JP6808986B2 - マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法 - Google Patents
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Description
Δy=b0+b1x+(b2+1)y+b3x2+b4xy+b5y2+b6x3+b7x2y+b8xy2+b9y3+・・・+b14y4
110 制御計算機
150 描画部
160 制御部
209 主偏向器
212 検出器
Claims (5)
- 基板を載置する、連続移動可能なステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の開口部が形成され、前記複数の開口部全体が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、
前記アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのオン/オフを切り替えるブランキング偏向を行う複数のブランカが配置されたブランキングプレートと、
ブランキング偏向されたビームを、前記ステージの移動に追従して各ビームの描画位置に偏向する主偏向器と、
前記主偏向器により偏向されたビームを前記ステージ上に設けられたマークに対して走査し、反射する荷電粒子の強度の変化と、前記ステージの位置とから、ビーム位置を検出する検出部と、
前記ブランカによりオンビームを切り替え、該オンビームを前記マークに対して走査し、オンビームのビーム位置から前記ステージ上でのマルチビーム全体像の形状を算出するビーム形状算出部と、
を備え、
前記ビーム形状算出部は、前記主偏向器によるビーム偏向位置に依存したビーム位置のずれ量を表現する多項式であって、前記オンビーム毎に異なる多項式を用いて、前記オンビーム毎に前記主偏向器による偏向領域の形状を補正し、前記偏向領域の形状が補正された前記オンビームを前記マークに対して走査し、前記マルチビーム全体像の形状を算出することを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記アパーチャ部材の複数の前記開口部に対応する複数組の前記多項式の係数を格納する記憶装置と、
前記記憶装置から、前記オンビームを形成する前記開口部に対応する係数を取得する係数取得部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記係数取得部は、前記記憶装置から、前記オンビームを形成する開口部の周囲の複数の開口部に対応する複数組の係数を取得し、複数組の係数を線形補間して前記補正用の多項式を生成することを特徴とする請求項2に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記アパーチャ部材の開口部の位置から前記多項式の係数を算出する関数を格納する記憶装置と、
前記関数に、前記オンビームを形成する前記開口部の位置を代入して前記多項式の係数を求める係数取得部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子ビームを放出する工程と、
アパーチャ部材の複数の開口部を前記荷電粒子ビームが通過することにより、マルチビームを形成する工程と、
複数のブランカを用いて、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのオン/オフを切り替えるブランキング偏向を行う工程と、
主偏向器を用いて、ブランキング偏向されたビームを、基板を載置可能なステージの移動に追従して各ビームの描画位置に偏向する工程と、
前記主偏向器により偏向されたビームを前記ステージ上に設けられたマークに対して走査し、反射する荷電粒子の強度の変化と、前記ステージの位置とから、ビーム位置を検出する工程と、
前記ブランカによりオンビームを切り替え、該オンビームを前記マークに対して走査し、オンビームのビーム位置から前記ステージ上でのマルチビーム全体像の形状を算出する工程と、
算出したマルチビームの形状に基づいて、マルチビーム全体像の寸法を調整する工程と、
を備え、
前記主偏向器によるビーム偏向位置に依存したビーム位置のずれ量を表現する多項式であって、前記オンビーム毎に異なる多項式を用いて、前記オンビーム毎に前記主偏向器による偏向領域の形状を補正し、前記偏向領域の形状が補正された前記オンビームを前記マークに対して走査し、前記マルチビーム全体像の形状を算出することを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置の調整方法。
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