JP5986804B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る半導体装置の回路構成について、図1及び図2を参照して説明する。
図1に本実施の形態のプログラマブル回路に含まれるユニットセル320の構成を示す。
図1に示すユニットセルを応用した回路構成について、図3を参照して説明する。図3に示す半導体装置は、入力信号線INと出力信号線OUTとの間に、マトリクス状に接続された(m×n)個のユニットセルを有するプログラマブル回路330の一例である。なお、以下の説明において、同様の機能を有する配線が複数ある場合には、配線の名称の末尾に、_1、_2、_n等を付すことで区別している。
図1に示すユニットセルを応用した図3とは異なる回路構成について、図4を参照して説明する。図4に示す半導体装置は、入力信号線INと出力信号線OUTとの間に、マトリクス状に接続された(2h×n)個のユニットセルを有するプログラマブル回路332の一例である。なお、以下の説明において、同様の機能を有する配線が複数ある場合には、配線の名称の末尾に、_1、_2、_n等を付すことで区別している。
本実施の形態では、実施の形態1で示したプログラマブル回路332の適用例を示す。なお、本実施の形態で示すアナログ素子を、プログラマブル回路330に適用可能であることはいうまでもない。また、本実施の形態で示す以外のアナログ素子を本発明の一態様に係るプログラマブル回路に適用してもよい。
本実施の形態においては、実施の形態1または2に示すプログラマブル回路に含まれるトランジスタの作製方法について、図6乃至図9を用いて説明する。本実施の形態では、例として、酸化物半導体を含んで構成されるトランジスタ110と、nチャネル型のトランジスタ112との作製方法について具体的に説明する。なお、酸化物半導体を含んで構成されるトランジスタ110は、図1における第1のトランジスタ340に相当し、nチャネル型のトランジスタ112は、図1における第2のトランジスタ350に相当する。図6乃至図9において、A−Bに示す断面図は、酸化物半導体を含んで構成されるトランジスタ110、nチャネル型のトランジスタ112が形成される領域の断面図に相当し、C−Dに示す断面図は、酸化物半導体を含んで構成されるトランジスタ110のソース電極又はドレイン電極の一方とnチャネル型のトランジスタ112のゲート電極とが接続されたノードFGにおける断面図に相当する。
本実施の形態では、先の実施の形態で示した酸化物半導体膜を有するトランジスタについて、電界効果移動度を理論的に導出し、当該電界効果移動度を用いてトランジスタ特性を導出する。
本実施の形態では、先の実施の形態で示した酸化物半導体膜を有するトランジスタについて、特にIn、Sn、Znを主成分とする酸化物半導体膜を有するトランジスタについて説明する。
本発明の一態様に係るプログラマブル回路を用いることで、消費電力の低い電子機器を提供することが可能である。特に電力の供給を常時受けることが困難な携帯用の電子機器の場合、本発明の一態様に係る消費電力の低い半導体装置をその構成要素に追加することにより、連続使用時間が長くなるといったメリットが得られる。
112 トランジスタ
201 半導体基板
203 素子分離領域
207 ゲート絶縁膜
209 ゲート電極
211a 不純物領域
211b 不純物領域
215 絶縁膜
217 絶縁膜
219a コンタクトプラグ
219b コンタクトプラグ
221 絶縁膜
223a 配線
223b 配線
225 絶縁膜
227 酸化物半導体膜
229 酸化物半導体膜
231 絶縁膜
233 ゲート電極
235 酸化物半導体膜
235a 領域
235b 領域
235c 領域
237 サイドウォール絶縁膜
239 ゲート絶縁膜
241a 電極
241b 電極
243 絶縁膜
245 絶縁膜
249 配線
250 配線
310 アナログ素子
312 抵抗素子
320 ユニットセル
330 プログラマブル回路
332 プログラマブル回路
334 プログラマブル回路
340 トランジスタ
342 トランジスタ
350 トランジスタ
352 トランジスタ
380 D/Aコンバータ
421 RF回路
422 アナログベースバンド回路
423 デジタルベースバンド回路
424 バッテリー
425 電源回路
426 アプリケーションプロセッサ
427 CPU
428 DSP
429 インターフェース
430 フラッシュメモリ
431 ディスプレイコントローラ
432 メモリ回路
433 ディスプレイ
434 表示部
435 ソースドライバ
436 ゲートドライバ
437 音声回路
438 キーボード
439 タッチセンサ
451 バッテリー
452 電源回路
453 マイクロプロセッサ
454 フラッシュメモリ
455 音声回路
456 キーボード
457 メモリ回路
458 タッチパネル
459 ディスプレイ
460 ディスプレイコントローラ
461 CPU
462 DSP
463 インターフェース
600 基板
602 下地絶縁膜
606 酸化物半導体膜
608 ゲート絶縁膜
610 ゲート電極
614 電極
616 層間絶縁膜
618 配線
620 保護膜
1101 下地絶縁膜
1102 絶縁物
1103a 領域
1103b 領域
1103c 領域
1104 ゲート絶縁膜
1105 ゲート電極
1106a サイドウォール絶縁膜
1106b サイドウォール絶縁膜
1107 絶縁物
1108a ソース電極
1108b ドレイン電極
Claims (4)
- ユニットセルと、ビット線と、ユニットセル選択線と、アナログ素子選択線と、入力信号線と、出力信号線と、を含むプログラマブル回路を有し、
前記ユニットセルは、
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、アナログ素子と、を含み、
前記ユニットセル選択線と、前記第1のトランジスタのゲート電極と、は電気的に接続され、
前記ビット線と、前記第1のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と、前記第3のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と、は電気的に接続され、
前記アナログ素子選択線と、前記第3のトランジスタのゲート電極と、は電気的に接続され、
前記入力信号線と、前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と、前記アナログ素子の電極の一方と、は電気的に接続され、
前記アナログ素子の電極の他方と、前記第4のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と、は電気的に接続され、
前記出力信号線と、前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第4のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、は電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第2のトランジスタのゲート電極と、は電気的に接続され、第1のノードを構成し、
前記第3のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第4のトランジスタのゲート電極と、は電気的に接続され、第2のノードを構成する半導体装置。 - マトリクス状に配置された複数のユニットセルと、複数のビット線と、複数のユニットセル選択線と、複数のアナログ素子選択線と、入力信号線と、出力信号線と、を含むプログラマブル回路を有し、
前記ユニットセルの一は、
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、アナログ素子と、を含み、
前記ユニットセル選択線の一と、前記第1のトランジスタのゲート電極と、は電気的に接続され、
前記ビット線の一と、前記第1のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と、前記第3のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と、は電気的に接続され、
前記アナログ素子選択線の一と、前記第3のトランジスタのゲート電極と、は電気的に接続され、
前記入力信号線と、前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と、前記アナログ素子の電極の一方と、は電気的に接続され、
前記アナログ素子の電極の他方と、前記第4のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と、は電気的に接続され、
前記出力信号線と、前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第4のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、は電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第2のトランジスタのゲート電極と、は電気的に接続され、第1のノードを構成し、
