JP6032070B2 - 半導体装置、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
そこで、ICチップをマザーボードに接続するために、配線基板や配線基板に実装されるICチップ等を有する半導体パッケージと称される構造体を形成し、配線基板をマザーボードに実装(接続)することにより、ICチップが配線基板を介してマザーボードに接続されるようにしている。
BGA部におけるインピーダンス制御を可能とする構成としては、例えば上記特許文献3に、BGA面とマザーボードとの間にPTH(Plated Through Hole)によるスペーサシートを挟むようにした構成が開示されている(特許文献3の図4,図5等を参照)。このPTHには、BGA部における半田ボールの外周を覆うように銅配線が形成されており、この銅配線を利用してBGA部におけるインピーダンス制御が可能とされている。
従って、位置合わせ箇所が多い分、位置合わせミスの確率が上昇し製品の歩留まり悪化を招いてしまう。
これにより、保持体の形成によって導電部と第1の配線基板との電気的な接続がとられる。
同軸構造により、半田ボールを介した伝送路についての良好なインピーダンス制御が実現される。
d/D=36.5%〜51%の条件を満たすことで、インピーダンスのバラツキが設計値の±20%に抑制される。
導電部、絶縁部が樹脂製とされることで、保持体の形成が容易となる。
このような第1の金属ポストを介した接続とすることで、第1の配線基板と第2の配線基板とを電気的に接続するための半田ボールの小径化が可能となる。
第1の配線基板又は第2の配線基板がコアレス基板とされることで、仮基板の一部を切除して第2の金属ポストを形成することが可能となる。
このように半田ボールを第2の金属ポストの先端部に形成することで、半田ボールの径差(最大断面径と最小断面径との差)が小さくなる。
マイクロストリップライン構造又はストリップライン構造は、半田ボールの形成ピッチが狭い部分に好適である。
その上で、本技術の半導体装置によれば、BGA面側に保持体が形成された状態の第1の配線基板が回路基板に対して接続されることとなるため、半導体装置を回路基板に対して接続する際の位置合わせは、半導体装置と回路基板との二者間でのみ行えば済む。
従って、インピーダンス制御を可能としつつ、歩留まりの向上を図ることができる。
なお、説明は以下の順序で行う。
<1.第1の実施の形態>
[1-1.半導体装置の構成]
[1-2.半導体装置の製造方法]
[1-3.第1の実施の形態のまとめ]
<2.第2の実施の形態>
[2-1.半導体装置の構成]
[2-2.半導体装置の製造方法]
[2-3.第2の実施の形態のまとめ]
<3.変形例>
<4.本技術>
[1-1.半導体装置の構成]
図1は、本技術に係る第1の実施の形態としての半導体装置1の構成についての説明図である。
図1Aは半導体装置1の断面図、図1Bは半導体装置1の底面図、図1Cは半導体装置1のBGA面の近傍を拡大した断面図である。
配線基板2は、図示は省略したが、半導体チップ3の所定の端子と電気的に接続される配線が形成された配線層と絶縁層とが交互に積層されて形成されている。それぞれの絶縁層にはスルーホール(ビアホール)が形成され、当該スルーホールに充填された導体により各配線層の配線間の接続が為されている。
本例の場合、配線基板2はコア層を有さない所謂コアレス基板とされる。
半導体チップ3の例としては、例えばSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)などとしてのIC(Integrated Circuit)チップが用いられる。
このように本実施の形態の半導体装置1は配線基板2に対して半導体チップ3が搭載されて所謂半導体パッケージとしての構成を有している。
BGA面2Aには、複数の半田ボール4,4・・・が形成されている。図1Cに示すようにBGA面2Aには、半田ボール4,4・・・を形成すべき位置に対してパッド8,8・・・が形成されており、半田ボール4,4・・・はパッド8,8・・・に対して形成されている。
図示は省略したが、パッド8,8・・・はそれぞれ配線基板2内の配線層に形成された所定の配線と電気的に接続されている。すなわち、パッド8,8・・・は、配線層に形成された配線を介して半導体チップ3の所定の端子に対して電気的に接続される。
保持体5には、BGA面2Aにおける半田ボール4,4・・・の形成位置に対応する位置に対して複数の開口部5A,5A・・・が形成されている。具体的に、本例の開口部5A,5A・・・は、半田ボール4,4・・・の個々に対して一対一の関係となるように形成されている。
