JP5938043B2 - 結像光学系 - Google Patents

結像光学系 Download PDF

Info

Publication number
JP5938043B2
JP5938043B2 JP2013528634A JP2013528634A JP5938043B2 JP 5938043 B2 JP5938043 B2 JP 5938043B2 JP 2013528634 A JP2013528634 A JP 2013528634A JP 2013528634 A JP2013528634 A JP 2013528634A JP 5938043 B2 JP5938043 B2 JP 5938043B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
imaging
optical system
reticle
projection
anamorphic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013528634A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013541729A5 (ja
JP2013541729A (ja
Inventor
ハンス ユールゲン マン
ハンス ユールゲン マン
Original Assignee
カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー filed Critical カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Publication of JP2013541729A publication Critical patent/JP2013541729A/ja
Publication of JP2013541729A5 publication Critical patent/JP2013541729A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5938043B2 publication Critical patent/JP5938043B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/08Anamorphotic objectives
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • G02B17/0663Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/08Mirrors
    • G02B5/09Multifaceted or polygonal mirrors, e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/701Off-axis setting using an aperture
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、投影露光系のための結像光学系、投影露光系のための照明光学系、及びこの種の結像光学系を有する光学系に関する。本発明は、この種の光学系を有する投影露光系、投影露光系のためのレチクル、この投影露光系を用いて微細構造化構成要素を生成する方法、本方法によって生成される構成要素にも関する。
結像光学系は、DE 10 2007 062 198 A1、US 7,414,781 B2、US 7,682,031 B2、及びWO 2010/091 800 A1から公知である。また、リソグラフィ系は、US 2008/0036986 A1から公知である。
DE 10 2007 062 198 A1 US 7,414,781 B2 US 7,682,031 B2 WO 2010/091 800 A1 US 2008/0036986 A1 US 6 859 515 B2 DE 10 2008 009 600 A1 US 2007−0058269 A1
本発明の目的は、結像品質が更に改善されるような投影露光系のための結像光学系を開発することである。
本発明により、物体側開口数の増大に伴って物体側主ビーム角度を拡大しなければならず、それによって吸収体構造に起因する遮蔽効果、及び層透過に関連付けられた問題、特に、レチクルコーティングに起因する強いアポディゼーション効果がもたらされる場合があることが分かった。本発明により、アナモフィック結像光学系、特に、アナモフィック結像投影レンズ系を用いて、所定のサイズのレチクルを物体視野から所定の照明視野上に所定の結像スケールで結像することができ、この照明視野は、第1の結像スケールの方向に完全に照明され、一方、第2の方向の減ぜられた像結像スケールは、投影露光系のスループットに対して悪影響を持たず、適切な解決法によって補償することができることが更に分かった。
従って、アナモフィックレンズ系は、結像されるレチクルの大きさを第1の方向に大きくする必要なく、更に投影露光系のスループットの低下が発生することなく、この第1の方向に大きい物体側開口数を有する像面の完全な照明と、照明光の傾斜入射によってもたらされる結像品質の損失の最小化の両方を可能にする。
2つの主要平面の方向の同符号結像スケールによって像反転が回避される。光学系は、特に、2つの主要平面の方向に正の結像スケールを有する。
請求項2に記載の少なくとも1つがアナモフィック結像を行う少なくとも2つの部分レンズ系を備えた結像光学系は、構成するのに特に好ましく、それぞれの要件への結像特性の特に柔軟な適応を可能にする。特に、第1の部分レンズ系、すなわち、物体側の部分レンズ系は、アナモフィック結像を行う。それによって物体視野上に入射し、それによって反射される放射線が重ならないことを保証することができる。第2の部分レンズ系もアナモフィックである。このレンズ系は、非アナモフィックとすることができる。
請求項3により、投影レンズ系は、円形の射出瞳を有する。従って、像側開口数は方向に依存しない。それによって向きに依存しない分解能が保証される。従って、本発明によるアナモフィックレンズ系は、特に、楕円形状を有する入射瞳を有する。従って、楕円の半軸は、異なる結像スケール又は異なる物体側開口数と同じか又は互いに逆の相互関係を有する。
