JP6366614B2 - 研磨パッドをドレッシングするための方法 - Google Patents
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Description
本発明は、研磨パッド(布)、特に半導体ウェハの研磨に用いる研磨パッドをドレッシングするための方法に関する。
エレクトロニクス、マイクロエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロメカニクスは、出発物質として、大局的および局所的な平坦性、片面の平坦性(ナノトポロジ)、粗度および清浄度に関する厳しい要件を満たさなければならない半導体ウェハを必要とする。半導体ウェハは、単一元素半導体(ケイ素、ゲルマニウム)、化合物半導体(たとえば、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムなどの周期表の3族主族からの1つの元素と、窒素、リンもしくはヒ素などの周期表の5族主族からの1つの元素とを含む)、またはその化合物(たとえばSil−xGex、0<x<1)などの半導体材料の薄片である。
(a) 通常は単結晶の半導体ロッドを製造、
(b) ロッドを個々のウェハに分離、
(c) 機械処理、
(d) 化学処理、
(e) 化学機械処理、
(f) 随意に付加的に層構造を製造
に分類することができる。
発明に係る方法は、研磨パッドをドレッシングする、特に半導体ウェハの研磨に用いる発砲研磨パッドをドレッシングするように作用する。発明に係る方法は、個々の研磨布をドレッシングするために、かつ2つの研磨パッドを同時にドレッシングするために用いられ得る。
Claims (15)
- 1つの研磨布、または同時に2つの研磨パッド(11,12)をドレッシングするための方法であって、研磨布(11,12)が少なくとも1つのドレッサ(4)とともに研磨プレート(21,22)にかけられており、前記少なくとも1つのドレッサ(4)には少なくとも1つのドレッシング要素(8)が備え付けられており、この少なくとも1つのドレッシング要素(8)は、ドレッシング対象の少なくとも1つの前記研磨布(11,12)と接触しており、少なくとも1つの前記研磨プレート(21,22)は相対回転速度で回転し、前記少なくとも1つのドレッサ(4)は相対回転速度で回転し、2対の前記研磨プレート(21,22)およびピンホイール(31,32)の回転方向の少なくとも2つの異なる組合せが、2つの研磨パッド(11,12)の同時ドレッシングの際に、または前記研磨プレート(21)の1つの研磨布(11)の、かつ前記少なくとも1つのドレッサ(4)のドレッシングの際に実行され、
前記少なくとも2つの異なる組合せは、前記2つの研磨パッド(11,12)の同時ドレッシングの際の、前記研磨プレート(21,22)の反対の回転方向(ω21,ω22)の回転、または前記ピンホイール(31,32)の反対の回転方向(ω31,ω32)の回転と、前記1つの研磨布(11)のドレッシングの際の、前記研磨プレート(21)と前記少なくとも1つのドレッサ(4)の反対の方向の回転とを含む、方法。 - 2つの研磨パッド(11,12)を同時にドレッシングする場合、前記少なくとも1つのドレッサ(4)は、内側歯車(31)および外側歯車(32)を含む転動装置によって回転する、請求項1に記載の方法。
- 前記2対の研磨プレート(21,22)およびピンホイール(31,32)の少なくとも一方の前記回転方向(ω21,ω22,ω31,ω32)は、前記ドレッシングの際に少なくとも一度反転される、請求項2に記載の方法。
- 前記2対の研磨プレート(21,22)およびピンホイール(31,32)の一方のみの前記回転方向(ω21,ω22,ω31,ω32)が、前記ドレッシングの際に同時に反転される、請求項2に記載の方法。
- 一方の研磨布(11)のみをドレッシングする場合、少なくとも前記研磨プレート(21)の前記回転方向(ω21)または前記ドレッサ(4)の前記回転方向(ω4)が一度反転される、請求項1に記載の方法。
- 一方の研磨布のみをドレッシングする場合、少なくとも前記研磨プレート(21)の前記回転方向(ω21)および前記ドレッサ(4)の前記回転方向(ω4)が一度反転される、請求項1に記載の方法。
- 1つ以上のドレッシング要素(8)で覆われたディスクまたはリングがドレッサ(4)として用いられる、請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ドレッシング要素(8)は、ダイヤモンドで覆われた表面を有する、請求項1から7のいずれか1項に記載の方法。
- 1つから5つのドレッサ(4)が同時に用いられる、請求項1から8のいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも3つのドレッサ(4)が同時に用いられる、請求項1から9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記研磨パッド(11,12)は発泡研磨パッドである、請求項1から10のいずれか1項に記載の方法。
- ポリウレタンから発泡する研磨パッドが発泡研磨パッドとして用いられる、請求項11に記載の方法。
- 前記上側研磨プレート(22)および前記下側研磨プレート(21)の互いに対向する面は、互いに平面平行に設定される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記ドレッサ(4)は間隙を有し、これらの間隙の中に、自由に可動な、および/または固定されたドレッシング要素(8)が存在する、請求項1,2または13のいずれか1項に記載の方法。
- ドレッシング剤、特に液体が、前記ドレッシングの際に前記研磨パッド(11,12)に塗布される、請求項1から14のいずれか1項に記載の方法。
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US10857651B2 (en) * | 2017-11-20 | 2020-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Apparatus of chemical mechanical polishing and operating method thereof |
CN108098590A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-01 | 东莞华晶粉末冶金有限公司 | 一种研磨抛光垫的修整器及其修整方法 |
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Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1029698B (de) * | 1954-03-25 | 1958-05-08 | Crane Packing Co | Vorrichtung zum Abrichten der Oberflaeche von ringfoermigen Laeppscheiben |
DE1284868B (de) * | 1962-10-17 | 1968-12-05 | Speedfam Corp | Einrichtung zur Drehrichtungsumkehr der gegen Mitumlaufen auf der Laeppscheibe ortsfest gehaltenen Abricht- und Werkstueckhalteringe |
US3662498A (en) * | 1968-08-29 | 1972-05-16 | Peter Wolters Kratzenfabrik Un | Redressing of laps in lapping or honing machines |
