JP5845320B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

Description

本発明は半導体発光装置の構成に関し、特に反射層の劣化を防止する実装基板の改良に関する。

近年、発光ダイオード（以後ＬＥＤと略記する）は半導発光体素子であるため、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有することから、カラー表示装置のバックライトや照明等に広く利用されるようになってきた。本実施形態においても半導体発光装置としてＬＥＤ発光装置を事例として説明する。

特に近年、携帯電話等の携帯機器に搭載する部品の小型化及び発光効率の高さが要求されており、上記携帯機器に組み込まれるＬＥＤ発光装置の実装構造にも小型化及び発光効率の高さの要望が強い。この結果ＬＥＤ発光装置の実装構造として実装基板に反射効率の良いＡｇメッキ層と半田付け性の良いＡｕメッキ層を採用した実装構造の提案がなされている（例えば引用文献１、引用文献２、引用文献３参照）。

以下引用文献１に記載された従来のＬＥＤ発光装置に付いて説明する。図１０は引用文献１に記載されたＬＥＤ発光装置１００を示すもので、（ａ）はＬＥＤ発光装置１００の断面図、（ｂ）は実装基板１０２の上面図を示す。

図１０（ａ）においてＬＥＤ発光装置１００は実装基板１０２の上面にはダイボンド用電極１０３と、ワイヤボンド用電極１０４が形成されており、それぞれダイボンド用電極１０３とワイヤボンド用電極１０４には実装基板１０２に張り付けられた銅箔をエッチングして形成した下地電極１０３ａ、１０４ａが形成されている（図１０（ｂ）では点線で示す）。そして下地電極１０３ａ、１０４ａの表面には、メッキ電極１０３ｂ、１０４ｂが形成されており、このメッキ電極部はＮｉ／Ａｕメッキ層またはＮｉ／Ａｇメッキ層である。

またメッキ電極部１０３ｂ、１０４ｂを露出させた状態において、下地電極１０３ａ、１０４ａを含む実装基板１０２の上面は全て被覆樹脂１０５によって被覆されている。さらにダイボンド用電極１０３とワイヤボンド用電極１０４とはスルーホール１０３ｃ、１０４ｃを介して、実装基板１０２の裏面側に出力電極１０３ｄ、１０４ｄを形成している。
なお、図１０（ａ）のスルーホール１０３ｃ、１０４ｃは図１０（ｂ）のスルーホール１０３ｃ、１０４ｃの中央位置にて切断した状態を示している。

ダイボンド用電極１０３のメッキ電極部１０３ｂにはＬＥＤ１が実装され、ワイヤー７によってメッキ電極部１０３ｂの一部と、ワイヤボンド用電極１０４のメッキ電極部１０４ｂに接続されている。また、ＬＥＤ１を実装した実装基板１０２の上面は透明樹脂または蛍光樹脂等の封止樹脂８によって封止されている。

すなわち、ＬＥＤ発光装置１００においては、Ｎｉ／Ａｕメッキ層またはＮｉ／Ａｇメッキ層によるメッキ電極部によってＬＥＤ１の発光を反射させて発光効率を高めようとしているものである。

次に引用文献２に記載された従来のＬＥＤ発光装置に付いて説明する。頭１１は引用文献２にきさいされたＬＥＤ発光装置２００を示すもので、（ａ）はＬＥＤ発光装置２００
の断面図、（ｂ）（ｃ）は実装記載２０２の断面図を示す。

図１１（ａ）においてＬＥＤ発光装置２００は実装基板２０２の上面にはダイボンド用電極２０３と、ワイヤボンド用電極２０４が形成されており、それぞれダイボンド用電極２０３とワイヤボンド用電極２０４には実装基板２０２に張り付けられた銅箔をエッチングして形成した下地電極２０３ａ、２０４ａが形成されている。そして下地電極２０３ａ、２０４ａの表面には、メッキ電極２０３ｂ、２０４ｂが形成されており、このメッキ電極部はＮｉ／Ａｇメッキ層である。このメッキ電極２０３ｂ、２０４ｂは配線導体としての機能とＬＥＤからの発光を反射させる反射層としての機能を有している。

またメッキ電極部２０３ｂ、２０４ｂを露出させた状態において、下地電極２０３ａ、２０４ａの上面は全て被覆樹脂２０５によって被覆されている。さらにダイボンド用電極２０３とワイヤボンド用電極２０４とはサイド電極２０３ｃ、２０４ｃを介して、実装基板２０２の裏面側に出力電極２０３ｄ、２０４ｄを形成している。