請求項4により、アナモフィック結像投影レンズ系は、少なくとも1つのミラーを含む。この場合、より少ない数のミラーは、より小さい伝達損失をもたらす。より大きい数のミラーは、結像誤差のより柔軟で改善された補正を可能にし、より高い開口数を可能にする。本発明により、投影レンズ系は、少なくとも1つ、特に複数の、特に少なくとも4つ、特に少なくとも6つ、特に少なくとも8つのミラーを含む。ミラーは、特に、EUV放射線反射ミラーとして構成することができる。
自由曲面を有する光学要素は、特に、柔軟な結像特性設計を可能にする。それによって特に結像光学系の所定の数のミラーを用いて結像誤差を補正するのに更に別の自由度が開かれる。
請求項5により、第1の方向の結像スケールは、第2の方向の結像スケールの少なくとも1.5倍大きい。第1の方向の結像スケールは、特に、第2の方向の結像スケールの少なくとも2倍大きい。この場合及び以下において、結像スケールは、物体サイズに対する結像サイズの比、すなわち、物体視野内の結像される構造のサイズに対する投影レンズ系の像視野内の結像される構造のサイズを意味すると捉えられたい。その結果、所定のレチクル、特に、所定のサイズのレチクルにおける所定の幅を有する照明視野を全幅にわたって走査方向と垂直に露光することができる。照明視野の幅に対して垂直な方向の小さい結像スケール、すなわち、強度の縮小は、特に、高い走査速度によって別途補償することができ、従って、不利な効果はない。走査方向に対して垂直な方向の減ぜられた結像スケールは、スループット損失を招かない。
請求項6に記載の方向依存の異なる物体側開口数は、結像光学系の有利な設計を可能にする。それによって特に遮蔽効果及びレチクル上の層透過に関連付けられた問題を回避することができる。特定の方向の物体側開口数(NAO)は、特に、この方向に対して垂直な方向における物体側開口数(NAO)の少なくとも1.5倍大きく、特に、少なくとも2倍大きい。
好ましくは、照明系は、投影レンズ系の入射瞳に対応するように構成された射出瞳を有する。従って、本発明により、楕円形射出瞳を有する照明系が与えられる。
この楕円形射出瞳は、特に、楕円形瞳ファセットミラーにより、又は瞳ファセットミラー上での瞳ファセットの楕円形配列、すなわち、瞳ファセットの包絡線が楕円を形成する配列によって得られる。
楕円形に構成された瞳ファセットミラー又は照明系の射出瞳の半軸は、特に、投影レンズ系の2つの異なる結像スケール又は投影レンズ系の入射瞳の半軸と同じ相互関係を有する。
大きい像側開口数、小さい主ビーム角度、及び大きい像側走査スロット幅を備えた結像光学系は、像視野内へのレチクルの構造の特に良好な投影を可能にする。
請求項8に記載の楕円形射出瞳を有する照明光学系は、アナモフィック結像投影レンズ系に特に良好に適合する。楕円形構成の瞳ファセットミラーを使用すると、照明光学系の楕円形射出瞳を特に容易に得ることができる。
請求項10に記載の光学系及び請求項11に記載の投影露光系の利点は、結像光学系に関連して上述したものに対応する。結像光学系の走査方向の結像スケールが走査方向に対して垂直な結像スケールよりも小さい請求項12に記載の投影露光系を使用すると、走査方向のスループット損失を高い走査速度によって完全に補償することができる。結像光学系9の走査方向の結像スケールは、特に、この方向に対して垂直な結像スケールの最大で半分の大きさである。走査方向とそれに対する垂直方向とにおける結像スケール比は、特に、1:2、1:3、1:4、1:5、1:6、1:8、1:10、2:3、2:5、又は3:4である。放射線源は、EUV(極紫外)光源、例えば、LPP(レーザ生成プラズマ)光源又はGDP(ガス放電生成プラズマ)光源とすることができる。
走査方向の臨界寸法が、この方向に対して垂直な臨界寸法と異なるレチクルは、アナモフィック結像投影光学系における使用に特に適切である。レチクル上の結像される構造とその合計サイズの両方が、好ましくは、走査方向又はそれに対する垂直方向において異なる結像スケールに従って構成される。より大きい縮小を考慮するために、レチクルは、特に走査方向に相応により大きく構成される。
請求項14に記載の生成システム及び請求項15に記載の構成要素の利点は、本発明による投影露光系を参照して上述したものに対応する。
本発明の更に別の利点及び詳細は、図面を用いた複数の実施形態の説明から明らかになる。
EUVリソグラフィのための投影露光系を通る子午断面を略例示する図である。 第1の実施形態による結像光学系内のビーム経路を示す図1に記載の投影露光系の抜粋部分を略例示する図である。 図2に記載の図を図2に対して垂直な平面に示す図である。 更に別の実施形態の図2に記載の図である。 更に別の実施形態の図3に記載の図である。 第3の実施形態の対応する図である。 第3の実施形態の対応する図である。 第4の実施形態の対応する図である。 第4の実施形態の対応する図である。
図1は、マイクロリソグラフィのための投影露光系1の構成要素を子午断面内に略示している。投影露光系1の照明系2は、放射線源3以外に、物体視野5を物体平面6内に露光するための照明光学系を含む。物体視野5に配置され、抜粋的にしか示していないレチクルホルダ8によって保持されるレチクル7が、この物体視野内で露光される。
図1には概略的にしか示していない投影光学系9は、物体視野5を像平面11の像視野10に結像するのに使用される。従って、投影光学系9を結像光学系とも呼ぶ。像平面11の像視野10の領域に配置され、同じく概略的にしか示していないウェーハホルダ13によって保持されるウェーハ12の感光層上に、レチクル7上の構造が結像される。
放射線源3は、EUV放射線14を放出するEUV放射線源である。EUV放射線源3の放出される有利放射線の波長は、5nmから30nmの範囲にある。リソグラフィに使用され、適切な光源に対して利用可能な他の波長も可能である。放射線源3は、プラズマ光源、例えば、DPP光源又はLPP光源とすることができる。シンクロトロンに基づく放射線源を放射線源3として使用することができる。当業者は、この種の放射線源に関する情報を例えばUS 6 859 515 B2に見出すことができるであろう。EUV放射線源3からのEUV放射線14を光束にするために、コレクター15が設けられる。