この開口部5A,5A・・・により、BGA面2A上における半田ボール4,4・・・の配置スペースが確保されている。
本例の場合、導電部6には導電性樹脂が用いられ、絶縁部7には絶縁性樹脂が用いられている。導電性樹脂としては、例えば導電性材料を樹脂材料に含有させたものを用いる。このとき、上記導電性材料としては、粒子状のものを含有させる場合には例えば銀、ニッケル、銅、金、炭素などを用いる。また、短繊維状のものを含有させる場合には炭素が好適である。或いは、金属被覆プラスチック粒子として例えば金、銅、ニッケルを含有させた樹脂を用いることもできる。
また、絶縁性樹脂としては、絶縁性材料を樹脂材料に含有させたものを用い、例えば、シリカ、アルミナ、シリコーンなどの絶縁性材料をフィラーとして含有させることができる。
なお、導電性樹脂、絶縁性樹脂に用いる樹脂材料としては、例えばエポキシ、ポリウレタン、アクリル、SBS(スチレンブタジエンスチレンブロック共重合体)、SEBS(スチレンエチレンブチレンスチレンブロック共重合体)、PVB(ポリビニルブチラール)などを挙げることができる。
保持体5は、導電部6,6・・・と、このように導電部6,6・・・を覆うように形成された絶縁部7とにより形成されたものである。これにより保持体5は、図1Bに示したように半田ボール4,4・・・の形成位置に対応する位置に開口部5A,5A・・・を有する形状に形成される。
図2Bは、回路基板100に形成された半田ボール接続用のパッド101,101・・・に対して半田ボール4,4・・・が接続された際の配線基板2と回路基板100との接合部付近の様子を断面図により表している。
図2Bに示すように、回路基板100と接合された際の半田ボール4,4・・・には、最小断面径d1と最大断面径d2との差としての径差Δdが生じる。
図3は、径差Δdが許容される範囲についての説明図であり、横軸を内径D(mm)、縦軸を断面径d(mm)としてインピーダンスが50Ω、40Ω、60Ωとなるときの断面径dと内径Dとの関係を示している。
図3では、インピーダンスの設計値に対して−20%(40Ω)となるときの内径Dと断面径dとの関係(◆印)と+20%(60Ω)となるときの内径Dと断面径dとの関係(▲印)とが示されているが、これによると、設計値に対するバラツキの上限値(60Ω)となるときの内径Dと断面径dとの関係は、d/D=36.5%程度であり、また設計値に対するバラツキの下限値(40Ω)となるときの内径Dと断面径dとの関係はd/D=51%程度であることが分かる。
これにより、BGA部のインピーダンス制御が適正に行われるようにできる。
なお、上記「d/D」についての条件に関して、断面径dは最小断面径d1〜最大断面径d2までの全ての断面径dを意味するものである。
続いて、半導体装置1の製造方法について図4〜図8を参照して説明する。
先ず、図4,図5により、半導体装置1の製造方法の大まかな流れを説明する。
本例の配線基板2については、上記の製造過程において、前述のパッド8,8・・・と接地端子9,9・・・とを形成する工程も行われる。
図4の例では、先ず、配線基板2に対して半導体チップ3を搭載し(図4A)、半導体チップ3が搭載された状態の配線基板2のBGA面2Aに対して保持体5を形成する(図4B)。その上で、半田ボール4,4・・・を保持体5の開口部5A,5A・・・により形成されたスペースに挿入するようにしてBGA面2A上に形成する(図4C)。
保持体5の形成方法については以下の3通りが考えられる。
先ず、第1の形成方法では、配線基板2のBGA面2A上における所定位置に対し、導電部6,6・・・を形成する(図6A)。本例の場合、導電部6,6・・・の形成は、前述した導電性樹脂を用いた射出成型により行う。
このとき、導電部6,6・・・の形成位置は、BGA面2A上の接地端子9,9・・・に対して導電部6,6・・・を接続可能となるように設定する。これにより、接地端子9,9・・・に対して電気的に接続された導電部6,6・・・が形成される。
このとき、絶縁性樹脂の成型は、パッド8,8・・・を覆うことがないように行う。これにより、開口部5A,5A・・・としての半田ボール4,4・・・の配置スペースが確保される。
上記のような絶縁部7の形成によって、BGA面2Aに保持体5が形成される。
第2の形成方法では、先ず、溝部7as,7as・・・と開口部5A,5A・・・とを有する絶縁部形成部材7aをBGA面2Aに対して形成する(図7A)。溝部7as,7as・・・は、導電部6,6・・・を形成するための空間を形成するものであり、従ってそれぞれ環状の形状を有する。