ダイボンド用電極２０３のメッキ電極部２０３ｂにはＬＥＤ１がダイボンドペースト等により固定され、ワイヤー７によってメッキ電極部２０３ｂの一部と、ワイヤボンド用電極２０４のメッキ電極部２０４ｂに接続されている。また、ＬＥＤ１を実装した実装基板２０２の上面には、メッキ電極２０３ｂ、２０４ｂの全てを被覆する状態でＳｉＯ_２膜２０６がメッキ電極の保護層として形成されている。

さらに、被覆樹脂２０５上には反射枠２０８が設けられ、この反射枠２０８内は透明樹脂または蛍光樹脂等の封止樹脂８によって充填されている。

次に図１１（ｂ）（ｃ）により実装基板２０２の上位面に対するＳｉＯ_２膜２０６の形成方法を説明する。図１１（ｂ）は図１１（ａ）にて完成した実装基板２０２の上面にスポイト３００によりＳｉＯ_２液２０６ａを滴下している状態をしめしており、この滴下されたＳｉＯ_２液２０６ａは図１１（ｃ）に示す如く枠形状の被覆樹脂２０５の内側全面に塗布され、加熱処理されることによって硬化し、ＳｉＯ_２膜２０６としてメッキ電極の保護層となる。なお、上記方式では実装基板２０２の完成後、反射枠２０８の固着前にＳｉＯ_２膜２０６の処理を行なったが、反射枠２０８の固着後にＳｉＯ_２膜２０６の処理を行なっても良い。

すなわち、ＬＥＤ発光装置２００においては、Ａｇメッキ層によるメッキ電極２０３ｂによってＬＥＤ１の発光を反射させて発光効率を高めようとしているものであり、さらにＡｇメッキ層上にＳｉＯ_２膜２０６の処理を行なうことによって、Ａｇメッキ層の腐食や反射率の低下を防止しようとしている。

次に引用文献３に記載された従来のＬＥＤ発光装置に付いて説明する。図示は省略したが引用文献３に記載されたＬＥＤ発光装置は引用文献２に記載されたＬＥＤ発光装置２００と同様に、実装基板の上面にはダイボンド用電極と、ワイヤボンド用電極が形成されており、それぞれダイボンド用電極とワイヤボンド用電極には実装基板に張り付けられた銅箔をエッチングして形成した下地電極が形成されている。そして下地電極の表面には、第１層のメッキ電極が形成されており、このメッキ電極部はＡｇメッキ層である。この第１層のメッキ電極は配線導体としての機能とＬＥＤからの発光を反射させる反射層としての機能を有している。

また、の第１層のメッキ電極であるＡｇメッキ層の表面には、第２層の金属メッキ層層として第１層のＡｇと異なる金属層（例えばＡｕ）を、Ａｇ層の表面の少なくとも一部が露出するように疎らに形成し、さらに第１層のＡｇメッキ層及び疎らに形成された第２層の表面を覆うように第３層の保護膜（例えばＳｉＯ_２）を形成している。

引用文献３には、第２層の機能として第１層のＡｇ層と、第３層のＳｉＯ_２層との密着性を向上させるために設けており、第１層のＡｇ層の反射特性を阻害しないように、出来るだけＡｇ層の表面の露出を多くするように、疎らに形成することが望ましいとしている。
また、半導体発光素子と基板電極との電気的接続は、半導体発光素子の電極と、基板上の第１層のＡｇ層が露出している領域とをワイヤーボンディングするのが良いとしている。

すなわち、引用文献３におけるＬＥＤ発光装置も、引用文献２におけるＬＥＤ発光装置２００と同様に、Ａｇメッキ層によるメッキ電極によってＬＥＤの発光を反射させて発光効率を高めようとしているものであり、さらにＡｇメッキ層上にＳｉＯ_２膜の処理を行なうことによって、Ａｇメッキ層の腐食や反射率の低下を防止しようとしている。

特開２００５−１９７４７９号公報 特開２００９−２２４５３６号公報 特開２００８−７２０１３号公報

次に引用文献１に示すＬＥＤ発光装置１００の問題点を説明する。
まずＬＥＤ発光装置１００の実装基板１０２おけるメッキ電極１０３ｂ、１０４ｂは実装基板１０２上にて露出しているため、反射特性に優れたＡｇメッキ層を採用した場合、Ａｇメッキ層の腐食や反射率の低下が激しく、発光効率を高めることができないという問題がある。

次に引用文献２に示すＬＥＤ発光装置２００の問題点を説明する。
ＬＥＤ発光装置２００の実装基板２０２上のＡｇメッキ層におけるメッキ電極１０３ｂ、１０４ｂは反射特性に優れ、ＳｉＯ_２膜で被覆されているため、引用文献１のＬＥＤ発光装置１００に比べるとＡｇメッキ層の腐食や反射率の低下が少なく優れた構成ではあるが、まだ問題点がある。

