JP6579032B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
110 制御計算機
111 ショットデータ生成部
112 基準点検出部
113 オフセット変動量計算部
114 補正部
140 検出器
240 ファラデーカップ
Claims (5)
- 荷電粒子ビームを成形する第1アパーチャと、
前記第1アパーチャを通過したアパーチャ像の荷電粒子ビームが照射され、前記荷電粒子ビームを成形する第2アパーチャと、
前記第1アパーチャと前記第2アパーチャとの間に設けられ、前記荷電粒子ビームを偏向し、前記第2アパーチャ上における前記アパーチャ像の照射位置を決定する偏向器と、
前記第2アパーチャを通過した荷電粒子ビームの電流値を計測する検出器と、
荷電粒子ビームのショット数と、前記第2アパーチャ上における前記アパーチャ像の照射位置のずれに対応するオフセットの変動量との関係を規定する成形補正式を記憶する記憶部と、
前記偏向器のビーム偏向量を制御し、前記オフセットによる荷電粒子ビームの成形変動を補正する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記電流値を用いて前記第2アパーチャの開口の基準点の位置を検出し、前記基準点の位置に基づいて成形変動を補正する第1補正処理を所定時間間隔で実行すると共に、
前記荷電粒子ビームのショット数をカウントし、カウントしたショット数を前記成形補正式に代入してオフセット変動量を計算し、算出したオフセット変動量に基づいて成形変動を補正する第2補正処理を、前記第1補正処理の実行間隔の間に行うことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記制御部は、ショットサイズが所定値以下の前記荷電粒子ビームのショット数をカウントして前記第2補正処理を行うことを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 荷電粒子ビームを出射する工程と、
第1アパーチャの下方に設けられた第2アパーチャと、前記第1アパーチャと前記第2アパーチャとの間に設けられた偏向器とを用いて、前記第1アパーチャを通過したアパーチャ像の前記荷電粒子ビームを成形する工程と、
前記第2アパーチャを通過した前記荷電粒子ビームを試料に照射する工程と、
を備え、
前記第2アパーチャ上における前記アパーチャ像の照射位置のずれに対応するオフセットによる荷電粒子ビームの成形変動を補正する荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記第2アパーチャを通過した荷電粒子ビームの電流値を計測し、前記電流値を用いて前記第2アパーチャの開口の基準点の位置を検出し、前記基準点の位置に基づいて成形変動を補正する第1補正処理を所定時間間隔で実行すると共に、
前記荷電粒子ビームのショット数と、前記第2アパーチャ上における前記アパーチャ像の照射位置のずれに対応するオフセットの変動量との関係を規定する成形補正式を使用し、前記荷電粒子ビームのショット数をカウントし、カウントしたショット数を前記成形補正式に代入してオフセット変動量を計算し、算出したオフセット変動量に基づいて成形変動を補正する第2補正処理を、前記第1補正処理の実行間隔の間に行うことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - ショットサイズが所定値以下の前記荷電粒子ビームのショット数をカウントして前記第2補正処理を行うことを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記第1補正処理の実行間隔の間に前記第2補正処理を複数回行うことを特徴とする請求項3又は4に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
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