JP6006420B2 - 変形パターン認識手法、パターン転写方法、処理デバイスモニタリング方法、及びリソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は、2012年8月29日出願の米国仮出願第61/694,665号の利益を主張し、その全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
a)基板が1つ以上の処理デバイスで処理されるときに、各々が上記1つ以上の処理デバイスによって引き起こされる可能性がある基板の変形に関連付けられた1つ以上の変形パターンを提供するステップと、
b)少なくともN個のアライメントマークを含む第1のパターンを基板に転写するステップであって、各々のアライメントマークが上記第1のパターン内のそれぞれの所定の名目位置に配置されるステップと、
c)上記1つ以上の処理デバイスで基板を処理するステップと、
d)N個のアライメントマークの位置を測定し、アライメントマークのそれぞれの名目位置を上記アライメントマークのそれぞれの測定位置と比較することでそれぞれの名目位置からのN個のアライメントマークの各々のアライメントマークの変位を決定するステップと、
e)1つ以上の変形パターンのうち少なくとも1つをアライメントマーク変位測定値に適合させるステップと、
f)各々の適合する変形パターンについて対応する適合の精度を表す精度値を決定するステップと、
g)決定した精度値を用いて、関連付けられた変形パターンがアライメントマーク変位測定値内に存在するか否かを決定するステップと
を含む変形パターン認識方法が提供される。
1)各々が関連付けられた変形パターンに従って変形した基板へのパターンの転写方法を規定する各補正レシピを1つ以上の変形パターンの各々に提供するステップと、
2)本発明に記載の変形パターン認識方法の方法ステップを実行して、アライメントマーク変位測定値内に1つ以上の変形パターンのうちいずれが存在するかを決定するステップと、
3)第1のパターンに対して第2のパターンを整列させるために、アライメントマーク変位測定値内に存在する適合した変形パターンの補正レシピを用いて第2のパターンを基板に転写するステップと
を含む方法が提供される。
1)請求項1に記載の変形パターン認識方法の方法ステップを実行して、アライメントマーク変位測定値内に1つ以上の変形パターンのうちいずれが存在するかを決定するステップと、
2)対応する1つ以上の処理デバイスが基板の処理中に使用されていた、及び/又は基板の処理中に誤動作していたか否かを決定するために、適合した変形パターンの得られた精度値を用いるステップと
を含む処理デバイスモニタリング方法が提供される。
基板を保持する基板テーブルと、
基準位置に対する基板上のアライメントマークの位置を測定するためのアライメントセンサと、
上記アライメントセンサによって測定された基板上のアライメントマークの位置を基準にして基板上への転写を制御する制御ユニットとを備え、
制御ユニットが、処理デバイスで基板が処理されるときに処理デバイスによって引き起こされることがある基板の変形を表す少なくとも1つの変形パターンを記憶するための記憶媒体を備え、制御ユニットが、
リソグラフィ装置を制御して少なくともN個のアライメントマークを含む第1のパターンを基板に転写し、
上記アライメントマークのそれぞれの名目位置をアライメントマークのそれぞれの測定位置と比較することでそれぞれの名目位置からのN個のアライメントマークの各々のアライメントマーク変位を決定するために、N個のアライメントマークの位置を表すデータをアライメントセンサから受信し、各々のアライメントマーク変位が基板の処理の結果としての基板のそれぞれの局所変形を表し、
アライメントマーク変位測定値に少なくとも1つの変形パターンを適合させ、
各々の適合した変形パターンの精度値を決定し、各々の精度値が対応する適合の精度を表し、
アライメントマーク変位測定値内に関連付けられた変形パターンが存在するか否かを決定するために、得られた精度値を用いる
ように構成されたリソグラフィ装置が提供される。
− 放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造又はパターニングデバイス支持体(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTa又はWTbと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
第1のモデルをアライメントマーク変位測定値に適合させてアライメントマーク変位測定値に対応するパラメータ値を得るステップと、
アライメントマーク変位測定値に対応する得られたパラメータ値を変形パターンの一組のパラメータ値と比較するステップとを含む。
リソグラフィ装置を制御して少なくともN個のアライメントマークを含む第1のパターンを基板に転写し、
アライメントマークのそれぞれの名目位置を上記アライメントマークのそれぞれの測定位置と比較することでそれぞれの名目位置からのN個のアライメントマークの各々のアライメントマーク変位を決定するために、N個のアライメントマークの位置を表すデータをアライメントセンサから受信し、各々のアライメントマーク変位が基板の処理の結果としての基板のそれぞれの局所変形を表し、
アライメントマーク変位測定値に少なくとも1つの変形パターンを適合させ、
各々の適合した変形パターンの精度値を決定し、各々の精度値が対応する適合の精度を表し、
アライメントマーク変位測定値内に関連付けられた変形パターンが存在するか否かを決定するために、得られた精度値を用いる
ように構成された本発明の実施形態による異なる方法を実行することができる。
Claims (13)
- 変形パターン認識方法であって、