すなわち、図１１に示す如くＬＥＤ発光装置２００は実装基板２０２上にＡｇメッキ層におけるメッキ電極１０３ｂ、１０４ｂを形成し、ダイボンド用電極２０３のメッキ電極部２０３ｂにＬＥＤ１をダイボンドペースト等により固定し、ワイヤー７によってメッキ電極部２０３ｂの一部と、ワイヤボンド用電極２０４のメッキ電極部２０４ｂに接続している。この一連のＬＥＤ実装工程が終了した後に図１１（ｂ）（ｃ）に示す如く実装基板２０２上にＳｉＯ_２液２０６を滴下し、加熱処理によってＳｉＯ_２膜２０６を形成している。

しかし上記ＬＥＤ１の実装が終了してから、ＳｉＯ_２膜２０６を形成する方法では十分なＡｇメッキ層に対するＳｉＯ_２膜２０６の保護効果が得られない。すなわち、ＩＥＤ１の底部にはＳｉＯ_２膜２０６が存在せず、ＬＥＤ１がダイボンド用電極２０３のメッキ電極部２０３ｂにダイボンドペースト等により固定されているため、このダイボンドペースト等の接着剤を通してＡｇメッキ層の腐食や反射率の低下が進行する結果となり、ＬＥＤ発光装置１００に比べれば、程度は良いものの、完全なＡｇメッキ層に対するＳｉＯ_２膜２０６の保護効果を期待することができない。
さらに、実装基板２０２上にＬＥＤ１が実装された後に滴下されたＳｉＯ_２液２０６ａはＬＥＤ１にも直接付着するため、ＬＥＤ１の発光特性に悪影響を及ぼす危険性があり、望ましくない。

次に引用文献３に示すＬＥＤ発光装置の問題点を説明する。
引用文献３のＬＥＤ発光装置は、実装基板上のＡｇメッキ層におけるメッキ電極が反射特性に優れ、ＳｉＯ_２膜で被覆されているため、Ａｇ層の反射特性が良好であるメリットがある。しかしダイボンド用電極のメッキ電極部にＬＥＤをペースト等により固定し、ワイヤーによってメッキ電極部の一部と、ワイヤボンド用電極のメッキ電極部を接続した後に、実装基板上にＳｉＯ_２液を滴下し、加熱処理によってＳｉＯ_２膜を形成しているので、十分なＡｇメッキ層に対するＳｉＯ_２膜の保護効果が得られない問題があることは、引用文献２と同じである。

さらに引用文献３のＬＥＤ発光装置の場合には、第１層のＡｇメッキ層と第３層のＳｉＯ_２との間に、第２層のＡｕ層が疎らに形成されているため、第１層のＡｇ層の反射特性を第２層の疎らに形成されたＡｕ層が阻害して、ＬＥＤの反射効率を妨げる問題があり、さらにワイヤーボンディング領域にも第１層のＡｇメッキ層の表面に、第２層のＡｕ層が疎らに形成されていることによってボンディング特性も低下する問題がある。

本発明の目的は上記問題点を解決しようとするものであり、ＬＥＤ発光装置の高発光効率化及び生産性の向上の要望に沿って、実装基板に反射性に優れたＡｇメッキ層と接続性に優れたＡｕメッキ層を用い、さらにＳｉＯ_２膜の保護効果を十分に発揮できる半導体発光装置を提供することである。

上記目的を達成するため本発明におけるＬＥＤ発光装置の構成は、ダイボンド用電極と、ワイヤボンド用電極とを備えた実装基板上に、半導体発光素子を実装した半導体発光装置において、前記実装基板上に形成されたＮｉメッキ層と、前記Ｎｉメッキ層の上面側に形成されたＡｕメッキ層と、前記Ａｕメッキ層の上面側に形成されたＡｇメッキ層と、さらに前記Ａｇメッキ層上に形成された、ダイボンド用電極とワイヤボンド用電極とのワイヤボンド領域となる開口部を有するＳｉＯ _２ 膜との積層構成を成し、前記半導体発光素子は前記Ａｇメッキ層上に被覆されたＳｉＯ_２膜上にダイボンディングされており、前記半導体発光素子の各電極は前記ＳｉＯ_２膜の開口部に露出したＡｕメッキ層にワイヤボンディングされていることを特徴とする。

上記構成によれば、実装基板上面の大部分を反射性に優れたＡｇメッキ層で構成すると共に、ワイヤボンド領域にはＡｕメッキ層を構成し、Ａｕメッキ層のワイヤボンド領域のみを露出させて、Ａｇメッキ層を完全にＳｉＯ_２膜で被覆し、且つＬＥＤをＳｉＯ_２膜上に固着することにより、ＳｉＯ_２膜の保護効果を十分に発揮できる半導体発光装置を提供することができる。

