JP5977629B2 - 荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
荷電粒子ビームを偏向する偏向器によって偏向される偏向領域が並ぶ複数の偏向領域におけるかかる偏向領域の配列ピッチとは異なるピッチで、荷電粒子ビームを用いてかかる偏向領域よりも小さい複数の図形パターンを描画する工程と、
当該図形パターンが描画された位置を含む偏向領域と当該図形パターンが描画された位置との位置関係に基づいて、偏向領域と同じサイズの1つの仮想偏向領域の中に前記複数の図形パターンの描画位置を合成する工程と、
合成された各図形パターンの描画位置を用いて、偏向領域にパターンを描画した場合における形状誤差を算出し、出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
上述した偏向領域の形状誤差は、偏向領域より大きい上段の偏向領域の位置依存誤差を補正した値を用いると好適である。
荷電粒子ビームを偏向する3段の偏向器によってそれぞれ偏向される領域サイズの異なる大きい方から順に第1と第2と第3の偏向領域のうちの第3の偏向領域の配列ピッチとは異なるピッチで、荷電粒子ビームを用いて第3の偏向領域よりも小さい複数の第1の図形パターンを描画すると共に、第2の偏向領域内の位置依存性を評価するための複数の第2の図形パターンを第2の偏向領域内で位置が異なるように描画する工程と、
描画された複数の第2の図形パターンの描画位置を用いて、第2の偏向領域内における位置依存誤差を算出する工程と、
描画された各第1の図形パターンの描画位置に対してそれぞれ近傍の第2の偏向領域の位置依存誤差を用いて、各第1の図形パターンの描画位置を補正する工程と、
当該第1の図形パターンが描画された位置を含む第3の偏向領域と当該第1の図形パターンが描画された位置との位置関係に基づいて、第3の偏向領域と同じサイズの仮想的な1つの第3の偏向領域の中に、補正後の複数の第1の図形パターンの描画位置を合成する工程と、
合成された各図形パターンの描画位置を用いて、第3の偏向領域にパターンを描画した場合における形状誤差を算出し、出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
上述したいずれか記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法によって取得された形状誤差を用いて、描画位置を補正する工程と、
補正された描画位置に、荷電粒子ビームを用いてパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型(VSB型)の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング偏向器(ブランカー)212、ブランキングアパーチャ214、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208、副偏向器209、及び副副偏向器216が配置されている。描画室103内には、少なくともXY方向に移動可能なXYステージ105が配置される。XYステージ105上には、レジストが塗布された描画対象となる試料101(基板)が配置される。試料101には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。
(1) Δx’=a0+a1x+a2y+a3x2+a4xy+a5y2+a6x3
+a7x2y+a8xy2+a9y3
(2) Δy’=b0+b1x+b2y+b3x2+b4xy+b5y2+b6x3
+b7x2y+b8xy2+b9y3
実施の形態1において、図4(a)の例では、TF40の主要位置、例えば3×3の9か所の位置について1つずつ評価パターンの位置を取得した。かかる手法では、各位置のデータ数が1つずつなので母数が少ないことによる補正残差が残り得る一方、例えば、SF30内における光軸近傍の領域を用いることでSF30内の位置依存誤差の影響を小さくできるというメリットがある。一方、図5(a)の例では、TF40の主要位置、例えば3×3の9か所の位置について複数(例えば、3つ)ずつ評価パターンの位置を取得した。かかる手法では、各位置のデータ数が複数ありその平均を用いることで母数が増え補正残差を小さくできるというメリットがある一方、例えば、SF30内の広範囲の領域を用いることでSF30内の位置依存誤差の影響を受ける可能性があるというデメリットがある。そこで、実施の形態2では、TF40の主要位置、例えば3×3の9か所の位置について複数(例えば、3つ)ずつ評価パターンの位置を取得しながらSF30内の位置依存誤差も補正する構成について説明する。
(3) Δx”=c0+c1x+c2y
(4) Δy”=d0+d1x+d2y
上述した実施の形態1では、1つのSF30内にTF評価用の複数の図形パターン60(評価パターン:第1の図形パターン)を描画し、1つのSF30内においてTF40の偏向形状誤差を求める例を示したがこれに限るものでない。描画装置の構成は図1と同様である。また、実施の形態3における描画方法の要部工程を示すフローチャート図は、図3と同様である。以下、特に説明する点以外の内容は、実施の形態1と同様である。
20 ストライプ領域
30 SF
40 TF
42 ショット位置
50 ショットデータ生成部
52 補正部
54 描画制御部
60,61〜69 図形パターン
71〜79,91〜94 位置
80,81〜84 SF位置依存評価パターン
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機ユニット
112 メモリ
120 偏向制御回路
130,132,134,136 DACアンプユニット
140 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 第1の成形アパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206 第2の成形アパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
212 ブランキング偏向器
214 ブランキングアパーチャ
216 副副偏向器
330 電子線
340 試料
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (16)
- 荷電粒子ビームを偏向する偏向器によって偏向される偏向領域が並ぶ複数の偏向領域における前記偏向領域の配列ピッチとは異なるピッチで、荷電粒子ビームを用いて前記偏向領域よりも小さい複数の図形パターンを描画する工程と、
当該図形パターンが描画された位置を含む偏向領域と当該図形パターンが描画された位置との位置関係に基づいて、前記偏向領域と同じサイズの1つの仮想偏向領域の中に前記複数の図形パターンの描画位置を合成する工程と、
合成された各図形パターンの描画位置を用いて、前記偏向領域にパターンを描画した場合における形状誤差を算出し、出力する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。 - 前記偏向器は、それぞれ偏向される領域サイズが異なる2段以上の偏向器によって構成され、
