JP6078434B2 - ソレノイド装置 - Google Patents
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Description
上記磁束が通る磁気回路の一部を構成する固定コアと、
上記固定コアと共に上記磁気回路を構成し、上記電磁コイルへの通電、非通電の切り替えに伴って上記固定コアに対してそれぞれ進退するよう構成された複数のプランジャとを備え、
上記磁気回路の一部には、該磁気回路に形成される上記磁束の抵抗となる磁気抵抗部が設けてあり、
上記複数のプランジャは、少なくとも1個の上記電磁コイルへの通電によって上記固定コアに吸引されるよう構成されており、
上記磁気抵抗部は、上記固定コアの一部を上記磁路の方向に分断するギャップによって構成されていることを特徴とするソレノイド装置にある。
本明細書において、複数のプランジャが固定コアに吸引された状態を、複数吸引状態という。また、上記磁気抵抗部は、磁気回路における他の部位よりも磁気抵抗が大きい部分をいい、例えば、プランジャの一部に設けてもよいし、固定コアの一部に設けてもよい。
上記ソレノイド装置の実施例につき、図1〜図5を用いて説明する。
本例のソレノイド装置1は、図1、図2に示すごとく、通電により磁束を発生する電磁コイル2と、磁束が通る磁気回路の一部を構成する固定コア3と、固定コア3と共に磁気回路を構成する複数のプランジャ4とを備えている。複数のプランジャ4は、電磁コイル2への通電、非通電の切り替えに伴って固定コア3に対してそれぞれ進退するよう構成されている。
複数のプランジャ4は、電磁コイル2への通電によって固定コア3に吸引されるよう構成されている。
複数のプランジャ4が固定コア3に吸引された複数吸引状態は、1個の電磁コイル2への通電によって維持されるよう構成されている。
また、磁気抵抗部5は、底部コア34の一部に形成されている。本例において、磁気抵抗部5は、固定コア3(底部コア34)の一部を磁路の方向に分断するギャップによって構成されている。磁気抵抗部5を構成するギャップは、図3に示すごとく、空隙(エアギャップ)としておいてもよいし、図4に示すごとく、ギャップには、固定コア3よりも透磁率の低い低透磁率部材51を配置してもよい。低透磁率部材51としては、例えば樹脂を用いることができる。ギャップに樹脂等の低透磁率部材51を配置した場合、磁気抵抗部5をエアギャップによって構成した場合に比べ、固定コア3の剛性を向上させることができる。
上記ソレノイド装置1において、複数吸引状態は、1個の電磁コイル2への通電によって維持されるよう構成されている。それゆえ、複数の電磁コイル2を用いることなく、複数のプランジャ4の吸引状態を維持することができるため、その消費電力を低減することができる。
そこで、閉磁路に磁気抵抗部5を設けることにより、一方の閉磁路に形成される磁束φ1の大きさを制限することで、他方の閉磁路へも十分に磁束φ2が形成されるようにすることができる。
また、本例のソレノイド装置1は、電磁コイル2が1個であるため、製造コストの低減及び小型化が容易である。
これに対して、本例のように、ギャップによって磁気抵抗部5を構成した場合、ギャップの距離と面積とによって一定の磁気抵抗値を容易に設計できるというメリットがある。
本例は、図6に示すごとく、磁気抵抗部5が、固定コア3における磁路の方向に対して直交する断面の断面積を他の部分よりも小さくした小断面積部52によって構成した例である。
すなわち、固定コア3の一部に貫通孔35を設けることにより、上記小断面積部52を形成し、これを磁気抵抗部5としている。
その他は、実施例1と同様である。なお、本例又は本例に関する図面において用いた符号のうち、実施例1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図7に示すごとく、2個の電磁コイル2と3個のプランジャ4とを備えたソレノイド装置1の例である。
2個の電磁コイル2(2a、2b)の軸方向と、3個のプランジャ4(4a、4b、4c)の軸方向とは、すべて平行である。2つの電磁コイル2a、2bのうち一方の電磁コイル2aは、第1のプランジャ4aと第2のプランジャ4bとの間に配置されている。また、他方の電磁コイル2bは、第2のプランジャ4bと第3のプランジャ4cとの間に配置されている。
まず、3個のスイッチ部15がオフとなっている状態(図7の状態)から、一方の電磁コイル2aへ通電することにより、図8に示すごとく、第1のプランジャ4aを含む閉磁路と、第2のプランジャ4bを含む閉磁路とに、磁束φ1、φ2が形成され、2つのプランジャ4が、それぞれ固定コア3(対向コア32)に吸引される。これにより、2つのプランジャ4(4a、4b)にそれぞれ押し上げられていた2つの可動接点支持部152がソレノイド装置1側へ移動し、可動接点151が固定接点153に接触し、2つのスイッチ部15a、15bがオン状態となる。
このとき、第1の電磁コイル2aの内側を通りつつ第3のプランジャ4cを通る閉磁路にも、磁束φ3は形成され得るが、この閉磁路の磁気抵抗は比較的大きいため、この段階では第3のプランジャ4cは対向コア32に吸引されない。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図11に示すごとく、1個の電磁コイル2と2個のプランジャ4とを有するソレノイド装置1であって、一方のプランジャ4(4a)を電磁コイル2の内側に配置した例である。
具体的には、第1のプランジャ4aが電磁コイル2の内側に配置され、第2のプランジャ4bが電磁コイル2の外側に配置されている。そして、2つのプランジャ4a、4bは、互いに平行に配置されている。
まず、2個のスイッチ部15がオフとなっている状態(図11の状態)から、電磁コイル2に通電すると、第1のプランジャ4aと側部コア36とを含む閉磁路に磁束が形成される。これにより、第1のプランジャ4aが対向コア32に吸引され、スイッチ部15aがオンとなる。