前記第3のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第4のトランジスタのゲート電極と、は電気的に接続され、第2のノードを構成し、
前記第1のノード及び前記第2のノードの電位によって、前記ユニットセルそれぞれからの出力を制御することで、前記プログラマブル回路が合成するアナログ値を可変とする半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記第1のトランジスタ及び前記第3のトランジスタの少なくとも一は、酸化物半導体を含んで構成される半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記アナログ素子として、抵抗素子を含む半導体装置。
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US8963332B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device with dummy lines |
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US9196582B2 (en) * | 2013-11-22 | 2015-11-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Word line coupling prevention using 3D integrated circuit |
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US9735614B2 (en) * | 2014-05-18 | 2017-08-15 | Nxp Usa, Inc. | Supply-switching system |
US9595955B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including power storage elements and switches |
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---|---|---|---|---|
JPS5518016A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Hitachi Ltd | Voltage divider |
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
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JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH01216623A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Kawasaki Steel Corp | 集積回路 |
JPH0654873B2 (ja) * | 1989-09-04 | 1994-07-20 | 株式会社東芝 | プログラマブル型論理装置 |
JPH0447715A (ja) | 1990-06-14 | 1992-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | A/d変換器 |
US5107146A (en) | 1991-02-13 | 1992-04-21 | Actel Corporation | Mixed mode analog/digital programmable interconnect architecture |
JP3184567B2 (ja) | 1991-07-29 | 2001-07-09 | 花王株式会社 | 水素化触媒及びその製造方法 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH05259882A (ja) | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | レベル変換回路装置 |
US5164612A (en) | 1992-04-16 | 1992-11-17 | Kaplinsky Cecil H | Programmable CMOS flip-flop emptying multiplexers |
US5381058A (en) | 1993-05-21 | 1995-01-10 | At&T Corp. | FPGA having PFU with programmable output driver inputs |
EP0705465B1 (de) | 1993-06-25 | 1996-10-30 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Konfigurierbares, analoges und digitales array |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH0927732A (ja) | 1995-07-12 | 1997-01-28 | Nippondenso Co Ltd | プログラマブルキャパシタアレイ |
JPH11505377A (ja) | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US5796128A (en) | 1996-07-25 | 1998-08-18 | Translogic Technology, Inc. | Gate array with fully wired multiplexer circuits |
JP4103968B2 (ja) | 1996-09-18 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
JP3106998B2 (ja) | 1997-04-11 | 2000-11-06 | 日本電気株式会社 | メモリ付加型プログラマブルロジックlsi |
US6057707A (en) | 1997-06-20 | 2000-05-02 | Altera Corporation | Programmable logic device incorporating a memory efficient interconnection device |
JP3185727B2 (ja) | 1997-10-15 | 2001-07-11 | 日本電気株式会社 | プログラマブル機能ブロック |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
US6118300A (en) | 1998-11-24 | 2000-09-12 | Xilinx, Inc. | Method for implementing large multiplexers with FPGA lookup tables |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP3928837B2 (ja) * | 1999-09-13 | 2007-06-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
JP2001094412A (ja) | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Rohm Co Ltd | プログラム可能な信号処理セルおよびプログラム可能な信号処理装置 |
US6384628B1 (en) | 2000-03-31 | 2002-05-07 | Cypress Semiconductor Corp. | Multiple voltage supply programmable logic device |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US6924663B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-08-02 | Fujitsu Limited | Programmable logic device with ferroelectric configuration memories |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