前記実装基板上に形成されたＮｉメッキ層と、前記Ｎｉメッキ層の上面側に形成されたＡｕメッキ層と、前記Ａｕメッキ層の上面側に形成されたＡｇメッキ層と、さらに前記Ａｇメッキ層上に形成されたＳｉＯ_２膜との積層構成を成し、前記Ａｇメッキ層と前記ＳｉＯ_２膜の一部に形成された開口部の底面にＡｕメッキ層が露出して、前記ワイヤボンド用電極とダイボンド用電極との一部にワイヤボンド領域が形成されていると良い。

前記実装基板上に形成されたＮｉメッキ層と、前記Ｎｉメッキ層の上面側に形成されたＡｕメッキ層と、前記Ａｕメッキ層の上面側に形成されたＡｇメッキ層と、さらに前記Ａｇメッキ層上に形成されたＳｉＯ_２膜との積層構成を成し、前記ＳｉＯ_２膜の一部に形成された開口部の底面に、Ａｇメッキ層上にメッキ形成されたＡｕメッキ層よりなる電極が露出して、前記Ａｕメッキ層よりなる電極によって、前記ワイヤボンド用電極と前記ダイボンド用電極との一部にワイヤボンド領域が形成されていると良い。

本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置の構成を示す断面図である。 図１に示すＬＥＤ発光装置における実装基板の上面図である。 図１に示すＬＥＤ発光装置における実装基板の裏面図である。 本発明の第１実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法を示す工程図である。 本発明の第２実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法を示す工程図である。 本発明の第３実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法を示す工程図である。 本発明の第４実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法を示す工程図である。 本発明の第５実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法を示す工程図である。 本発明の第６実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法を示す工程図である。 従来技術におけるＬＥＤ発光装置の構成を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は実装基板の上面図である。 従来技術におけるＬＥＤ発光装置の構成を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）（ｃ）は実装基板にＳｉＯ_２膜の形成状を示す断面図である。

（第１実施形態の説明）
以下図面により、本発明の実施の形態を説明する。図１〜図３は本発明の第１実施形態を示し、図１は本発明のＬＥＤ発光装置１０の断面図、図２は図１に示す実装基板２の上面図、図３は図１に示す実装基板２の裏面図である。

図１においてＬＥＤ発光装置１０は実装基板２の上面にはダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４が形成されており、それぞれダイボンド用電極３とワイヤボンド用電極４には実装基板２に張り付けられた銅箔をエッチングして形成した下地電極３ａ、４ａが形成されている。そして下地電極３ａ、４ａの表面には、メッキ電極としてＮｉメッキ層３ｂ、４ｂが形成され、さらにその上面にＡｕメッキ層３ｃ，４ｃが形成されている。

またワイヤボンド領域の開口部３ｗ、４ｗを除いてＡｇメッキ層が形成され、さらに開口部３ｃｗ、４ｃｗを除く、実装基板２の上面の全面にＳｉＯ_２膜６が被覆されている。なお、ワイヤボンド領域の開口部３ｗ、４ｗはダイボンド用電極３の一部と、ワイヤボンド用電極４とのそれぞれに形成されている。さらに実装基板２の裏面側にも下地電極３ａ、４ａ、Ｎｉメッキ層３ｂ、４ｂ、Ａｕメッキ層３ｃ，４ｃによる出力電極３ｅ，４ｅが設けられ、点線で示すスルーホール３ｆ、４ｆにて電気的に接続されているが本願の趣旨に直接関係しないので詳細は省略する。

以上が実装基板２の完成状態であり、この実装基板２のダイボンド用電極３におけるＡｇメッキ層３ｄにＳｉＯ_２膜が被覆された上面に、ＬＥＤ１がダイボンドペースト等の接着剤によって固着され、ワイヤボンド領域の開口部３ｗ，４ｗに露出したＡｕメッキ層３ｃ、４ｃにワイヤー７によってワイヤーボンディングされている。さらにＬＥＤ１及びワイヤー７を含む実装基板２の上面を封止樹脂８にて封止することにより、ＬＥＤ発光装置１０が完成する。

図２は実装基板２の上面図で、各電極パターンの位置及び形状を示している。すなわち、細い点線で示すのが下地電極３ａ、４ａ、太い点線で示すのがＮｉメッキ層３ｂ、４ｂ、Ａｕメッキ層３ｃ，４ｃ、Ａｇメッキ層３ｄ，４ｄによって構成されるメッキ電極であり、メッキ電極の最上層に形成されたＡｇメッキ層３ｄ，４ｄにはワイヤボンド領域の開口部３ｗ、４ｗが形成され、Ａｕメッキ層３ｃ，４ｃが露出している。そして梨地模様で示すＳｉＯ_２膜が、開口部３ｗ、４ｗを除き、ＬＥＤ１の固着面をふくむ全面を被覆している。