JPH02145253A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Ratsupu Master S F T Kk | ラップ盤の自己修正方法 |
KR100524510B1 (ko) | 1996-06-25 | 2006-01-12 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마포를드레싱하는방법과장치 |
JP3829878B2 (ja) * | 1996-09-13 | 2006-10-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体ウエハの加工方法 |
JP2000153458A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-06-06 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 両面加工機における砥石定盤の面出し方法及び装置 |
DE10007390B4 (de) | 1999-03-13 | 2008-11-13 | Peter Wolters Gmbh | Zweischeiben-Poliermaschine, insbesondere zur Bearbeitung von Halbleiterwafern |
DE10081456T1 (de) * | 1999-05-17 | 2001-09-27 | Kashiwara Machine Mfg | Vefahren und Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren |
US6390909B2 (en) * | 2000-04-03 | 2002-05-21 | Rodel Holdings, Inc. | Disk for conditioning polishing pads |
US6910947B2 (en) * | 2001-06-19 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Control of chemical mechanical polishing pad conditioner directional velocity to improve pad life |
DE10132504C1 (de) | 2001-07-05 | 2002-10-10 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben und seine Verwendung |
US7004822B2 (en) * | 2002-07-31 | 2006-02-28 | Ebara Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing and pad dressing method |
JP2004098264A (ja) | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨布のドレッシング方法及びワークの研磨方法 |
US9138862B2 (en) * | 2011-05-23 | 2015-09-22 | Chien-Min Sung | CMP pad dresser having leveled tips and associated methods |
US9724802B2 (en) * | 2005-05-16 | 2017-08-08 | Chien-Min Sung | CMP pad dressers having leveled tips and associated methods |
JP2009502502A (ja) * | 2005-08-03 | 2009-01-29 | シーシーエムアイ コーポレイション | 表面活性固相不均一触媒の増強 |
US7169030B1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-01-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
DE102006032455A1 (de) * | 2006-07-13 | 2008-04-10 | Siltronic Ag | Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben sowie Halbleierscheibe mit hervorragender Ebenheit |
CN101277464B (zh) | 2007-03-30 | 2011-05-11 | 中兴通讯股份有限公司 | IuFlex网络***及解决工作访问位置寄存器宕机的方法 |
JP2009096294A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Sanko Gosei Ltd | 車両用乗員保護装置 |
WO2009096294A1 (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Asahi Glass Co., Ltd. | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
JP2009302409A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
CN101623849B (zh) * | 2009-07-31 | 2011-05-11 | 清华大学 | 一种用于对抛光垫进行修整的修整装置 |
JP5573061B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-08-20 | 株式会社Sumco | 両面研磨装置の研磨布の研削方法及び研削装置 |
JP5454180B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2014-03-26 | 旭硝子株式会社 | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体用ガラス基板 |
US20110312182A1 (en) * | 2010-05-14 | 2011-12-22 | Araca, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical planarization |
DE102010032501B4 (de) * | 2010-07-28 | 2019-03-28 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abrichten der Arbeitsschichten einer Doppelseiten-Schleifvorrichtung |
WO2012122186A2 (en) * | 2011-03-07 | 2012-09-13 | Entegris, Inc. | Chemical mechanical planarization pad conditioner |
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DE102013202488B4 (de) | 2013-02-15 | 2015-01-22 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abrichten von Poliertüchern zur gleichzeitig beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben |
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