US6856542B2 (en) | 2002-06-04 | 2005-02-15 | Stmicroelectronics, Inc. | Programmable logic device circuit and method of fabricating same |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP4356542B2 (ja) | 2003-08-27 | 2009-11-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US6856173B1 (en) | 2003-09-05 | 2005-02-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multiplexing of digital signals at multiple supply voltages in an integrated circuit |
DE10354501B4 (de) | 2003-11-21 | 2007-07-05 | Infineon Technologies Ag | Logik-Schaltkreis-Anordnung |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
WO2005088726A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7129745B2 (en) | 2004-05-19 | 2006-10-31 | Altera Corporation | Apparatus and methods for adjusting performance of integrated circuits |
JP4703133B2 (ja) * | 2004-05-25 | 2011-06-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 内部電圧発生回路および半導体集積回路装置 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
JP5118812B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
CN101057333B (zh) | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
EP2455975B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-10-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor with amorphous oxide |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI412138B (zh) | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
JP2006269477A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路 |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
EP1998375A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101397571B1 (ko) | 2005-11-15 | 2014-05-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그의 제조방법 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP2007281202A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP2008112909A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center | 薄膜半導体装置及びその製造方法 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
JP2008164794A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示システム |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US8026739B2 (en) | 2007-04-17 | 2011-09-27 | Cypress Semiconductor Corporation | System level interconnect with programmable switching |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
US8274078B2 (en) | 2007-04-25 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxynitride semiconductor containing zinc |
JP4883578B2 (ja) * | 2007-05-11 | 2012-02-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | マルチプレクサ回路 |
US8232833B2 (en) * | 2007-05-23 | 2012-07-31 | Silicon Storage Technology, Inc. | Charge pump systems and methods |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5430846B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2014-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
US7652502B2 (en) | 2007-12-29 | 2010-01-26 | Unity Semiconductor Corporation | Field programmable gate arrays using resistivity sensitive memories |
JP5305731B2 (ja) | 2008-05-12 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の閾値電圧の制御方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5388525B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | プログラマブル論理回路 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5366127B2 (ja) | 2008-11-28 | 2013-12-11 | スパンション エルエルシー | アナログ集積回路 |
JP5781720B2 (ja) | 2008-12-15 | 2015-09-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
KR101930682B1 (ko) * | 2009-10-29 | 2018-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20220116369A (ko) * | 2009-11-13 | 2022-08-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기 |
WO2011065183A1 (en) * | 2009-11-24 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including memory cell |
KR101789975B1 (ko) | 2010-01-20 | 2017-10-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
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DE112012002113T5 (de) | 2011-05-16 | 2014-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmierbarer Logikbaustein |
US8581625B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
JP5892852B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-03-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
-
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