前記偏向領域の形状誤差は、前記偏向領域より大きい上段の偏向領域の位置依存誤差を補正した値を用いることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。 - 前記偏向器は、それぞれ偏向される領域サイズが異なる2段以上の偏向器によって構成され、
前記偏向領域は、最大偏向領域の次に大きい偏向領域であることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。 - 前記偏向器は、3段の偏向器によって構成され、3段の偏向器によってそれぞれ偏向される領域サイズの異なる大きい方から順に第1と第2と第3の偏向領域のうちの第3の偏向領域が前記偏向領域に相当し、
前記複数の図形パターンは、複数の第2の偏向領域に跨って描画されることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。 - 前記複数の第2の偏向領域に跨って描画された前記複数の図形パターンのそれぞれについて得られる、当該図形パターンが描画された位置を含む第3の偏向領域と当該図形パターンが描画された位置との位置関係に基づいて、1つの第3の偏向領域の中に前記複数の図形パターンの描画位置を合成することを特徴とする請求項4記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。
- 前記複数の図形パターンの配列ピッチは、前記偏向領域の配列ピッチよりも大きいことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。
- 前記複数の図形パターンの配列ピッチは、前記偏向領域の配列ピッチの2以上の整数倍よりも小さいことを特徴とする請求項6記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。
- 前記複数の図形パターンは、
複数の偏向領域のうちの1つのy方向に対して上部でx方向に対して左側と、前記複数の偏向領域のうちの他の1つのy方向に対して上部でx方向に対して中央部と、前記複数の偏向領域のうちの他の1つのy方向に対して上部でx方向に対して右側と、
複数の偏向領域のうちの1つのy方向に対して中央部でx方向に対して左側と、前記複数の偏向領域のうちの他の1つのy方向に対して中央部でx方向に対して中央部と、前記複数の偏向領域のうちの他の1つのy方向に対して中央部でx方向に対して右側と、
複数の偏向領域のうちの1つのy方向に対して下部でx方向に対して左側と、前記複数の偏向領域のうちの他の1つのy方向に対して下部でx方向に対して中央部と、前記複数の偏向領域のうちの他の1つのy方向に対して下部でx方向に対して右側と、
に描画されることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。 - 前記形状誤差は、前記偏向領域の偏向領域形状誤差として求められることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。
- 荷電粒子ビームを偏向する3段の偏向器によってそれぞれ偏向される領域サイズの異なる大きい方から順に第1と第2と第3の偏向領域のうちの第3の偏向領域の配列ピッチとは異なるピッチで、荷電粒子ビームを用いて第3の偏向領域よりも小さい複数の第1の図形パターンを描画すると共に、第2の偏向領域内の位置依存性を評価するための複数の第2の図形パターンを第2の偏向領域内で位置が異なるように描画する工程と、
描画された複数の第2の図形パターンの描画位置を用いて、第2の偏向領域内における位置依存誤差を算出する工程と、
描画された各第1の図形パターンの描画位置に対してそれぞれ近傍の第2の偏向領域の位置依存誤差を用いて、各第1の図形パターンの描画位置を補正する工程と、
当該第1の図形パターンが描画された位置を含む第3の偏向領域と当該第1の図形パターンが描画された位置との位置関係に基づいて、前記第3の偏向領域と同じサイズの1つの仮想的な第3の偏向領域の中に、前記補正後の複数の第1の図形パターンの描画位置を合成する工程と、
合成された各図形パターンの描画位置を用いて、第3の偏向領域にパターンを描画した場合における形状誤差を算出し、出力する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。 - 前記形状誤差は、前記第3の偏向領域の偏向領域形状誤差として求められることを特徴とする請求項10記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。
- 前記複数の図形パターンの配列ピッチは、前記第3の偏向領域の配列ピッチよりも大きいことを特徴とする請求項11記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。
- 前記複数の第1の図形パターンの配列ピッチは、前記第3の偏向領域の配列ピッチの2以上の整数倍よりも小さいことを特徴とする請求項12記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。
- 前記複数の図形パターンは、
複数の第3の偏向領域のうちの1つのy方向に対して上部でx方向に対して左側と、前記複数の第3の偏向領域のうちの他の1つのy方向に対して上部でx方向に対して中央部と、前記複数の第3の偏向領域のうちの他の1つのy方向に対して上部でx方向に対して右側と、
複数の第3の偏向領域のうちの1つのy方向に対して中央部でx方向に対して左側と、前記複数の第3の偏向領域のうちの他の1つのy方向に対して中央部でx方向に対して中央部と、前記複数の第3の偏向領域のうちの他の1つのy方向に対して中央部でx方向に対して右側と、
複数の第3の偏向領域のうちの1つのy方向に対して下部でx方向に対して左側と、前記複数の第3の偏向領域のうちの他の1つのy方向に対して下部でx方向に対して中央部と、前記複数の第3の偏向領域のうちの他の1つのy方向に対して下部でx方向に対して右側と、
に描画されることを特徴とする請求項12記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法。 - 請求項1〜14いずれか記載の荷電粒子ビームの偏向形状誤差取得方法によって取得された形状誤差を用いて、描画位置を補正する工程と、
補正された描画位置に、荷電粒子ビームを用いてパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記形状誤差に起因するずれ量は、多項式で近似され、
設計上の描画位置を前記多項式に代入して設計上の描画位置からのずれ量を演算し、
前記描画位置は、前記設計上の描画位置から前記ずれ量を差分した位置に補正されることを特徴とする請求項15記載の荷電粒子ビーム描画方法。
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