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Description
CHE=E−E0
CHF=F−F0 (2)
であり、Ca;ijはモデルパラメータである。ベキiおよびjは、ゼロから予め選択済みの個々の値IおよびJまでである。
E=E0+r1CHE
F=F0+r2CHF (9)
に従って空間的に変化している。r1およびr2は、基板W上のダイ位置の関数として、平均値ゼロの近辺でランダムに変化する整数である。図4では、試験パターンモジュールTPMが基板に印刷される領域全体のグレイトーン変化が、測定された様々な印刷CD値を概略的に示している。
[0058] − 放射ビームB(たとえば193nmまたは157nmの波長で動作しているエキシマレーザによって生成されるようなUV放射またはDUV放射、あるいはたとえば13.6nmで動作しているレーザ生成プラズマ源によって生成されるEUV放射)を条件付けるように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0059] − パターニングデバイス(たとえばマスク)MAを支持するように構築された、特定のパラメータに従って該パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(たとえばマスクテーブル)MTと、
[0060] − 基板(たとえばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構築された、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(たとえばウェーハテーブル)WTと、
[0061] − パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(たとえば1つまたは複数のダイを備えている)に投影するように構成された投影システム(たとえば屈折型投影レンズシステム)PSと
を備えている。
[0074] 1.ステップモード:支持構造MTおよび基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Cに1回で投影される(すなわち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX方向および/またはY方向にシフトされ、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で画像化されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
[0075] 2.スキャンモード:放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、支持構造MTおよび基板テーブルWTが同期スキャンされる(すなわち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)および画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅(非スキャン方向の幅)が制限され、また、スキャン運動の長さによってターゲット部分の高さ(スキャン方向の高さ)が決まる。
[0076] 3.その他のモード:プログラマブルパターニングデバイスを保持するべく支持構造MTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、スキャン中、基板テーブルWTが移動する毎に、あるいは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (13)
- 印刷されたフィーチャのサイズと、基板の表面に前記フィーチャを印刷するために使用されるリソグラフィ装置の動作パラメータの値と、の間の関係を較正する方法であって、
前記リソグラフィ装置の前記動作パラメータの第1の複数の個々の異なる値が予め選択され、対応する第1の複数の相互に排他的な個々の位置のサブセットを含む前記基板上の第2の複数の異なる位置が予め選択され、個々の位置のサブセットの各々の位置が、前記動作パラメータの対応する個々の値に関連付けられ、
前記方法が、
前記第2の複数の位置の各々に前記フィーチャを印刷するステップであって、前記動作パラメータの前記値が、位置毎に、対応する関連値に設定されるステップと、
前記印刷されたフィーチャの各々の前記サイズを測定するステップと、
第1のセットの係数によって特徴付けられた前記動作パラメータの前記値における項と、第2のセットの係数によって特徴付けられた位置の座標における項と、の合計として前記サイズをモデル化するステップと、
前記係数の第1および第2のセットに基づいてモデル化されたフィーチャサイズを、前記係数の第1および第2のセットの係数を適合させることによって前記測定フィーチャサイズに当てはめるステップと、
前記第1のセットの係数の適合済み係数を記憶媒体に記憶するステップと、を含み、
前記第2のセットの係数によって特徴付けられた位置の座標における項は、前記基板の表面に対するフィーチャサイズの空間可変性を表す付加応答モデルの項であり、
使用中、前記リソグラフィ装置を制御するためのコントローラによる前記記憶媒体へのアクセスが可能であり、
第1の係数と適合済みの第1の係数の差に基づいて前記動作パラメータの調整量を計算するステップと、
前記調整量を前記動作パラメータに適用するステップと、をさらに含む、
方法。 - 前記サイズが前記フィーチャのクリティカルディメンジョンである、
請求項1に記載の方法。 - 前記複数の異なる位置が、個々の異なるターゲット部分に異なる位置を含む、
請求項1又は2に記載の方法。 - 前記複数の異なる位置が、単一のターゲット部分に異なる位置を含む、
請求項1又は2に記載の方法。 - 前記個々の位置のサブセットのうちの少なくとも1つのサブセットの位置が、前記基板の領域全体のランダム分布または擬似ランダム分布によって特徴付けられた、
請求項1から4の何れか一項に記載の方法。 - 前記動作パラメータが、前記基板を露光するための露光ドーズ量、前記基板の焦点設定値、または前記基板を露光するための露光ドーズ量と前記基板の焦点設定値を含む、
請求項1から5の何れか一項に記載の方法。 - 前記動作パラメータが、照明設定値、σ−outer設定値、σ−inner設定値、パターンを前記基板に転送するための放射のビームのスペクトル強度分布設定値、投影レンズエレメント設定値、開口数NAの設定値、パターニングデバイスの位置設定値および前記基板の位置設定値を含む、
請求項1から5の何れか一項に記載の方法。 - パターンをパターニングデバイスから基板の表面に転送し、それにより前記基板の上にフィーチャのパターンを提供するためにリソグラフィ装置を使用するステップを含むデバイス製造方法であって、
1つまたは複数の装置設定値のあらゆる設定値の変化に対するフィーチャ特性の応答モデルに基づいて、前記1つまたは複数の装置設定値のうちの少なくとも1つの設定値の変化を計算するステップと、
前記少なくとも1つの設定値の変化を前記リソグラフィ装置に適用するステップと、を含み、
前記モデルには、前記基板の表面に対する前記フィーチャ特性の応答の空間可変性を表す付加応答モデルの項が含まれている、
デバイス製造方法。 - 前記フィーチャ特性は、前記フィーチャのクリティカルディメンジョンである、
請求項8に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの設定値の変化には、前記基板を露光するための露光ドーズ量、前記基板の焦点設定値、または前記露光ドーズ量と前記焦点設定値の設定値変化が含まれている、
請求項8又は9に記載の方法。 - リソグラフィ装置を制御し、それにより、1つまたは複数の装置設定値のあらゆる設定値の変化に対応するフィーチャ特性の応答モデルに基づいて、前記1つまたは複数の装置設定値のうちの少なくとも1つの設定値の変化を計算するステップと、
前記少なくとも1つの設定値の変化を前記リソグラフィ装置に適用するステップと、を含み、
前記モデルには、基板の表面に対する前記フィーチャ特性の応答の空間可変性を表す付加応答モデルの項が含まれている、
方法を実行するためのプログラムコードを備えた、
コンピュータプログラム。 - 前記フィーチャ特性は、前記フィーチャのクリティカルディメンジョンである、
請求項11に記載のコンピュータプログラム。 - 前記少なくとも1つの設定値の変化には、前記基板を露光するための露光ドーズ量、前記基板の焦点設定値、または前記露光ドーズ量と前記焦点設定値の設定値変化が含まれている、
請求項11又は12に記載のコンピュータプログラム。
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