本例は、図12に示すごとく、2個の電磁コイル2と2個のプランジャ4とを備えたソレノイド装置1の例である。
2つのプランジャ4(4a、4b)のそれぞれは、2つの電磁コイル2(2a、2b)のそれぞれの内側に配置されている。固定コア3は、2つのプランジャ4にそれぞれZ方向に対向配置された2個の対向コア32(第1の対向コア32a、第2の対向コア32b)を有する。2個の対向コア32(32a、32b)は、それぞれ底部コア34(第1の底部コア34a、第2の底部コア34b)に接続されている。また、第1のプランジャ4aと第2のプランジャ4bとは、第1連結コア371によって磁気的に連結されている。また、第1のプランジャ4aと第2の底部コア34bとは、第2連結コア372によって磁気的に連結されている。第2連結コア372の一部は、X方向において、2つの電磁コイル2の間に配置されている。
2個のプランジャ4がいずれも対向コア32に吸引されていない状態(図12の状態)から、第1の電磁コイル2aに通電する。これにより、図13に示すごとく、第1のプランジャ4aと第1の側部コア36aを含む閉磁路に磁束φ1が形成され、第1のプランジャ4aが対向コア32aに吸引される。
本例は、図16〜図18に示すごとく、2個の電磁コイル2と2個のプランジャ4とを有するソレノイド装置1の例である。
本例のソレノイド装置1においては、固定コア3の一部を構成する2つの対向コア32(第1の対向コア32a、第2の対向コア32b)のそれぞれが、2つの電磁コイル2のそれぞれの内側を貫通している。そして、各対向コア32に対してZ方向に対向するように、2個のプランジャ4(4a、4b)が配設されている。プランジャ4は、上部コア33と対向コア32とを磁気的につなぐように配置されている。そして、各プランジャ4は、対向コア32及び上部コア33に対してZ方向に進退するよう構成されている。
2個のプランジャ4がいずれも対向コア32に吸引されていない状態(図16の状態)から、第1の電磁コイル2aに通電する。これにより、第1の対向コア32aと第1の側部コア36aを含む閉磁路に磁束φ1(図17参照)が形成され、第1のプランジャ4aが対向コア32aに吸引される。
本例は、図19、図20に示すごとく、1個の電磁コイル2と、その軸方向の両側にそれぞれ対向配置された2個のプランジャ4とからなる、ソレノイド装置1の例である。
固定コア3は、電磁コイル2の内側を貫通する対向コア32と、電磁コイル2に対してX方向の外側の双方にそれぞれ配置された2つの側部コア36と、側部コア36とプランジャ4とを磁気的に連結する底部コア34及び上部コア33とを有する。また、Z方向における底部コア34と電磁コイル2との間の位置に、側部コア36と対向コア32とを磁気的に連結する中間コア38が設けてある。そして、中間コア38の一部に、磁気抵抗部5が形成されている。
2個のプランジャ4がいずれも対向コア32に吸引されていない状態(図19の状態)から、電磁コイル2に通電する。これにより、対向コア32と第1のプランジャ4aと中間コア38とを含む閉磁路に磁束が形成され、第1のプランジャ4aが対向コア32に吸引される。
そして、上記2つの閉磁路には、それぞれ十分な磁束が形成されるため、2つのプランジャ4が対向コア32に吸引された複数吸引状態を、1個の電磁コイル2への通電によって維持することができる。
また、ソレノイド装置は、電磁継電器以外にも、種々の用途に用いることができる。
2、2a、2b 電磁コイル
3 固定コア
4、4a、4b、4c プランジャ
5 磁気抵抗部
Claims (6)
- 通電により磁束を発生する少なくとも1個の電磁コイル(2、2a、2b)と、
上記磁束が通る磁気回路の一部を構成する固定コア(3)と、
上記固定コア(3)と共に上記磁気回路を構成し、上記電磁コイル(2、2a、2b)への通電、非通電の切り替えに伴って上記固定コア(3)に対してそれぞれ進退するよう構成された複数のプランジャ(4、4a、4b、4c)とを備え、
上記磁気回路の一部には、該磁気回路に形成される上記磁束の抵抗となる磁気抵抗部(5)が設けてあり、
上記複数のプランジャ(4、4a、4b、4c)は、少なくとも1個の上記電磁コイル(2、2a、2b)への通電によって上記固定コア(3)に吸引されるよう構成されており、
上記磁気抵抗部(5)は、上記固定コア(3)の一部を上記磁路の方向に分断するギャップによって構成されていることを特徴とするソレノイド装置(1)。 - 上記複数のプランジャ(4、4a、4b、4c)が上記固定コア(3)に吸引された複数吸引状態は、1個の上記電磁コイル(2、2a、2b)への通電によって維持されるよう構成されていることを特徴とする請求項1に記載のソレノイド装置(1)。
- 上記複数のプランジャ(4、4a、4b、4c)が、上記固定コア(3)によって磁気的に並列接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のソレノイド装置(1)。
- 上記ギャップは、上記固定コア(3)における上記磁路の方向に直交する方向の全体にわたり、一定の寸法にて形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のソレノイド装置(1)。
- 上記ギャップには、上記固定コア(3)よりも透磁率の低い低透磁率部材(51)が配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のソレノイド装置(1)。
- 上記電磁コイル(2、2a、2b)は複数個配設されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のソレノイド装置(1)。
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