図３は実装基板２の裏面図であり、両端に出力電極３ｅ，４ｅが形成され、前述のスルーホール３ｆ，４ｆによって実装基板２の上面のダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４とに接続されている。

次にＬＥＤ発光装置１０の組み立て及び発光特性について説明する。
まず、実装基板２としては少なくともＬＥＤ１を固定するダイボンド用電極３の表面は反射性に優れたＡｇメッキ層の上に保護効果の高いＳｉＯ_２膜を被覆しているので、Ａｇメッキ層の光沢を長持ちさせることが可能となり、発光特性が良く、長寿命なＬＥＤ発光装置を提供可能となる。またワイヤボンド領域は開口部３ｗ，４ｗにＡｕメッキ層を露出させることによって、ボンディング特性が良好になると共に、ボンディング位置が分かりやすくなることによって、実装の容易化をはかることができる。

また図１に示すＬＥＤ発光装置１０では、実装基板２の上面に形成されたメッキ電極において、ダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４との外周角部においては、Ａｕメッキ層３ｂ，４に比べて、Ａｇメッキ層３ｄ，４ｄの長さを短くして周囲をＳｉＯ_２膜６で被覆しているが、この理由はＡｇメッキ層３ｄ，４ｄを長くして外周角部に突出させると、ＳｉＯ_２膜で被覆されなくなる危険性があり、距離の長い外周角部からＡｇメッキ層を露出させると、この部分からＡｇメッキ層の腐食及び劣化が進行することを防止するためである。

特にＬＥＤ発光装置１０においては、ダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４とにＡｕメッキ層３ｃ，４ｃ、とＡｇメッキ層３ｄ，４ｄを積層して形成し、ダイボンド用電極３の一部と、ワイヤボンド用電極４とのそれぞれにＡｕメッキ層３ｃ，４ｃが露出したワイヤボンド領域を形成しているため、実装基板２の上面側がＡｇメッキ層によって全面的に反射効率が高く、またＡｕメッキ層によるワイヤボンド領域の形成によってボンディング作業が容易で安定なＬＥＤ発光装置を提供できる。

（第１実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法）
次に本発明の半導体発光装置実装基板の製造方法の実施形態について説明する。
図４は本発明の半導体発光装置実装基板の製造方法の第１実施形態を示す工程図であり、図１〜図３に示すＬＥＤ発光装置１０における実装基板２の製造工程である。従って図１〜図３に示すＬＥＤ発光装置１０と同一部材には同一番号を付し、重複する説明は省略する。

図４（ａ）はＡｕメッキ層形成工程であり、実装基板２にパターン形成した下地電極３ａ、４ａにＮｉメッキ層３ｂ．４ｂ、Ａｕメッキ層３ｃ，４ｃを形成し、ダイボンド用電極３とワイヤボンド用電極４及び出力電極３ｅ、４ｅを形成する。図４（ｂ）はマスク形成工程であり、ダイボンド用電極３とワイヤボンド用電極４のＡｕメッキ層３ｃ、４ｃにおけるワイヤボンド領域と、Ａｇメッキ層をつけたくないダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４との外周角部にレジストマスク９ａ，９ｂを形成する。なお、外周角部のレジストマスク９ｂは必須のものではなく、外周角部からのＡｇメッキ層３ｄ，４ｄの腐食の心配がない場合は省略できるが、これを設けておくことによってＡｇメッキ層保護の効果を高めるために設けている。

図４（ｃ）はＡｇメッキ層形成工程であり、実装基板２の上面側にのみＡｇメッキを行なうことにより、レジストマスク９ａ，９ｂを除くＡｕメッキ層３ｃ，４ｃ上にＡｇメッキ層３ｄ，４ｄが形成される。図４（ｄ）は第１マスク除去工程であり、ダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４との外周角部に設けたレジストマスク９ｂのみを除去する。なお、図４（ｂ）のマスク形成工程においてダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４との外周角部にレジストマスク９ｂを形成しない場合は、この第１マスク除去工程は不要である。

図４（ｅ）はＳｉＯ_２膜形成工程であり、実装基板２の上面側の全面にディスペンサ等の手段によってＳｉＯ_２液を滴下し、過熱処理することによってＳｉＯ_２膜６を形成する。
図４（ｆ）は第２マスク除去工程であり、ダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４とのワイヤボンド領域に設けたレジストマスク９ａを除去する。このレジストマスク９ａの除去によってＡｇメッキ層３ｄ，４ｄとＳｉＯ_２膜の一部が除去されることにより、ダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４とに開口部３ｗ，４ｗが形成され、この開口部３ｗ，４ｗの底面に露出したＡｕメッキ層３ｃ，４ｃがワイヤボンド領域となる。