EUV放射線14を照明光又は結像光とも呼ぶ。
照明光学系4は、多数の視野ファセット17を有する視野ファセットミラー16を含む。視野ファセットミラー16は、物体平面6と光学的に共役な照明光学系4の平面に配置される。EUV放射線14は、視野ファセットミラー16により、照明光学系4の瞳ファセットミラー18に反射される。瞳ファセットミラー18は、多数の瞳ファセット19を有する。視野ファセットミラー16の視野ファセット17は、瞳ファセットミラー18を用いて物体視野5に結像される。
視野ファセットミラー16上の各視野ファセット17に対して、瞳ファセットミラー18上にちょうど1つの関連付けられた瞳ファセット19が存在する。視野ファセット17と瞳ファセット19の間には、各場合に光チャンネルが構成される。ファセットミラー16、18のうちの少なくとも一方のファセット17、19を切換可能にすることができる。この目的のために、マイクロ電気機械系(MEMS)を設けることができる。ファセット17、19は、ファセットミラー16、18上で特に傾斜可能に配置することができる。この場合、ファセット17、19の一部分のみ、例えば、最大で30%、最大で50%、又は最大70%を傾斜可能に構成することができる。全てのファセット17、19を傾斜可能として定めることができる。切換可能ファセット17、19は、特に、視野ファセット17である。視野ファセット17の傾斜により、それぞれの瞳ファセット19への視野ファセット17の割り当て、従って、光チャンネルの構成を変更することができる。傾斜可能ファセット17、19を有するファセットミラー16、18の更なる詳細及び照明光学系4の更なる詳細については、DE 10 2008 009 600 A1を参照されたい。
照明光学系4は、伝達光学系23を形成する更に別のミラー20、21、及び22を有することができる。伝達光学系23の最後のミラー22は、かすめ入射ミラーである。瞳ファセットミラー18と伝達光学系23は、照明光を物体視野5内に伝達するための後続光学系を形成する。瞳ファセットミラー18が投影光学系9の入射瞳に配置される場合には、伝達光学系23を不要にすることができる。
照明光学系4は、投影光学系9の入射瞳の形状に適合されて特にそれに明確に対応する形状を有する射出瞳を有する。照明光学系4の射出瞳は、特に、楕円形である。この楕円形射出瞳は、特に、瞳ファセットミラー18を楕円形に構成することによって達成することができる。これに対する代替として、瞳ファセット19をこれらの瞳ファセット19が楕円形に構成された包絡線を有するように瞳ファセットミラー18上に配置することができる。
楕円形瞳ファセットミラー18の半軸は、特に、2つの異なる半軸長を有し、大きい方の半軸長は、特に、第1の半軸長の少なくとも1.5倍大きく、特に、2倍大きい。半軸長は、特に、1:2、1:3、1:4、1:5、1:6、1:8、1:10、2:3、2:5、又は3:4の比にある。
従って、照明光学系4の射出瞳の半軸は、2つの異なる半軸長を有し、大きい方の半軸長は、特に第1の半軸長の少なくとも1.5倍大きく、特に少なくとも2倍大きい。半軸長は、特に、1:2、1:3、1:4、1:5、1:6、1:8、1:10、2:3、2:5、又は3:4の比にある。
位置関係のより簡潔な説明のために、図内には、各場合に直交xyz座標系を示している。図1のx軸は、作図面と垂直にそれに向けて延びている。y軸は右に延びている。z軸は下向きに延びている。物体平面6と像平面11は、両方共にxy平面と平行に延びている。
レチクルホルダ8は、投影露光系においてレチクル7を物体平面6内で変位方向に変位させることができるように制御方式で変位させることができる。それに応じてウェーハホルダ13は、ウェーハ12を像平面11内で変位方向に変位させることができるように制御方式で変位させることができる。その結果、レチクル7及びウェーハ12を一方で物体視野5を通じて、他方で像視野10を通じて走査することができる。図内の変位方向は、y方向と平行である。下記ではこの変位方向を走査方向とも呼ぶ。レチクル7及びウェーハ12の走査方向の変位は、好ましくは、互いに対して同期して発生させることができる。
図2及び図3は、投影光学系9の第1の構成の光学設計を示している。中心物体視野点、及び物体視野5の2つの対向する縁部を定義する2つのそれぞれの物体視野点から延びる放射線14の個別ビームのビーム経路が示されている。図2及び図3に記載の投影光学系9は、物体視野5から始めてビーム経路方向に順次M1からM6と番号を振った合計で6つのミラーを有する。これらの図には、投影光学系9の設計において計算されたミラーM1からM6の反射面を示している。図から分るように、図示の面の1区画のみが部分的に放射線14の反射に実際に使用される。言い換えれば、ミラーM1からM6の実際の構成は、図に示すものよりも小さくすることができ、特に、図に示す計算反射面の一部しか備えなくてもよい。
瞳面24は、ミラーM2とミラーM3の間に位置する。瞳面24は必ずしも平面ではない。瞳面24は曲面とすることができる。更に、ミラーM4とミラーM5の間には中間像面が位置する。中間像面25は必ずしも平面ではない。中間像面25は曲面とすることができる。従って、ミラーM1からM4は、第1の部分レンズ系26を形成する。ミラーM5及びM6は、第2の部分レンズ系27を形成する。
第1の部分レンズ系26はアナモフィックレンズであり、すなわち、アナモフィック結像を行う。第2の部分レンズ系27もアナモフィックレンズであり、すなわち、アナモフィック結像を行う。しかし、第2の部分レンズ系27を非アナモフィックとして構成することができる。
ミラーM1からM6のうちの少なくとも1つは、アナモフィック結像光学要素であるように構成される。投影光学系9は、特に少なくとも1つ、特に複数、特に少なくとも2つ、特に少なくとも3つ、特に少なくとも4つ、特に少なくとも5つ、特に少なくとも6つ、特に少なくとも7つ、特に少なくとも8つのアナモフィック結像ミラーを含む。
従って、投影光学系9は、第1の方向に第1の結像スケールを有し、第2の方向にそれとは異なる第2の結像スケールを有する。第2の結像スケールは、特に、第1の結像スケールの少なくとも1.5倍大きく、特に、少なくとも2倍大きい。
