面上に照射して斜方照射ビームスポットを形成す
る照射光学系と、
該照射光学系によって前記ウェハの表面上に前記斜方照射ビームスポットを形成する際
、該ウェハの表面上に存在する異物等の欠陥から発生する散乱光を集光して受光して信号
として出力する検出光学系と、
第2の光源からの白色光または広帯域の光を前記照射光学系でウェハの表面上に形成さ
れる斜方照射ビームスポットの近傍に照射してその反射光を検出器で受光して前記斜方照
射ビームスポットの近傍でのウェハの表面高さを検出する高さ検出光学系と、
該高さ検出光学系で検出される前記斜方照射ビームスポットの近傍でのウェハの表面高
さ情報に基づいて前記照射光学系でウェハの表面上に形成される斜方照射ビームスポット
の位置を補正するビームスポット位置補正手段とを備えることを特徴とするウェハ表面欠
陥検査装置。 - ステージ手段を駆動してウェハを回転させる走査ステップと、
第1の光源から射出する射出ビームを照射光学系により、ほぼ垂直方向から前記走査ス
テップにより回転されるウェハの表面上に照射して垂直照射ビームスポットを形成し、さ
らに前記射出ビームを照射光学系により切り換えて垂直方向に対して傾斜した斜方方向か
ら前記走査ステップにより回転させて走査されるウェハの表面上に照射して斜方照射ビー
ムスポットを形成する照射ステップと、
該照射ステップで前記ウェハの表面上に前記各ビームスポットを形成する際、該ウェハ
の表面上に存在する異物等の欠陥から発生する散乱光を検出光学系により集光して受光し
て信号として出力する検出ステップと、
第2の光源からの白色光または広帯域の光を前記照射ステップでウェハの表面上に形成
される斜方照射ビームスポットの近傍に照射してその反射光を検出器で受光して前記斜方
照射ビームスポットの近傍でのウェハの表面高さを検出する高さ検出ステップと、
該高さ検出ステップで検出される前記斜方照射ビームスポットの近傍でのウェハの表面
高さ情報に基づいて前記照射ステップでウェハの表面上に形成される斜方照射ビームスポ
ットの位置を補正するビームスポット位置補正ステップとを有することを特徴とするウェ
ハ表面欠陥検査方法。 - 前記検出ステップにおいて、前記異物等の欠陥から発生する散乱光を、前記各ビームス
ポットを中心にして複数方向の各々で受光光学系により集光して受光して信号として出力
することを特徴とする請求項12に記載のウェハ表面欠陥検査方法。 - 前記ビームスポット位置補正ステップにおいて、前記斜方方向から前記ウェハの表面上
に照射する射出ビームを偏向させて前記斜方照射ビームスポットの位置を補正することを
特徴とする請求項12または13に記載のウェハ表面欠陥検査方法。 - 前記ビームスポット位置補正ステップにおいて、前記高さ検出ステップで検出されるウ
ェハの表面高さ情報に基づいてウェハの表面上でのずれ補正値を算出し、該算出されたず
れ補正値で前記斜方照射ビームスポットの位置座標を補正することを特徴とする請求項12または13に記載のウェハ表面欠陥検査方法。 - さらに、前記照射ステップによって前記ウェハの表面上に形成される垂直照射ビームス
ポットまたは斜方照射ビームスポットの位置ずれおよび寸法を検出するビームスポット検
出ステップと、
前記照射ステップにおける前記第1の光源から射出された射出ビームの射出方向および
射出位置を補正する射出ビーム補正ステップと、
該射出ビーム補正ステップの直後でのビーム位置をモニタするビーム検出ステップとを
有しており、
前記射出ビーム補正ステップにおいて、前記ビームスポット検出ステップで検出された
垂直照射ビームスポットまたは斜方照射ビームスポットの少なくとも位置ずれの情報と、
前記ビーム検出ステップで検出された第1の光源からの射出ビームの少なくとも位置ずれ
の情報とから、前記第1の光源から射出された射出ビームの射出方向および射出位置を補
正することを特徴とする請求項12または13に記載のウェハ表面欠陥検査方法。 - 前記照射ステップにおいて、前記ビームスポット検出ステップで検出された垂直照射ビ
ームスポットまたは斜方照射ビームスポットの少なくとも寸法の情報に基づいて前記ウェ
ハの表面上に照射される照射ビームスポット径の少なくとも一方向が縮小または拡大する
ように補正するスポット径補正ステップを有することを特徴とする請求項16に記載のウェハ表面欠陥検査方法。 - 前記スポット径補正ステップは、ビーム径の拡大倍率を調整するビーム径拡大ステップ
を含むことを特徴とする請求項17に記載のウェハ表面欠陥検査方法。 - 前記スポット径補正ステップは、倍率可変でビームを整形する倍率可変ビーム整形ステ
ップを含むことを特徴とする請求項17に記載のウェハ表面欠陥検査方法。 - 前記照射ステップにおいて、前記ウェハの表面上に照射される照射ビームスポットの照
度分布を補正するプロファイル補正ステップを有することを特徴とする請求項12または16に記載のウェハ表面欠陥検査方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006146567A JP4908925B2 (ja) | 2006-02-08 | 2006-05-26 | ウェハ表面欠陥検査装置およびその方法 |
US11/668,499 US20070182958A1 (en) | 2006-02-08 | 2007-01-30 | Apparatus and method for wafer surface defect inspection |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006031266 | 2006-02-08 | ||
JP2006031266 | 2006-02-08 | ||
JP2006146567A JP4908925B2 (ja) | 2006-02-08 | 2006-05-26 | ウェハ表面欠陥検査装置およびその方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007240512A JP2007240512A (ja) | 2007-09-20 |
JP4908925B2 true JP4908925B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=38333728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006146567A Expired - Fee Related JP4908925B2 (ja) | 2006-02-08 | 2006-05-26 | ウェハ表面欠陥検査装置およびその方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070182958A1 (ja) |
JP (1) | JP4908925B2 (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4875936B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2012-02-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 異物・欠陥検出方法および異物・欠陥検査装置 |
US7710557B2 (en) | 2007-04-25 | 2010-05-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Surface defect inspection method and apparatus |