図４（ｇ）は上記する図４（ａ）〜（ｆ）の工程によって構成された実装基板２にＬＥＤ１を実装したＬＥＤ発光装置１０の断面図であり、図１に示すＬＥＤ発光装置１０と同一構成である。

（第２実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法）
次に、図５により第２実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法を説明する。
なお、各半導体発光装置実装基板の製造方法の実施形態において、実装基板２の基本的構成及び工程は図４に示すものと同様の要素を使用しているので、同一要素には同一番号を付し、重複する説明は省略する。また、ＬＥＤ発光装置１０の完成断面図は、図４（ｇ）に示したＬＥＤ発光装置１０の構成と同じであり、図示も省略する。

図５（ａ）は、図４（ａ）と同じＡｕメッキ層形成工程であり、説明を省略する。
図５（ｂ）は図４（ｃ）に対応するＡｇメッキ層形成工程であるが、レジストマスクを使用しないため、ダイボンド用電極３とワイヤボンド用電極４のＡｕメッキ層３ｃ、４ｃの全面にＡｇメッキ層３ｄ，４ｄが形成されている。図５（ｃ）は図４（ｅ）に対応するＳｉＯ_２膜形成工程であり、実装基板２の上面側の全面にＳｉＯ_２液を滴下し、過熱処理することによってＳｉＯ_２膜６を形成する。

図５（ｄ）はレーザー加工工程であり、ダイボンド用電極３とワイヤボンド用電極４におけるワイヤボンド領域にレーザー加工によって開口部３ｗ，４ｗを形成し、露出したＡｕメッキ層３ｃ，４ｃによるワイヤボンド領域を形成する。図５（ｆ）は図５（ａ）〜（ｅ）の工程によって構成された実装基板２にＬＥＤ１を実装したＬＥＤ発光装置１０の断面図であり、図１に示すＬＥＤ発光装置１０と同一構成である。
すなわち図４に示す第１実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法と図５に示す第２実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法との違いは、第１実施形態の製造方法では、ワイヤボンド領域を構成する開口部３ｗ，４ｗの形成をレジストマスクを用いたレジスト工法で行なっていたのに対し、第２実施形態の製造方法では開口部３ｗ，４ｗの形成をレーザー加工を用いて行なったことである。

（第３実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法）
次に、図６により第３実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法を説明する。
図６に示す第３実施形態は図４に示す第１実施形態と同じレジスト工法における製造方法であり、主として第１実施形態との違いに付いて説明する。図６（ａ）は、図４（ａ）と同じＡｕメッキ層形成工程であり、説明を省略する。
図６（ｂ）は第１マスク形成工程であり、Ａｇメッキ層をつけたくないダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４との外周角部にレジストマスク９ｂを形成する。図６（ｃ）はＡｇメッキ層形成工程であり、実装基板２の上面側にのみＡｇメッキを行なうことにより、レジストマスク９ｂを除くＡｕメッキ層３ｃ，４ｃ上にＡｇメッキ層３ｄ，４ｄが形成される。

図６（ｄ）はであり、第２マスク形成工程であり、レジストマスク９ｂを剥離すると共に、ダイボンド用電極３とワイヤボンド用電極４のＡｕメッキ層３ｃ、４ｃにおけるワイヤボンド領域にレジストマスク９ａを形成する。図６（ｅ）はＳｉＯ_２膜形成工程であり、実装基板２の上面側の全面にＳｉＯ_２液を滴下し、過熱処理することによってＳｉＯ_２膜６を形成する。図６（ｆ）は第２マスク除去工程であり、ダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４とのワイヤボンド領域に設けたレジストマスク９ａを除去する。このレジストマスク９ａの除去によってＡｇメッキ層３ｄ，４ｄとＳｉＯ_２膜の一部が除去されることにより、ダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４とに開口部３ｗ，４ｗが形成され、この開口部３ｗ，４ｗの底面にＡｇメッキ層３ｄ，４ｄが露出する。図６（ｇ）はワイヤボンド電極形成工程であり、この開口部３ｗ，４ｗの底面に露出したＡｇメッキ層３ｄ，４ｄにＡｕメッキ層よりなるワイヤボンド電極９をメッキ形成する。

図６（ｇ）に示す第３実施形態における実装基板２と、図４（ｆ）に示す第１実施形態における実装基板２とを比較すると、第３実施形態における実装基板２の方がマスク形成工程が２工程になり、またワイヤボンド電極９のメッキ工程が増加することによって、工程数としては不利になるが、Ａｇメッキ層の面積が増加する分だけ、反射率が向上するという有利さが存在する。

