JP6065810B2 - 非磁性ガーネット単結晶基板の製造方法 - Google Patents
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Description
坩堝に収容された原料融液に種結晶を接触させかつ上記種結晶を回転させながら上方に引上げる回転引上げ法により育成された肩部と直胴部を有する非磁性ガーネット単結晶インゴットについて、これを切断かつ加工してビスマス置換型磁性ガーネット膜をエピタキシャル成長させるための非磁性ガーネット単結晶基板を製造する方法において、
育成時の界面反転操作により上記非磁性ガーネット単結晶インゴットに形成された界面反転位置から30mm以上成長した位置の要件と、上記肩部と上記直胴部の境界位置若しくは上記境界より成長した位置の要件を共に満たす位置において上記非磁性ガーネット単結晶インゴットを切断し、上記非磁性ガーネット単結晶インゴットの上記肩部を含む切断上部と、上記非磁性ガーネット単結晶インゴットの切断下部である基板加工部とを切り離すことを特徴とする。
請求項1に記載の非磁性ガーネット単結晶基板の製造方法において、
上記肩部と上記直胴部の上記境界から5mm以上成長した位置において上記非磁性ガーネット単結晶インゴットを切断することを特徴とし、
請求項3に係る発明は、
請求項1または2に記載の非磁性ガーネット単結晶基板の製造方法において、
上記非磁性ガーネット単結晶基板が、一般式(Gd、Ca)3(Ga、Mg、Zr)5O12で表される非磁性ガーネット単結晶で構成されることを特徴とするものである。
育成時の界面反転操作により上記非磁性ガーネット単結晶インゴットに形成された界面反転位置から30mm以上成長した位置の要件と、上記肩部と上記直胴部の境界位置若しくは上記境界より成長した位置の要件を共に満たす位置において上記非磁性ガーネット単結晶インゴットを切断し、上記非磁性ガーネット単結晶インゴットの上記肩部を含む切断上部と、上記非磁性ガーネット単結晶インゴットの切断下部である基板加工部とを切り離すことを特徴としている。
高周波誘導加熱による回転引上げ法により、直胴部3の直径が85mm、長さ100mm、種結晶1部から直胴部3へ増径する肩部2の長さが70mmである図1に示す非磁性ガーネット単結晶インゴットを得た。ここで、界面反転は、種結晶1から60mm成長した肩部2途中の位置で、結晶の回転数を変更することによって形成させた。この方法で形成した界面反転位置は成長した結晶を偏光観察することによって確認でき、図1において符号4により界面反転位置を示した。
種結晶1から80mm成長させた位置で界面反転させた以外は、実施例1と同様の方法により非磁性ガーネット単結晶インゴットを育成した。
種結晶1から20mm成長させた位置で界面反転させた以外は、実施例1と同様の方法により非磁性ガーネット単結晶インゴットを育成した。
実施例3と同様の方法(種結晶1から20mm成長させた位置で界面反転)により非磁性ガーネット単結晶インゴットを育成した。
実施例1と同様の方法(種結晶1から60mm成長させた位置で界面反転)により非磁性ガーネット単結晶インゴットを育成した。
実施例1と同様の方法(種結晶1から60mm成長させた位置で界面反転)により非磁性ガーネット単結晶インゴットを育成した。
実施例3と同様の方法(種結晶1から20mm成長させた位置で界面反転)により非磁性ガーネット単結晶インゴットを育成した。
2 肩部
3 直胴部
4 界面反転位置
5 切断位置
Claims (3)
- 坩堝に収容された原料融液に種結晶を接触させかつ上記種結晶を回転させながら上方に引上げる回転引上げ法により育成された肩部と直胴部を有する非磁性ガーネット単結晶インゴットについて、これを切断かつ加工してビスマス置換型磁性ガーネット膜をエピタキシャル成長させるための非磁性ガーネット単結晶基板を製造する方法において、
育成時の界面反転操作により上記非磁性ガーネット単結晶インゴットに形成された界面反転位置から30mm以上成長した位置の要件と、上記肩部と上記直胴部の境界位置若しくは上記境界より成長した位置の要件を共に満たす位置において上記非磁性ガーネット単結晶インゴットを切断し、上記非磁性ガーネット単結晶インゴットの上記肩部を含む切断上部と、上記非磁性ガーネット単結晶インゴットの切断下部である基板加工部とを切り離すことを特徴とする非磁性ガーネット単結晶基板の製造方法。 - 上記肩部と上記直胴部の上記境界から5mm以上成長した位置において上記非磁性ガーネット単結晶インゴットを切断することを特徴とする請求項1に記載の非磁性ガーネット単結晶基板の製造方法。
- 上記非磁性ガーネット単結晶基板が、一般式(Gd、Ca)3(Ga、Mg、Zr)5O12で表される非磁性ガーネット単結晶で構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の非磁性ガーネット単結晶基板の製造方法。
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