投影光学系9は、特に、走査方向の結像スケール量が走査方向に対して垂直な結像スケール量よりも小さいように構成される。走査方向の結像スケール量は、特に、走査方向に対して垂直な結像スケール量の最大で4分の3の大きさ、特に最大で3分の2の大きさ、特に最大で半分の大きさである。
投影光学系9は、方向依存の物体側開口数(NAO)を有し、すなわち、入射瞳は、円形形状から逸脱する。特定の方向、すなわち、大きい結像スケールの方向の物体側開口数(NAO)は、特に、この方向に対して垂直な方向の物体側開口数(NAO)の少なくとも1.5倍大きく、特に2倍大きい。
ミラーM6は、放射線14が通過するための貫通開口部28を有する。ミラーM5とM6の間には、更に別の瞳面29が位置する。瞳面29は必ずしも平面ではない。瞳面29は曲面とすることができる。
ミラーM1からM6は、EUV放射線を反射するように構成される。これらのミラーは、特に、入射するEUV照明光14に対する反射を最適化するための複数の反射層を保持する。この反射は、ミラー面上の個別ビームの入射角が垂直入射に近づく程、より良好に最適化することができる。
ミラーM1からM5は、閉じた、言い換えれば、貫通開口部のない反射面を有する。
ミラーM1、M4、及びM6は、凹反射面を有する。ミラーM2、M3、及びM5は、凸反射面を有する。
投影光学系9のミラーM1からM6は、回転対称関数によって記述することができない自由曲面として構成される。ミラーM1からM6のうちの少なくとも1つがこの種の反射自由曲面を有する投影光学系9の他の構成も可能である。この種の自由曲面は、回転対称基準面から生成することができる。マイクロリソグラフィのための投影露光系の投影光学系のミラーの反射面のためのこの種の自由曲面は、US 2007−0058269 A1から公知である。
自由曲面は、次式によって数学的に記述することができる。
Figure 0005938043
上式では、次式が適用される。
Figure 0005938043
Zは点x,yにおける自由曲面の矢高であり、x2+y2=r2である。
cは、対応する非球面の曲面の頂点に対応する定数である。kは、対応する非球面の円錐定数に対応する。Cjは、単項式xmnの係数である。一般的に、c、k、及びCjの値は、投影光学系9内のミラーの望ましい光学特性に基づいて決定される。Nradiusは、係数Cjに対する正規化係数である。単項式の次数m+nは、必要に応じて変更することができる。高次の単項式は、より良好な像エラー補正を有する投影光学系の設計を導くことができるが、計算がより複雑であり、m+nは、3と20超の間の値を取ることができる。
自由曲面は、例えば、光学設計プログラム「CODE V(登録商標)」のマニュアルに説明されているゼルニケ多項式によって数学的に記述することができる。代替的に、自由曲面は、2次元スプライン面を用いて記述することができる。2次元スプライン面の例は、ベジェ曲面又は不均一有理基底スプライン(NURBS)である。2次元スプライン面は、例えば、xy平面内の点網とそれに関連するz値とにより、又はこれらの点とそれらに関連する勾配とによって記述することができる。スプライン面のそれぞれの種類に基づいて、完全な面は、例えば、連続性及び微分可能性に関して特定の特性を有する多項式又は関数を用いた網点の間の内挿によって得られる。この例は解析関数である。
下記では、光学設計プログラム「Code V(登録商標)」を用いて得た投影光学系9の光学設計データを表に要約する。
以下に続く表のうちの最初のものは、像平面11から始めて、言い換えれば、光方向に対して逆方向に、光学構成要素の光学面及び開口絞りに対して各場合に曲面の頂点の逆数(半径)及びビーム経路内の隣接要素のz間隔に対応する厚みを提供している。第2の表は、ミラーM1からM6に対して、上記に提供した自由曲面式における単項式xmnの係数Cjを提供している。
更に別の表には、ミラーの基準設計から始めてそれぞれのミラーが偏心(Y偏心)及び回転(X回転)された量を単位mmで同じく提供している。これらの量は、自由曲面設計法における平行変位及び傾斜に対応する。この場合、変位はy方向に発生し、傾斜はx軸の回りのものである。回転角は度で与えられる。
(表)
Figure 0005938043
(表)
Figure 0005938043
(表)
Figure 0005938043
(表)
Figure 0005938043
投影光学系9は、y方向、すなわち、走査方向に1:8の結像スケールを有し、すなわち、物体視野5内のレチクル7は、走査方向に像視野10内のその像の8倍大きい。投影光学系9は、x方向、すなわち、走査方向と垂直に1:4の結像スケールを有する。従って、投影光学系9は縮小系である。投影光学系9の像側開口数は0.5である。投影光学系9の像側開口数は、特に、少なくとも0.4である。像視野10は、2mm×26mmのサイズを有し、2mmは走査方向におけるものであり、26mmは、走査方向に対して垂直なものである。特に、走査方向には、像視野10は、異なるサイズを有することができる。像視野10のサイズは、少なくとも1mm×10mmである。走査方向と垂直に像視野10は、特に13mmよりも大きい幅を有する。像視野10は、特に矩形である。投影光学系9は、特に少なくとも13mm、特に13mmよりも大きい、特に少なくとも26mmの像側走査スロット幅を有する。投影光学系9は、視野中心点において6°の物体側主ビーム角度を有する。視野中心点における物体側主ビーム角度は、特に最大で7°である。投影光学系9は、2000mmの光学全長を有する。
この実施形態における物体視野5は、16mm×104mmのサイズを有する。この場合、16mmは走査方向におけるものであり、104mmは、走査方向に対して垂直なものである。
レチクル7はまた、走査方向とそれに対する垂直方向とで異なる結像スケールに適合させられる。レチクル7は、走査方向とそれに対して垂直な方向とで異なる最小構造サイズを有する構造を有する。レチクル7上の構造は、走査方向及びそれに対して垂直な方向に、特に、各場合にこれらの最小構造サイズの整数倍数である寸法を有することができる。走査方向の最小構造サイズとこの方向に対して垂直な最小構造サイズとの比は、これらの方向における結像スケールの比にちょうど反比例する。走査方向の最小構造サイズとこの方向に対して垂直な最小構造サイズとは、特に互いから少なくとも10%だけ、特に少なくとも20%だけ、特に少なくとも50%だけ異なる。
