JP2018098296A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 80
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02016—Backside treatment
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
1a 表面
1b 裏面
3 分割予定ライン
5 デバイス
5a 機能層
7 TEG
9,23 フレーム
11 テープ
13 加工溝
15 表面保護テープ
17 改質層
19 クラック
21 ダイシングテープ
25 デバイスチップ
2,8 レーザ加工装置
4,10,22 チャックテーブル
4a,10a,22a 保持面
6,12 加工ヘッド
14 研削装置
16 スピンドル
18 研削砥石
20 研削ホイール
24 拡張装置
26 拡張ドラム
28 支持部材
Claims (2)
- 機能層と、該機能層を含む複数のデバイスと、該デバイスを区画する分割予定ラインと、該分割予定ラインと重なる金属を含むTEGと、を表面に有するウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、
該機能層に吸収される波長のレーザビームを、ウェーハの該表面側から該分割予定ラインに沿って照射し、該機能層を分断する加工溝を形成する加工溝形成ステップと、
該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを、該ウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って照射し、該ウェーハの内部に該分割予定ラインに沿う改質層を形成する改質層形成ステップと、
該加工溝及び該改質層が形成されたウェーハに外力を付与し、該改質層を起点にウェーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備え、
該加工溝形成ステップでは、該分割予定ラインの該TEGが形成されていない領域にのみ該レーザビームを照射することを特徴とするウェーハの加工方法。 - 該分割ステップは、該ウェーハを裏面側から研削して仕上がり厚さまで薄化する研削ステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のウェーハの加工方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016239559A JP6815692B2 (ja) | 2016-12-09 | 2016-12-09 | ウェーハの加工方法 |
KR1020170167305A KR102349663B1 (ko) | 2016-12-09 | 2017-12-07 | 웨이퍼의 가공 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016239559A JP6815692B2 (ja) | 2016-12-09 | 2016-12-09 | ウェーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018098296A true JP2018098296A (ja) | 2018-06-21 |
JP6815692B2 JP6815692B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=62633748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016239559A Active JP6815692B2 (ja) | 2016-12-09 | 2016-12-09 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6815692B2 (ja) |
KR (1) | KR102349663B1 (ja) |
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-
2016
- 2016-12-09 JP JP2016239559A patent/JP6815692B2/ja active Active
-
2017
- 2017-12-07 KR KR1020170167305A patent/KR102349663B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102349663B1 (ko) | 2022-01-11 |
JP6815692B2 (ja) | 2021-01-20 |
KR20180066864A (ko) | 2018-06-19 |
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A621 | Written request for application examination |
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