JP5905209B2 - 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
荷電粒子源から放出された荷電粒子ビームを所定形状にする第1のアパーチャと、
第1のアパーチャを透過した荷電粒子ビームを所望の形状と寸法のショットにする第2のアパーチャとを有する荷電粒子ビーム描画装置において、
実描画が行われていないときに、第2のアパーチャの開口部の周囲であって第2のアパーチャによって遮蔽される複数の位置に荷電粒子ビームを偏向し、各位置に所定の照射量の荷電粒子ビームが照射されるようにする偏向制御部を備えたことを特徴とするものである。
ステージの駆動を制御するステージ制御部と、
ステージの位置を測定するステージ位置測定部を有し、
偏向制御部は、ステージ制御部から情報を取得して実描画が行われているか否かを判断し、ステージ位置測定部からの情報を基に荷電粒子ビームの偏向位置を決定することが好ましい。
実描画が行われていないときに、第2のアパーチャの開口部の周囲であって第2のアパーチャによって遮蔽される複数の位置に荷電粒子ビームを偏向し、各位置に所定の照射量の荷電粒子ビームを照射することを特徴とするものである。
描画対象が載置されたステージが、第1のストライプの長手方向に移動した後、第2のストライプの所定位置に移動するまでの間のみ、開口部の周囲にある1点に荷電粒子ビームを照射し、次いで、ステージが、第2のストライプの長手方向に移動した後、第3のストライプの所定位置に移動するまでの間のみ、開口部の周囲にある上記1点とは別の1点に荷電粒子ビームを照射することが好ましい。
この場合、第1のストライプ、第2のストライプ、第3のストライプの順に描画される。これらのストライプは、隣接していてもよく、隣接していなくてもよい。
これらの関係は下記式で表される。
ここで、T=600Kとすると、
で表されるので、この式から電子ビームの照射時間tを算出することができる。尚、熱抵抗Rtと熱容量Ctは、いずれもアパーチャの材質や形状に依存する。また、温度Tは、汚染物質が付着しない温度に適宜設定される。
2 マスク基板
3 ステージ
4 ステージ駆動回路
5 位置回路
6 電子銃
7、8、9、11、12 各種レンズ
10 電子ビーム光学系
13 ブランキング用偏向器
14 成形偏向器
15 主偏向器
16 副偏向器
17 第1のアパーチャ
18 第2のアパーチャ
101、102 開口部
19 制御計算機
20 入力部
21 パターンメモリ
22 パターンデータデコーダ
23 描画データデコーダ
24 ブランキング回路
25 ビーム成形器ドライバ
26 主偏向器ドライバ
27 副偏向器ドライバ
28 副偏向領域偏向量算出部
29 セトリング時間決定部
30 偏向制御部
30a 汚染物質付着防止ビーム制御部
30b メモリ
51 描画されるパターン
52 ストライプ
53 副偏向領域
54 電子ビーム
61 照射像
62 ショット
201 CADデータ
202 設計中間データ
203 フォーマットデータ
300 描画装置
Claims (6)
- 荷電粒子源と、
前記荷電粒子源から放出された荷電粒子ビームを所定形状にする第1のアパーチャと、 前記第1のアパーチャを透過した荷電粒子ビームを所望の形状と寸法のショットにする第2のアパーチャとを有する荷電粒子ビーム描画装置において、
実描画中、描画処理が行われていないときに、前記第2のアパーチャの開口部の周囲であって前記第2のアパーチャによって遮蔽される複数の位置に前記荷電粒子ビームの全てを偏向し、各位置に所定の照射量の前記荷電粒子ビームが照射されるようにする偏向制御部を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記荷電粒子ビームによる描画対象が載置されるステージと、
前記ステージの駆動を制御するステージ制御部と、
前記ステージの位置を測定するステージ位置測定部と、
前記第2のアパーチャによって遮蔽される複数の位置それぞれについての偏向位置情報が格納されたメモリとを有し、
前記偏向制御部は、前記ステージ制御部から情報を取得して、前記第2のアパーチャによって遮蔽される複数の位置のいずれかに前記荷電粒子ビームの全てを偏向するか否かを判断し、前記複数の位置のいずれかに前記荷電粒子ビームの全てを偏向すると判断したときには、前記複数の位置のうちの所定の位置の偏向位置情報を前記メモリから取得して、該偏向位置情報にしたがって前記所定の位置に前記荷電粒子ビームの全てを偏向させることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記所定の照射量は、前記第2のアパーチャの温度を300℃以上とするのに必要な照射量であることを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 荷電粒子源から放出された荷電粒子ビームを第1のアパーチャで所定形状にし、さらに第2のアパーチャで所望の形状と寸法のショットにして、ステージ上に載置された描画対象にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
実描画中、描画処理が行われていないときに、前記第2のアパーチャの開口部の周囲であって前記第2のアパーチャによって遮蔽される複数の位置に前記荷電粒子ビームの全てを偏向し、各位置に所定の照射量の前記荷電粒子ビームを照射することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記ステージ上に前記描画対象が載置される前に、前記開口部の周囲を前記荷電粒子ビームで順に照射することを特徴とする請求項4に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記描画対象の描画領域は、短冊状の複数のストライプに仮想分割されており、
前記描画対象が載置された前記ステージが、第1のストライプの長手方向に移動した後、第2のストライプの所定位置に移動するまでの間のみ、前記開口部の周囲にある1点に前記荷電粒子ビームを照射し、次いで、前記ステージが、前記第2のストライプの長手方向に移動した後、第3のストライプの所定位置に移動するまでの間のみ、前記開口部の周囲にある前記1点とは別の1点に前記荷電粒子ビームを照射することを特徴とする請求項4に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
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