JP5178079B2 (ja) * | 2007-07-23 | 2013-04-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP2009128325A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP5317468B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2013-10-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置 |
JP5241245B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2013-07-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置及び検査方法 |
JP5156413B2 (ja) | 2008-02-01 | 2013-03-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP5355922B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-11-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置 |
JP5274919B2 (ja) * | 2008-07-09 | 2013-08-28 | 株式会社ディスコ | 研削装置及びスクラッチ検出装置 |
JP5469839B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-04-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 物体表面の欠陥検査装置および方法 |
JP5027775B2 (ja) * | 2008-10-03 | 2012-09-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 基板表面形状検出方法及びその装置 |
SG164293A1 (en) * | 2009-01-13 | 2010-09-29 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte | System and method for inspecting a wafer |
SG164292A1 (en) * | 2009-01-13 | 2010-09-29 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte | System and method for inspecting a wafer |
CN102473663B (zh) * | 2009-07-22 | 2016-11-09 | 克拉-坦科股份有限公司 | 用环形照射的暗场检查*** |
US9068952B2 (en) * | 2009-09-02 | 2015-06-30 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for producing and measuring dynamically focussed, steered, and shaped oblique laser illumination for spinning wafer inspection system |
JP5208896B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2013-06-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP5544176B2 (ja) | 2010-01-07 | 2014-07-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置および検査方法 |
JP5417205B2 (ja) | 2010-01-29 | 2014-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
JP5194040B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2013-05-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表示装置、及び検査装置 |
JP5768224B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2015-08-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 欠陥検出装置および欠陥検出方法 |
JP5525336B2 (ja) * | 2010-06-08 | 2014-06-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
JP5579574B2 (ja) * | 2010-11-01 | 2014-08-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP2012137350A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
CN102759533B (zh) * | 2011-04-27 | 2015-03-04 | 中国科学院微电子研究所 | 晶圆检测方法以及晶圆检测装置 |
KR101877468B1 (ko) | 2011-12-29 | 2018-07-12 | 삼성전자주식회사 | 광원 장치 및 광 생성 방법 |
JP6110175B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2017-04-05 | 東朋テクノロジー株式会社 | カラーフィルタの色認識方法 |
JP2013210393A (ja) * | 2013-07-01 | 2013-10-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP5668113B2 (ja) * | 2013-08-28 | 2015-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置 |
JP2017120232A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | キヤノン株式会社 | 検査装置 |
JP6617050B2 (ja) * | 2016-02-22 | 2019-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板撮像装置 |
JP6559601B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2019-08-14 | 信越半導体株式会社 | 検出装置及び検出方法 |
US10495579B2 (en) * | 2016-05-02 | 2019-12-03 | Kla-Tencor Corporation | System and method for compensation of illumination beam misalignment |
CN106571314B (zh) * | 2016-11-11 | 2019-12-20 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种硅片线痕检测装置及检测方法 |
JP7008528B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2022-01-25 | 東芝Itコントロールシステム株式会社 | 外観検査装置 |