（第４実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法）
次に、図７により第４実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法を説明する。
図７に示す第４実施形態は、図５に示す第２実施形態と同じレーザー工法における製造方法であり、主として第２実施形態との違いに付いて説明する。図７（ａ）〜（ｃ）までのＡｕメッキ層形成工程、Ａｇメッキ層形成工程、ＳｉＯ_２膜形成工程は、図５（ａ）〜（ｃ）までのＡｕメッキ層形成工程、Ａｇメッキ層形成工程、ＳｉＯ_２膜形成工程と同じであり、説明を省略する。

第４実施形態と第２実施形態との製造方法において異なるところは、レーザー加工工程における開口部３ｗ，４ｗの形成方法であり、図５（ｄ）に示すレーザー加工工程では、レーザー加工によってＳｉＯ_２膜６とＡｇメッキ層３ｄ，４ｄに開口部３ｗ，４ｗを形成し、開口部３ｗ，４ｗの底面に露出したＡｕメッキ層３ｃ，４ｃをワイヤボンド領域としていたのに対し、図７（ｄ）に示すレーザー加工工程では、レーザー加工によってＳｉＯ_２膜６のみに開口部３ｗ，４ｗを形成し、開口部３ｗ，４ｗの底面に露出したＡｇメッキ層３ｄ，４ｄにワイヤボンド電極９をメッキ形成してワイヤボンド領域としていることである。

（第５実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法）
次に、図８により第５実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法を説明する。
図８に示す第５実施形態は図４に示す第１実施形態と同じレジスト工法における製造方法であり、図４に示す第１実施形態のレジスト工法と対比して説明する。 図８（ａ）はＡｇメッキ層形成工程であり、実装基板２の上面にはパターン形成した下地電極３ａ、４ａにＮｉメッキ層３ｂ、４ｂとＡｇメッキ層３ｄ，４ｄを形成し、ダイボンド用電極３とワイヤボンド用電極４を形成する。また実装基板２の裏面側には下地電極３ａ、４ａにＮｉメッキ層３ｂ、４ｂ、Ａｕメッキ層３ｃ，４ｃを形成し、出力電極３ｅ、４ｅを形成する。

ここで、第５実施形態の製造方法が第１実施形態の製造方法と大きく異なるところは、ダイボンド用電極３とワイヤボンド用電極４の形成方法であり、第１実施形態の製造方法ではダイボンド用電極３とワイヤボンド用電極４をＡｕメッキ層で形成していたのに対し、第５実施形態の製造方法ではダイボンド用電極３とワイヤボンド用電極４をＡｇメッキ層で形成していることである。ただし実装基板２の裏面側の出力電極３ｅ，４ｅは同じＡｕメッキ層で形成している。図８（ｂ）はマスク形成工程であり、ダイボンド用電極３とワイヤボンド用電極４のＡｇメッキ層３ｄ、４ｄにおけるワイヤボンド領域にレジストマスク９ａを形成する。

図８（ｃ）はＳｉＯ_２膜形成工程であり、実装基板２の上面側の全面にディスペンサ等の手段によってＳｉＯ_２液を滴下し、過熱処理することによってＳｉＯ_２膜６を形成する。
図８（ｄ）はマスク除去工程であり、ダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４とのワイヤボンド領域に設けたレジストマスク９ａを除去する。このレジストマスク９ａの除去によってＳｉＯ_２膜の一部が除去されることにより、ダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４とに開口部３ｗ，４ｗが形成され、この開口部３ｗ，４ｗの底面にＡｇメッキ層３ｄ，４ｄが露出する。図８（ｅ）はワイヤボンド電極形成工程であり、この開口部３ｗ，４ｗの底面に露出したＡｇメッキ層３ｄ，４ｄ上にＡｕメッキ層よりなるワイヤボンド電極９をメッキ形成する。

図８に示す第５実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法は、図４に示す第１実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法に比べて、ダイボンド用電極３と、ワイヤボンド用電極４の形成に、Ａｕメッキ層を設けずに、直接Ａｇメッキ層を用いているため、Ａｕメッキ層の省略による低価格化がはかれるという利点があるが、反面、実装基板２の上面側と裏面側との製造工程が異なることによる製造のし難さが問題となる。

（第６実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法）
次に、図９により第６実施形態における半導体発光装置実装基板の製造方法を説明する。
図９に示す第６実施形態は、図８に示す第５実施形態のレジスト工法をレーザー加工に変えたものであり、図８に示す第５実施形態と対比して説明する。図９（ａ）は 図８（ａ）のＡｇメッキ層形成工程と同一であり、説明を省略する。図９（ｂ）はＳｉＯ_２膜形成工程であり、実装基板２の上面側の全面にディスペンサ等の手段によってＳｉＯ_２液を滴下し、過熱処理することによってＳｉＯ_２膜６を形成する。図９（ｃ）はレーザー加工工程であり、レーザー加工によってＳｉＯ_２膜６のみに開口部３ｗ，４ｗを形成する。図９（ｄ）はワイヤボンド電極形成工程であり、レーザー加工工程で設けた開口部３ｗ，４ｗの底面に露出したＡｇメッキ層３ｄ，４ｄにワイヤボンド電極９をメッキ形成してワイヤボンド領域としている。