本例の場合、このような溝部7as,7as・・・を有する絶縁部形成部材7aは、前述した絶縁性樹脂を用いた射出成型により形成する。このとき、溝部7as,7as・・・の形成位置は、環状とされたこれら溝部7as,7as・・・としての空間が、それぞれ対応する接地端子9と接するように設定する。
溝部7as,7as・・・の形成位置が前述のように設定されていることで、これら溝部7as,7as・・・に形成された導電部6,6・・・がそれぞれ対応する接地端子9に対して電気的に接続される。
これにより、導電部6,6・・・を覆う絶縁部7が形成され、保持体5が完成する。
第3の形成方法では、先ず、先の絶縁部形成部材7aから溝部7as,7as・・・を省略した形状による絶縁部形成部材7a’をBGA面2Aに対して形成する(図8A)。この絶縁部形成部材7a’についても、絶縁性樹脂を用いた射出成型により形成する。
これにより、レーザの照射による絶縁部形成部材7a’の貫通が接地端子9,9・・・の形成位置で留まり、配線基板2の破損が防止される。
上記のように第1の実施の形態の半導体装置1は、半導体チップ3と、半導体チップ3に電気的に接続された配線を有する配線層と絶縁層とが交互に積層されて形成されると共に、所定の前記配線に電気的に接続され、回路基板100に対して電気的に接続される半田ボール4が複数形成されるBGA面2Aを有する配線基板2と、BGA面2Aに対し半田ボール4の間を仕切るように形成された導電部6と、導電部6を覆うように形成された絶縁部7とを有して構成された保持体5とを備える。
BGA面2Aに形成される保持体5は半田ボール4の間を仕切るように形成された導電部6を有しているため、当該導電部6を利用してBGA部についてのインピーダンス制御が可能となる。
そして、半導体装置1によれば、BGA面2A側に保持体5が形成された状態の配線基板2が回路基板100に対して接続されることとなるため、回路基板100への接続時における位置合わせは、半導体装置1と回路基板100との二者間でのみ行えば済むものとなる。
従って、インピーダンス制御を可能としつつ、歩留まりの向上を図ることができる。
また、保持体5により、リフロー時の半導体装置1のはんだ沈み込みを一定に抑えることができるため、この点においても半田ボール4,4・・・の径差Δdの抑制が図られる。
先に挙げた特許文献3に記載の従来技術では、PTH内に形成された導電部に通電するための端子をPTHの外周部に表出させているため、配線基板側ではこの端子と接続するための接地端子をBGA面の外周部に設けて、それらの端子間を接続するものとしている。これに対し、本実施の形態によれば、上記のように保持体5の形成によって導電部6と接地端子9との電気的な接続がとられるので、上記の従来技術と比較して、配線基板側の接地端子とPTH側の端子との接続をとるための別途の工程を行う必要がなく、工数の削減が図られる。
これにより、インピーダンスのバラツキが設計値(50Ω)の±20%に抑制され、インピーダンス制御が適正に行われるようにできる。
このように導電部6、絶縁部7を樹脂製としたことで、保持体5の形成が容易となり、従って工数の削減及び製造コストの削減が図られる。
[2-1.半導体装置の構成]
続いて、第2の実施の形態について説明する。
第2の実施の形態は、上記により説明した第1の実施の形態の半導体装置1のように回路基板100と接続するためのBGA面2Aを有した半導体パッケージを下側パッケージとして有するPoP(Package on Package)形態の半導体装置に係るものである。
なお、以下の説明において、既に説明済みとなった部分と同様となる部分については同一符号を付して説明を省略する。
配線基板10は、配線基板2と同様に配線層と絶縁層とが交互に積層されて形成されたコアレス基板とされる。
配線基板10の下面10Aに対しては、配線基板2に形成されたパッド12,12・・・との電気的な接続を行うためのパッド13,13・・・が形成され、これらパッド13,13・・・はそれぞれ配線基板10の配線層に形成された所定の配線と電気的に接続されている。
図示するように半導体装置20では、上側パッケージを構成する配線基板10の下面10Aに形成されたパッド13,13・・・のそれぞれに金属ポスト15が形成されている。本例の場合、金属ポスト15,15・・・は銅製とされる。
そして、配線基板2のパッド12,12・・・と金属ポスト15,15・・・とが半田ボール14,14・・・によって接続されている。