a)基板が1つ以上の処理デバイスによって処理されるときに、各々が前記1つ以上の処理デバイスによって引き起こされる可能性がある前記基板の変形に関連付けられた1つ以上の変形パターンを提供するステップと、
b)少なくともN個のアライメントマークを含む第1のパターンを基板に転写するステップであって、各々のアライメントマークが前記第1のパターン内のそれぞれの所定の名目位置に配置されるステップと、
c)前記1つ以上の処理デバイスによって前記基板を処理するステップと、
d)前記N個のアライメントマークの位置を測定し、アライメントマークの前記それぞれの名目位置を前記アライメントマークの前記それぞれの測定位置と比較することで前記それぞれの名目位置からの前記N個のアライメントマークの各々のアライメントマークの変位を決定するステップと、
e)前記1つ以上の変形パターンのうち少なくとも1つを前記アライメントマーク変位測定値に適合させるステップと、
f)各々の適合する変形パターンについて前記対応する適合の精度を表す精度値を決定するステップと、
g)前記決定した精度値を用いて、関連付けられた変形パターンが前記アライメントマーク変位測定値内に存在するか否かを決定するステップと
を含み、
少なくとも2つの変形パターンが提供され、前記少なくとも2つの変形パターンが特徴的なパターンフィーチャを含む変形パターンの第1のサブセットと、前記特徴的なパターンを含まない変形パターンの第2のサブセットとを含み、e)に先立って、前記方法が前記測定されたアライメントマーク変形が前記特徴的なパターンフィーチャを含むか否かを決定するステップを含み、前記特徴的なパターンフィーチャが存在するときには前記第1のサブセットの前記変形パターンのみがf)で使用され、前記特徴的なパターンフィーチャが存在しないときには前記第2の前記サブセットの変形パターンのみがf)で使用され
る、変形パターン認識方法。 - 変形パターンが前記アライメントマーク変位測定値内に存在するか否かを決定するステップが、関連付けられた精度値が所定のしきい値を超えているかそれ未満であるかを決定するステップを含む、請求項1に記載の変形パターン認識方法。
- 前記1つ以上の変形パターンが前記N個のアライメントマークに関連付けられた一組のパターン変位の形式で提供され、変形パターンを前記アライメントマーク変位測定値に適合させるステップがパターン変位の前記それぞれの組を前記アライメントマーク変位測定値と比較するステップを含む、請求項1に記載の変形パターン認識方法。
- 前記1つ以上の変形パターンが第1のモデルの一組のパラメータ値の形式で提供され、変形パターンを前記アライメントマーク変位測定値に適合させるステップが、
前記第1のモデルを前記アライメントマーク変位測定値に適合させて前記アライメントマーク変位測定値に対応するパラメータ値を得るステップと、
前記アライメントマーク変位測定値に対応する前記得られたパラメータ値を前記それぞれの変形パターンの前記一組のパラメータ値と比較するステップとを含む、請求項1に記載の変形パターン認識方法。 - 前記少なくとも1つの変形パターンが、前記アライメントマーク変位測定値に大きさに関して適合する、請求項1に記載の変形パターン認識方法。
- 前記少なくとも1つの変形パターンが、前記アライメントマーク変位測定値に配向に関して適合する、請求項1に記載の変形パターン認識方法。
- パターン転写方法であって、
1)各々が関連付けられた変形パターンに従って変形した基板へのパターンの転写方法を規定する各補正レシピを前記1つ以上の変形パターンの各々に提供するステップと、
2)請求項1に記載の前記変形パターン認識方法の方法ステップを実行して、前記アライメントマーク変位測定値内に前記1つ以上の変形パターンのうちいずれが存在するかを決定するステップと、
3)前記第1のパターンに対して前記第2のパターンを整列させるために、前記アライメントマーク変位測定値内に存在する前記適合した変形パターンの前記補正レシピを用いて第2のパターンを前記基板に転写するステップとを含む方法。 - 関連付けられた変形パターンの補正レシピが、
4)前記第1のパターンを含む1つ以上の基板を前記関連付けられた変形パターンの対象とするステップと、
5)異なる補正レシピを用いて前記第2のパターンを前記1つ以上の基板に転写するステップと、
6)前記第1及び第2のパターンの間で最小のオーバレイエラーをもたらす補正レシピを選択するステップと
を実行することで決定される、請求項7に記載のパターン転写方法。 - 前記第1及び第2のパターンの間で最小のオーバレイエラーをもたらす補正レシピが検出されるまで前記補正レシピが変動する、請求項8に記載のパターン転写方法。
- 処理デバイスモニタリング方法であって、
1)請求項1に記載の前記変形パターン認識方法の前記方法ステップを実行して、前記アライメントマーク変位測定値内に前記1つ以上の変形パターンのうちいずれが存在するかを決定するステップと、
2)前記対応する1つ以上の処理デバイスが前記基板の処理中に使用されていたか否か、及び/又は前記基板の処理中に誤動作していたか否かを決定するために、前記適合した変形パターンの前記得られた精度値を用いるステップとを含む処理デバイスモニタリング方法。 - パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するリソグラフィ装置であって、
基板を保持する基板テーブルと、
基準位置に対する前記基板上のアライメントマークの位置を測定するアライメントセンサと、
前記アライメントセンサによって測定された前記基板上の前記アライメントマークの前記位置を基準にして前記基板上への転写を制御する制御ユニットとを備え、
前記制御ユニットが、処理デバイスによって基板が処理されるときに前記処理デバイスによって引き起こされることがある前記基板の変形を表す少なくとも1つの変形パターンを記憶する記憶媒体を備え、前記制御ユニットが、
