JP6043125B2 - セトリング時間の取得方法 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
DAC(デジタル・アナログコンバータ)アンプからの偏向信号によって荷電粒子ビームを偏向する偏向器を用いて、DACアンプのセトリング時間を評価するための偏向移動量に対して十分なセトリング時間となる第1の時間にDACアンプのセトリング時間を設定して、偏向器で荷電粒子ビームを試料上に偏向させることにより、偏向移動量だけ離れた位置毎に並ぶ複数の第1のパターンを描画する工程と、
DACアンプのセトリング時間を、偏向移動量に対して十分なセトリング時間を含む複数の異なる第2の時間を用いて可変に設定しながら、可変に設定された前記第2の時間毎に、偏向器で荷電粒子ビームを試料上に偏向させることにより、複数の第1のパターンの各第1のパターンと対応するパターンが隣り合う位置になるように複数の第2のパターンを描画する工程と、
可変に設定された前記第2の時間毎に、前記複数の第1のパターンと前記複数の第2のパターンとのうち、隣り合う第1と第2のパターンを合成後の複数の合成パターンの幅寸法を測定する工程と、
測定された前記複数の合成パターンのうち、各合成パターンの幅寸法を用いて、偏向移動量だけ偏向させるために必要な前記DACアンプのセトリング時間を取得する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング偏向器212、ブランキングアパーチャ214、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
20 ストライプ領域
30 SF
52,54,56 ショット図形
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
111 メモリ
112 セトリング時間設定部
114 描画データ処理部
116 描画制御部
118 判定部
119 セトリング時間変更部
120 偏向制御回路
122 制御回路
130,132 DACアンプ
140,142 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
212 ブランキング偏向器
214 ブランキングアパーチャ
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
500 描画データ変換装置
Claims (5)
- DAC(デジタル・アナログコンバータ)アンプからの偏向信号によって荷電粒子ビームを偏向する偏向器を用いて、前記DACアンプのセトリング時間を評価するための偏向移動量に対して十分なセトリング時間となる第1の時間に前記DACアンプのセトリング時間を設定して、前記偏向器で荷電粒子ビームを試料上に偏向させることにより、前記偏向移動量だけ離れた位置毎に並ぶ複数の第1のパターンを描画する工程と、
前記DACアンプのセトリング時間を、偏向移動量に対して十分なセトリング時間を含む複数の異なる第2の時間を用いて可変に設定しながら、可変に設定された前記第2の時間毎に、前記偏向器で荷電粒子ビームを試料上に偏向させることにより、前記複数の第1のパターンの各第1のパターンと対応するパターンが隣り合う位置になるように複数の第2のパターンを描画する工程と、
可変に設定された前記第2の時間毎に、前記複数の第1のパターンと前記複数の第2のパターンとのうち、隣り合う第1と第2のパターンを合成後の複数の合成パターンの幅寸法を測定する工程と、
前記測定された前記複数の合成パターンのうち、各合成パターンの幅寸法を用いて、前記偏向移動量だけ偏向させるために必要な前記DACアンプのセトリング時間を取得する工程と、
を備えたことを特徴とするセトリング時間の取得方法。 - 前記合成パターンの幅寸法として、隣り合う前記第1と第2のパターンの互いに外側の辺同士間の寸法を用いることを特徴とする請求項1記載のセトリング時間の取得方法。
- 前記偏向移動量に対して前記第1と第2の時間が共に十分なセトリング時間で偏向した前記第1と第2のパターンの合成パターンの幅寸法の誤差範囲内に入る幅寸法となる前記合成パターンを得た、可変に設定された時間をセトリング時間として取得することを特徴とする請求項1又は2記載のセトリング時間の取得方法。
- 前記隣り合う前記第1と第2のパターンは、隣り合うラインパターンであることを特徴とする請求項1〜3記載のセトリング時間の取得方法。
- 前記合成パターンの幅寸法は、寸法測定器で測定されることを特徴とする請求項1〜4いずれか記載のセトリング時間の取得方法。
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