レチクル7は、走査方向に対して垂直な方向に少なくとも104mmの幅を有する。レチクル7は、特に、走査方向のより強い縮小に適合させられた長さを有する。レチクル7は、特に、104mmの幅及び264mmの長さを有する。レチクルの長さは、特に、132mmよりも長い。レチクルの長さは、特に少なくとも140mm、特に少なくとも165mm、特に少なくとも198mmである。
投影露光系1に対して使用することができる投影光学系9の更に別の構成を図4及び図5に示している。図2及び図3を参照して上述したものに対応する構成要素は同じ参照番号を有し、これらに対しては再度詳細には論じない。
ミラーM3は、光学的使用領域内にいずれの貫通開口部も持たない。しかし、ミラーM3の機械的構成は、ミラーM4からミラーM5に進む光が、一体的に構成されたM3のミラー本体のミラー開口部を通過するように選択することができる。
ミラーM1、M3、M4、及びM6は、凹反射面を有する。ミラーM2及びM5は、凸反射面を有する。
この実施形態において、ミラーM2とM3の間のビーム経路は、ミラーM4とM5の間のビーム経路と交わる。
この実施形態において、ミラーM5は、像視野10に対して走査方向に物体視野5と同じ側に配置される。
次に、図4及び図5に記載の投影光学系9の光学設計データを下記の表に要約する。自由曲面の数学的記述は、図2及び図3に記載の構成を参照して上述したものに対応する。図4及び図5に記載の構成に関する表の構造は、図2及び図3に記載の構成に関するものに同じく対応する。
(表)
Figure 0005938043
(表)
Figure 0005938043
(表)
Figure 0005938043
(表)
Figure 0005938043
図6及び図7は、投影露光系1に対して使用することができる投影光学系9の更に別の設計を示している。図2及び図3を参照して上述したものに対応する構成要素は同じ参照番号を有し、これらに対しては再度詳細には論じない。
図6及び図7に記載の投影光学系9は、物体視野5から始めてビーム経路方向に順次M1からM6と番号を振った合計で6つのミラーM1からM6を有する。図6及び図7に記載の投影光学系9は、1865mmの光学全長を有する。
ミラーM1、M4、及びM6は、凹反射面を有する。ミラーM5は、凸反射面を有する。ミラーM2及びM3は、1つの方向に凸であり、この方向に対して直交する方向に凹であり、言い換えれば、ミラーの中心点において鞍面の形状を有する。
ミラーM5は、この実施形態においても走査方向に像視野10に対して物体視野5と同じ側に配置される。
次に、図6及び図7に記載の投影光学系9の光学設計データを下記の表に示している。自由曲面の数学的記述は、図2及び図3に記載の構成を参照して上述したものに対応する。図6及び図7に記載の構成に関する表の構造は、図2及び図3に記載の構成に関するものに同じく対応する。
(表)
Figure 0005938043
(表)
Figure 0005938043
(表)
Figure 0005938043
(表)
Figure 0005938043
図8及び図9は、投影露光系1に対して使用することができる投影光学系9の更に別の構成を示している。図2及び図3を参照して上述したものに対応する構成要素は同じ参照番号を有し、これらに対しては再度詳細には論じない。
図8及び図9に記載の投影光学系9は、8つのミラーM1からM8を有する。ミラーM1からM6は、第1の部分レンズ系26を形成する。ミラーM7及びM8は、第2の部分レンズ系27を形成する。ミラーM8は、光学的使用領域内に結像光が通過するための貫通開口部28を有する。ミラーM1からM7は、閉じた、言い換えれば、光学的使用領域内に貫通開口部を持たない反射面を有する。従って、図8及び図9に記載の投影光学系9は、光学的使用領域内の貫通開口部28を有するミラーをちょうど1つ有する。言うまでもなく、投影光学系9は、8つのミラーM1からM8のうちの1つよりも多いものが光学的使用領域内に貫通開口部を有する8つのミラーで構成することができる。
ミラーM3とM5の間のビーム経路には、瞳面24が位置する。ミラーM7とM8の間には、瞳面29が位置する。図8及び図9に記載の投影光学系9も、2つの部分レンズ系26、27を有する。この投影光学系9は、幾何学的にミラーM8の貫通開口部の領域内に位置するちょうど1つの中間像を生成する。
ミラーM1、M2、M6、及びM8は、凹反射面を有する。ミラーM7は、凸反射面を有する。
図8及び図9に記載の投影光学系は、0.65の像側開口数を有する。図8及び図9に記載の投影光学系9の光学設計データを以下において先の例と同じく表に要約する。
(表)
Figure 0005938043
(表)
Figure 0005938043
(表)
Figure 0005938043
(表)
Figure 0005938043
(表)
Figure 0005938043
実施形態の先の説明から分るように、投影光学系9は、2つの主要平面に中間像を有するように構成される。
実施形態の先の説明から分るように、投影光学系9の結像スケール、特に、2つの部分レンズ系26、27の結像スケールは、2つの主要平面の方向に各場合に同じ符号を有する。特に、これらの結像スケールは、正の符号を有する。従って、いずれの像反転も発生しない。
微細構造化構成要素及びナノ構造化構成要素を生成するために、投影露光系1は、以下の通りに使用される。最初に、レチクル7及びウェーハ12が準備される。次に、投影露光系1を用いて、レチクル7上の構造がウェーハ12の感光層上に投影される。次に、感光層を現像することにより、ウェーハ12上に微細構造又はナノ構造が生成され、従って、微細構造化構成要素、例えば、高集積回路の形態にある半導体構成要素が生成される。
ウェーハ12上の感光層の露光中に、ウェーハ12は、ウェーハホルダ13を用いて走査方向に変位される。この場合、この変位は、特に、レチクルホルダ8を用いたレチクル7の走査方向の変位に対して同期して発生する。投影光学系9の走査方向の縮小結像スケールは、より高い走査速度によって補償することができる。