前記リソグラフィ装置を制御して少なくともN個のアライメントマークを含む第1のパターンを基板に転写し、
前記アライメントマークのそれぞれの名目位置を前記アライメントマークの前記それぞれの測定位置と比較することで前記それぞれの名目位置からの前記N個のアライメントマークの各々のアライメントマーク変位を決定するために、前記N個のアライメントマークの位置を表すデータを前記アライメントセンサから受信し、各々のアライメントマーク変位が前記基板の前記処理の結果としての前記基板のそれぞれの局所変形を表し、
前記アライメントマーク変位測定値に前記少なくとも1つの変形パターンを適合させ、
各々の適合した変形パターンの精度値を決定し、各々の精度値が前記対応する適合の前記精度を表し、
前記アライメントマーク変位測定値内に関連付けられた変形パターンが存在するか否かを決定するために、前記得られた精度値を用いるように構成され、
少なくとも2つの変形パターンが前記制御ユニットの記憶媒体に記憶され、前記少なくとも2つの変形パターンが特徴的なパターンフィーチャを含む変形パターンの第1のサブセットと、前記特徴的なパターンを含まない変形パターンの第2のサブセットとを含み、前記制御ユニットが前記測定されたアライメントマーク変形が前記特徴的なパターンフィーチャを含むか否かを決定し、前記特徴的なパターンフィーチャが存在するときには前記第1のサブセットの前記変形パターンのみが前記精度値を決定するときに使用され、前記特徴的なパターンフィーチャが存在しないときには前記第2の前記サブセットの変形パターンのみが前記精度値を決定するときに使用される、リソグラフィ装置。 - 前記制御ユニットが各々の記憶された変形パターンの補正レシピを記憶する記憶媒体を備え、各々の補正レシピが、前記基板の変形を補償するために、前記関連付けられた変形パターンに従って変形した基板にパターンを転写する方法を規定し、前記制御ユニットが、前記第1のパターンに対して前記第2のパターンを整列させるために、前記アライメントマーク変位測定値内に存在する前記適合した変形パターンの前記補正レシピを用いて前記リソグラフィ装置を制御するようにさらに構成された、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御ユニットが、前記適合した変形パターンの前記得られた精度値を用いて、1つ以上の処理デバイスが前記基板の処理中に使用されていたか否か、及び/又は前記基板の処理中に誤動作していたか否かを決定するようにさらに構成された、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261694665P | 2012-08-29 | 2012-08-29 | |
US61/694,665 | 2012-08-29 | ||
PCT/EP2013/063499 WO2014032833A1 (en) | 2012-08-29 | 2013-06-27 | Deformation pattern recognition method, pattern transferring method, processing device monitoring method, and lithographic apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015534102A JP2015534102A (ja) | 2015-11-26 |
JP6006420B2 true JP6006420B2 (ja) | 2016-10-12 |
Family
ID=48699828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015528914A Active JP6006420B2 (ja) | 2012-08-29 | 2013-06-27 | 変形パターン認識手法、パターン転写方法、処理デバイスモニタリング方法、及びリソグラフィ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9753377B2 (ja) |
JP (1) | JP6006420B2 (ja) |
WO (1) | WO2014032833A1 (ja) |
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US10095131B2 (en) | 2014-06-12 | 2018-10-09 | Asml Netherlands B.V. | Alignment modeling and a lithographic apparatus and exposure method using the same |
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- 2013-06-27 WO PCT/EP2013/063499 patent/WO2014032833A1/en active Application Filing
- 2013-06-27 JP JP2015528914A patent/JP6006420B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20150205213A1 (en) | 2015-07-23 |
JP2015534102A (ja) | 2015-11-26 |
US9753377B2 (en) | 2017-09-05 |
WO2014032833A1 (en) | 2014-03-06 |
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