JP5890768B2 - 半導体ウエハ加工装置 - Google Patents
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Description
を当接させて該半導体ウエハの厚みを測定する接触型の厚み測定器と、前記半導体ウエハにレーザ光を照射し、該半導体ウエハの上面で反射されたレーザ光と下面で反射されたレーザ光との干渉波を受光して該半導体ウエハの厚みを非接触で測定する非接触型の厚み測定器と、を備える半導体ウエハ加工装置であって、前記加工水を供給する水用ノズルは、前記半導体ウエハの回転中心に向けて吐出する第1の水用ノズルと、前記研削砥石に対して前記半導体ウエハの回転方向上流側で、かつ半導体ウエハの外周面に向けて吐出する第2の水用ノズルを備え、前記非接触型の厚み測定器と前記接触型の厚み測定器は、前記半導体ウエハの外周近傍で、かつ前記研削砥石に対してウエハの回転方向下流側に設けてなる、構成としたことにより実現した。
2bの変化が差動トランスによって電圧信号に変換される。また、その変換信号が制御部28に入力され、制御部29では変換差電圧信号に基づいてチェックテーブル22の上面22aとウエハ11の裏面11bとの間の距離、すなわちウエハ11及び保護テープ15の厚さをリアルタイムに実測する。
29では非接触式厚み測定器26の受光部で各々受光された表裏面からの反射波による干渉波の波形を検波回路(図示せず)で分析し、その波形に応じてウエハ11の厚みを検出するようになっている。
11a 表面(下面)
11b 裏面(上面)
21 半導体ウエハ加工装置
22 チャックテーブル
23 研削砥石部
23a 研削砥石
24 水用ノズル
24a 第1の水用ノズル
24b 第2の水用ノズル
25 接触式厚み測定器
25a タッチセンサ
25b タッチセンサ
26 非接触式厚み測定器
27 エア供給源
28 記憶部
29 制御部
30 モータ
31 出力軸
32a プローブ
32b プローブ
33 エア吹き付け手段
34 エアのズル
34a 第1の孔
34b 第2の孔
35 開口
36 レーザ光の照射ポイント
40 レーザ光
41 エア
42 加工水
L チャックテーブルの回転方向
R 研削砥石部の回転方向
S 照射部位
t 薄膜
O ウエハの回転中心
Claims (3)
- 半導体ウエハの下面を保持手段により保持し、上面を研削砥石で加工水を供給しながら研削加工するとともに、研削加工中の前記半導体ウエハの上面にタッチセンサを当接させて該半導体ウエハの厚みを測定する接触型の厚み測定器と、前記半導体ウエハにレーザ光を照射し、該半導体ウエハの上面で反射されたレーザ光と下面で反射されたレーザ光との干渉波を受光して該半導体ウエハの厚みを非接触で測定する非接触型の厚み測定器と、を備える半導体ウエハ加工装置であって、
前記加工水を供給する水用ノズルは、前記半導体ウエハの回転中心に向けて吐出する第1の水用ノズルと、前記研削砥石に対して前記半導体ウエハの回転方向上流側で、かつ半導体ウエハの外周面に向けて吐出する第2の水用ノズルを備え、前記非接触型の厚み測定器と前記接触型の厚み測定器は、前記半導体ウエハの外周近傍で、かつ前記研削砥石に対してウエハの回転方向下流側に設けてなることを特徴とする半導体ウエハ加工装置。 - 上記非接触型の厚み測定器は、前記レーザ光を照射する前記半導体ウエハの照射部位にエアを吹き付け、該照射部位に前記加工水による一定厚みの薄膜を形成するエア吹き付け手段を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ加工装置。
- 上記非接触型の厚み測定器によるレーザ光を照射するレーザ照射部と、前記半導体ウエハの表面で反射されたレーザ光と前記半導体ウエハの裏面で反射されたレーザ光との干渉波を受ける受光部を、前記エア吹き付け手段のエア吹出口の真上に設けてなることを特徴とする請求項2に記載の半導体ウエハ加工装置。
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