Claims (12)

  1. 投影露光系(1)のための結像光学系(9)であって、
    アナモフィック結像投影レンズ系(26,27)を有し、
    前記アナモフィック結像投影レンズ系(26,27)は、2つの主要平面の方向に同符号結像スケールを有し、
    前記アナモフィック結像投影レンズ系(26,27)は、少なくとも4つのミラーを含む、
    ことを特徴とする結像光学系(9)。
  2. 前記アナモフィック結像投影レンズ系は、少なくとも1つがアナモフィック結像を行う少なくとも2つの部分レンズ系(26,27)を有することを特徴とする請求項1に記載の結像光学系(9)。
  3. 円形射出瞳を特徴とする請求項1又は請求項2に記載の結像光学系(9)。
  4. 前記アナモフィック結像投影レンズ系(26,27)は、自由曲面を有する少なくとも1つのミラー(M1からM8)を含ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の結像光学系(9)。
  5. 第1の方向の第1の結像スケールと、該第1の結像スケールの少なくとも1.5倍大きい第2の方向の第2の結像スケールとを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の結像光学系(9)。
  6. 方向依存の物体側開口数(NAO)を特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の結像光学系(9)。
  7. 少なくとも0.4の像側開口数と、
    視野中心点に対する7°よりも小さい物体側主ビーム角度と、
    走査方向に対して垂直な方向に13mmよりも大きい幅を有する像視野(10)と、
    を特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の結像光学系(9)。
  8. 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の結像光学系(9)を有し、
    放射線(14)を放射線源(3)から物体視野(5)に伝達するための照明光学系(4)を有する、
    ことを特徴とする光学系。
  9. 請求項8に記載の光学系を有し、
    放射線源(3)を有する、
    ことを特徴とする投影露光系(1)。
  10. 走査方向に変位させることができる、レチクル(7)を保持するレチクルホルダ(8)を有し、
    結像光学系(9)の走査方向の結像スケールが、それに垂直な方向のものよりも小さい、
    ことを特徴とする請求項9に記載の投影露光系(1)。
  11. 請求項9又は請求項10に記載の投影露光系のためのレチクル(7)であって、
    少なくとも104mmの幅と、
    132mmよりも大きい長さと、
    を有することを特徴とするレチクル(7)。
  12. 微細構造化構成要素を生成する方法であって、
    レチクル(7)と感放射線層を有するウェーハ(12)とを準備する段階と、
    請求項9又は請求項10に記載の投影露光系(1)を用いて前記レチクル(7)上の構造を前記ウェーハ(12)上の前記感放射線層上に投影する段階と、
    前記ウェーハ(12)上の前記露光された層を現像する段階と、
    を有することを特徴とする方法。
JP2013528634A 2010-09-15 2011-09-13 結像光学系 Active JP5938043B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38307910P 2010-09-15 2010-09-15
US61/383,079 2010-09-15
DE102010040811.5 2010-09-15
DE102010040811A DE102010040811A1 (de) 2010-09-15 2010-09-15 Abbildende Optik
PCT/EP2011/065823 WO2012034995A2 (en) 2010-09-15 2011-09-13 Imaging optical system

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016096931A Division JP2016148873A (ja) 2010-09-15 2016-05-13 結像光学系

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013541729A JP2013541729A (ja) 2013-11-14
JP2013541729A5 JP2013541729A5 (ja) 2014-11-06
JP5938043B2 true JP5938043B2 (ja) 2016-06-22

Family

ID=44720862

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013528634A Active JP5938043B2 (ja) 2010-09-15 2011-09-13 結像光学系
JP2016096931A Pending JP2016148873A (ja) 2010-09-15 2016-05-13 結像光学系

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016096931A Pending JP2016148873A (ja) 2010-09-15 2016-05-13 結像光学系

Country Status (7)

Country Link
US (4) US9366968B2 (ja)
EP (2) EP4071535A1 (ja)
JP (2) JP5938043B2 (ja)
KR (2) KR102154770B1 (ja)
CN (1) CN106873135B (ja)
DE (1) DE102010040811A1 (ja)
WO (1) WO2012034995A2 (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102223843B1 (ko) 2009-11-24 2021-03-08 가부시키가이샤 니콘 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE102010040811A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102012208793A1 (de) * 2012-05-25 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102014208770A1 (de) * 2013-07-29 2015-01-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik
DE102014203188A1 (de) * 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Beleuchtung eines Objektfeldes einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102014203187A1 (de) * 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102014203189A1 (de) * 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Array
KR102340171B1 (ko) * 2014-02-24 2021-12-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 방법
WO2015124372A2 (en) * 2014-02-24 2015-08-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic system
DE102014214257A1 (de) 2014-07-22 2016-01-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum dreidimensionalen Vermessen eines 3D-Luftbildes einer Lithografiemaske
DE102014217229B4 (de) 2014-08-28 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum dreidimensionalen Vermessen eines 3D-Luftbildes einer Lithografiemaske sowie Metrologiesystem
CN106575088B (zh) 2014-07-22 2019-06-11 卡尔蔡司Smt有限责任公司 三维测量光刻掩模的3d空间像的方法
DE102014218474A1 (de) * 2014-09-15 2016-03-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren für die EUV-Mikrolithographie
DE102014223453A1 (de) 2014-11-18 2016-05-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
WO2016078819A1 (en) 2014-11-18 2016-05-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for euv projection lithography
DE102015201138A1 (de) 2015-01-23 2016-01-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102015203469A1 (de) 2015-02-26 2015-04-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer gekrümmten optischen Spiegelfläche
DE102015226531A1 (de) * 2015-04-14 2016-10-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
WO2016188934A1 (de) * 2015-05-28 2016-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende optik zur abbildung eines objektfeldes in ein bildfeld sowie projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden optik
DE102015216443A1 (de) 2015-08-27 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung einer Vorrichtung zum Schutz eines in einer Objektebene anzuordnenden Retikels gegen Verschmutzung
DE102016225220A1 (de) 2016-02-09 2017-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie sowie optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
US9865447B2 (en) * 2016-03-28 2018-01-09 Kla-Tencor Corporation High brightness laser-sustained plasma broadband source
DE102016205617A1 (de) 2016-04-05 2017-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage
US20180284735A1 (en) 2016-05-09 2018-10-04 StrongForce IoT Portfolio 2016, LLC Methods and systems for industrial internet of things data collection in a network sensitive upstream oil and gas environment
DE102016212477A1 (de) 2016-07-08 2018-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Messverfahren und Messsystem zur interferometrischen Vermessung der Abbildungsqualität eines optischen Abbildungssystems
WO2018113918A1 (de) * 2016-12-20 2018-06-28 Ev Group E. Thallner Gmbh Vorrichtung und verfahren zur belichtung einer lichtempfindlichen schicht
KR101950726B1 (ko) 2016-12-21 2019-02-21 한남대학교 산학협력단 멀티스케일 이미징 시스템
DE102017200935A1 (de) 2017-01-20 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Führung von EUV-Abbildungslicht sowie Justageanordnung für eine derartige abbildende Optik
KR101957353B1 (ko) 2017-11-16 2019-03-12 한남대학교 산학협력단 미러의 회전이 가능한 멀티스케일 이미징 시스템
KR101957357B1 (ko) 2017-11-16 2019-03-12 한남대학교 산학협력단 단일 미러를 사용한 멀티스케일 이미징 시스템
DE102018200167A1 (de) 2018-01-08 2019-07-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel, Beleuchtungsoptik und optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102018207277A1 (de) 2018-05-09 2019-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithografiemaske, optisches System zur Übertragung von Original Strukturabschnitten der Lithografiemaske sowie Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes, in dem mindestens ein Original-Strukturabschnitt einer Lithografiemaske anordenbar ist
DE102018208373A1 (de) 2018-05-28 2019-06-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie
DE102018210315B4 (de) * 2018-06-25 2021-03-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erfassung einer Struktur einer Lithografiemaske sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102018214437A1 (de) 2018-08-27 2018-10-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102019208961A1 (de) 2019-06-19 2020-12-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik und Projektionsbelichtungsanlage mit einer solchen Projektionsoptik
TWI764353B (zh) * 2020-11-03 2022-05-11 大陸商廣州立景創新科技有限公司 成像校正單元以及成像模組
DE102021205774A1 (de) 2021-06-08 2022-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102021205775A1 (de) 2021-06-08 2022-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102021213827A1 (de) 2021-12-06 2023-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Optimierung einer Pupillen-Blendenform zur Nachbildung von Beleuchtungs- und Abbildungseigenschaften eines optischen Produktionssystems bei der Beleuchtung und Abbildung eines Objekts mittels eines optischen Messsystems
DE102022209214A1 (de) 2022-09-05 2024-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Einzelspiegel eines Pupillenfacettenspiegels und Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1392086A (en) * 1972-03-29 1975-04-23 Rank Organisation Ltd Lenses
JPH0616485B2 (ja) * 1989-12-26 1994-03-02 広島大学長 単収束ミラーによる反射型2次元パターン縮小転写法および装置
JP3278303B2 (ja) * 1993-11-12 2002-04-30 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JP3513842B2 (ja) 1994-12-15 2004-03-31 株式会社ニコン 投影露光装置
US5710619A (en) * 1995-10-31 1998-01-20 Anvik Corporation Large-area, scan-and-repeat, projection patterning system with unitary stage and magnification control capability
JP3975492B2 (ja) * 1996-06-19 2007-09-12 株式会社ニコン 反射光学系およびそれを用いたプロキシミティ露光装置
US5891806A (en) * 1996-04-22 1999-04-06 Nikon Corporation Proximity-type microlithography apparatus and method
JPH11317344A (ja) * 1998-04-30 1999-11-16 Nikon Corp 露光装置
US6859515B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
DE10053587A1 (de) 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
US6924937B2 (en) * 1998-11-16 2005-08-02 Canon Kabushiki Kaisha Aberration correcting optical system
US6573978B1 (en) * 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
DE19931848A1 (de) * 1999-07-09 2001-01-11 Zeiss Carl Fa Astigmatische Komponenten zur Reduzierung des Wabenaspektverhältnisses bei EUV-Beleuchtungssystemen
DE50014428D1 (de) * 1999-07-30 2007-08-02 Zeiss Carl Smt Ag Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems
JP2001189254A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Nikon Corp 露光用レチクル、露光方法並びに半導体素子
JP2001318470A (ja) * 2000-02-29 2001-11-16 Nikon Corp 露光装置、マイクロデバイス、フォトマスク、及び露光方法
JP2002048977A (ja) * 2000-08-01 2002-02-15 Nikon Corp 反射光学系及びこの光学系を用いたプロキシミティ露光装置
EP1202100A3 (de) 2000-10-27 2005-04-06 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungssystem mit reduzierter Wärmebelastung
JP4099423B2 (ja) 2002-03-18 2008-06-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造法
JP2004031808A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Nikon Corp 露光装置の投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置及び該露光装置を用いた露光方法
CN1474253A (zh) 2002-08-07 2004-02-11 联想(北京)有限公司 掌上智能设备快捷键的定义方法
JP4428947B2 (ja) * 2003-06-30 2010-03-10 キヤノン株式会社 結像光学系
DE102005042005A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
TWI451125B (zh) 2005-09-13 2014-09-01 Zeiss Carl Smt Gmbh 顯微蝕刻投影光學系統、包含此一光學系統之顯微蝕刻工具、使用此一顯微蝕刻工具於顯微蝕刻生產微結構元件之方法、藉此一方法所生產之微結構元件以及於此一光學系統中設計一光學表面的方法
DE102006043251A1 (de) * 2005-09-13 2007-03-15 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Objektiv, Herstellungsverfahren mikrostrukturierter Bauteile mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauteil
DE102006031654A1 (de) * 2006-04-24 2007-10-25 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel mit einer Vielzahl von Spiegelsegmenten
JP2008046210A (ja) 2006-08-11 2008-02-28 Elpida Memory Inc レチクル及びこれを用いた露光方法及び装置、並びにレチクルのパターン作成方法、パターン形成方法及び半導体装置
EP1930771A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-11 Carl Zeiss SMT AG Projection objectives having mirror elements with reflective coatings
US7929114B2 (en) * 2007-01-17 2011-04-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection optics for microlithography
EP1950594A1 (de) * 2007-01-17 2008-07-30 Carl Zeiss SMT AG Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik
JP5269079B2 (ja) * 2007-08-20 2013-08-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 反射コーティングを備えたミラー要素を有する投影対物系
EP2048540A1 (en) 2007-10-09 2009-04-15 Carl Zeiss SMT AG Microlithographic projection exposure apparatus
NL1036108A1 (nl) * 2007-11-09 2009-05-12 Asml Netherlands Bv Device Manufacturing Method and Lithographic Apparatus, and Computer Program Product.
DE102007062198A1 (de) * 2007-12-21 2009-06-25 Carl Zeiss Microimaging Gmbh Katoptrisches Objektiv zur Abbildung eines im Wesentlichen linienförmigen Objektes
US20090168034A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-02 Jens Staecker Methods and Apparatus of Manufacturing a Semiconductor Device
DE102008009600A1 (de) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
DE102009008644A1 (de) 2009-02-12 2010-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
US8743342B2 (en) * 2009-11-17 2014-06-03 Nikon Corporation Reflective imaging optical system, exposure apparatus, and method for producing device
KR102223843B1 (ko) 2009-11-24 2021-03-08 가부시키가이샤 니콘 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE102010040811A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190086034A (ko) 2019-07-19
CN106873135A (zh) 2017-06-20
US20160259248A1 (en) 2016-09-08
KR102154770B1 (ko) 2020-09-11
CN106873135B (zh) 2020-04-14
KR102003073B1 (ko) 2019-10-04
EP2616865A2 (en) 2013-07-24
JP2016148873A (ja) 2016-08-18
US20170146912A1 (en) 2017-05-25
JP2013541729A (ja) 2013-11-14
WO2012034995A3 (en) 2012-05-18
US10007187B2 (en) 2018-06-26
WO2012034995A2 (en) 2012-03-22
CN103109225A (zh) 2013-05-15
DE102010040811A1 (de) 2012-03-15
US20130128251A1 (en) 2013-05-23
EP4071535A1 (en) 2022-10-12
US20190025710A1 (en) 2019-01-24
US9568832B2 (en) 2017-02-14
KR20130141462A (ko) 2013-12-26
EP2616865B1 (en) 2022-06-29
US9366968B2 (en) 2016-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5938043B2 (ja) 結像光学系
JP6799544B2 (ja) 物体視野を像視野内に結像するための結像光学ユニット及びそのような結像光学ユニットを含む投影露光装置
JP5319789B2 (ja) 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置
JP2022176242A (ja) 物体視野を像視野内に結像するための投影光学ユニット及びそのような投影光学ユニットを含む投影露光装置
JP2020074040A (ja) 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
JP5643755B2 (ja) 結像光学系
CN107111242B (zh) Euv投射光刻的照明光学单元
JP7071327B2 (ja) Euv投影リソグラフィのための投影光学ユニット
CN108292032B (zh) 将物场成像到像场中的成像光学单元,以及包括这种成像光学单元的投射曝光设备
JP5597246B2 (ja) 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置
TWI461733B (zh) 成像光學系統、具有此類型成像光學系統之用於微影的投射曝光設備以及用於製造結構化組件的方法
CN116249919A (zh) 用于投射曝光***的照明光学部件的数字微镜装置
JP7284766B2 (ja) Euvマイクロリソグラフィ用の結像光学ユニット
CN117441122A (zh) 成像光学单元

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140912

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140912

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150708

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150817

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20151105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160216

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160314

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160413

R155 Notification before disposition of declining of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R155

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160513

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5938043

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250