以下、第2の実施の形態の半導体装置20の製造方法について説明する。なお、第1の実施の形態との重複説明を避けるため、以下では主に金属ポスト15の形成方法について説明する。
先ず、コアレス基板としての配線基板10を形成する上では、図11Aに示すような金属板による仮基板16が用いられる。本例において、仮基板16には銅板が用いられる。
その上で、この積層構造体における仮基板16の一部を切除することで、金属ポスト15,15・・・を形成する(図11C)。
具体的に、この場合の金属ポスト15,15・・・は、仮基板16に対するレジストの塗布、露光及び現像によるエッチングを行って形成する。或いは、例えばNiをバリアメタルとして用いたエッチングを行ってもよい。
これら何れの場合も、配線基板2、配線基板10がコアレス基板とされることで、図11で説明したような仮基板16の一部を切除する方法による金属ポスト15,15・・・の形成を行うことができる。
なお、配線基板2の上面2Bに金属ポスト15,15・・・を形成する場合は、仮基板16に対して配線基板2の最上層となるべき層から最下層となるべき層の順に積層を行う。
上記のように第2の実施の形態では、PoP形態の半導体装置として、配線基板10と配線基板2との電気的な接続が、配線基板10の下面10Aと配線基板2の上面2Bとが対向した状態で、金属ポスト15,15・・・を介して行われる。
これにより、配線基板2と配線基板10とを電気的に接続するための半田ボール14,14・・・を小径化することが可能となる。従って、上側と下側の半導体パッケージの接合に要する面積を縮小化でき、パッケージの小型化が図られる。
これにより、仮基板16の一部を切除して金属ポスト15,15・・・を形成することが可能となり、本来は全切除される仮基板16を有効利用することができる。従って、製造コストを削減できる。
また、金属ポスト15,15・・・の形成のために別途めっきなどによる形成工程を行う必要が無いため、工数の削減も図られ、この点でも製造コストを削減できる。
以上、本技術に係る実施の形態について説明したが、本技術は上記で例示した具体例に限定されるべきものではない。
例えば、金属ポストは、図14に示すように配線基板2のBGA面2Aに対して形成してもよい。具体的には、図14Aに示すように、BGA面2Aから回路基板100への接続方向に向けて突出する金属ポスト17,17・・・を形成するものである。これら金属ポスト17,17・・・としても例えば銅製とする。
このように金属ポスト17,17・・・の先端部に形成された半田ボール4,4・・・が、図14Bに示されるように回路基板100のパッド101,101・・・と接続される。
例えば、図15Bに示す例において、図中の領域Xが信号線以外の集中する領域であるならば、当該領域Xについてはインピーダンス制御が不要であるため、半田ボール4の形成ピッチを詰めて面積を稼ぐ。そして、図中の領域Yが信号線の集中する領域であれば、領域Xで面積を稼いだ分、当該領域Yについては半田ボール4の形成ピッチを広げて同軸構造を採る。或いは、図中の領域Zとして示すように、同軸構造ではなくマイクロストリップライン構造又はストリップライン構造を採用してさらに面積を稼ぐこともできる。
なお、同軸構造以外が採用されて開口部5Aの面積が広くなる場合は、保持力の低下を考慮すべきである。すなわち、同軸構造とマイクロストリップライン構造又はストリップライン構造を混在させる場合には、それらの混在の比率や配置パターンなどを配線基板に対する保持力も加味して設定すべきである。
本技術は、以下に示す構成を採ることができる。
(1)
第1の半導体チップと、
前記第1の半導体チップに電気的に接続された配線を有する配線層と絶縁層とが交互に積層されて形成されると共に、所定の前記配線に電気的に接続され回路基板に対して電気的に接続される半田ボールが複数形成されるBGA面を有する第1の配線基板と、
前記BGA面に対し前記半田ボールの間を仕切るように形成された導電部と、前記導電部を覆うように形成された絶縁部とを有して構成された保持体と、を備える
半導体装置。
(2)
前記導電部が前記第1の配線基板に形成された接地端子に対して電気的に接続されている
前記(1)に記載の半導体装置。
(3)
前記保持体は、
1つの前記半田ボールにつき当該半田ボールの外周面を覆う環状の前記導電部が1つ形成された構造としての同軸構造を有する
前記(1)又は(2)に記載の半導体装置。
(4)