CN110927170B (zh) * | 2019-12-04 | 2022-03-08 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 缺陷确定方法、装置及*** |
WO2021199340A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
US20230175979A1 (en) * | 2020-06-02 | 2023-06-08 | Hitachi High-Tech Corporation | Defect Inspection Apparatus and Defect Inspection Method |
JP7446964B2 (ja) * | 2020-09-29 | 2024-03-11 | 日本発條株式会社 | ディスク装置用サスペンションの製造方法と、製造装置 |
CN115325956B (zh) * | 2022-10-17 | 2023-02-03 | 南昌昂坤半导体设备有限公司 | 晶圆翘曲度测量方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2802845B2 (ja) * | 1991-10-01 | 1998-09-24 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | 面板異物検査装置 |
JPH07140083A (ja) * | 1993-11-16 | 1995-06-02 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 異物検出光学系のフォーカス制御方法 |
US5864394A (en) * | 1994-06-20 | 1999-01-26 | Kla-Tencor Corporation | Surface inspection system |
JP3593161B2 (ja) * | 1994-11-15 | 2004-11-24 | 株式会社トプコン | 回転体上異物位置測定装置 |
US6201601B1 (en) * | 1997-09-19 | 2001-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Sample inspection system |
JP4215220B2 (ja) * | 1997-11-21 | 2009-01-28 | 株式会社トプコン | 表面検査方法及び表面検査装置 |
EP0973069A3 (en) * | 1998-07-14 | 2006-10-04 | Nova Measuring Instruments Limited | Monitoring apparatus and method particularly useful in photolithographically processing substrates |
US6922236B2 (en) * | 2001-07-10 | 2005-07-26 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for simultaneous or sequential multi-perspective specimen defect inspection |
SG129992A1 (en) * | 2001-08-13 | 2007-03-20 | Micron Technology Inc | Method and apparatus for detecting topographical features of microelectronic substrates |
JP4564728B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2010-10-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 回路パターンの検査装置 |
JP4531447B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2010-08-25 | 株式会社トプコン | 表面検査装置 |
-
2006
- 2006-05-26 JP JP2006146567A patent/JP4908925B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-30 US US11/668,499 patent/US20070182958A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007240512A (ja) | 2007-09-20 |
US20070182958A1 (en) | 2007-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4908925B2 (ja) | ウェハ表面欠陥検査装置およびその方法 | |
US9976966B2 (en) | Defect inspection method and its device | |
JP4802481B2 (ja) | 表面検査装置および表面検査方法および露光システム | |
JP5944850B2 (ja) | 欠陥検査方法及びこれを用いた装置 | |
US8045146B2 (en) | Method and apparatus for reviewing defect | |
JP5171744B2 (ja) | 欠陥検査方法およびその装置 | |
JP4939843B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
JP5585615B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
US7847927B2 (en) | Defect inspection method and defect inspection apparatus | |
JP5303217B2 (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
WO2010038533A1 (ja) | 物体表面の欠陥検査装置および方法 | |
TW201604609A (zh) | 自動聚焦系統 | |
JP2010096554A (ja) | 欠陥検出方法の高感度化 | |
JP5405956B2 (ja) | 欠陥検査装置 | |
US6654113B2 (en) | Surface inspection apparatus | |
JP2016134412A (ja) | 欠陥観察方法および装置 | |
JP2009283633A (ja) | 表面検査装置及び表面検査方法 | |
JP5134603B2 (ja) | 光ビーム調整方法及び光ビーム調整装置 | |
TW202204849A (zh) | 高靈敏度的基於影像的反射測量 | |
JPWO2009099142A1 (ja) | 表面検査装置および表面検査方法 | |
JP4605089B2 (ja) | 表面検査装置 | |
JP5641386B2 (ja) | 表面検査装置 | |
KR102160025B1 (ko) | 하전 입자빔 장치 및 광학식 검사 장치 | |
JP5994308B2 (ja) | 検査装置、検査方法、およびデバイス製造方法 | |
JP6893842B2 (ja) | パターン検査方法およびパターン検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110627 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |