KR102340171B1 - 리소그래피 장치 및 방법 - Google Patents

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슈트 얀 버나드 플레첼무스 반
사샤 미구라
버나드 니어
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
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Abstract

리소그래피 장치로서, EUV 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성할 수 있는 패터닝된 영역을 포함하는 마스크를 지지하도록 구성되고, 스캐닝 방향으로 이동가능한 지지 구조체; 기판을 홀딩하도록 구성되고, 상기 스캐닝 방향으로 이동가능한 기판 테이블; 및 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 노광 지역 상에 투영하도록 구성되고, 상기 스캐닝 방향에 수직인 제 2 방향으로의 축소율보다 더 큰 상기 스캐닝 방향으로의 축소율을 가지는 투영 시스템으로서, 상기 제 2 방향으로의 축소율은 4x보다 더 큰, 리소그래피 장치.

Description

리소그래피 장치 및 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND METHOD}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2014 년 12 월 18 일 출원된 EP 출원 번호 제 13198051.8 호의 우선권을 주장하며, 이것은 그 전체 내용이 참조에 의해 본 명세서에 원용된다.
본 발명은 기판을 패터닝된 방사선 빔에 노광시키는 방법과 이러한 방법을 수행하기에 적합한 리소그래피 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 원하는 패턴을 기판에 적용하도록 구성된 기계이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)로도 지칭되는 패터닝 장치가 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟 영역(예컨대, 하나의 다이(die)의 일부분, 하나의 다이, 또는 여러 개의 다이를 포함) 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사사전-감응재(레지스트)층 위에의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 영역들의 네트워크를 포함할 것이다.
리소그래피는 IC 및 다른 디바이스 및/또는 구조의 제조의 중요한 단계들 중 하나로서 널리 인식된다. 그러나, 리소그래피를 사용하여 제조되는 피쳐의 치수가 점점 더 작아지기 때문에, 리소그래피는 소형 IC 또는 다른 디바이스 및/또는 구조가 제조되게 하기 위한 더 중요한 인자가 되어 가고 있다.
패턴 인쇄의 한계의 이론적 추정은 수학식 1 에 나타나는 바와 같은, 해상도에 대한 레일리 기준에 의하여 제공될 수 있다:
Figure 112016092412616-pct00001
여기에서 λ는 사용되는 방사선의 파장이고, NA는 패턴을 인쇄하기 위하여 사용되는 투영 시스템의 조리개수이며, k1은 레일리 상수라고도 불리는 공정 의존적 조절 인자이고, CD는 인쇄된 피쳐의 피쳐 사이즈(또는 임계 치수)이다. 수학식 1 로부터, 3 개의 방법: 노광 파장 λ를 단축시킴으로써, 조리개수 NA를 증가시킴으로써 또는 k1의 값을 감소시킴으로써 피쳐의 최소 인쇄가능한 크기(임계 치수)가 감소될 수 있다는 사실을 알 수 있다.
노광 파장 λ를 짧게 만들고, 이에 따라 임계 치수(CD)를 감소시키기 위하여, 극자외(EUV) 방사선 소스가 사용될 수 있다. EUV 방사선은 4 내지 20 nm의 범위 내의 파장을 가지는 방사선이라고 간주될 수 있다. EUV 방사선을 사용하는 리소그래피 장치는, 더 긴 파장(예를 들어 약 193 nm의 파장)의 방사선을 사용하는 리소그래피 장치보다 더 작은 피쳐를 기판 상에 형성하기 위하여 사용될 수 있다.
종래의 리소그래피 방법과 연관된 하나 이상의 문제점들을 없애거나 완화시키는, 기판을 패터닝된 방사선 빔에 노광시키는 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 양태에 따르면, 리소그래피 장치로서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성할 수 있는 패터닝된 영역을 포함하는 마스크를 지지하도록 구성되고, 스캐닝 방향으로 이동가능한 지지 구조체; 기판을 홀딩하도록 구성되고, 상기 스캐닝 방향으로 이동가능한 기판 테이블; 및 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 노광 지역 상에 투영하도록 구성되고, 상기 스캐닝 방향에 수직인 제 2 방향으로의 축소율보다 더 큰 상기 스캐닝 방향으로의 축소율을 가지는 투영 시스템으로서, 상기 제 2 방향으로의 축소율은 4x보다 더 큰, 리소그래피 장치가 제공된다.
방사선 빔은 EUV 방사선 빔일 수 있다.
투영 시스템의 제 2 방향으로의 축소율은 4.5x보다 더 클 수 있다.
투영 시스템의 제 2 방향으로의 축소율은 약 4.8x일 수 있다.
투영 시스템의 스캐닝 방향으로의 축소율은 6x보다 더 클 수 있다.
투영 시스템의 스캐닝 방향으로의 축소율은 약 7.5x일 수 있다.
마스크의 패터닝된 영역은 제 2 방향으로 104mm보다 더 큰 치수를 가질 수 있다.
투영 시스템의 제 2 방향으로의 축소율은, 제 2 방향으로 약 26 mm의 치수를 가지는 기판 상의 노광 지역을 노광시키도록 구성될 수 있다.
마스크의 패터닝된 영역은 스캐닝 방향으로 132 mm 이하인 치수를 가질 수 있다.
투영 시스템의 스캐닝 방향으로의 축소율은 스캐닝 방향으로 약 16.5 mm의 치수를 가지는 기판 상의 노광 지역을 노광시키도록 구성될 수 있다.
지지 구조체는 스캐닝 방향으로 약 6 인치의 치수를 가지는 지지 마스크를 지지하도록 구성될 수 있다.
지지 구조체는 제 2 방향으로 약 6 인치의 치수를 가지는 지지 마스크를 지지하도록 구성될 수 있다.
본 발명의 제 2 양태에 따르면, 리소그래피 장치를 사용하여 기판 상의 노광 지역을 노광하는 방법으로서, 방사선의 노광 슬릿을 스캐닝 방향으로 그리고 마스크의 패터닝된 영역 위에서 스캐닝하는 단계; 및 상기 마스크로부터 반사된 방사선의 노광 슬릿을 상기 스캐닝 방향에 수직인 제 2 방향으로의 축소율보다 더 큰 상기 스캐닝 방향으로의 축소율로 상기 기판의 노광 지역 상에 투영하는 단계로서, 상기 제 2 방향으로의 축소율은 4x보다 더 큰, 단계를 포함하는, 노광 방법이 제공된다.
방사선은 EUV 빔일 수 있다.
제 2 방향으로의 축소율은 4.5x보다 더 클 수 있고 특히 약 4.8x 5x 또는 5.1x일 수 있다.
스캐닝 방향으로의 축소율은 6x보다 더 클 수 있고 특히 약 6.3x, 7x, 7.5x 또는 7.9x일 수 있다.
마스크의 패터닝된 영역은 제 2 방향으로 104mm보다 더 큰 치수를 가질 수 있다.
제 2 방향으로의 축소율과 제 2 방향의 패터닝된 영역의 치수는, 기판 상의 노광 지역이 제 2 방향으로 약 26 mm의 치수를 가지게 할 수 있다.
마스크의 패터닝된 영역은 스캐닝 방향으로 132 mm 이하인 치수를 가질 수 있다.
제 2 방향으로의 축소율과 제 2 방향의 패터닝된 영역의 치수는, 기판 상의 노광 지역이 제 2 방향으로 약 16.5 mm의 치수를 가지게 할 수 있다.
마스크는 스캐닝 방향으로 약 6 인치의 치수를 가질 수 있다.
마스크는 제 2 방향으로 약 6 인치의 치수를 가질 수 있다.
마스크의 패터닝된 영역은 마스크의 품질 영역 상에 배치될 수 있다.
마스크의 품질 영역은 스캐닝 방향으로 약 132mm의 치수를 가질 수 있다.
마스크의 품질 영역은 제 2 방향으로 약 132mm의 치수를 가질 수 있다.
마스크의 품질 영역은 라운드형 모서리를 가질 수 있다.
라운드형 모서리는 각각 약 14mm의 반경을 가질 수 있다.
본 발명의 제 3 양태에 따르면, 리소그래피 장치용 마스크로서, 상기 마스크는 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성할 수 있는 패터닝된 영역을 포함하고, 상기 마스크는 사용 시에 상기 방사선 빔이 상기 패터닝된 영역 위에서 스캐닝되는 스캐닝 방향을 갖도록 구성되며; 상기 패터닝된 영역은 상기 스캐닝 방향에 수직인 제 2 방향으로 104mm보다 더 큰 치수를 가지는, 리소그래피 장치용 마스크가 제공된다.
방사선 빔은 EUV 방사선 빔일 수 있다.
패터닝된 영역은 마스크의 품질 영역에 배치될 수 있다.
마스크의 패터닝된 영역은 제 2 방향으로 약 124mm의 치수를 가질 수 있다.
마스크의 패터닝된 영역은 스캐닝 방향으로 약 124mm의 치수를 가질 수 있다.
마스크의 패터닝된 영역은 제 2 방향으로 약 132mm의 치수를 가질 수 있다.
마스크의 품질 영역은 라운드형 모서리를 가질 수 있다.
라운드형 모서리는 각각 약 14mm의 반경을 가질 수 있다.
마스크는 스캐닝 방향으로 약 6 인치의 치수를 가질 수 있다.
마스크는 제 2 방향으로 약 6 인치의 치수를 가질 수 있다.
본 발명의 제 4 양태에 따르면, 기판 상의 노광 지역을 리소그래피 장치를 사용하여 노광하는 방법으로서, 방사선의 노광 슬릿을 스캐닝 방향으로 그리고 마스크의 패터닝된 영역 위에서 스캐닝하는 단계로서, 마스크의 패터닝된 영역은 스캐닝 방향으로 132 mm 이하의 치수와 스캐닝 방향에 수직인 제 2 방향으로 적어도 약 104mm인 치수를 가지는, 단계, 및 마스크로부터 반사된 방사선의 노광 슬릿을 제 2 방향으로의 축소율보다 더 큰 스캐닝 방향으로의 축소율로 기판의 노광 지역 상에 투영하는 단계를 포함하는, 노광 방법이 제공된다.
방사선은 EUV 방사선일 수 있다.
스캐닝 방향으로의 축소율은 6x보다 더 클 수 있다.
제 2 방향으로의 축소율은 적어도 약 4x일 수 있다.
제 2 방향으로의 축소율은 4x보다 더 클 수 있다.
제 2 방향으로의 축소율은 4.5x보다 더 클 수 있다.
마스크는 약 6 인치 이하인 스캐닝 방향의 길이를 가질 수 있다.
마스크는 약 6 인치의 제 2 방향의 길이를 가질 수 있다.
패터닝된 영역은 마스크의 품질 영역에 배치될 수 있다.
마스크의 품질 영역은 스캐닝 방향으로 약 132mm의 치수를 가질 수 있다.
마스크의 품질 영역은 제 2 방향으로 약 132mm의 치수를 가질 수 있다.
마스크의 품질 영역은 라운드형 모서리를 가질 수 있다.
라운드형 모서리는 각각 약 14mm의 반경을 가질 수 있다.
패터닝된 영역의 제 2 방향으로의 치수와 제 2 방향으로의 축소율은, 기판 상의 노광 지역의 제 2 방향으로의 치수가 약 26 mm이도록 할 수 있다.
패터닝된 영역의 스캐닝 방향으로의 치수와 스캐닝 방향으로의 축소율은, 기판 상의 노광 지역의 스캐닝 방향으로의 치수가 약 16.5mm이도록 할 수 있다.
본 발명의 제 5 양태에 따르면, 리소그래피 장치로서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성할 수 있는 패터닝된 영역을 포함하는 마스크를 지지하도록 구성되는 지지 구조체로서, 상기 지지 구조체는 스캐닝 방향으로 이동가능하고 마스크는 스캐닝 방향으로 약 6 인치의 치수를 가지고 스캐닝 방향에 수직인 제 2 방향으로 약 6 인치의 치수를 가지는, 지지 구조체, 기판을 홀딩하도록 구성되는 기판 테이블로서, 상기 기판 테이블은 스캐닝 방향으로 이동가능한, 기판 테이블, 및 패터닝된 방사선 빔을 기판의 노광 지역 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템으로서, 상기 투영 시스템은 제 2 방향으로의 축소율보다 더 큰 스캐닝 방향으로의 축소율을 가지는, 투영 시스템을 포함하는, 리소그래피 장치가 제공된다.
방사선 빔은 EUV 방사선 빔일 수 있다.
투영 시스템은 6x보다 더 큰 스캐닝 방향으로의 축소율을 가질 수 있다.
투영 시스템은 적어도 약 4x이고, 특히 약 4.8x 5x 또는 5.1x인 제 2 방향으로의 축소율을 가질 수 있다.
투영 시스템은 4x보다 더 크고, 특히 약 6.3x, 7x, 7.5x 또는 7.9x인 제 2 방향으로의 축소율을 가질 수 있다.
투영 시스템은 4.5x보다 더 큰 제 2 방향으로의 축소율을 가질 수 있다.
패터닝된 영역은 마스크의 품질 영역에 배치될 수 있다.
마스크의 품질 영역은 스캐닝 방향으로 약 132mm의 치수를 가질 수 있다.
마스크의 품질 영역은 제 2 방향으로 약 132mm의 치수를 가질 수 있다.
마스크의 품질 영역은 스캐닝 방향으로 약 124mm의 치수를 가질 수 있다.
마스크의 품질 영역은 제 2 방향으로 약 124mm의 치수를 가질 수 있다.
마스크의 품질 영역은 라운드형 모서리를 가질 수 있다.
라운드형 모서리는 각각 약 14mm의 반경을 가질 수 있다.
투영 시스템의 제 2 방향으로의 축소율은, 기판 상의 노광 지역의 제 2 방향으로의 치수가 약 26 mm가 되도록 구성될 수 있다.
투영 시스템의 스캐닝 방향으로의 축소율은, 기판 상의 노광 지역의 스캐닝 방향으로의 치수가 약 16.5mm가 되도록 구성될 수 있다.
지지 구조체는, EUV 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성할 수 있는 연장된 패터닝된 영역을 포함하는 연장된 마스크를 지지하도록 더욱 구성될 수 있는데, 연장된 마스크는 스캐닝 방향으로 6 인치보다 더 큰 치수를 가진다.
연장된 패터닝된 영역의 스캐닝 방향으로의 치수는 132mm보다 더 클 수 있다.
연장된 패터닝된 영역의 스캐닝 방향으로의 치수는 약 264mm일 수 있다.
연장된 패터닝된 영역의 제 2 방향으로의 치수는 적어도 약 104mm일 수 있다.
연장된 패터닝된 영역의 제 2 방향으로의 치수는 104mm보다 더 클 수 있다.
연장된 패터닝된 영역의 제 2 방향으로의 치수는 약 132 mm일 수 있다.
리소그래피 장치는, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성할 수 있는 연장된 패터닝된 영역을 포함하는 연장된 마스크를 지지하도록 구성되는 제 2 지지 구조체를 더 포함할 수 있는데, 연장된 마스크는 6 인치보다 더 큰 스캐닝 방향으로의 치수를 가진다.
방사선 빔은 EUV 방사선 빔일 수 있다.
연장된 패터닝된 영역의 스캐닝 방향으로의 치수는 132mm보다 더 클 수 있다.
연장된 패터닝된 영역의 스캐닝 방향으로의 치수는 약 264mm일 수 있다.
연장된 패터닝된 영역의 제 2 방향으로의 치수는 적어도 약 104mm일 수 있다.
연장된 패터닝된 영역의 제 2 방향으로의 치수는 104mm보다 더 클 수 있다.
본 발명의 실시예는 첨부된 도면을 참조하여 오직 예시적인 방식으로 이제 설명될 것이다:
도 1 은 리소그래피 장치와 방사원을 포함하는 리소그래피 시스템의 개략도이다;
도 2 는 스캐닝 노광 프로세스에서 사용될 수 있는 마스크와 이러한 노광 프로세스의 결과인 기판 상의 노광 필드의 개략도이다;
도 3 은 마스크의 단면도이다;
도 4 는 스캐닝 노광 프로세스에서 사용될 수 있는 마스크와 두 번의 노광 프로세스에서 형성되는 기판 상의 노광 필드의 개략도이다;
도 5 는 기판에 형성된 노광 필드의 두 개의 실시예의 개략도이다;
도 6 은 x-방향으로 연장되는 패터닝된 영역을 포함하는 마스크의 개략도이다; 그리고
도 7 은 스캐닝 노광 프로세스에서 사용될 수 있는 마스크와 연장된 마스크의 노광의 결과인 기판 상의 노광 필드의 개략도이다.
도 1 은 리소그래피 시스템을 도시한다. 리소그래피 시스템은 방사원(SO)과 리소그래피 장치(LA)를 포함한다. 방사원(SO)은 극자외(EUV) 방사선 빔(B)을 생성하도록 구성된다. 리소그래피 장치(LA)는 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어 마스크)를 지지하도록 구성되는 지지 구조체(MT), 투영 시스템(PS) 및 기판(W)을 지지하도록 구성되는 기판 테이블(WT)을 포함한다. 조명 시스템(IL)은 패터닝 디바이스(MA)에 입사하기 이전에 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하도록 구성된다. 투영 시스템(PS)은 방사선 빔(B)(이제 마스크(MA)에 의하여 패터닝됨)을 기판(W)에 투영시키도록 구성된다. 기판(W)은 이전에 형성된 패턴을 포함할 수도 있다. 이러한 경우에, 리소그래피 장치는 패터닝된 방사선 빔(B)을 이전에 기판(W)에 형성된 패턴과 정렬한다.
그러므로, 방사원(SO), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PS)은 모두 이들이 외부 환경으로부터 고립될 수 있게 구성되고 구현될 수 있다. 대기압 아래의 압력(예를 들어 수소)이 방사원(SO) 내에 제공될 수 있다. 진공이 조명 시스템(IL) 및/또는 투영 시스템(PS) 내에 제공될 수 있다. 대기압에 훨씬 못 미치는 압력의 적은 양의 가스(예를 들어 수소)가 조명 시스템(IL) 및/또는 투영 시스템(PS) 내에 제공될 수 있다.
도 1 에 도시되는 방사원(SO)은 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스라고 불릴 수 있는 타입이다. 예를 들어 CO2 레이저일 수 있는 레이저(1)가 에너지를 레이저 빔(2)을 통해, 연료 방출기(3)로부터 제공되는 주석(Sn)과 같은 연료로 전달하도록 구현된다. 비록 후속하는 설명에서 주석이 참조되지만, 임의의 적합한 연료가 사용될 수도 있다. 연료는 예를 들어 액체 형태일 수 있고, 예를 들어 금속 또는 합금일 수 있다. 연료 방출기(3)는, 예를 들어 액적의 형태인 주석을 궤적을 따라 플라즈마 형성 영역(4)으로 디렉팅하도록 구성되는 노즐을 포함할 수 있다. 레이저 빔(2)은 플라즈마 형성 영역(4)에서 주석에 입사한다. 레이저 에너지를 주석에 전달하면 플라즈마 형성 영역(4)에 플라즈마(7)가 생성된다. EUV 방사선을 포함하는 방사선이 여기 소거(de-excitation)와 플라즈마의 이온의 재결합이 이루어지는 동안에 플라즈마(7)로부터 방사된다.
EUV 방사선은 거의 수직인 입사 방사선 콜렉터(5)(좀 더 일반적으로는 흔히 정상 입사 방사선 콜렉터라고 불림)에 의하여 수집되고 집광된다. 콜렉터(5)는 EUV 방사선(예를 들어 13.5 nm와 같은 원하는 파장을 가지는 EUV 방사선)을 반사하도록 구현되는 다중층 구조를 가질 수 있다. 콜렉터(5)는 두 개의 타원 초점 포인트를 가지는 타원형 구성을 가질 수도 있다. 제 1 초점은 플라즈마 형성 영역(4)에 있을 수 있고, 제 2 초점은 아래에서 논의되는 중간 초점(6)에 있을 수 있다.
레이저(1)는 방사원(SO)으로부터 분리될 수 있다. 분리되는 경우, 레이저 빔(2)은, 예를 들어 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기, 및/또는 다른 광학기기를 포함하는 빔 전달 시스템(미도시)의 도움으로, 레이저(1)로부터 방사원(SO)으로 전달될 수 있다. 레이저(1)와 방사원(SO)은 합쳐져서 방사선 시스템이라고 간주될 수 있다.
콜렉터(5)에 의하여 반사되는 방사선은 방사선 빔(B)을 형성한다. 방사선 빔(B)은 포인트(6)에서 집속되어 플라즈마 형성 지역(4)의 이미지를 형성하고, 이것은 이제 조명 시스템(IL)에 대한 가상 방사원으로서 동작한다. 방사선 빔(B)이 집광되는 포인트(6)는 중간 초점이라고 지칭될 수 있다. 방사원(SO)은 중간 초점(6)이 방사원의 밀폐 구조(9) 내의 개구(8)에 또는 이에 근접하게 위치되도록 구현된다.
비록 도 1 은 방사원(SO)을 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스로 도시하지만, EUV 방사선을 생성하기 위하여 임의의 적합한 소스가 사용될 수도 있다. 예를 들어, EUV 방출 플라즈마는 연료(예를 들어 주석)를 플라즈마 상태로 변환하기 위하여 전기적 방전을 사용하여 생성될 수 있다. 이러한 타입의 방사원은 방전 생성 플라즈마(discharge produced plasma; DPP) 소스라고 지칭될 수 있다. 전기적 방전은 방사원의 일부를 형성할 수도 있거나 방사원(SO)으로의 전기적 접속을 통해서 연결되는 별개의 엔티티일 수도 있는 파워 서플라이에 의하여 생성될 수도 있다.
또는 방사원(SO)은 자유 전자 레이저를 포함할 수 있다. 자유 전자 레이저는 전자를 상대론적 속도까지 가속함으로써 EUV 방사선을 생성할 수 있다. 그러면 상대론적 전자는, 상대론적 전자가 발진 경로를 따라가게 하여 코히어런트 EUV 방사선의 유도 방출(stimulated emission)을 야기하는 언듈레이팅(undulating) 자기장을 통해 전달된다. 자유 전자 레이저는 EUV 방사선을 여러 개의 리소그래피 장치(LA)에 동시에 제공하기 충분한 EUV 방사선을 생성할 수 있다.
방사선 빔(B)은 방사원(SO)으로부터 조명 시스템(IL) 내로 전달되는데, 이것은 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된다. 조명 시스템(IL)은 다면형(facetted) 필드 미러 디바이스(10) 및 다면형 퓨필 미러 디바이스(11)를 포함할 수 있다. 다면형(faceted) 필드 미러 디바이스(10)와 다면형 퓨필 미러 디바이스(11)는 함께 원하는 단면 형상 및 원하는 각도 분포를 가지는 방사선 빔(B)을 제공한다. 방사선 빔(B)은 조명 시스템(IL)으로부터 전달되고 지지 구조체(MT)에 의하여 홀딩되는 패터닝 디바이스(MA) 상에 입사한다. 패터닝 디바이스(MA)는 방사선 빔(B)을 반사하고 패터닝한다. 조명 시스템(IL)은 다면형 필드 미러 디바이스(10) 및 다면형 퓨필 미러 디바이스(11)에 더하여 또는 그 대신에 다른 미러 또는 디바이스를 포함할 수 있다.
패터닝 디바이스(MA)로부터 반사된 이후에, 패터닝된 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)에 진입한다. 투영 시스템(PS)은 방사선 빔(B)을 기판 테이블(WT)에 의하여 홀딩되는 기판(W) 상에 투영하도록 구성되는 복수 개의 미러를 포함한다. 투영 시스템(PS)은 감소 인자를 방사선 빔에 적용하여, 패터닝 디바이스(MA) 상의 대응하는 피쳐보다 더 작은 피쳐가 있는 이미지를 형성한다. 비록 투영 시스템(PS)이 도 1 에서 두 개의 미러를 가지지만, 투영 시스템은 임의의 개수의 미러(예를 들어 6 개, 7 개, 8 개, 9 개 또는 10 개의 미러)를 포함할 수도 있다.
투영 시스템(PS)은 방사선 빔(B)을 기판(W)의 타겟 부분에 집광시킨다. 타겟 부분은 노광 필드라고 지칭될 수 있다. 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 상이한 타겟 부분들을 방사선 빔(B)의 경로에 포지셔닝하기 위하여 정확하게 이동될 수 있다. 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 하나 이상의 포지셔너(미도시)에 의하여 포지셔닝될 수 있다. 기판 테이블이 포지셔닝되는 정확도를 증가시키기 위하여, 방사선 빔(B)에 대한 기판 테이블(WT)의 포지션을 측정하기 위하여 하나 이상의 포지션 센서(미도시)가 사용될 수 있다. 하나 이상의 포지션 센서에 의하여 수행된 측정의 결과는 더 많은 포지셔너들 중 하나로 다시 전달될 수 있다.
도시된 장치는, 예를 들어 스캔 모드에서 사용될 수도 있는데, 방사선 빔에 부여된 패턴이 기판(W) 상에 투영되는 동안(즉, 동적 노광)에 지지 구조체(예를 들어 마스크 테이블; MT)와 기판 테이블(WT)은 동기적으로 스캐닝된다. 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)에 상대적인 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 축소율(demagnification)과 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수도 있다. 기판(W)에 입사하는 패터닝된 방사선 빔(B)은 방사선대(band)를 포함할 수 있다. 방사선대는 노광 슬릿이라고 지칭될 수도 있다. 스캐닝 노광 도중에, 기판 테이블(WT)과 지지 구조(MT)는, 노광 슬릿이 기판(W)의 노광 필드 위에서 이동하도록 이동될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 6 인치 바이 6 인치로 측정되는 마스크(MA)(이것은 6 인치 마스크라고 불릴 수 있음)를 지지하도록 구성될 수 있다. 이것은 리소그래피 장치에서 사용되기 위한 종래의 마스크 크기이고, 이러한 크기의 마스크를 제조하고 사용하도록 설정되는 많은 기반구조가 존재한다. 그러므로 리소그래피 장치가 6 인치 마스크를 사용할 수 있다면 유익할 수 있다.
도 2a 는 EUV 리소그래피 장치를 위한 종래의 6 인치 마스크(MA)의 개략도이다. 마스크(MA)는 반사성 재료를 포함한다. 예를 들어, 마스크(MA)는 EUV 방사선을 반사시키도록 최적화되는 다중층 미러를 포함할 수 있다. 마스크(MA)는 방사선 빔(B)에 부여될 패턴이 그 위에 형성되는 패터닝된 영역(21)을 포함한다. 예를 들어, EUV-흡수 재료를 반사성 마스크(MA)의 표면에 제공함으로써 패턴이 패터닝된 영역(21) 상에 형성될 수 있다.
마스크(MA)의 스캐닝 노광 시에, 패터닝된 영역(21)은 EUV 방사선으로 조명된다. 또한 도 2a 에는 노광 슬릿(23)이 도시된다. 노광 슬릿(23)은, 스캐닝 노광 시에 주어진 시간에 EUV 방사선으로 조명되는 마스크(MA)의 부분을 나타낸다. 도 2a 에 노광 슬릿(23)은 직사각형 형상을 가지는 것으로 도시되지만, 노광 슬릿(23)은 그 외의 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 노광 슬릿(23)은 곡선형일 수 있다.
스캐닝 노광 시에, 노광 슬릿(23)은 도 2a 에서 쌍촉 화살표로 표시되는 방향으로 패터닝된 영역(21) 상에서 스캐닝된다. 스캐닝 방향은 종래에 y-방향으로 지칭된다(도 2 에서 참조를 용이하게 하기 위하여 직교 좌표계가 표시됨). 마스크(MA)에 대한 노광 슬릿(23)의 이동은 양의 방향 또는 음의 y-방향으로 이루어질 수 있다. 패터닝된 영역(21) 상의 노광 슬릿(23)의 스캐닝은 통상적으로, 노광 슬릿(23)이 정지된 동안 마스크(MA)를 이동(y-방향으로)시킴으로써 이루어진다.
몇 가지 실시예들에서, 패터닝된 영역(21) 외부로 연장되는 마스크(MA)의 지역은 EUV 방사선으로 조명될 수 있다. 예를 들어, EUV 방사선으로 조명되는 지역은 패터닝된 영역(21)보다 더 넓은 너비로 마스크(MA) 상에서 연장될 수 있다. 그러나 패터닝된 영역(21) 외부의 마스크(MA)의 지역에는 EUV-흡수 재료가 제공되어, EUV 방사선이 패터닝된 영역(21) 안에 있는 마스크(MA)의 부분으로부터만 반사되게 할 수 있다.
도 2b 는 도 2 에서 묘사되는 마스크(MA) 시에 방사선에 노출되는 기판(W)의 노광 지역(31)을 개략적으로 도시한다. 도 2b 에는 노광 슬릿(23)도 도시된다. 통상적으로 스캐닝 노광 시에, 기판(W)은 마스크(MA)(역시 y-방향)의 스캐닝에 동기되어 y-방향으로 스캐닝되어, 노광 슬릿(23)이 마스크(MA)의 패터닝된 영역(21)과 기판(W)의 노광 지역(31) 상에서 스캐닝되게 한다.
단일 스캐닝 노광 시에 방사선에 노출되는 기판(W)의 지역의 크기는 투영 시스템(PS)의 확대율에 따라 달라진다. 통상적으로 투영 시스템(PS)은 마스크(MA)로부터 기판(W)으로 전달되는 방사선의 대역(노광 슬릿(23)을 형성)에 축소율을 적용한다. 그 결과, 마스크(MA)에 의하여 패터닝된 방사선 빔으로 부여되는 패턴의 대응하는 피쳐보다 더 작은 치수를 가지는 피쳐들이 기판(W) 상에 패터닝되게 된다.
종래의 리소그래피 장치(LA)의 투영 시스템(PS)은 x-방향과 y-방향 양자 모두에서 약 4x의 축소율을 인가할 수 있다. 종래의 6 인치 마스크는 x-방향으로 약 104mm 그리고 y-방향으로 약 132mm 연장되는 패터닝된 영역(21)을 포함할 수 있다. 이러한 경우에, 기판(W) 상의 노광 지역(31)은 x-방향으로 약 26 mm 그리고 y-방향으로 약 33 mm 연장된다.
그러나, 투영 시스템(PS)의 축소율을 x 및/또는 y-방향 중 적어도 하나에서 증가시키는 것도 바람직할 수 있다. 아래에서 설명될 바와 같이, 투영 시스템(PS)의 축소율을 y-방향에서 증가시키는 것이 바람직할 수 있다.
투영 시스템(PS)의 축소율을 증가시키는 것(종래의 투영 시스템(PS)의 4x 축소율보다 더 큰 축소율로)의 장점이 이제 도 3 을 참조하여 설명될 것이다. 도 3 은 마스크(MA)의 부분의 단면도이다. 도 2 와 도 3 을 쉽게 비교하기 위하여, 도 2 에서 사용된 것과 동일한 직교 좌표계가 도 3 에도 도시된다. 도 2 에 도시되는 x-방향은 도 3 의 지면에 수직이다. 도 3 에 도시되는 z-방향은 도 2 의 지면에 수직이다.
마스크(MA)는 제 1 재료(41) 및 제 2 재료(43)의 복수 개의 쌍의 교번 층을 포함한다. 제 1 재료(41) 및 제 2 재료(43)는 상이한 굴절률을 가진다. 재료(41, 43)의 층들의 두께와 굴절률들은 이러한 재료들이 다중층 미러 구조로서의 역할을 하게 하는 값들을 가진다.
EUV 방사선의 일련의 광선(35)이 도 3 에서 마스크(MA)에 입사하는 것으로 화살표로 도시된다. 제 1 재료(41)의 층과 제 2 재료(43)의 층 사이의 인터페이스에서 발생하는 굴절률의 변화가 일부 EUV 방사선이 각각의 인터페이스로부터 반사되게 한다. 예를 들어, EUV 방사선의 일부는, 방사선의 나머지가 더 아래의 층들로 투과되게 하면서 제 1 및 제 2 재료(41, 43) 사이의 최상측 인터페이스로부터 반사될 수 있다. 그러면 투과된 방사선의 일부는 마스크(MA)의 다중층 구조 내에 위치된 제 1 및 제 2 재료 사이의 인터페이스로부터 반사될 수 있다. 마스크(MA) 내의 다른 인터페이스들로부터의 반사광은 서로 보강 간섭하여 반사된 광선(37)을 형성한다. 마스크(MA)의 많은 상이한 층들로부터의 반사광의 결합 효과는, 다중층 미러 구조 내에 있는, 유효 반사면(47)으로부터 반사되는 반사된 EUV 방사선과 균등한 것으로 간주될 수 있다. 유효 반사면(47)은, 예를 들어 도 3 에 도시된 바와 같은 마스크(MA)의 상부면의 약 16 개의 층 아래에 포지셔닝될 수 있다. 방사선의 입사 광선(35) 모두는 도 3 에서 유효 반사면(47)으로부터 반사되는 것으로 도시된다. 그러나 일부 방사선들은 유효 반사면(47) 위의 위치로부터 반사될 수 있고 일부 방사선들은 유효 반사면(47) 아래의 위치로부터 반사될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
도 1 및 도 3 으로부터 이해될 수 있는 바와 같이, 마스크(MA)에 입사하는 EUV 방사선의 빔은 마스크(MA)에 수직으로 입사하지 않는다. 마스크(MA)로부터 연장하는 수직선에 대한 방사선 빔의 각도(즉 방사선 빔과 z-축 사이의 각도)는 주된 광선각(θ)(도 3 에 도시됨)이라고 지칭될 수 있다. 실무에서, 마스크(MA)는 일정 범위의 각도로부터 조명될 수 있고, 주된 광선각(θ)은 이러한 각도들의 평균이라고 간주될 수 있다. 쉽게 설명하기 위하여 주된 광선각(θ)에서 마스크(MA)에 입사하는 광선만이 도 3 에 도시된다.
다중층 미러 구조의 상부면 상에 EUV-흡수 재료의 영역(45)을 제공함으로써 패턴이 형성된다. EUV-흡수 재료의 두-블록(45a, 45b)이 도 3 에서 도시된다. 블록(45a, 45b)은 각각 폭 w 및 높이 h를 가진다. EUV 방사선이 마스크(MA)에 수직으로 입사한다면(즉 제로의 주된 광선각(θ) EUV-흡수 재료의 블록(45a, 45b)의 높이는 마스크(MA)에서 반사되는 방사선에 아무런 영향도 주지 않을 것이다. 그러나, EUV 방사선이 비-제로인 주된 광선각(θ)으로 마스크(MA)에 입사하기 때문에, 마스크(MA)의 다중층 구조에 의하여 반사되는 방사선 중 일부는 후속하여 EUV-흡수 재료의 블록(45a, 45b)에 의해 흡수된다. 예를 들어, 도 3 에서 도시되는 광선(35')은 EUV-흡수 재료가 제공되지 않는 마스크(MA)의 상부면의 부분에 입사하기 때문에 유효 반사면(47)에 의하여 반사된다. 그러나, 대응하는 반사된 광선(37')은 EUV-흡수 재료의 블록(45a)에 의하여 흡수되기 때문에 마스크(MA)를 떠나지 않는다.
입사 광선(35a)(도 3 에서 두꺼운 선으로 도시됨)은 블록(45a)의 좌측에 가장 가까운 광선을 나타내는데, 이것은 여전히 마스크(MA)를 떠나는(그리고 따라서 블록(45a)에 의하여 흡수되지 않는) 반사된 광선(37a)이 발생하게 한다. 입사 광선(35b)(도 3 에서 역시 두꺼운 선으로 도시됨)은 블록(45a)의 우측에 가장 가까운 광선을 나타내는데, 이것은 블록(45a)에 의하여 흡수되지 않으므로 반사된 광선(37b)이 된다. 반사된 광선들(37a 및 37b) 사이의 분리가 마스크(MA)로부터 반사되는 방사선에 패터닝되는 흡수 블록(45a)의 유효폭 w ef 을 나타낸다. 도 3 에서 알 수 있는 바와 같이, 흡수 블록(45a)은 블록(45a)의 폭 w보다 훨씬 더 큰 유효폭 w ef 을 가진다.
도 3 과 전술된 내용으로부터 이해될 수 있는 바와 같이, 주된 광선각(θ)이 증가하면 마스크(MA) 상에 패터닝되는 피쳐의 유효폭 w ef 이 증가하게 될 것이다. 패터닝된 피쳐의 유효폭 w ef 이 증가하는 것은, 기판(W) 상에 패터닝될 수 있는 피쳐의 얻을 수 있는 임계 치수(CD)가 증가될 수 있기 때문에 바람직하지 않을 수도 있다.
주된 광선각(θ)은 투영 시스템의 입구에서의 투영 시스템(PS)의 개구수를 고려하여 선택될 수 있다. 특히, 주된 광선각(θ)은 투영 시스템(PS)에 의하여 캡쳐되는 방사선의 캡쳐각이 마스크(MA)로부터 연장되는 수직선과 중첩하지 않도록 선택될 수 있다. 수학식 1 과 관련하여 전술된 바와 같이, 리소그래피 장치의 얻을 수 있는 CD를 감소시키기 위해서는, 투영 시스템(PS)의 개구수(NA)를 증가시키는 것이 바람직할 수 있다. 그러나 투영 시스템(PS)의 캡쳐각은 투영 시스템(PS)의 개구수가 증가함에 따라서 증가하기 때문에, 투영 시스템(PS)의 입구측에서 개구수가 증가되면 주된 광선각(θ)도 역시 증가되어야 한다(이것은 도 3 을 참조하여 전술된 것처럼 바람직하지 않을 수도 있음).
투영 시스템(PS)의 축소율을 증가시키는 것은, 투영 시스템(PS)의 마스크측의 개구수를 증가시키지 않으면서 투영 시스템(PS)의 기판측에서의 개구수가 증가되게 하기 때문에 바람직하다. 이러한 콘텍스트에서, "투영 시스템의 기판측이라는 용어는 기판 테이블(WT)에 가장 가까운 투영 시스템(PS)의 부분을 의미하는 의도를 가진다. "투영 시스템의 마스크측"이라는 용어는 지지 구조체(MT)에 가장 가까운 투영 시스템(PS)의 부분을 의미하는 의도를 가진다.
그러므로 투영 시스템(PS)의 축소율을 증가시키면, 투영 시스템(PS)의 마스크측의 개구수를 증가시킬 필요가 없이(따라서 주된 광선각(θ)을 증가시킬 필요가 없이) 투영 시스템(PS)의 기판측의 개구수가 증가되게 한다(이를 통하여 바람직하게는 임계 치수를 감소시킴). 그러므로 도 3 을 참조하여 전술된, 주된 광선각(θ)을 증가시키는 불리한 영향을 임계 치수를 감소시키면서 회피할 수 있다.
도 3 과 관련된 전술된 내용으로부터, 얻을 수 있는 임계 치수에 대한 주된 광선각(θ)의 영향은 y-방향으로 연장되는 피쳐의 치수(예를 들어 흡수 블록(45a, 45b)의 유효폭 w ef )에만 적용된다. x-방향에서 얻을 수 있는 임계 치수는 주된 광선각(θ)에 의하여 영향받지 않는다. x-방향의 조명은 마스크(MA)에 수직인 주된 광선각을 가지므로, 도 3 에서 예시된 문제점은 발생하지 않는다.
그러므로, 얻을 수 있는 임계 치수를 감소시키는 데에 특히 유리한 방법은 투영 시스템(PS)의 y-방향으로의 축소율을 증가시키는 것이다. 그러므로 투영 시스템(PS)의 축소율은 x-방향에서 축소율이 대응하여 증가되지 않은 채 y-방향에서 증가되는 것이 바람직할 수 있다. x 및 y-방향에서 상이한 축소율 인자를 적용하는 투영 시스템(PS)은 애너모픽(anamorphic) 투영 시스템(PS)이라고 지칭될 수 있다.
도 4a 는 도 2a 에 도시된 것과 같은 패터닝된 영역(21)을 포함하는 마스크(MA)의 개략도이다. 도 4b 는 마스크(MA)의 두 번의 스캐닝 노광의 결과로 얻어질 수 있는 기판(W) 상의 노광 지역(31)의 개략적인 표현이다. 마스크(MA)는 x-방향으로 약 104 mm 그리고 y-방향으로 약 132 mm 연장되는 패터닝된 영역(21)을 가지는 종래의 6 인치 마스크일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 도 4 에 도시되는 마스크(MA)의 스캐닝 노광은 x-방향으로 약 4x의 축소율과 y-방향으로 약 8x의 축소율을 적용하는 애너모픽 투영 시스템(PS)으로 수행될 수 있다. 그러므로 도 4a 에 도시되는 마스크(MA)의 패터닝된 영역(21)의 단일 스캐닝 노광의 결과로서 기판(W) 상의 제 1 필드(31a)가 노광된다. 기판(W) 상의 제 1 필드(31a)는 x-방향으로 약 26mm 그리고 y-방향으로 약 16.5 mm 연장될 수도 있다. 제 1 필드(31a)의 y-방향으로의 치수는, 약 4x의 축소율을 x 및 y-방향 양자 모두에 적용하는 투영 시스템(PS)을 가지는 종래의 리소그래피 장치에서 얻어지는 기판(W) 상의 노광 지역(예를 들어 도 2a 에 도시되는 노광 지역(31))의 y-방향으로의 치수의 약 절반이다. 약 4x의 축소율을 x 및 y-방향 양자 모두에 적용하는 투영 시스템(PS)을 가지는 종래의 리소그래피 장치로 얻어지는 기판(W) 상의 노광 지역은 풀-필드(31)라고 지칭될 수 있다. 제 1 필드(31a)가 풀-필드의 거의 절반인 면적을 가지므로, 제 1 필드(31a)는 제 1 하프-필드(31a)라고 지칭될 수 있다.
전술된 바와 같이, 제 1 하프-필드(31a)는 풀-필드의 y-방향으로의 치수의 거의 절반인 y-방향으로의 치수를 가진다. 풀-필드와 균등한 기판(W)의 지역을 노광하기 위하여, 제 2 하프-필드(31b)도 역시 노광될 수 있다. 제 1 하프-필드(31a) 및 제 2 하프-필드(31b)는 함께, 종래의 풀-필드와 균등한 치수를 가지는 결합된 노광 지역(31)의 노광이 일어나게 한다.
도 5 는 두 개의 하프 필드(31a, 31b)를 노광함으로써 형성될 수 있는 결합된 노광 지역(31)의 두 개의 실시예의 개략도이다. 도 5a 는 제 1 하프 필드(31a)가 제 1 다이(51a)와 제 1 다이(51a)를 둘러싸는 분리선(53a)을 포함하는 일 실시예를 도시한다. 제 2 하프 필드(31b)는 제 2 다이(51b)와 제 2 다이(51b)를 둘러싸는 분리선(53b)을 포함한다. 정렬 마크와 다른 피쳐들과 같은 패턴이 분리선(53a)과 분리선(53b) 안에 제공될 수 있다.
제 1 다이(51a)와 제 2 다이(51b)는 서로 동일할 수 있다. 이와 유사하게, 분리선(53a)과 분리선(53b)은 서로 동일할 수 있다. 따라서, 일 실시예에서는 동일한 마스크(MA)가 제 1 하프-필드(31a)와 제 2 하프-필드(31b) 양자 모두를 노광시키기 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 마스크(MA)는 x-방향으로 약 104mm과 y-방향으로 약 132mm 연장되는 패터닝된 영역(21)을 포함하는 종래의 6 인치 마스크일 수 있다. 제 1 하프-필드(31a)와 제 2 하프-필드(31b)는 x-방향으로 약 4x와 y-방향으로 약 8x의 축소율을 적용하는 애너모픽 투영 시스템(PS)을 사용하여 노광될 수 있다. 따라서 제 1 하프-필드(31a)와 제 2 하프 필드(31b) 각각은 x-방향으로 약 26mm와 y-방향으로 약 16.5mm 연장될 수 있다.
도 5b 는 제 1 하프-필드(31a)가 다이(51c)의 제 1 부분을 포함하고 제 2 하프-필드(31b)가 다이(51c)의 제 2 부분을 포함하는 일 실시예를 도시한다. 다이(51c)는 분리선(53c)에 의하여 둘러싸인다. 분리선(53c)의 제 1 부분은 제 1 하프-필드(31a)의 부분으로서 형성되고, 분리선(53c)의 제 2 부분은 제 2 하프-필드(31b)의 부분으로서 형성된다.
도 5b 에 도시되는 제 1 하프-필드(31a)는 다이(51c)를 형성하는 패턴의 제 1 부분이 제공되는 제 1 마스크(MA)를 노광함으로써 형성될 수 있다. 제 2 하프-필드(31b)는 다이(51c)를 형성하는 패턴의 제 2 부분이 제공되는 제 2 마스크(MA)를 노광함으로써 형성될 수 있다. 패턴의 제 1 및 제 2 부분은, 예를 들어 제 1 하프-필드(31a)와 제 2 하프-필드(31b)가 서로 만나는 에지를 따라서 서로 연결되는 피쳐를 포함할 수 있다. 피쳐들이 서로 연결되도록 제 1 및 제 2 패턴의 피쳐들을 정렬하는 기술은 스티칭(stitching)이라고 불릴 수 있다. 서로 연결되는 제 1 및 제 2 패턴의 피쳐들은 패턴들의 다른 부분에 있는 피쳐들의 임계 치수보다 더 큰 임계 치수를 가질 수 있다. 이러한 피쳐들의 임계 치수가 커지면, 두 개의 패턴을 정렬하는 오차에 대한 공차가 커지게 할 수 있다. 그러면, 집적 회로 또는 다른 디바이스가 정확하게 동작하지 않게 할 수 있는, 제 1 및 제 2 패턴의 피쳐들 사이가 잘 연결되지 않을 확률이 줄어들 수 있다.
일 실시예에서, 도 5b 에의 결합된 노광 지역(31)을 형성하도록 노광되는 제 1 및 제 2 마스크(MA)는 양자 모두, x-방향으로 약 104mm 그리고 y-방향으로 약 132mm 연장되는 패터닝된 영역(21)을 포함하는 종래의 6 인치 마스크일 수 있다. 제 1 하프-필드(31a)와 제 2 하프-필드(31b)는 x-방향으로 약 4x와 y-방향으로 약 8x의 축소율을 적용하는 애너모픽 투영 시스템(PS)을 사용하여 노광될 수 있다. 그러므로, 도 5b 의 제 1 하프-필드(31a)와 제 2 하프 필드(31b)는 x-방향으로 약 26mm와 y-방향으로 약 16.5mm 연장될 수 있다.
특히, 투영 시스템(PS)의 y-방향으로의 축소율을 증가시키는 것의 장점은 전술된 바 있다. 그러나, x-방향으로의 축소율을 증가시키는 것(예를 들어 5x의 축소율로) 역시 장점을 가진다. 특히, 투영 시스템(PS)의 축소율을 증가시키면, 기판(W) 상에 노광되는 패턴의 마스크(MA) 상의 결함에 대한 민감도가 감소된다. 이것은 종래의 4x 축소율이 사용되는 경우보다 결함의 크기가 더 많이 감소되기 때문이다. 이와 유사하게, 투영 시스템(PS)의 축소율을 증가시키면 마스크 상의 오염 입자에 대한 노광된 패턴의 민감도가 감소된다. 이것 역시 기판에 생기는 오염 입자의 이미지의 크기가 감소되기 때문이다.
추가적으로 기판(W)에서 수광되는 방사선량은 투영 시스템(PS)의 축소율을 증가시킴에 따라 증가된다. 이것은, 투영 시스템(PS)의 축소율을 증가시키면 방사선의 주어진 양에 노출되는 기판의 지역의 크기가 감소되기 때문이다. 그러므로 기판(W) 상의 단위 영역 당 방사선량이 증가된다. 그러면, 기판(W)에서 수광되는 방사선량의, EUV 방사선에 노출되는 기판(W) 상의 패턴의 지역과 EUV 방사선에 노출되지 않는 기판(W) 상의 패턴의 지역 사이에서의 차이가 증가되기 때문에 이것은 유리할 수 있다. 이러한 선량의 차이는 패턴이 기판(W)으로 전달되는 콘트라스트라고 지칭될 수 있다. 기판 상의 패턴의 콘트라스트를 증가시키는 것이 바람직할 수 있으며, 이것은 투영 시스템의 축소율을 증가시킴으로써 달성될 수 있다.
그러므로, 일반적으로 x-방향 및 y-방향 양자 모두에서 축소율을 증가시킴으로써 얻어지는 장점이 있다. 그러나, 마스크(MA) 상의 주어진 패터닝된 영역(21)에 대해서는, 투영 시스템(PS)의 축소율을 증가시키면 패터닝된 영역(21)의 단일 스캐닝 노광으로써 기판(W) 상으로 패터닝되는 노광 필드가 감소된다는 것이 이해될 것이다. 기판(W)의 주어진 노광 지역을 노광하는 것이 바람직할 수 있다. 그러므로 마스크(MA)의 단일 스캐닝 노광으로 얻어지는 노광 필드가 감소되면, 기판(W)의 주어진 노광 지역을 노광하기 위해서 수행되어야 하는 스캐닝 노광의 횟수가 증가될 수 있다. 수행돼야 하는 스캐닝 노광의 횟수가 증가되면 리소그래피 장치(LA)의 쓰루풋이 원하지 않게 감소될 수 있다.
도 5a 및 5b를 참조하여 위에서 설명된 실시예에서, y-방향으로 축소율을 증가시킨다는 것(4x로부터 8x로)은, 노광 지역(31)을 노광하기 위하여 두 번의 스캐닝 노광이 필요하다는 것을 의미한다. 그러므로 리소그래피 장치의 쓰루풋이 감소될 수 있다. 그러나, y-방향으로 임계 치수가 대응하여 감소하는 것은, 쓰루풋이 이처럼 감소되는 것을 정당화하기에 충분할 만큼 유리하다.
위에서 설명된 실시예에서 애너모픽 투영 시스템(PS)을 사용하면 y-방향으로의 축소율이 x-방향으로의 축소율보다 더 커지도록 증가될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 그러면, 리소그래피 장치의 쓰루풋이 함께 감소되는 것을 제한함과 동시에 얻을 수 있는 임계 치수가 줄어들 수 있다. 예를 들어, x-방향으로 4x의 축소율을 유지하면, 풀-필드(31)와 동일한 x-방향으로의 치수를 가지는 하프-필드(31a, 31b)가 노광된다. 이것은 풀-필드(31)를 노광하기 위하여 오직 두 번의 스캐닝 노광만 필요하다는 것을 의미한다. 이와 반대로, x-방향으로의 축소율도 역시 8x로 증가된다면, 풀-필드(31)를 노광하기 위해서 4 번의 스캐닝 노광이 필요할 것이고, 따라서 쓰루풋이 더 크게 감소하게 될 것이다.
투영 시스템(PS)의 축소율을 증가시키면서 리소그래피 장치의 쓰루풋을 감소시킬 수 있는 하나의 방법은 마스크(MA)의 크기를 증가시키는 것이다. 그러나, 많은 기반구조들은 종래의 6 인치 마스크를 제조하고 사용하도록 설정되었다. 그러므로 리소그래피 장치가 6 인치 마스크를 사용할 수 있다면 유익할 수 있다. 그러나, 예를 들어 도 2a 및 도 4a 로부터, 6 인치 마스크(MA) 상의 종래의 패터닝된 영역(21)(x-방향으로 약 104mm 그리고 y-방향으로 132mm 연장됨)은 패터닝된 영역(21)에 의하여 점유되지 않는 마스크(MA)의 많은 부분을 남겨 둔다는 것이 이해될 것이다.
패터닝된 영역(21)에 의하여 점유되지 않는 마스크(MA)의 일부는 기판(W)이 노출되는 방사선 빔을 패터닝하는 것이 아닌 목적들을 위하여 필요할 수 있다. 예를 들어, 패터닝된 영역(21) 밖의 마스크(MA)의 부분은 마스크(MA)를 지지 구조체(MT) 상에서 제자리에 홀딩하기 위하여 필요할 수 있다. 패터닝된 영역(21) 밖의 마스크(MA)의 다른 부분에는 마스크(MA)를 정렬하기 위하여 사용되는 정렬 마크가 제공될 수 있다. 그러나 위에서 설명된 것과는 다른 목적을 위하여 사용될 수 있는 마스크(MA)의 부분을 여전히 제공하면서 마스크(MA)의 패터닝된 영역(21)을 확장시키는 가능성이 존재한다. 특히, 마스크(MA)의 패터닝된 영역(21)은 x-방향으로 확장될 수 있다.
도 6 은 패터닝된 영역(21)을 수용할 수 있는 지역(22)을 포함하는 6 인치 마스크(MA)의 개략도이다. 패터닝된 영역(21)을 수용할 수 있는 지역(22)은 품질 영역(22)이라고 지칭될 수 있다. 품질 영역(22)은 x-방향으로 약 132mm 그리고 y-방향으로 약 132mm 연장될 수도 있다. 품질 영역(22)은 도 6 에 도시된 바와 같이 라운드형 모서리(25)를 가진다. 예를 들어, 라운드형 모서리(25)는 각각 약 14mm의 반경을 가질 수 있다. 또는 라운드형 모서리(25)는 각각 14mm보다 작은 반경을 가질 수 있다. 품질 영역(22)은 마스크(MA)에 의하여 수용될 수 있는 패터닝된 영역의 크기를 제한한다. 품질 영역 밖에서는, 마스크의 평평도와 마스크에 적용되는 코팅의 코팅 균일성이, 마스크의 해당 부분을 패터닝 영역으로서 이용하기에는 충분하지 않을 수 있다.
또한 도 6 에는 품질 영역(22) 내에 배치될 수 있는 패터닝된 영역의 3 개의 예가 도시된다. 도 6 에는 종래의 패터닝된 영역(21)이 도시되고, 이러한 영역은 예를 들어 x-방향으로 약 104mm의 치수와 y-방향으로 약 132mm의 치수를 가질 수 있다. 종래의 패터닝된 영역(21)의 스캐닝 노광은, x-방향으로 약 4x 그리고 y-방향으로 약 8x의 축소율을 가지는 애너모픽 투영 시스템(PS)을 사용하여 수행될 수 있다. 그러면 결과적으로 전술된 바와 같이 기판(W) 상의 하프-필드(즉 x-방향으로 약 26mm의 치수와 y-방향으로 약 16.5mm의 치수를 가지는 노광 필드)가 노광되게 된다.
또한 도 6 에는 종래의 패터닝된 영역(21)의 x-방향으로의 치수보다 더 큰 x-방향으로의 치수를 가지는 제 2 패터닝된 영역(21a)을 가지는 마스크의 일 실시예가 도시된다. 그러나, 품질 영역(22)의 라운드형 모서리(25) 때문에, 제 2 패터닝된 영역(21a)의 y-방향으로의 치수는 종래의 패터닝된 영역(21)과 비교할 때 감소된다. 바람직한 실시예에서, 제 2 패터닝된 영역(21a)은 x-방향으로 약 124mm의 치수와 y-방향으로 약 124mm의 치수를 가진다. 제 2 패터닝된 영역(21a)의 스캐닝 노광은 x-방향으로 약 4.8x 그리고 y-방향으로 약 7.5x의 축소율을 가지는 애너모픽 투영 시스템(PS)을 가지는 리소그래피 시스템을 사용하여 수행될 수 있다. 그러면 기판(W) 상의 하프-필드가 노광된다.
도 6 에는 종래의 패터닝된 영역(21) 및 제 2 패터닝된 영역(21a)의 x-방향으로의 치수보다 더 큰 x-방향으로의 치수를 가지는 제 3 패터닝된 영역(21b)도 역시 도시된다. 그러나, 품질 영역(22)의 라운드형 모서리(25) 때문에, 제 3 패터닝된 영역(21b)의 y-방향으로의 치수는 종래의 패터닝된 영역(21) 및 제 2 패터닝된 영역(21a) 양자 모두와 비교할 때 감소된다. 제 3 패터닝된 영역(21b)은, 예를 들어 x-방향으로 약 132mm의 치수와 y-방향으로 약 104mm의 치수를 가질 수 있다. 제 3 패터닝된 영역(21b)의 스캐닝 노광은 x-방향으로 약 5.1x 그리고 y-방향으로 약 6.3x의 축소율을 가지는 애너모픽 투영 시스템(PS)을 사용하여 수행될 수 있다. 그러면 기판(W) 상의 하프-필드가 노광된다. 필요할 경우, 리소그래피 장치의 조명 시스템(IL)은 노광 슬릿이 x-방향으로 약 132mm에 걸쳐 연장되게 하도록 변경될 수 있다.
도 6 에 도시되는 제 2 및 제 3 패터닝된 영역(21a, 21b) 양자 모두는 종래의 패터닝된 영역(21)의 치수보다 더 큰 x-방향으로의 치수를 가진다. 종래의 패터닝된 영역(21)보다 더 큰 x-방향으로의 치수를 가지는 패터닝된 영역(21a, 21b)은 투영 시스템(PS)의 축소율이 y-방향에서도 그리고 x-방향에서도 증가하게 할 수 있다. 패터닝된 영역(21a, 21b)의 치수와 투영 시스템(PS)의 축소율은, 마스크(MA) 상의 패터닝된 영역(21a, 21b)의 노광의 결과 기판(W) 상의 하프-필드가 노광되게 하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 패터닝된 영역(21a, 21b)을 노광하려면 기판(W) 상의 하프-필드를 노광하기 위하여 x-방향으로 4x보다 더 큰 축소율을 가지는 애너모픽 투영 시스템(PS)이 필요할 수 있다. 종래의 패터닝된 영역(21)의 x-방향으로의 치수보다 더 큰 x-방향으로의 치수를 가지는 패터닝된 영역(21a, 21b)은, 예를 들어 도 4 및 도 5 에 도시되는 하프-필드(31a, 31b)를 노광하기 위하여 4x보다 더 큰 x-방향으로의 축소율을 가지는 애너모픽 투영 시스템과 함께 사용될 수 있다.
투영 시스템(PS)의 축소율이 마스크 상에 있는 결함의 영향을 감소시키고 마스크 상의 오염 입자의 영향을 감소시키기 때문에, 4x보다 더 큰 x-방향으로의 축소율을 가지는 애너모픽 투영 시스템(PS)을 사용하면 유리하다. 애너모픽 투영 시스템(PS)의 x-방향으로의 축소율을 증가시키면, 유리하게도 기판(W) 상에서 패터닝되는 피쳐의 x-방향의 콘트라스트가 증가된다. 애너모픽 투영 시스템은, 예를 들어 4.5x보다 더 큰 x-방향으로의 축소율을 가질 수 있다.
위에서 도 6 과 관련하여 설명된 제 2 및 제 3 패터닝된 영역(21a, 21b)의 예들로부터, 품질 영역(22)이 라운드형 모서리(25)를 가진다는 것은 x-방향에서의 패터닝된 영역의 치수가 증가하게 되면 패터닝된 영역이 품질 영역(22) 안에 맞춤되도록 보장하기 위해서는 패터닝된 영역의 y-방향으로의 치수가 감소되어야 할 수 있다는 것을 의미한다는 것이 이해될 것이다. 전술된 바와 같이, 마스크(MA) 상의 패터닝된 영역을 노광하면 기판(W) 상의 하프-필드가 노광되는 것이 바람직할 수 있다. 그러므로 패터닝된 영역의 x-방향으로의 치수가 증가하면, x-방향으로의 축소율이 유리하게 증가되게 된다. 그러나, 이것은 패터닝된 영역의 y-방향으로의 치수가 감소되어야 할 수 있고, 그러면 또한 y-방향으로의 축소율이 감소(y-방향의 8x의 축소율에 비하여)되어야 할 수 있다. 일반적으로 y-방향으로의 축소율은 약 6x보다 더 클 수 있다.
마스크(MA) 상의 패터닝된 영역의 x 및 y-방향으로의 치수와 애너모픽 투영 시스템(PS)의 x 및 y-방향으로의 축소율은, x 및 y-방향의 애너모픽 투영 시스템(PS)의 축소율을 증가시키고 감소시키는 것의 상대적인 장점 및 단점을 조화시키는 것에 따라서 선택될 수 있다. 이러한 선택에서 고려되는 파라미터에는 콘트라스트, 마스크 에러 인자 및 결함 인쇄가능성 임계중 적어도 하나가 포함될 수 있다. 리소그래피 공정의 결함 인쇄가능성 임계는, 마스크의 패턴에 있는 결함의 크기의 임계 값으로서 정의되고, 이러한 임계 값 아래에서는 이러한 결함들이 기판에 이미징되지 않는다. 예를 들어, 제 2 패터닝된 영역(21a)을 종래의 패터닝된 영역(21)과 비교하면, 제 2 패터닝된 영역을 사용하면 y-방향으로의 축소율이 약 6% 감소하게 될 것이다(8x의 축소율로부터 시작하여). 그러면 기판(W) 상의 패턴의 콘트라스트가 약 6% 감소하게 된다. 그러나 x-방향으로의 축소율 및 콘트라스트는 약 20% 증가할 것이다(4x의 축소율로부터 시작하여). x-방향으로의 축소율이 20% 증가한다는 것은, 마스크(MA) 상의 패턴에 있는 결함과 마스크 상의 오염 입자에 대한 기판(W) 상의 패턴의 민감도가 x-방향으로 약 20%만큼 감소된다는 것을 의미한다. 종래의 패터닝된 영역(21)과 비교하여 y-방향의 제 2 패터닝된 영역(21a)의 치수가 감소된다는 것은, 노광 슬릿(23)이 스캐닝 노광 시에 스캐닝되는 길이가 감소된다는 것을 의미한다. 그러면 패터닝된 영역의 단일 스캐닝 노광을 수행하기 위하여 필요한 시간량이 감소될 것이고, 이것은 리소그래피 장치의 쓰루풋을 증가시킬 수 있다.
제 2 패터닝된 영역(21b)의 다른 장점은, 제 2 패터닝된 영역(21a)의 총 면적이 종래의 패터닝된 영역(21)의 면적보다 약 12% 더 크다는 것이다. 이것은, 패터닝된 영역의 스캐닝 노광 시에 종래의 패터닝된 영역(21)과 비교할 때 제 2 패터닝된 영역(21a)의 노광 도중에 동일한 양의 EUV 방사선이 더 넓은 면적에 걸쳐 확산된다는 것을 의미한다. 그러므로 EUV 방사선에 노출됨으로써 발생되는 EUV 방사선의 열이 제 2 패터닝된 영역(21a)의 경우에는 감소될 것이다. 이것은, 마스크(MA)가 가열되면 마스크(MA) 상의 패턴에 왜곡이 생기게 할 수 있는 마스크(MA)의 원치않는 팽창을 야기할 수 있기 때문에 유리하다.
패터닝된 영역(21, 21a, 21b) 및 대응하는 축소율 값의 특정한 실시예들이 전술되었다. 그러나, 이러한 실시예들과 관련하여 설명된 이러한 장점들이 설명된 패터닝된 영역의 특정 치수와 축소율의 값들로 한정되는 것이 아니라는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 대안적인 실시예에서, 리소그래피 시스템은 x 방향에서 약 4.4x의 축소율과 y 방향에서 약 7.9x의 축소율을 가지는 애너모픽 투영 시스템(PS)을 가질 수 있다. 이러한 실시예에서, 제 2 패터닝된 영역(21a)은 x-방향으로 약 114mm의 치수와 y-방향으로 약 130mm의 치수를 가진다. 또 다른 실시예에서, 리소그래피 시스템은 x 방향에서 약 5.1x의 축소율과 y 방향에서 약 6.3x의 축소율을 가지는 애너모픽 투영 시스템(PS)을 가질 수 있다. 이러한 실시예에서, 제 2 패터닝된 영역(21a)은 x-방향으로 약 132mm의 치수와 y-방향으로 약 104mm의 치수를 가진다. 일반적으로, y-방향(스캐닝 방향)에서 약 132mm 이하로 그리고 x-방향으로 적어도 약 104mm 이상으로 연장되는 마스크(MA)의 패터닝된 영역(21)에 걸쳐 방사선의 노광 슬릿을 스캐닝함으로써 기판(W) 상의 노광 지역을 노광하는 것이 유리하다.
일반적으로 애너모픽 투영 시스템(PS)은 4x 이상인 x-방향 축소율을 가질 수 있다. 예를 들어, 애너모픽 투영 시스템(PS)은 4.5x보다 더 큰, 4.8x보다 더 큰, 또는 5x 이상인 x-방향 축소율을 가질 수 있다. 애너모픽 투영 시스템(PS)은 6x 이상인 y-방향 축소율을 가질 수 있다. 예를 들어, 애너모픽 투영 시스템(PS) 6.5x보다 더 큰, 7x보다 더 큰, 또는 7.5x보다 더 큰 y-방향 축소율을 가질 수 있다.
마스크의 패터닝된 영역(21)의 치수를 y-방향에서 약 132mm 이하로 제한하면, 패터닝된 영역(21)이 6 인치 마스크(MA)에 맞춤되게 된다. x-방향으로 적어도 104mm 연장되는 마스크(MA)의 패터닝된 영역(21)이 있으면, 기판(W) 상의 노광 지역이 종래의 풀 노광 필드의 x-방향으로의 치수 이상인 x-방향으로의 치수를 가질 수 있다.
패터닝된 영역의 x 및 y-방향 치수는 패터닝된 영역이 6 인치 마스크의 품질 영역(22) 내에 맞춤되게 보장하면서 노광 공정의 요구 사항에 따라서 조절될 수 있다. 패터닝된 영역의 x-방향 치수와 투영 시스템의 x-방향 축소율이, 기판 상의 노광 지역의 x-방향으로의 치수가 약 26 mm가 되게 하는 것이 바람직할 수 있다. 패터닝된 영역의 y-방향 치수와 투영 시스템의 y-방향 축소율이, 기판 상의 노광 지역의 y-방향으로의 치수가 약 16.5 mm가 되어 기판 상의 노광 영역이 하프-필드의 치수를 가지게 하는 것이 바람직할 수 있다.
종래의 풀 노광 필드의 x-방향으로의 치수 이상인 x-방향으로의 치수를 가지는 기판(W) 상의 노광 지역을 계속 형성하면서, x-방향 축소율은 5x까지 증가될 수 있다. 이것은 6 인치 마스크 상의 패터닝된 영역(21)을 x-방향으로 연장시킴으로써 이루어질 수 있다. 예를 들어, 패터닝된 영역(21)은 x-방향으로 약 132mm까지의 치수를 가질 수 있다. 패터닝된 영역(21)은, x-방향으로 약 132mm의 치수와 y-방향으로 약 132mm의 치수를 가지는 마스크(MA)의 품질 영역(22) 내에 맞춤될 수 있다. 품질 영역(22)은 라운드형 모서리(25)를 가질 수 있다. 라운드형 모서리(25)는 각각 약 14mm 이하의 반경을 가질 수 있다.
마스크(MA)로부터 반사되는 방사선의 노광 슬릿(23)을 x-방향 축소율보다 더 큰 y-방향 축소율로 기판의 노광 지역 상에 투영하는 것이 유리하다. y-방향의 얻을 수 있는 임계 치수는 방사선이 마스크(MA) 상에 입사하는 주된 광선 각도 θ의 영향에 의하여 제한된다. 그러므로 y-방향 축소율을 증가시키면 얻을 수 있는 임계 치수를 감소시키는 데에 특히 유리하다. x-방향 축소율을 증가시키는 것과 연관된 장점들도 존재하지만, 종래의 풀 노광 필드의 -방향으로의 치수와 같은 x-방향으로의 치수를 가지는 기판(W) 상의 노광 지역을 형성하는 것도 역시 유리하다. 그러면 종래의 풀 노광 필드가 두 번의 스캐닝 노광만으로 노광될 수 있고, 따라서 축소율이 증가되는 것으로부터 초래될 수 있는 리소그래피 장치의 쓰루풋이 감소되는 것이 제한된다.
위의 설명으로부터, 피쳐들의 얻을 수 있는 임계 치수가 x 및 y-방향에서 상이할 수 있다는 것이 이해될 것이다. x 및 y-방향에서 얻을 수 있는 임계 치수는 마스크(MA) 상의 패터닝된 영역의 치수와 애너모픽 투영 시스템(PS)의 x 및 y-방향에서의 축소율의 값에 따라 달라질 수 있다. 위에서 설명된 바와 같은 리소그래피 공정을 사용하여 제조될 디바이스의 설계자는, 디바이스의 피쳐들을 x 및 y-방향에서의 얻을 수 있는 임계 치수에 따라 정렬할 수 있다. 예를 들어, 얻을 수 있는 임계 치수는 x-방향보다 y-방향에서 더 작을 수 있다. 이러한 경우에, 디바이스의 설계자는, 디바이스의 피쳐들이 y-방향으로 연장되는 그들의 최소 치수를 가지도록, 디바이스의 피쳐들을 정렬할 수 있다. 디바이스가 이러한 리소그래피 장치를 사용하여 노광되면, x-방향보다 y-방향에서 더 작은 임계 치수를 제공하는 조명 모드가 사용될 수 있다. 예를 들어, y-방향으로 이격된 극점을 가지는 쌍극자 모드가 사용될 수 있다. 일반적으로, 본 발명의 일 실시예에서 x-방향보다 y-방향으로 더 많이 분리되는 방사선을 포함하는 조명 모드가 사용될 수 있다.
전술된 바와 같이, 많은 기반구조들은 6 인치 마스크를 제조하고 사용하도록 설정되었다. 그러므로 이러한 리소그래피 장치가 6 인치 마스크를 지지하도록 구성된 지지 구조체(MT)와 x-방향으로의 축소율보다 더 큰 y-방향(스캐닝 방향) 축소율을 가지는 투영 시스템(PS)을 포함하는 것이 바람직하다.
그러나, 리소그래피 장치가 6 인치 마스크보다 더 큰 마스크(MA)를 지지할 수 있는 것도 역시 유익할 수도 있다. 도 7a 는 6 인치 마스크보다 더 큰 연장된 마스크(MA')의 개략도이다. 특히, 연장된 마스크(MA')는 y-방향으로 6 인치보다 더 큰 치수를 가진다. 예를 들어, 연장된 마스크(MA')는 종래의 6 인치 마스크(MA)의 y-방향으로의 치수의 거의 두 배인 y-방향으로의 치수를 가질 수 있다. 연장된 마스크(MA')는 종래의 6 인치 마스크(MA) 상에 맞춤될 수 있는 패터닝된 영역(21)의 치수보다 더 큰 치수를 가지는 연장된 패터닝된 영역(21')을 포함한다. 예를 들어, 연장된 패터닝된 영역(21')은 y-방향으로 약 264mm의 치수를 가질 수 있어서, 종래의 6 인치 마스크(MA) 상의 패터닝된 영역의 치수보다 거의 두 배인 y-방향으로의 치수를 가질 수 있다.
패터닝된 영역(21')이 종래의 6 인치 마스크 상의 패터닝된 영역(21)보다 더 큰 치수를 가지도록 그 치수를 증가시키면, 기판(W) 상에 형성되는 노광 지역(31)의 치수가 증가된다. 도 7b 는 도 7a 에서 도시된 연장된 마스크(MA')의 스캐닝 노광 시에 기판(W) 상에 형성되는 노광 지역(31)의 개략도이다. 노광 지역(31)은 약 8x의 y-방향 축소율을 가지는 애너모픽 투영 시스템(PS)을 사용하여 형성될 수 있다. 마스크(MA) 상의 연장된 패터닝된 영역(21')은 풀 노광 필드(31)가 단일 스캐닝 노광으로 그리고 8x의 y-방향 축소율로 노광되게 할 수 있다는 것을 도 7 로부터 알 수 있다. 예를 들어, 풀 필드(31)는 종래의 풀-필드의 치수를 가질 수 있다(예를 들어, y-방향으로 약 26mm의 치수와 x-방향으로 약 33mm의 치수).
단일 스캐닝 노광으로써 풀 필드(31)를 노광시키기 위하여 연장된 마스크(MA')를 사용하면, 애너모픽 투영 시스템(PS)을 포함하는 리소그래피 장치의 쓰루풋이 증가될 수 있다. 종래의 리소그래피 장치에서 통상적인 것보다 더 빠른 속도로 노광 슬릿(23)은 연장된 패터닝된 영역(21') 상에서 스캐닝될 수 있다. 예를 들어, 스캔 속도는 종래의 리소그래피 장치와 비교할 때 약 2 의 인자만큼 증가될 수 있다. 그러면, 종래의 패터닝된 영역(21)이 노출되는 것과 거의 동일한 시간 기간 내에 연장된 패터닝된 영역(21')이 노광될 수 있다.
실시예에서, 연장된 패터닝된 영역(21')의 x-방향으로의 치수는 약 104mm일 수 있다. 이러한 실시예에서, 도 7b 에 도시되는 풀 노광 필드(31)는 약 4x의 x-방향 축소율을 가지는 투영 시스템(PS)을 사용하여 단일 스캐닝 노광에서 노광될 수 있다.
대안적인 실시예들에서, 연장된 패터닝된 영역(21')의 x-방향으로의 치수는 104mm보다 더 클 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 연장된 패터닝된 영역(21')의 x-방향으로의 치수는 약 130mm일 수 있다. 이러한 실시예에서, 도 7b 에 도시되는 풀 노광 필드(31)는 약 5x의 x-방향 축소율을 가지는 투영 시스템(PS)을 사용하여 단일 스캐닝 노광에서 노광될 수 있다. 다른 실시예들에서, 연장된 패터닝된 영역(21')은 x-방향으로 104mm보다 더 큰 다른 치수를 가질 수 있다. 이러한 연장된 패터닝된 영역(21')을 노광하기 위하여 사용되는 x-방향 축소율은, 기판(W) 상의 결과적으로 얻어지는 노광 필드(31)가 약 26mm와 실질적으로 동일해지도록(즉 종래의 풀 필드의 x-방향으로의 치수) 할 수 있다.
리소그래피 장치는 6 인치 마스크(MA)를 지지하도록 구성될 수 있고 연장된 마스크(MA')를 지지하도록 구성될 수 있다. 따라서 종래의 패터닝된 영역(21) 및 연장된 패터닝된 영역(21') 양자 모두를 노광하기 위하여 동일한 리소그래피 장치가 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는 6 인치 마스크(MA) 및 연장된 마스크(MA) 양자 모두를 지지(서로 다른 시간에)하도록 구성되는 지지 구조체(MT)를 포함할 수 있다. 또는 리소그래피 장치는 6 인치 마스크(MA)를 지지하도록 구성되는 적어도 하나의 지지 구조체와 연장된 마스크(MA')를 지지하도록 구성되는 적어도 하나의 지지 구조체(MT)를 포함하는 상호 교체가능한 지지 구조체(MT)를 포함할 수 있다. 지지 구조체(MT)는 노출될 마스크(MA)에 따라서 리소그래피 장치 내에서 교환될 수 있다.
6 인치 마스크(MA)를 지지하도록 구성되고 연장된 마스크(MA')를 지지하도록 구성되는 리소그래피 장치는 애너모픽 투영 시스템(PS)을 더 포함할 수 있다. 애너모픽 투영 시스템(PS)은 약 8x의 y-방향 축소율과 약 4x의 x-방향 축소율을 가질 수 있다. 또는 애너모픽 투영 시스템(PS)은 4x보다 더 큰 x-방향 축소율을 가질 수 있다. 예를 들어, 애너모픽 투영 시스템(PS)은 4.5x보다 더 큰, 4.8x보다 더 큰 x-방향 축소율과 5x 이상의 축소율을 가질 수 있다. 애너모픽 투영 시스템(PS)은 8x보다 적은 y-방향 축소율을 가질 수 있다. 예를 들어, 애너모픽 투영 시스템은 약 7.5x의 y-방향 축소율 또는 약 6.3x의 y-방향 축소율을 가질 수 있다. 일반적으로 애너모픽 투영 시스템(PS)은 6x보다 더 큰 y-방향 축소율을 가질 수 있다.
6 인치 마스크(MA) 및 연장된 마스크(MA') 양자 모두의 노광시에 동일한 애너모픽 투영 시스템(PS)이 사용될 수 있다. 기판(W) 상에 결과적으로 얻어지는 노광 지역(31)의 치수는 노광되는 마스크(MA)의 크기에, 그리고 특히 마스크(MA) 상의 패터닝된 영역(21)의 크기에 따라 달라질 것이다.
6 인치 마스크(MA)를 지지하도록 구성되고 연장된 마스크(MA')를 지지하도록 구성되는 리소그래피 장치는 리소그래피 장치의 사용자에게 더 큰 유연성을 제공할 수 있다. 리소그래피 장치의 y-방향 축소율이 증가하면, 종래의 리소그래피 장치와 비교할 때 얻을 수 있는 임계 치수를 더 쉽게 줄일 수 있다. 리소그래피 장치는, 리소그래피 장치의 쓰루풋이 거의 감소되지 않거나 아예 감소되지 않을 수 있는, 연장된 마스크(MA')를 노광하기 위하여 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는 6 인치 마스크(MA)를 노광하기 위해서도 역시 사용될 수 있고, 따라서 6 인치 마스크를 제조하고 사용하기 위하여 설정되는 많은 양의 기반구조와 호환가능하다.
집적 회로와 같은 디바이스를 제조할 때에 집적 회로 또는 다른 디바이스의 작은 임계 치수를 가지는 제 1 기능성 층을 제공하고, 디바이스의 더 큰 임계 치수를 가지는 후속 층들을 제공하는 것이 일반적이다. 그러므로, 전술된 바와 같은 애너모픽 투영 시스템(PS)을 포함하는 EUV 리소그래피 장치는 작은 임계 치수를 가지는 기판(W) 상의 제 1 기능성 층을 패터닝하기 위하여 사용될 수 있다. 그러면 기판(W)은 더 큰 임계 치수를 가지는 후속 층들을 패터닝하기 위하여 하나 이상의 다른 리소그래피 장치로 전달될 수 있다. 하나 이상의 다른 리소그래피 장치는 종래의 EUV 리소그래피 장치(예를 들어 x 및 y-방향 양자 모두에서 4x의 축소율을 가짐)를 포함할 수 있고, EUV 방사선을 사용하지 않는 리소그래피 장치(예를 들어 DUV 리소그래피 장치)를 포함할 수 있다.
리소그래피 장치의 애너모픽 투영 시스템은 US20130128251 에 기술된다. 본 발명의 실시예는 이러한 투영 시스템으로부터 변경된 투영 시스템을 사용할 수 있다. 투영 시스템과 이러한 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치는 4x, 4.4x, 4.5x, 4.8x, 5x, 5.1x의 x 방향 감소 인자를 가지는 것으로 지칭되었다. 투영 시스템과 이러한 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치는 6.3x, 7.5x, 7.9x 및 8x의 y 방향 감소 인자를 가지는 것으로 지칭되었다. 이러한 값의 감소 인자들은 근사값이라는 것과, 사용시에 투영 시스템의 축소율을 어느 정도 조절하는 것(예를 들어 리소그래피 장치의 공차를 수용하도록)이 가능할 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
비록 본 명세서에서 리소그래피 장치의 맥락에서 본 발명의 실시예가 특정하게 참조되었지만, 본 발명의 실시예는 다른 장치에서도 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예는 마스크 검사 장치, 계측 장치, 또는 웨이퍼(또는 다른 기판) 또는 마스크(또는 다른 패터닝 디바이스)와 같은 대상물을 측정하거나 처리하는 임의의 장치의 일부가 될 수 있다. 이러한 장치는 일반적으로 리소그래피 툴이라고 지칭될 수 있다. 이러한 리소그래피 툴은 진공 조건 또는 주변(비-진공) 조건을 사용할 수 있다.
"EUV 방사선"이라는 용어는 4-20 nm의 범위 내의, 예를 들어 13 - 14 nm의 범위 내의 파장을 가지는 전자기 방사선을 망라하는 것을 간주될 수 있다. EUV 방사선은 10 nm 미만의, 예를 들어 4-10 nm의 범위 내의, 예컨대 6.7 nm 또는 6.8 nm의 파장을 가질 수도 있다.
본 명세서에서 IC를 제조하는 분야에 리소그래피 장치를 이용하는 것에 대해 특히 언급될 수 있지만, 본원에서 기술된 리소그래피 장치는 다른 응용예를 가질 수 있음이 이해돼야 한다. 가능한 다른 적용예는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 가이드 및 검출 패턴(guidance 및 detection pattern), 평판 디스플레이, LCD(Liquid Crystal Display), 박막 자기 헤드 등의 제조를 포함한다.
비록 본 발명의 특정한 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 위의 설명은 한정적인 것이 아니라 예시적인 것으로 의도된다. 따라서, 다음 진술되는 청구항의 범위로부터 벗어나지 않으면서, 설명된 바와 같은 본 발명에 변경이 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다.

Claims (24)

  1. 리소그래피 장치로서,
    방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성할 수 있는 패터닝된 영역을 포함하는 마스크를 지지하도록 구성되고, 스캐닝 방향으로 이동가능한 지지 구조체;
    기판을 홀딩하도록 구성되고, 상기 스캐닝 방향으로 이동가능한 기판 테이블; 및
    상기 패터닝된 방사선 빔의 노광 필드를 상기 기판의 노광 지역 상에 투영하도록 구성되고, 상기 스캐닝 방향에 수직인 제 2 방향으로의 축소율보다 더 큰 상기 스캐닝 방향으로의 축소율을 가지는 투영 시스템을 포함하고,
    상기 제 2 방향으로의 축소율은 4x보다 더 크고, 상기 스캐닝 방향으로의 축소율은 8x보다 더 작으며, 상기 스캐닝 방향으로의 축소율과 상기 제 2 방향으로의 축소율 간의 차이는 1.2x보다 크거나 같고,
    상기 마스크의 패터닝된 영역은, 상기 스캐닝 방향으로, 패터닝된 영역의 외측 경계의 제 1 부분으로부터 상기 외측 경계의 반대쪽 제 2 부분에 걸쳐, 132 mm 미만의 횡치수를 가지고,
    상기 노광 필드는 상기 제 2 방향에 대응하는 방향으로 26 mm 이상의 횡치수를 가지는, 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 투영 시스템의 상기 스캐닝 방향으로의 축소율은 6x보다 더 큰, 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투영 시스템의 상기 제 2 방향으로의 축소율은 4.8x인, 리소그래피 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투영 시스템의 상기 스캐닝 방향으로의 축소율은 7.5x인, 리소그래피 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 마스크의 패터닝된 영역은, 상기 제 2 방향으로, 상기 외측 경계의 제 3 부분으로부터 상기 외측 경계의 반대쪽 제 4 부분에 걸쳐, 104mm보다 더 큰 횡치수를 가지는, 리소그래피 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 마스크의 패터닝된 영역은 마스크의 품질 영역 상에 배치되고, 상기 마스크의 품질 영역은 상기 스캐닝 방향으로 132mm의 치수를 가지는, 리소그래피 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 마스크의 패터닝된 영역은 상기 스캐닝 방향으로 124mm의 횡치수를 가지며, 상기 제 2 방향으로, 상기 외측 경계의 제 3 부분으로부터 상기 외측 경계의 반대쪽 제 4 부분에 걸쳐, 124mm의 횡치수를 가지는, 리소그래피 장치.
  8. 리소그래피 장치를 사용하여 기판 상의 노광 지역을 노광하는 방법으로서,
    방사선의 노광 필드를 스캐닝 방향으로 그리고 마스크의 패터닝된 영역 위에서 스캐닝하는 단계; 및
    상기 마스크로부터 반사된 방사선의 노광 슬릿을, 상기 스캐닝 방향에 수직인 제 2 방향으로의 축소율보다 더 큰 상기 스캐닝 방향으로의 축소율로 상기 기판의 노광 지역 상에 투영하는 단계를 포함하되,
    상기 제 2 방향으로의 축소율은 4x보다 더 크고, 상기 스캐닝 방향으로의 축소율은 8x보다 더 작으며, 상기 스캐닝 방향으로의 축소율과 상기 제 2 방향으로의 축소율 간의 차이는 1.2x보다 크거나 같고,
    상기 마스크의 패터닝된 영역은, 상기 스캐닝 방향으로, 패터닝된 영역의 외측 경계의 제 1 부분으로부터 상기 외측 경계의 반대쪽 제 2 부분에 걸쳐, 132 mm 미만의 횡치수를 가지고,
    상기 노광 필드는 상기 제 2 방향에 대응하는 방향으로 26 mm 이상의 횡치수를 가지는, 노광 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 방향으로의 축소율은 4.8x인, 노광 방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 스캐닝 방향으로의 축소율은 7.5x인, 노광 방법.
  11. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 마스크의 패터닝된 영역은, 상기 제 2 방향으로, 상기 외측 경계의 제 3 부분으로부터 상기 외측 경계의 반대쪽 제 4 부분에 걸쳐, 104mm보다 더 큰 횡치수를 가지는, 노광 방법.
  12. 삭제
  13. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 마스크의 패터닝된 영역은 상기 스캐닝 방향으로 124mm의 횡치수를 가지며, 상기 제 2 방향으로, 상기 외측 경계의 제 3 부분으로부터 상기 외측 경계의 반대쪽 제 4 부분에 걸쳐, 124mm의 횡치수를 가지는, 노광 방법.
  14. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 마스크의 패터닝된 영역은 상기 마스크의 품질 영역(quality area)에 배치되는, 노광 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 마스크의 품질 영역은 상기 스캐닝 방향으로 132mm의 치수를 가지는, 노광 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 마스크의 품질 영역은 상기 제 2 방향으로 132mm의 치수를 가지는, 노광 방법.
  17. 삭제
  18. 삭제
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  20. 삭제
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  24. 삭제
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6582971B2 (ja) * 2015-12-25 2019-10-02 Ａｇｃ株式会社 マスクブランク用の基板、およびその製造方法
KR102374206B1 (ko) 2017-12-05 2022-03-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
TWI683346B (zh) * 2018-10-22 2020-01-21 台灣積體電路製造股份有限公司 積體電路以及形成積體電路的方法
US10665455B2 (en) 2018-10-22 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method (and related apparatus) that reduces cycle time for forming large field integrated circuits
DE102019205271A1 (de) * 2019-04-11 2020-10-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060068300A1 (en) * 2004-09-29 2006-03-30 Hoya Corporation Mask blank substrate, mask blank, exposure mask, mask blank substrate manufacturing method, and semiconductor manufacturing method
JP2010107596A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2013541729A (ja) * 2010-09-15 2013-11-14 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結像光学系

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999031717A1 (fr) * 1997-12-12 1999-06-24 Nikon Corporation Procede d'exposition par projection et graveur a projection
JP4118585B2 (ja) * 2002-04-03 2008-07-16 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランクの製造方法
JP2004031808A (ja) 2002-06-27 2004-01-29 Nikon Corp 露光装置の投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置及び該露光装置を用いた露光方法
JP3938040B2 (ja) 2002-12-27 2007-06-27 キヤノン株式会社 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US8212988B2 (en) * 2004-08-06 2012-07-03 Carl Zeiss GmbH Projection objective for microlithography
JP4803576B2 (ja) 2004-09-29 2011-10-26 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク、露光用マスク、半導体デバイスの製造方法、及びマスクブランク用基板の製造方法
TWI451125B (zh) * 2005-09-13 2014-09-01 Zeiss Carl Smt Gmbh 顯微蝕刻投影光學系統、包含此一光學系統之顯微蝕刻工具、使用此一顯微蝕刻工具於顯微蝕刻生產微結構元件之方法、藉此一方法所生產之微結構元件以及於此一光學系統中設計一光學表面的方法
US7920338B2 (en) * 2006-03-28 2011-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Reduction projection objective and projection exposure apparatus including the same
EP1950594A1 (de) 2007-01-17 2008-07-30 Carl Zeiss SMT AG Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik
US8497980B2 (en) * 2007-03-19 2013-07-30 Nikon Corporation Holding apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
NL1036108A1 (nl) * 2007-11-09 2009-05-12 Asml Netherlands Bv Device Manufacturing Method and Lithographic Apparatus, and Computer Program Product.
JP5111205B2 (ja) * 2008-04-02 2013-01-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 反射型マスクおよびその検査方法ならびに半導体装置の製造方法
JP5279840B2 (ja) * 2008-11-27 2013-09-04 Ｈｏｙａ株式会社 多層反射膜付基板及び反射型マスクブランク並びに反射型マスクの製造方法
JP2011066079A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Toshiba Corp フレア補正方法及び半導体デバイスの製造方法
DE102009047179B8 (de) 2009-11-26 2016-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv
US8872875B2 (en) 2011-08-24 2014-10-28 Palo Alto Research Center Incorporated Single-pass imaging system with anamorphic optical system
DE102011083888A1 (de) 2011-09-30 2013-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende katoptrische EUV-Projektionsoptik
CN104136998B (zh) * 2011-12-28 2016-08-24 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于微光刻的掩模和扫描投射曝光方法
US9958787B2 (en) * 2012-09-21 2018-05-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and apparatus
DE102014208770A1 (de) * 2013-07-29 2015-01-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060068300A1 (en) * 2004-09-29 2006-03-30 Hoya Corporation Mask blank substrate, mask blank, exposure mask, mask blank substrate manufacturing method, and semiconductor manufacturing method
JP2010107596A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2013541729A (ja) * 2010-09-15 2013-11-14 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結像光学系

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