前記同軸構造における前記導電部の内径をD、前記導電部に覆われた前記半田ボールの断面径をdとしたとき、前記回路基板に対して接合された際の前記内径と前記断面径との関係がd/D=36.5%〜51%の条件を満たすように形成された
前記(3)に記載の半導体装置。
(5)
前記導電部、前記絶縁部がそれぞれ導電性樹脂、絶縁性樹脂で形成されている
前記(1)乃至(4)何れかに記載の半導体装置。
(6)
第2の半導体チップと、
前記第2の半導体チップに電気的に接続された配線を有する配線層と絶縁層とが交互に積層されて形成された第2の配線基板とをさらに備え、
前記第2の配線基板と前記第1の配線基板との電気的な接続が、前記第2の配線基板の前記第2の半導体チップが接続された面とは逆側の面と前記第1の配線基板の前記BGA面とは逆側の面とが対向した状態で、第1の金属ポストを介して行われている
前記(1)乃至(5)何れかに記載の半導体装置。
(7)
前記第1の配線基板又は前記第2の配線基板の何れかがコアレス基板とされている
前記(6)に記載の半導体装置。
(8)
前記半田ボールが、所定の前記配線に対して電気的に接続され前記BGA面から突出するように形成された第2の金属ポストの先端部に対して形成されている
前記(1)乃至(7)何れかに記載の半導体装置。
(9)
前記保持体は、
マイクロストリップライン構造又はストリップライン構造を有する
前記(1)乃至(8)何れかに記載の半導体装置。
(10)
第1の半導体チップに電気的に接続される配線を有する配線層と絶縁層とを交互に積層して第1の配線基板を形成する第1の配線基板形成工程と、
前記第1の配線基板が有する面であって所定の前記配線と回路基板とに対して電気的に接続される複数の半田ボールが形成されるBGA面に対し、前記半田ボールの間を仕切るように形成された導電部と、前記導電部を覆うように形成された絶縁部とを有する保持体を形成する保持体形成工程と、を有する
半導体装置の製造方法。
(11)
前記第1の配線基板形成工程では、
前記BGA面上における前記導電部が形成される位置に対して接地端子を形成する
前記(10)に記載の半導体装置の製造方法。
(12)
前記保持体形成工程では、
1つの前記半田ボールにつき当該半田ボールの外周面を覆う環状の前記導電部が1つ形成された構造としての同軸構造を有するように前記保持体を形成する
前記(10)又は(11)に記載の半導体装置の製造方法。
(13)
前記保持体形成工程では、
前記導電部、前記絶縁部をそれぞれ導電性樹脂、絶縁性樹脂により形成する
前記(10)乃至(12)何れかに記載の半導体装置の製造方法。
(14)
第2の半導体チップに電気的に接続された配線を有する配線層と絶縁層とが交互に積層されて形成された第2の配線基板と、前記第1の配線基板との電気的な接続を、前記第2の配線基板の前記第2の半導体チップが接続された面とは逆側の面と前記第1の配線基板の前記BGA面とは逆側の面とが対向した状態で、第1の金属ポストを介して行う接続工程をさらに有する
前記(10)乃至(13)何れかに記載の半導体装置の製造方法。
(15)
コアレス基板とされた前記第1の配線基板又は前記第2の配線基板の形成過程で用いられる仮基板の一部を切除して、前記第1の金属ポストを形成する第1の金属ポスト形成工程をさらに有する
前記(14)に記載の半導体装置の製造方法。
(16)
前記第1の配線基板に対し、所定の前記配線に対して電気的に接続され前記BGA面から突出する第2の金属ポストを形成する第2の金属ポスト形成工程と、
前記第2の金属ポストの先端部に対して前記半田ボールを形成する半田ボール形成工程とをさらに有する
前記(10)乃至(15)何れかに記載の半導体装置の製造方法。
(17)
前記保持体形成工程では、
マイクロストリップライン構造又はストリップライン構造を有するように前記保持体を形成する
前記(10)乃至(16)何れかに記載の半導体装置の製造方法。
Claims (15)
- 第1の半導体チップと、
前記第1の半導体チップに電気的に接続された配線を有する配線層と絶縁層とが交互に積層されて形成されると共に、所定の前記配線に電気的に接続され回路基板に対して電気的に接続される半田ボールが複数形成されるBGA面を有する第1の配線基板と、
前記BGA面に対し前記半田ボールの間を仕切るように形成された導電部と、前記導電部を覆うように形成された絶縁部とを有して構成された保持体とを備え、
前記導電部、前記絶縁部がそれぞれ導電性樹脂、絶縁性樹脂で形成されている
