JP5995508B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
前記半導体装置は半導体基板に複数形成する工程と、少なくとも一辺を、前記第2の配線に沿って前記半導体装置を分離する工程とを有することを特徴とする。
図面を参照しながら、本発明に係る実施例を説明する。本実施例では、半導体装置の例として、光電変換装置を説明する。
Y[at%]=(a×x+b×y+c×z)/100 ・・・(1)
配線を構成する材料の種類が3種類以外でも、同様にして算出することができる。なお、配線の特性は、組成比が70[at%]を超える材料に概ね依存して決まる。
一般に、ヤング率が高い材料は、融点も高い傾向にある。ヤング率に加えて融点も高い材料を第2の配線として用いることで、ウィスカーやヒロックの発生をさらに低減できる。
図面を参照しながら、本発明に係る別の実施例を説明する。本実施例においても、光電変換装置を例に取って説明する。
上述の各実施例は、半導体装置の一例として光電変換装置を挙げ、複数の光電変換装置を配列したイメージセンサユニットを説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、単位セルの各々が、光電変換素子に換えて液滴吐出口を有するものであっても良い。このような半導体装置を配列することで、記録装置の一種であるインクジェットプリンタのインクヘッドを構成することができる。インクヘッドにおいては、隣接する半導体装置間の距離を短くすることで、つなぎ目における印刷の抜けを低減できる。
102 画素
103 信号処理回路
104 周辺回路
105 配線
106 配線
Claims (10)
- 光電変換素子を有する画素と、前記画素に対応して設けられた列回路とを有する単位セルが第1の方向に沿って複数配列された複数の単位セルと、
前記第1の方向に沿って配された第1の配線と、
前記第1の方向に直交する第2の方向に沿って配され、前記第1の配線よりもヤング率が高い第2の配線と、を有する光電変換装置であって、
前記第2の配線は、前記光電変換装置の前記第1の方向における端部と、前記複数の単位セルのうち前記光電変換装置の前記第1の方向における端部に最も近接して設けられた前記単位セルの前記第1の方向における端部との間に設けられており、
前記第2の配線とは異なる層に、前記第2の配線よりも断面積が大きい配線を有することを特徴とする光電変換装置。 - 前記第2の配線は、前記第1の配線よりも融点が高いことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記第2の配線は、前記複数の単位セルに対して共通に電気的に接続されることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 前記第1の配線は、アルミニウムもしくは銅、または、アルミニウムおよび銅の合金を主材料とすることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第2の配線は、ポリシリコンまたはシリサイド化されたポリシリコンを主材料とすることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第2の配線の断面積は、前記第1の配線の断面積よりも大きいことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第1の方向における前記光電変換装置の長さは、前記第2の方向における前記光電変換装置の長さよりも長いことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載の光電変換装置が、前記第1の方向に沿って複数配列されたことを特徴とするイメージセンサユニット。
- 請求項8に記載のイメージセンサユニットを含むことを特徴とする画像読み取り装置。
- 光電変換素子を有する画素と、前記画素に対応して設けられた列回路とを有する単位セルが第1の方向に沿って複数配列された複数の単位セルと、
前記第1の方向に沿って配された第1の配線と、
前記第1の方向に直交する第2の方向に沿って配された第2の配線と、を有する光電変換装置であって、
前記第2の配線は、前記光電変換装置の前記第1の方向における端部と、前記複数の単位セルのうち前記光電変換装置の前記第1の方向における端部に最も近接して設けられた前記単位セルの前記第1の方向における端部との間に設けられており、
前記第1の配線は、アルミニウムもしくは銅、または、アルミニウムおよび銅の合金を主材料とし、
前記第2の配線は、ポリシリコンまたはシリサイド化されたポリシリコンを主材料とし、
前記第2の配線とは異なる層に、前記第2の配線よりも断面積が大きい配線を有することを特徴とする光電変換装置。
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