上記のごとく本発明においては、ＬＥＤ発光装置において、ダイボンド用電極には反射性の良いＡｇメッキ層が形成されると共に、ワイヤボンド用電極にはボンディング性の良いＡｕメッキ層が形成しており、さらに実装基板上を、Ａｇメッキ層を被覆すると共に、Ａｕメッキ層を露出させたＳｉＯ_２膜で被覆し、ＬＥＤはＡｇメッキ層上に被覆されたＳｉＯ_２膜上にダイボンディングし、ＬＥＤの各電極はＳｉＯ_２膜上に露出したＡｕメッキ層にワイヤーボンディングすることによって、Ａｇメッキ層の良好な反射性の寿命を長持ちさせることであり、そのＬＥＤ発光装置実装基板の製造方法は各実施形態に示すようにいろいろ考えられるが、その目的すなわち、より信頼性を求める仕様か、低コストを求める仕様か等により使い分けることができる。

１ ＬＥＤ
２、１０２，２０２ 実装基板
３、１０３、２０３ ダイボンド用電極
３ａ、４ａ、１０３ａ、１０４ａ 下地電極
２０３ａ、２０４ａ 下地電極
３ｂ Ｎｉメッキ層
３ｃ，４ｃ Ａｕメッキ層
３ｄ，４ｄ Ａｇメッキ層
３ｅ，４ｅ、１０３ｄ、１０４ｄ 出力電極
２０３ｄ、２０４ｄ 出力電極
３ｆ、４ｆ、１０３ｃ、１０４ｃ スルーホール
３ｗ，４ｗ 開口部
４、１０４，２０４ ワイヤボンド用電極
６、２０６ ＳｉＯ_２膜
２０６ａ ＳｉＯ_２液
７ ワイヤー
８ 封止樹脂
９ ワイヤボンド電極
１０，１００，２００ ＬＥＤ発光装置
１０３ｂ、１０４ｂ、２０３ｂ、２０４ｂ メッキ電極
２０５ 被覆樹脂
２０８ 反射枠
３００ ディスペンサー

Claims (3)

1. ダイボンド用電極と、ワイヤボンド用電極とを備えた実装基板上に、半導体発光素子を実装した半導体発光装置において、前記実装基板上に形成されたＮｉメッキ層と、前記Ｎｉメッキ層の上面側に形成されたＡｕメッキ層と、前記Ａｕメッキ層の上面側に形成されたＡｇメッキ層と、さらに前記Ａｇメッキ層上に形成された、ダイボンド用電極とワイヤボンド用電極とのワイヤボンド領域となる開口部を有するＳｉＯ _２ 膜との積層構成を成し、前記半導体発光素子は前記Ａｇメッキ層上に被覆されたＳｉＯ_２膜上にダイボンディングされており、前記半導体発光素子の各電極は前記ＳｉＯ_２膜の開口部に露出したＡｕメッキ層にワイヤボンディングされていることを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記実装基板上に形成されたＮｉメッキ層と、前記Ｎｉメッキ層の上面側に形成されたＡｕメッキ層と、前記Ａｕメッキ層の上面側に形成されたＡｇメッキ層と、さらに前記Ａｇメッキ層上に形成されたＳｉＯ_２膜との積層構成を成し、前記Ａｇメッキ層と前記ＳｉＯ_２膜の一部に形成された開口部の底面にＡｕメッキ層が露出して、前記ワイヤボンド用電極とダイボンド用電極との一部にワイヤボンド領域が形成されている請求項１記載の半導体発光装置。
3. 前記実装基板上に形成されたＮｉメッキ層と、前記Ｎｉメッキ層の上面側に形成されたＡｕメッキ層と、前記Ａｕメッキ層の上面側に形成されたＡｇメッキ層と、さらに前記Ａｇメッキ層上に形成されたＳｉＯ_２膜との積層構成を成し、前記ＳｉＯ_２膜の一部に形成された開口部の底面に、Ａｇメッキ層上にメッキ形成されたＡｕメッキ層よりなる電極が露出して、前記Ａｕメッキ層よりなる電極によって、前記ワイヤボンド用電極と前記ダイボンド用電極との一部にワイヤボンド領域が形成されている請求項１記載の半導体発光装置。

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