JP5842929B2 - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Description
10A,10B,10C 素子領域
10L スクライブライン
20 MEMSスイッチ
21 基板
21A〜21C,21B1,21B2 貫通ビアプラグ
21S 基板表面
21SW 基板側壁面
22A 支柱
22B 駆動電極パターン
22C,22C1,22C2,23A 接点
22D 電極パターン
22S シールリング
220,420 直流電圧源
23 カンチレバー
23B 上部電極パターン
23W ボンディングワイヤ
24 作動空間
25 蓋部材
25S 側壁部材
25a 密着層
250 キャップ基板
250A,250B 架橋部
250L スリット部
250V 空間
26 シールド層
26S シールド層下面
260 シールド基板
27 封止部材
27SW 封止部材側壁面
270 封止材層
31,45 レジスト膜
31A,31B,45A,45C レジスト開口部
[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態による電子部品20の例を示す断面図,図2は図1の電子部品20が切り出されるウェハ10を示す平面図である。
さらに図11Eに示すように前記図11Dの状態のシリコン基板250Sを上下反転させ、前記側壁部材25Sが形成されている側の面に前記密着層25aを、例えば0.5μmの膜厚で形成することにより、前記キャップ基板250が形成される。
[第2の実施形態]
図14は、第2の実施形態による可変容量素子40の構成を示す断面図、図15は前記図14の可変容量素子40の本体部の構成を示す斜視図である。図14の断面図は、図15の斜視図中、線C−C'に沿った断面を示している。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に形成された素子と、
前記基板上において前記素子を囲む側壁部材と、
前記側壁部材上に配設され、前記側壁部材と共に、前記基板上において前記素子を囲む空間を画成する蓋部材と、
前記側壁部材の外側に設けられ、前記側壁部材および蓋部材を前記基板の表面に接合し、前記空間を封止する封止部材と、
を備え、
前記蓋部材は平板状の部材であって前記側壁部材上に接合されており、前記蓋部材上には、前記基板の外周に一致する形状の外周を有するシールド部材が形成されており、前記蓋部材は、前記シールド部材の外周を画成する側壁面から後退した位置にある側壁面により外周を画成され、前記側壁部材の外周を画成する側壁面は、前記シールド部材の外周を画成する側壁面および前記蓋部材の外周を画成する側壁面のいずれに対しても後退した位置に形成されて段差部を形成し、前記段差部は前記封止部材により充填されていることを特徴とする電子部品。 - 基板と、
前記基板上に形成された素子と、
前記基板上において前記素子を囲む側壁部材と、
前記側壁部材上に配設され、前記側壁部材と共に、前記基板上において前記素子を囲む空間を画成する蓋部材と、
前記側壁部材の外側に設けられ、前記側壁部材および蓋部材を前記基板の表面に接合し、前記空間を封止する封止部材と、
を備え、
前記蓋部材は平板状の部材であって前記側壁部材上に接合されており、前記蓋部材上には、前記基板の外周に一致する形状の外周を有するシールド部材が形成されており、前記側壁部材は、前記シールド部材の外周を画成する側壁面から後退した位置にある側壁面により外周を画成され、前記蓋部材の外周を画成する側壁面は、前記シールド部材の外周を画成する側壁面および前記側壁部材の外周を画成する側壁面のいずれに対しても後退した位置に形成されて段差部を形成し、前記段差部は前記封止部材により充填されていることを特徴とする電子部品。 - 前記基板は外周を側壁面で画成されており、前記封止部材は、前記基板の側壁面を延長した面に一致する側壁面により外周を画成されていることを特徴とする請求項1または2記載の電子部品。
- 前記蓋部材と前記側壁部材とは一体の部材よりなり、前記側壁部材は前記基板の表面において前記素子を囲むシールリングに接合されていることを特徴とする請求項1または2記載の電子部品。
- 前記蓋部材は平板状の部材であり、前記側壁部材上に接合されていることを特徴とする請求項1または2記載の電子部品。
- 前記側壁部材は、前記蓋部材の外周を画成する側壁面から後退した位置にある側壁面により外周を画成され、前記蓋部材の側壁面と前記側壁部材の側壁面との間には段差部が形成され、前記段差部は前記封止部材により充填されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
- 前記蓋部材および前記側壁部材は前記封止部材と、チタン層を含む密着層を介して接することを特徴とする請求項1または2記載の電子部品。
- 前記密着層は前記蓋部材のうち、前記空間において前記基板に対面する部分には形成されないことを特徴とする請求項7記載の電子部品。
- ウェハ上に複数の素子を行列状に形成する工程と、
前記複数の素子にそれぞれ対応した複数の蓋部材が行列状に形成され、それぞれの蓋部材が対応する素子を囲む側壁部を含み、また隣接する蓋部材どうしが溝部で相互に隔てられ、かつ隣接する蓋部材どうしが前記溝部を架橋する架橋部により相互に結合した状態で形成されたキャップ基板を作製する工程と、
前記キャップ基板を前記ウェハ上に、それぞれの蓋部材において側壁部が対応する素子を囲むように載置する工程と、
前記キャップ基板上に流動状態の封止層を担持したシールド基板を押圧し、前記溝部を介して、前記それぞれの素子を囲む側壁部の外側に圧入し、固化させることにより、前記シールド基板の下方において隣接する側壁部の間を封止部材で充填する工程と、
前記シールド基板、前記キャップ基板および前記ウェハを前記溝部に沿って切断し、前記複数の素子を個々の電子部品に分離させる工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。 - ウェハ上に複数の素子を行列状に形成する工程と、
前記ウェハ上に、前記複数の素子をそれぞれ囲むように、前記ウェハの表面から屹立する複数の側壁部材をシールリングとして形成する工程と、
前記複数の素子にそれぞれ対応した複数の蓋部材が行列状に形成され、隣接する蓋部材どうしが溝部で相互に隔てられ、かつ隣接する蓋部材どうしが前記溝部を架橋する架橋部により相互に結合した状態で形成されたキャップ基板を作製する工程と、
前記キャップ基板を前記ウェハ上に、それぞれの蓋部材が対応する素子を覆い、また対応する側壁部材に係合するように載置する工程と、
前記キャップ基板上に流動状態の封止層を担持したシールド基板を押圧し、前記溝部を介して、前記それぞれの素子を囲む側壁部材の外側に圧入し、固化させることにより、前記シールド基板の下方において隣接する側壁部材の間を封止部材で充填する工程と、
前記シールド基板、前記キャップ基板および前記ウェハを前記溝部に沿って切断し、前記複数の素子を個々の電子部品に分離させる工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
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