半導体装置。 - 前記導電部が前記第1の配線基板に形成された接地端子に対して電気的に接続されている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記保持体は、
1つの前記半田ボールにつき当該半田ボールの外周面を覆う環状の前記導電部が1つ形成された構造としての同軸構造を有する
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記同軸構造における前記導電部の内径をD、前記導電部に覆われた前記半田ボールの断面径をdとしたとき、前記回路基板に対して接合された際の前記内径と前記断面径との関係がd/D=36.5%〜51%の条件を満たすように形成された
請求項3に記載の半導体装置。 - 第2の半導体チップと、
前記第2の半導体チップに電気的に接続された配線を有する配線層と絶縁層とが交互に積層されて形成された第2の配線基板とをさらに備え、
前記第2の配線基板と前記第1の配線基板との電気的な接続が、前記第2の配線基板の前記第2の半導体チップが接続された面とは逆側の面と前記第1の配線基板の前記BGA面とは逆側の面とが対向した状態で、第1の金属ポストを介して行われている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1の配線基板又は前記第2の配線基板の何れかがコアレス基板とされている
請求項5に記載の半導体装置。 - 前記半田ボールが、所定の前記配線に対して電気的に接続され前記BGA面から突出するように形成された第2の金属ポストの先端部に対して形成されている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記保持体は、
マイクロストリップライン構造又はストリップライン構造を有する
請求項1に記載の半導体装置。 - 第1の半導体チップに電気的に接続される配線を有する配線層と絶縁層とを交互に積層して第1の配線基板を形成する第1の配線基板形成工程と、
前記第1の配線基板が有する面であって所定の前記配線と回路基板とに対して電気的に接続される複数の半田ボールが形成されるBGA面に対し、前記半田ボールの間を仕切るように形成された導電部と、前記導電部を覆うように形成された絶縁部とを有する保持体を形成する保持体形成工程とを有し、
前記保持体形成工程では、
前記導電部、前記絶縁部をそれぞれ導電性樹脂、絶縁性樹脂により形成する
半導体装置の製造方法。 - 前記第1の配線基板形成工程では、
前記BGA面上における前記導電部が形成される位置に対して接地端子を形成する
請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保持体形成工程では、
1つの前記半田ボールにつき当該半田ボールの外周面を覆う環状の前記導電部が1つ形成された構造としての同軸構造を有するように前記保持体を形成する
請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 第2の半導体チップに電気的に接続された配線を有する配線層と絶縁層とが交互に積層されて形成された第2の配線基板と、前記第1の配線基板との電気的な接続を、前記第2の配線基板の前記第2の半導体チップが接続された面とは逆側の面と前記第1の配線基板の前記BGA面とは逆側の面とが対向した状態で、第1の金属ポストを介して行う接続工程をさらに有する
請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - コアレス基板とされた前記第1の配線基板又は前記第2の配線基板の形成過程で用いられる仮基板の一部を切除して、前記第1の金属ポストを形成する第1の金属ポスト形成工程をさらに有する
請求項12に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の配線基板に対し、所定の前記配線に対して電気的に接続され前記BGA面から突出する第2の金属ポストを形成する第2の金属ポスト形成工程と、
前記第2の金属ポストの先端部に対して前記半田ボールを形成する半田ボール形成工程とをさらに有する
請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保持体形成工程では、
マイクロストリップライン構造又はストリップライン構造を有するように前記保持体を形成する
請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
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